「interface temperature」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a technique that suppresses breakage of a cathode-side catalyst layer even if generated water freezes on the interface between the cathode-side catalyst layer and a cathode-side gas diffusion layer during low-temperature start-up of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池の低温始動時に、カソード側の触媒層とガス拡散層との界面で生成水が凍結しても、カソード側の触媒層の破損を抑制することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

When the position P of the solid-liquid interface of lithium tetraborate reaches a position corresponding to the melting point temperature of lithium borate single crystal in the vertical Bridgman furnace 11, raising of the crucible 15 is stopped and the crucible is kept at the position.例文帳に追加

四ほう酸リチウムの固液界面位置Ｐが、垂直ブリッジマン炉11内の四ほう酸リチウム単結晶の融点温度位置に達すると、るつぼ15の上昇を停止させ、その位置で保持させる。 - 特許庁

To inhibit the effect caused by the stress produced in the interface between an LOCOS oxide film and a silicon substrate during oxidization, without making oxidization temperature higher than needed during LOCOS oxide film formation.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜形成時に必要以上に酸化温度を高くしなくても、酸化時にＬＯＣＯＳ酸化膜とシリコン基板との界面に生じる応力による影響を抑制できるようにする。 - 特許庁

To provide a vessel for molten metal and method for determining interface layer which can measure temperature of any fused material contained in the vessel as correctly as possible over longer period.例文帳に追加

容器内にある溶融物の温度がより長期間にわたってできるだけ正確に測定することができる溶融金属用の容器、及び、界面層を決定するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor single crystal by which EPD (etch pit density) can be further reduced by grasping the exact position of the crystal growth interface in a crucible and controlling the position of a temperature gradient region relative to the crucible in single crystal growth by a vertical boat method, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

縦型ボート法の単結晶成長において，るつぼ内の結晶成長界面の正確な位置を把握し，るつぼに対する温度勾配領域の位置調整を行う。 - 特許庁

To provide an adhesive agent composition that sufficiently promotes a reaction even under a low-temperature and short-term curing condition, ensures high connection reliability after a high-temperature high-humidity treatment and sufficiently suppresses occurrence of peeling at the interface of an adherend and an adhesive.例文帳に追加

低温かつ短時間の硬化条件においても十分に反応を進行させることができ、高温高湿処理後に高い接続信頼性が確保され、かつ被着体と接着剤との界面にはく離が生じることを十分に抑制することができる接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a circuit board which has a terminal capable of holding the junction strength without fail, without causing interface breakage even in long-term use under severe harsh atmospheric conditions where high temperature and low temperature are repeated, and to provide a junction structure for the terminal part of such a circuit board.例文帳に追加

高温および低温が繰り返される厳しい雰囲気条件下における長期使用においても、界面破壊を生じることなく、確実に接合強度を保つことができる端子部を有する回路基板、および、そのような回路基板の端子部の接合構造を提供すること。 - 特許庁

In a server 10, the electric power consumption data acquired by the supply meter 8, and temperature data of the open showcase 1 being the cooling device provided with a network interface using a wireless LAN are acquired via a wireless LAN key station 5, to carry out temperature management and electric power consumption control of the open showcase 1.例文帳に追加

サーバー１０は取引用計器８で取得し、消費電力データと無線ＬＡＮによるネットワークインターフェースを備えた冷却装置であるオープンショーケース１の温度データは無線ＬＡＮ親局５を経由して取得し、オープンショーケース１の温度管理と消費電力制御を行う。 - 特許庁

A temperature adjustment controller 23 comprises a mother board 23 mounted with a computer which processes information for adjusting temperature of a plurality of process chambers 1A, 1B,..., and a plurality of interface boards 41-47 for inputting/outputting of sensor signal and control signal to the process chambers 1A, 1B,....例文帳に追加

温度調節コントローラ２３は、複数の処理チャンバ１Ａ，１Ｂ，…の温度調節のための情報処理を行うコンピュータを搭載したマザーボード２３と、処理チャンバ１Ａ，１Ｂ，…に対してセンサ信号や制御信号の入出力を行う複数枚のインタフェースボード４１〜４７とを有する。 - 特許庁

To provide a laminate consisting of a plurality of graphite sheets not peeled from its adhesion interface not only by heat stress generated by heat history repeatedly performing the heating to a high temperature of 1,000°C or higher and the quenching to room temperature, but also by gas generated from an adhesive at the time of adhesion.例文帳に追加

１０００℃以上の高温への加熱、室温への急冷とを繰り返し行う熱履歴により発生する熱応力によっても、また、接着時に発生する接着剤からのガスによっても、接着界面から剥離することがない複数枚の黒鉛シートからなる積層体を提供する。 - 特許庁

The portable computing device includes a housing, at least one temperature sensitive radio frequency signal source proximate the housing, and further at least one radio frequency interface to receive a radio frequency signal generated by at least one temperature sensitive radio frequency signal source.例文帳に追加

ポータブル計算デバイスは、ハウジングと、上記ハウジング近くの少なくとも１つの感温性無線周波数信号源、及び、上記少なくとも１つの感温性無線周波数信号源によって生成される無線信号を受信するための少なくとも１つの無線周波数インタフェースを更に備える。 - 特許庁

It has been found that interface reaction can be controlled and it has also been verified that electrical and mechanical reliability can be obtained by combining a Sn-system solder 8 including Cu6Sn5 phase and a Ni-system layer 3 within the temperature range from a room temperature to 200°C at the solder connection part 1 in the electronic apparatus.例文帳に追加

電子装置のはんだ接続部１において、室温から２００℃においてCu6Sn5相を含有するSn系はんだ８とNi系層３とを組合せることで界面反応を抑制できることを見出し、電気的および機械的信頼性が得られることを確認した。 - 特許庁

The cartridge retains an evaporation prevention material in the cartridge that is solid at a normal temperature and molten in a temperature zone of biochemical reaction; and can prevent the evaporation of a sample solution by the presence of the molten evaporation prevention material in the interface between the sample solution and a gas phase during the biochemical reaction.例文帳に追加

常温で固体であり、生化学反応温度域で融解している蒸発を防止する物質をカートリッジ内部に保持させ、生化学反応時に融解した当該蒸発防止物質がサンプル溶液と気相との界面に存在してサンプル溶液の蒸発を防止することができるカートリッジ。 - 特許庁

To provide a Ti-Al alloy combining excellent ductility at the ordinary temperature with excellent high temperature strength characteristic by establishing a unidirectional solidification technique where a single crystal, in which the lamellar interface of a Ti-Al-base alloy containing ≥1 atomic % Si is oriented along the direction of solidification, is grown and acicular or laminar titanium silicides dispersed in the single crystal are refined and oriented in a direction parallel to the lamellar interface.例文帳に追加

Siを１at％以上で含有するTi−Al基合金のラメラ界面が凝固方向に沿って配向した単結晶を育成し、その単結晶中に分散する針状あるいは板状のチタンシリサイドを微細化すると共に、ラメラ界面に平行に配向させる、一方向凝固技術を確立することによって、優れた常温延性および高温強度特性を併せ持つTi−Al系合金を提供する。 - 特許庁

To provide a heat transfer apparatus achieving an interface heat resistance substantially equal to or superior to grease even under high-temperature conditions under which a conventional grease cannot be applied, in the interface between a metal heat tranafer surface and a thermoelectric device, and also producing the effect of preventing the occurrence of breakage due to the influence of thermal stress.例文帳に追加

金属伝熱面と熱電デバイスとの界面において、従来グリスは適用できなかったような高温条件においてもグリスと同程度もしくはそれより優れる界面熱抵抗を実現し、また、熱応力の影響による破損の発生を防ぐ効果も適する熱伝達装置を提供する。 - 特許庁

Because the peak concentration of carbon contained in the n-type GaAlAs clad layer 3 near the composition interface with the p-type GaAlAs active layer 2 is reduced by the heat treatment for raising the temperature again after the epitaxial growth, a p-type conversion layer does not occur near the composition interface, and the epitaxial wafer can be obtained wherein the thyristor failure does not occur.例文帳に追加

エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。 - 特許庁

The gas chromatography system is equipped with a separation column, constituted by connecting a plurality of columns having identical linear speed performance and identical length, in parallel with each other, an oven for heating the separation column to raise the temperature thereof, an interface for bridging the heated separation column to a detector, and the detector for detecting the separated sample sent from the separation column through the interface.例文帳に追加

同一の線速度性能と長さを有するカラムを複数本並列に接続して成る分離カラムと、該分離カラムを昇温加熱するオーブンと、該加熱された分離カラムを検出器に橋渡しするインターフェイスと、該インターフェイスを介して分離カラムから送られてくる分離された試料を検出する検出器とを備えた。 - 特許庁

To carry out data communication favorably correspondingly to an environmental change in ambient temperature, electromagnetic waves and the like sufficiently in addition to the state of capacity, resistance, and the like of a cable, in the data communication using an LVDS interface.例文帳に追加

ＬＶＤＳインタフェースを用いたデータ通信において、ケーブルの容量および抵抗等の状態に加えて、周囲温度や電磁波等の環境変化にも充分に対応してデータ通信を良好に行う。 - 特許庁

Displacement between a semiconductor element 2 and the substrate 1 is received on the substrate side 1, by setting the adhesion strength of a bonding interface 3 equal to or slightly higher than the 0.2% yield strength of the substrate 1 at the same temperature.例文帳に追加

接合界面３の密着強度を同一温度において基板１の０．２％耐力の大きさと同じ若しくはそれ以上にすることにより、半導体素子２と基板１間の変位を基板１側で受け止める。 - 特許庁

When the film laminated metal panel is manufactured, the temperature of the interface of the film with respect to the metal panel is raised to the softening point of the film or higher within 1-20 msec at the time of lamination of each of the films to the metal panel.例文帳に追加

前記フィルムラミネート金属板を製造するにあたり、該フィルムを金属板にラミネートする際にフィルムの金属板に接する界面の温度がそのフィルムの融点以上になる時間を１〜２０ｍｓｅｃとする。 - 特許庁

The temperature maintained in the area from the solidification interface to 300 mm is preferably 1,280°C or above since a higher conversion efficiency can be expected when the polycrystal silicon is used as a substrate to constitute a solar cell.例文帳に追加

凝固界面から３００ｍｍまでの領域の保持温度が１２８０℃以上であれば、当該多結晶シリコンを基板として太陽電池を構成したときにより高い変換効率が期待できるので、望ましい。 - 特許庁

To suppress thermal strain in a single crystal to be grown by suppressing a thermal convection during pulling a single crystal by Czochralski (Cz) method, to loosen the temperature gradient on a crystal growth interface of the melt.例文帳に追加

チョクラルスキー（Ｃｚ）法による単結晶引き上げにおいて、熱対流を抑制することにより、融液の結晶成長界面における温度勾配を緩くして、成長させる単結晶の熱歪みを抑制する。 - 特許庁

The cleaning liquid comprises a liquid formed of molecules forming a hydrogen bond, and the distance of hydrogen bond of molecules in the interface between the liquid and the bubbles is shorter than that of the hydrogen bond in a liquid at ordinary temperature and pressure.例文帳に追加

そして、水素結合を形成する分子からなる液体を含有し、該液体の気泡との界面に存在する分子の水素結合の距離が、該液体が常温常圧であるときの水素結合の距離よりも短い。 - 特許庁

To provide an electrode structure for a fuel cell which has high durabil ity even in a temperature cycle from below zero degrees up to more than 85°C with prevention of peel off of an interface between an electrolyte membrane M and an electrolyte catalyst layer 1.例文帳に追加

電解膜Ｍと電極触媒層１との界面の剥離を防止して、かつ氷点下から約８５℃以上の温度サイクルにおいても耐久性の高い燃料電池用電極構造体を提供する。 - 特許庁

Each spot including the mixed interface of the sample 3a is irradiated with laser light L2 simultaneously in the optional temperature state of the sample 3a, and the transmitted light intensity at each spot is measured by the photodetector 5.例文帳に追加

サンプル３ａの任意の温度状態の下で、このサンプル３ａの混合界面を含む各箇所に対して、レーザ光Ｌ２を同時に照射し、光検出器５でその箇所毎に透過光強度を測定する。 - 特許庁

To realize a MIS compound semiconductor device that uses an InP-based compound semiconductor and have good characteristics by making a gate insulating film having excellent MIS interface characteristics to be formed in a short time at a low process temperature.例文帳に追加

ＭＩＳ界面特性の優れたゲート絶縁膜を低いプロセス温度でより短時間で形成できるようにし、ＩｎＰ系化合物半導体を用いた特性のよいＭＩＳ型デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolytic solution electric double-layer capacitor which can keep an electric characteristic, such as electrical conductivity, etc., and has superior deterioration resistance and a low interface resistance of a nonaqueous electrolytic, solution and is superior in low-temperature characteristic.例文帳に追加

十分な電気伝導性等の電気特性を維持しつつ、耐劣化性に優れ、非水電解液の界面抵抗が低く、低温特性に優れた非水電解液電気二重層キャパシタを提供すること。 - 特許庁

A temperature fuse 35 is mounted on the interface part 16 for electric exchange between a resistor 24 constituting the power source 21 and the terminal part 13 of a connector, that is, between the electric component 1 and ATCU.例文帳に追加

電源回路２１を構成する抵抗２４とコネクタの端子部１３との間、つまり電装部品１とＡＴＣＵとの間で電気的な遣り取りを行う為のインターフェース部１６に温度ヒューズ３５を設ける。 - 特許庁

A silicon substrate 1 covered with the film 5a is subjected to a thermal oxidation treatment in an oxygen atmosphere at a temperature of 900 to 1100°C, whereby the interface 7 between a silicon thermal oxide film 6 and the substrate 1 is roughened.例文帳に追加

多結晶シリコン膜５で被覆されたシリコン基板１に、温度９００〜１１００℃、酸素雰囲気の下で熱酸化処理を施すことにより、シリコン熱酸化膜６とシリコン基板１との界面７を凹凸状にする。 - 特許庁

To provide a method for joining a component and a Si substrate by heating, to a high temperature, a limited narrow area only of the interface between the joint surface of the component made of a Si lump as a base material and the joint surface of the Si substrate.例文帳に追加

素子を形成するSi塊母材で形成された素子の接着面とSi基板の接着面とが接する界面の限られた狭い領域のみを高温にすることによって、素子とSi基板とを接着する。 - 特許庁

To solve the problem that a substrate leakage current increases due to an interface level formed by plasma damage and thereby the image clarity of a CMOS image sensor declines in the case of omitting a high temperature heat treatment process.例文帳に追加

高温熱処理工程を省いた場合に、プラズマダメージによって発生した界面準位が原因で基板リーク電流が増大し、それによってＣＭＯＳイメージセンサの画像鮮明度が落ちることが課題である。 - 特許庁

To provide a film forming method and a substrate processing apparatus for effectively forming a barrier layer including a high quality Ti film even under a low temperature and forming also a TiSi_x film, in a self-aligning manner, in an interface region between the Ti film and an underlayer thereof.例文帳に追加

低温下であっても，良質なＴｉ膜を含むバリア層を効率よく形成することができ，そのＴｉ膜と下地との界面領域に自己整合的にＴｉＳｉ_ｘ膜を形成することができる。 - 特許庁

Consequently, heat contraction and thermal expansion of the sealing member 9 associated with change in temperature are prevented by the engaging pawls 7, 8, thereby generating no gap in the interface part of the bobbin 2 and the coil body 4 and the sealing member 9.例文帳に追加

これにより、温度変化に伴う封止部材９の熱収縮および熱膨張が係止爪７、８によって阻止され、ボビン２およびコイル本体４と封止部材９との界面部に隙間が発生しない。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which hydrogen can be supplied sufficiently to the interface of the gate insulating film and the semiconductor substrate of a transistor, without having to elevate the processing temperature, while shortening the processing time.例文帳に追加

処理時間が短く、かつ処理温度を高温にしなくてもトランジスタのゲート絶縁膜と半導体基板の界面に水素を十分に供給することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming the structure includes forming the transition layer using a remote nitridation reactor at a sufficiently low temperature such that virtually no nitrogen reaches the interface formed between the oxide layer and the substrate.例文帳に追加

この構造を形成する方法は、遠隔窒化リアクタを使用して、酸化層と基板の間に形成された界面に窒素が実質的に到達しないよう十分に低い温度で遷移層を形成することを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor package of good design, along with a light emitting diode of high light taking-out efficiency, by uniformizing a temperature at semiconductor operation for suppressing reliability degradation due to thermal degradation of a semiconductor and due to peeling and cracking at a sealing material interface, resulting in dropping of temperature at the center of heating.例文帳に追加

本発明は、半導体の熱劣化や封止材界面での剥離、クラックによる信頼性低下の改善のため、半導体動作時の温度を均一化し、発熱中心の温度を下げ、かつ、意匠性の良い半導体パッケージや光取出し効率の高い発光ダイオードを提供することを目的とする。 - 特許庁

The ink 144 is heated sufficiently rapidly, heat transfer from the ink 144 to the substrate is sufficiently small during the leveling, the ink 144 on a substrate interface is cooled to a temperature below the viscosity threshold temperature, thereby preventing any significant ink 144 permeation into the substrate 140 from the first surface.例文帳に追加

インク１４４を十分素早く加熱し、これにより平滑化期間中のインク１４４から下地への熱伝達を十分小さくし、したがって下地界面上のインク１４４を粘性閾値温度未満の温度へ冷却し、それによって第１の表面から下地内１４０に相当量のインク１４４が浸透しないよう阻止する。 - 特許庁

A BN covering layer becomes a chemically stable phase at the interface between the SiC fiber and the boron carbide, the SiC fiber functions as a reinforcement material also against thermal stress under high temperature to prevent the sintering between both of them even in a sintering temperature region, and the crack of the composite sintered body can be effectively reduced.例文帳に追加

ＢＮ被覆層はＳｉＣ繊維と炭化ホウ素との界面で化学的安定相となり、焼結温度域でも両者間の焼結を防止するため、高温下での熱応力に対してもＳｉＣ繊維が強化材としての機能を発現でき、複合焼結体の割れを効果的に低減できる。 - 特許庁

After a surface-reformed junction in which a barrier layer 5 is formed by changing the crystal structure of the junction interface of a high-temperature superconducting element and a superconducting circuit are completed, heat treatment is performed for a fixed period of time at the highest or higher temperature when manufacturing the junction by using a heating means 6.例文帳に追加

高温超伝導体電極の接合界面の結晶構造を変化させて障壁層５とした表面改質型接合および超伝導回路の完成後に、加熱手段６を用いて接合作製中における最高温度あるいはそれ以上の温度で決められた時間熱処理を行う。 - 特許庁

To prevent a decrease in infrared absorptivity of a solar heat collecting structure, erosion in a high-temperature atmospheric environment, shortening of a device lifetime, and inter-layer peeling due to thermal stress of an interface in a high-temperature difference cycle environment; and to efficiently supply an infrared wavelength range of irradiation and absorption to a thermoelectric power generating element.例文帳に追加

太陽熱集熱構造における赤外線吸収率の低下、高温度大気環境下における侵食、装置寿命の低下、高温度落差サイクル環境下での界面の熱応力による層間剥離を防止し、照射、吸収された赤外線波長領域を効率良く熱電発電素子に供給する。 - 特許庁

The oxidation step includes heating the base wafer to a temperature in a range of 800 to 1,300°C, at a rate of temperature increase in the range from 1 to 300°C under an oxidizing atmosphere; and the lamination step is carried out so as to arrange the oxide film formed in the oxidation step, at an interface of the two wafers.例文帳に追加

前記酸化工程は、前記ウェーハを、酸化性雰囲気下で１〜３００℃／秒の昇温速度で８００〜１３００℃の範囲の温度に加熱することを含み、前記貼り合わせ工程は、２枚のウェーハの界面に前記酸化工程において形成された酸化膜が配置されるように行われる。 - 特許庁

By filming the reaction-proofing layer composed of SiC or AlN, for example, having a fusing point or thermal resistance higher than that of the semiconductor crystal A on the base wafer (Si wafer), even if the crystal A is grown at a high temperature for a long time, the high temperature reaction part is not formed near a silicon interface.例文帳に追加

下地基板（Ｓｉ基板）上に半導体結晶Ａよりも融点又は耐熱性が高い例えばＳｉＣやＡｌＮ等より成る反応防止層を成膜すれば、結晶Ａを長時間高温で結晶成長させる場合においても、シリコン界面付近に高温反応部が形成されない。 - 特許庁

To provide a new rotor blade assembly because an airfoil is exposed to higher temperatures than a dovetail so that temperature gradients may develop at an interface between the airfoil and a platform and/or between a shank and the platform and thermal strain and thermal stresses are generated by such temperature gradients, which may shorten the useful life of the rotor blade.例文帳に追加

エーロフォイルはダブテールより高い温度にさらされるため、エーロフォイルとプラットフォームとの境界および／またはシャンクとプラットフォームとの境界面で温度勾配が発生し、それにより熱ひずみや熱応力が発生し、動翼の耐用年数が短縮される場合があるため、新しい動翼構体を提供する。 - 特許庁

No expensive device or starting material is required, the small structure is easily controlled, the electrode/electrolyte interface resistance is effectively reduced in a low-temperature step, the area of the three-phase interface is increased, the electrode resistance is reduced, and the electrode performance of the SOFC, the sensor, and the solid-state device is improved.例文帳に追加

これにより、高価な装備や出発物質を必要とせず、微細構造制御が容易であり、低温工程で電極／電解質界面抵抗を有効に低減させることができ、また、三相界面の面積を増加させ、電極抵抗を減少させてSOFC、センサ、および固体状態装置などの電極性能を向上させることができる。 - 特許庁

To highly reproducibly control the solid/liquid interface temperature gradient in the crystal growth direction throughout the entire growth process so as for the interface profile to be convex toward the melt side to thereby markedly improve the yields of a compound semiconductor single crystal in the growth of the compound semiconductor crystal by the LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法での化合物半導体単結晶の成長において、固液界面の結晶成長方向の温度勾配を適正値に規定することにより、成長過程全般での固液界面形状を、再現性良く融液側に凸形状に制御し、これにより化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる。 - 特許庁