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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > interface temperatureに関連した英語例文

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interface temperatureの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 334



例文

By introducing the secondary jet flow to the flame, an interface shear layer of the flame and external stationary atmosphere is controlled in one way or another, and further instable phenomenon of the flame is prevented by cooling effect for lowering flame temperature, thus the generation of combustion noise and the production of thermal NOx can be prevented.例文帳に追加

火炎に対し二次噴流を導入することによって、火炎と外部静止雰囲気との界面せん段層がなんらかの形で制御され、さらに、火炎温度を低減させる冷却効果により、火炎の不安定現象が回避され、燃焼騒音の発生およびサーマルNOxの生成が抑制される。 - 特許庁

When a silicon single crystal is pulled from a silicon melt, a defect-free crystal is produced stably with good reproducibility by controlling the relation between the form of solid-liquid interface being the boundary of the silicon melt and the silicon single crystal and the temperature distribution at the side face or the single crystal being pulled to be optimum.例文帳に追加

シリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるにあたって、シリコン融液とシリコン単結晶の境界である固液界面の形状と、引き上げ中の単結晶の側面における温度分布と、の関係を適切に調整することによって、無欠陥結晶を安定かつ再現性よく製造することを可能にする。 - 特許庁

A moisture resistant transparent film is formed on an interface between the metallic optical reflecting layer 2 and the heat sensitive recording layer 3 whereby the image contrast will not be deteriorated even under a high temperature condition in the employing condition of the heat sensitive recording medium A and the reversible heat sensitive recording medium excellent in resistance to moisture as well as resistance to water can be obtained.例文帳に追加

金属製の光反射層2と感熱記録層3の界面に耐湿性の透明性被膜が形成されるので、感熱記録媒体Aの使用状態において、高湿度の条件においても画像コントラストが低下せず、耐湿性や耐水性に優れた可逆性感熱記録媒体になる。 - 特許庁

The silicon single crystal ingot having a desired oxygen concentration and suppressed in defects is produced by independently controlling the temperature distribution and the oxygen concentration distribution of a silicon melt by applying an unbalanced magnetic field to the silicon melt so that the magnetic field intensity of an oxygen gushing region is different from that of a solid-liquid interface region.例文帳に追加

シリコン融液に不均衡磁場(Unbalanced Magnetic)を印加することにより、酸素湧出部位と固液界面部位の磁場の強さを互いに異なるように制御し、シリコン融液の温度分布とシリコン融液の酸素濃度分布を独立的に制御することによって、希望する酸素濃度で、かつ欠陥の抑制されたれたシリコン単結晶インゴットを製造する。 - 特許庁

例文

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which even when a crystal defect included in a polysilicon film is electrically and substantially inactivated, processing temperature is not limited in subsequent processes, and an excellent interface can be formed between an active layer and a gate insulating layer, and to provide a semiconductor device and an electrooptical device.例文帳に追加

、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。 - 特許庁


例文

A piston particularly adapted for heavy-duty diesel engine applications is fabricated from separate parts having circumferentially extending joining surfaces that are heated prior to bonding to an elevated temperature sufficient to enable bonding of the joining surfaces, and thereafter the joining surfaces is brought into contact with one another and twisted to attain a permanent metallurgical weld at the interface of the joining surfaces.例文帳に追加

高荷重ディーゼルエンジンの用途のために特に適合されるピストンは、円周上に延在する接合面を有する別個の部分から製作され、接合面は、結合前に、接合面の結合が可能なほど十分な高温に加熱され、その後、接合面が互いに接触して捻じられ、接合面のインターフェイスにおいて恒常的な金属溶接を達成する。 - 特許庁

A piston particularly adapted for heavy-duty diesel engine applications is fabricated from separate parts having circumferentially extending joining surfaces that are heated prior to bonding to an elevated temperature sufficient to enable bonding of the joining surfaces, and thereafter the joining surfaces are brought into contact with one another and twisted to attain a permanent metallurgical weld at the interface of the joining surfaces.例文帳に追加

高荷重ディーゼルエンジンの用途のために特に適合されるピストンは、円周上に延在する接合面を有する別個の部分から製作され、接合面は、結合前に、接合面の結合が可能なほど十分な高温に加熱され、その後、接合面が互いに接触して捻じられ、接合面のインターフェイスにおいて恒常的な金属溶接を達成する。 - 特許庁

To provide a composition for resist removal, having high removing rate for all resists used in the manufacture of semiconductors and liquid crystal substrates, large solubility with ozone, and high permeability into the interface between a substrate and a resist, and being capable of stripping not only a normal resist but a thermally set resist near the normal temperature.例文帳に追加

半導体や液晶基板を製造する際に用いられるすべてのレジストに対する除去速度が高く、オゾンの溶解度が大きく、基板とレジストとの間の界面への浸透性が高くて、通常のレジストだけでなく熱硬化したレジストに対しても常温付近でレジストを剥離することのできるレジスト除去用組成物を提供する。 - 特許庁

The system further comprises a part replacement timing computing means estimating the replacement timing of replacing the part to be replaced having life time based on the computed cumulative energization time, cumulative service interruption time and average temperature in service; and a communication interface 8 for transmitting information for the estimated replacement timing out of the plant controller.例文帳に追加

さらに、演算された累積通電時間、累積停電時間および通電時平均温度に基づいて、有寿命交換対象部品を交換するべき交換時期を推定する部品交換時期演算手段と、推定された交換時期に関する情報をプラント制御装置の外部に送信するための通信インタフェース8と、を有する。 - 特許庁

例文

An output characteristic at low temperature is improved by manufacturing the energy device by storing/releasing electric energy by at least two kinds of reaction mechanisms comprising one having a small reaction rate and the other having a large reaction rate, in the faradic reaction wherein an oxidation state of an active material mainly changes and charge moves to the active material through an electrode interface.例文帳に追加

及び、主に活物質の酸化状態が変化し、電荷が電極界面を通して活物質に移動するファラデー的な反応で、反応速度が遅いものと速いものの少なくとも2種の反応機構により電気エネルギーを貯蔵・放出することを特徴とするエネルギーデバイスを作製することで低温での出力特性を改善した。 - 特許庁

例文

To enable the combustor, which has a liner made of CMC material together with metallic material used for a corresponding cowl (36) and a rear seal (42) fitted with a seal retainer (44), to be used, covering a wide temperature range, the combustor is designed to cope with the different of thermal expansion between them at the interface between dissimilar materials.例文帳に追加

対応する前部カウル(36)及びシール保持器(44)付き後部シール(42)に対して使用される金属材料と共にCMC材料製ライナを有する燃焼器を広い温度範囲にわたって使用することを可能にするため、燃焼器は異種材料の界面におけるそれらの熱膨張の差に対処するように設計される。 - 特許庁

To indicate a temperature by an outside liquid crystal thermometer from a heat-conducting plate via a head part casing, by disposing the heat conductive plate near an electric discharge tube of a strobe, consisting of a power source part incorporated with a battery, a microcomputer, a booster circuit, an interface circuit, and a sensor, and of a head part incorporated with the discharge tube and a capacitor.例文帳に追加

本発明はバッテリ、マイコン、昇圧回路、インターフェイス回路、及びセンサーなどが内蔵された電源部と放電管、コンデンサーなどが内蔵されるヘッド部から成るストロボの前記放電管の近傍に熱伝導板を配し、この熱伝導板からヘッド部の筐体を介して外部の液晶温度計で温度を知らせるようにした点である。 - 特許庁

After the temperature gradient G in the axis direction in the vicinity of the solid-liquid interface 24 in a single crystal ingot 15 to be pulled from a melt 12 melted by a heater 18 in a chamber 11 is estimated by using a computer utilizing a comprehensive heat transfer analyzing program and a melt convection analyzing program, the pulling speed of the single crystal ingot is determined by simulation.例文帳に追加

チャンバ11内のヒータ18により融解された融液12から引上げられる単結晶インゴット15内の固液界面24近傍の軸方向温度勾配Gを、総合伝熱解析プログラム及び融液対流解析プログラムを用いてコンピュータにより予測した後に、単結晶インゴットの引上げ速度をシミュレーションにより決定する。 - 特許庁

This computer is composed of a personal computer main body 4, a braille-display board 1 which displays information of a text part among information which is inputted from the CRT interface part of the personal computer main body 4 in Braille, a thermo-panel 2 for displaying the information of the image part in image by heat (temperature difference), and a keyboard 3 for inputting characters.例文帳に追加

この発明によるパーソナルコンピュータは、パーソナルコンピュータ本体4と、パーソナルコンピュータ本体4のCRTインターフェース部から入力される情報のうちテキスト部の情報を点字表示する点字表示ボード1と、イメージ部の情報を熱(温度差)によりイメージを表現するサーモパネル2と、文字を入力するキーボード3とより構成される。 - 特許庁

To provide a cell for a solid oxide fuel cell with excellent electrode property and small internal resistance having a porous electrode layer with a large surface area, without any reaction product generated owing to high temperature baking deposited on the interface between an electrolyte layer and an electrode layer, and to provide a method of manufacturing such a cell for the solid oxide fuel cell with high efficiency.例文帳に追加

高温焼成に起因する反応生成物が電解質層と電極層の界面に介在せず、表面積が大きく多孔質の電極層を備え、電極性能に優れしかも内部抵抗の少ない固体酸化物形燃料電池用セルと、このような燃料電池用セルを高能率に製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a propylene-based resin composition having excellent flexibility, transparency and strength (drop resistance and low-temperature impact resistance), exhibiting good moldability of hardly causing appearance defects such as rough interface, and thickness change at multilayer molding, and having excellent effects for inhibiting the phenomena of flowing a melted resin to thin the thickness at the secondary processing such as heat sealing, and to provide a multilayer sheet using the resin composition.例文帳に追加

柔軟性、透明性、強度(耐落下性、耐低温衝撃性)に優れ、且つ、多層成形時に界面荒れ等の外観不良、厚み変動が発生しにくい成形性に富み、又、ヒートシール等の2次加工時に溶融樹脂が流れ、薄肉化する現象に対する抑制効果に優れるプロピレン系樹脂組成物およびそれを用いた多層シートの提供。 - 特許庁

A material for forming element connecting electrode layers 21 of terminal electrodes 2 is composed of Au, Pt, or Au/Pt having excellent high-temperature storage characteristics, and in order to suppress the influence of intrusion of a plating solution into an interface as less as possible, after resin conductive films 22 containing silver for example, are formed, the conductive films 22 are covered with metal plating layers 23.例文帳に追加

端子電極2の素体接合電極層21を構成する材料に高温放置特性が良好なAu、Pt又はAu/Ptを用い、また、メッキ液の界面への侵食の影響を極力防抑えるために、素体接合電極層21上に、例えば銀が含有された樹脂導電膜22を形成後、金属メッキ層23で皮膜する。 - 特許庁

By adding a lithium bis-trifluoro methyl sulfonyl amide in a range of 0.005-0.2 mol/L, an interface reaction between an anode and a DME decomposed substance can be controlled, and an increase of a reaction polarization of the anode side can be reduced, and therefore, the lithium battery can obtain an excellent high temperature storing property and a long term reliability.例文帳に追加

特にリチウムビストリフルオロメチルスルホニルイミドを0.005〜0.2モル/Lの範囲で添加することにより、負極とDME分解生成物との界面反応を抑制することができ、負極側の反応分極の増大をきく低減することが可能となるため、高温保存性、長期信頼性に優れたリチウム電池を提供することができる。 - 特許庁

Consequently, the thermal relaxation layer of the soft resin spacer 16 is located between the integrated semiconductor light emitting element body 17 and optical lens 14, and the semiconductor light emitting device can be realized which prevents the interface peeling at each of members against a thermal stress in variation of an external temperature, is high in a light discharge efficiency, and has a high reliability.例文帳に追加

そのため、一体化した半導体発光素子体17と光学レンズ14との間に軟質樹脂スペーサ16による熱応力緩和層を備えたことになり、外部温度変化時の熱応力に対して各部材間の界面剥離を阻止し、光取出し効率の高い、高信頼性の半導体発光装置を実現することができた。 - 特許庁

A piston particularly adapted for heavy-duty diesel engine applications is fabricated from separate parts having circumferentially extending joining surfaces that are heated prior to bonding to an elevated temperature sufficient to enable bonding of the joining surfaces, and thereafter the joining surfaces brought into contact with one another and twisted to attain a permanent metallurgical weld at the interface of the joining surfaces.例文帳に追加

高荷重ディーゼルエンジンの用途のために特に適合されるピストンは、円周上に延在する接合面を有する別個の部分から製作され、接合面は、結合前に、接合面の結合が可能なほど十分な高温に加熱され、その後、接合面が互いに接触して捻じられ、接合面のインターフェイスにおいて恒常的な金属溶接を達成する。 - 特許庁

Since such laser light functions as an energy liquefying or vaporizing the semiconductor crystal locally with a shallow depth of a few μm at the vicinity of the interface with the substrate, the substrate and the semiconductor crystal are well exfoliated at about the growth temperature of a desired semiconductor crystal formed from a group III nitride compound semiconductor or the like.例文帳に追加

この様なレーザ光は、下地基板との界面近傍において、深さ方向に局所的に浅く数μm程度の薄さで半導体結晶を液化或いは気化させるエネルギーとして作用するため、 III族窒化物系化合物半導体等から形成される所望の半導体結晶の成長温度近辺において、下地基板と半導体結晶とを良好に剥離させることができる。 - 特許庁

To provide a film for a semiconductor device, which is formed by sequentially laminating an adhesive film and a cover film on a dicing film, and can prevent interface separation between the respective films, a film lifting phenomenon, and transfer of the adhesive film onto the cover film even during transportation or after long-term storage in a low-temperature condition; and a semiconductor device provided using the same.例文帳に追加

ダイシングフィルム上に接着フィルム及びカバーフィルムが順次積層された半導体装置用フィルムであって、低温状態での輸送や長時間の保管後においても、各フィルム間での界面剥離やフィルム浮き現象、接着フィルムのカバーフィルムへの転写を防止することが可能な半導体装置用フィルム、及びそれを用いて得られる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive capable of forming an adhesive layer that has good adhesion to an adherend, and does not cause foaming, lifting, peeling or also an optical leakage phenomenon in an applied interface, even if exposed to a high temperature and high humidity and the like for a long period of time after applied to the adherend, but excels in workability, as well as to provide an optical adhesive sheet.例文帳に追加

本発明の目的は、被着体への密着性が良く、被着体に貼着後、高温高湿下等に長期間曝されても、貼着界面に発泡が生じず、かつ浮き・剥がれも生じず、さらに光漏れ現象も発生しないだけではなく、加工性にも優れる粘着層の形成が可能な粘着剤、及びその光学用粘着シートを提供することにある。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a step of forming an insulating film on a wafer whose surface is formed of a silicon carbide layer, and a nitriding processing step of nitriding an interface between the silicon carbide layer and an insulating film by heat-treating the wafer after insulating film formation at a predetermined processing temperature in a nitrogen oxide gas atmosphere to which carbon monoxide gas is added.例文帳に追加

本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスが添加された酸化窒素系ガス雰囲気中で所定の処理温度で熱処理することにより炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、を備える。 - 特許庁

While a light absorber is adhered closely to the passage of a microchannel, which is filled with liquid, irradiated with optical beams to generate and grow singly air bubble in the microchannel, and to fix the formed single air bubble at a specific part in the passage, the micropump gives a nonsymmetrical temperature gradient to the interface, utilizes a Marangoni convection phenomenon that is generated, and transports the fluid in the microchannel.例文帳に追加

マイクロチャネルの流路に光吸収体を密着させ、流路に液体をみたし、光ビームを照射して、マイクロチャネル内に単一気泡を発生・成長させ、形成した単一気泡を流路の特定部位に固定させた状態で、その界面に非対称の温度勾配を付与し、発生するマランゴニ対流現象を利用し、マイクロチャネル内の流体の移送を行うマイクロポンプを提供する。 - 特許庁

To provide a deterioration preventing agent for nonaqueous electrolytic solution electrical doublelayered capacitor which can keep an electrical characteristics such as electrical conductivity, etc., and prevent deterioration of the nonaqueous electrolytic solution by adding it to the nonaqueous electrolytic solution in a nonaqueous electrolytic solution electric double-layer capacitor, and which can make the interface resistance of the nonaqueous electrolytic solution to be lower and realize superior low-temperature characteristic.例文帳に追加

非水電解液電気二重層キャパシタにおける非水電解液に添加することによって、十分な電気伝導性等の電気特性を維持させつつ、非水電解液の劣化を防止し、さらに非水電解液の小界面抵抗化が可能で、優れた低温特性を付与し得る非水電解液電気二重層キャパシタ用劣化防止剤を提供すること。 - 特許庁

To provide an additive for nonaqueous electrolytic solution electric double-layer capacitor, which can keep a sufficient electrical conductivity by adding it to the nonaqueous electrolytic solution thereof and give a flame resistance and a self-distingushing property to the nonaqueous electrolyte, and further make the interface resistance of the nonaqueous electrolytic solution to be lower and realize superior low-temperature characteristic.例文帳に追加

非水電解液電気二重層キャパシタの非水電解液に添加することにより、十分な電気伝導性を維持させつつ、非水電解液に難燃性ないし自己消化性を付与することが可能で、さらに前記非水電解液の小界面抵抗化が可能で、優れた低温特性を付与し得る非水電解液電気二重層キャパシタ用添加剤を提供すること。 - 特許庁

The method includes: a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate; a step of forming a nitrogen containing insulation film on the oxide film by the plasma nitridation process at a temperature between 800 to 900°C; and a step of forming a nitrogen storing layer at the interface between the semiconductor substrate and the oxide film formed with the nitrogen containing insulation film.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を形成する段階と、800〜900℃のプラズマ窒化処理工程によって前記酸化膜の表面に窒素含有絶縁膜を形成する段階と、前記半導体基板と前記窒素含有絶縁膜の形成された前記酸化膜との界面に窒素蓄積層を形成する段階とを含む、フラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a crystalline thin film or a crystalline structure capable of forming a desired pattern, including a three-dimensional shape, of a crystalline thin film having excellent interface state by a simple formation process while lowering the heat treatment temperature required for crystallization, and to provide a structure having a crystalline thin film formed by the formation method.例文帳に追加

シンプルな製造工程により界面状態の良好な結晶性薄膜を立体形状を含む所望のパターンに形成可能であり、結晶化に要する熱処理温度を低減させることが可能な結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法、及び当該製造方法により形成された結晶性薄膜を備えた構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for casting and molding a fiber-reinforced thermoplastic resin, capable of being applied to production of a molded product in every kind of shape, including a large-sized or complicatedly-shaped molded product, capable of controlling formation of voids to an enough level at an interface between a thermoplastic resin and a reinforcing fiber, and capable of molding the resin without requiring high temperature/high pressure.例文帳に追加

大型或いは複雑な形状の成形物を含む種々の形状の成形物の製造に適用可能であり、熱可塑性樹脂と強化用繊維との界面におけるボイドの発生を充分なレベルまで抑制することが可能で、かつ、高温・高圧力を必要とせずに成形が可能な、繊維強化熱可塑性樹脂の注入成形方法を提供する。 - 特許庁

Nitride, oxide or carbide is used for a portion of a chalcogenide constituent atom, while these are formed in the grain boundary of a metal plugged interface and a chalcogenide crystal as a chalcogenide film and a ground electrode, thereby raising the phase change temperature and increasing the resistance of the film, to enable a high Joule heating to be generated, even at low current and electric power for rewriting to be reduced.例文帳に追加

カルコゲナイドの構成元素の一部を窒化物、酸化物あるいは炭化物にするとともに、これらをカルコゲナイド膜と下地電極である金属プラグ界面およびカルコゲナイド結晶の粒界に形成せしめることにより相変化温度を上昇させるとともに該膜の抵抗を高くすることにより低電流でも高いジュール熱を発生可能とすることにより書き換えに要する電力を低減する。 - 特許庁

To provide a power generation film having a high output density even at a low temperature of approx, 800°C, a method of manufacturing the power generation films at low cost by simplified processes, and a solid oxide fuel cell using this power generation film by making the electrolyte film thinner without damage such as peels and cracks or faults such as trapping of air bubbles in the interface between the electrode and the electrolyte.例文帳に追加

電極と電解質との間の界面で剥離や割れ等の損傷や気泡のかみ込み等の欠陥がなく、電解質膜を薄くすることにより約800℃の低温でも高い出力密度を有する発電膜および該発電膜を簡素化された製造工程により低コストで製造する製造方法ならびにこの発電膜を用いた固体酸化物形燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for producing laminate includes a process of heating the sapphire substrate at a temperature of 1,350 to 1,750°C in an atmosphere of a mixed gas of nitrogen-source gas having a nitrogen atom and hydrogen gas to form the aluminum nitride single crystal layer on the surface of the sapphire substrate, wherein, by adjusting conditions, the laminate having a gap on the interface between the sapphire substrate and the aluminum nitride single crystal layer can be produced.例文帳に追加

窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を1350℃以上1750℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 - 特許庁

例文

A pulling-up velocity V of the crystal S and/or a temperature gradient G on the crystal S side in crystal axial direction on solid-liquid interface is changed according to the change of dopant concentration and V/G value is kept within a prescribed range.例文帳に追加

結晶の引上速度をV、固液界面における結晶軸方向の結晶側の温度勾配をGとした時に、無欠陥領域を結晶の半径方向の全てにわたって形成するために、固液界面におけるV/G値を結晶の半径方向で所定の範囲に入れつつシリコン単結晶を育成する方法において、ドーパント濃度に依存して、引上速度V、および/または温度勾配Gを変更する。 - 特許庁




  
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