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introduction processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 185件
By the introduction of the halogen element and the heating process, impurities such as hydrogen, moisture, hydroxyl or hydroxide are intentionally removed from the oxide semiconductor film to highly purify the oxide semiconductor film.例文帳に追加
このハロゲン元素導入および加熱工程によって、水素、水分、水酸基または水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。 - 特許庁
When receiving the interrupt signal from the interrupt control part 16, the CPU 15 executes a wait process and prohibits access to an external memory 13 through a memory control part 17 only in the reception data introduction section.例文帳に追加
CPU15は、割り込み制御部16から割り込み信号を受信すると、ウェイト処理を行って、受信データ取込み区間だけ、メモリ制御部17を介して外部メモリ13へのアクセスを禁止する。 - 特許庁
To enable miniaturization of the whole apparatus and provide it economically by reducing the size of equipment for a pretreatment process and a posttreatment up to introduction of sea water into a reverse osmosis membrane device.例文帳に追加
本発明は、海水を逆浸透膜装置に導くまでの前処理工程や後処理工程をコンパクトにすることにより装置全体を小型化することができると共に経済的に提供する。 - 特許庁
(3) A process of measuring an open circuit voltage by introducing a fuel gas into the gas introduction space of an anode electrode side, and by introducing an oxidizer gas into the gas introducing space of the cathode electrode side.例文帳に追加
3)前記アノード電極側のガス導入空間には燃料ガスを導入し、前記カソード電極側のガス導入空間には酸化剤ガスを導入して、開回路電圧を測定する工程。 - 特許庁
Following the introduction of the surcharge reduction and exemption system (leniency system) in 2005, it appears that there is a greater opportunity for the JFTC to obtain information on cartels with such collection process made easier.例文帳に追加
2005年の課徴金減免制度(リニエンシー制度)の導入により、公正取引委員会(公取委)がカルテルの端緒を得る機会が増加するとともに、証拠収集が容易になったも のと考えられる。 - 経済産業省
The manufacturing method of an electro-optical apparatus includes a semiconductor layer formation process of forming a semiconductor layer (1a) of a transistor on a substrate (10); an impurity introduction process introducing impurities into a channel portion (1a') of the semiconductor layer; and a gate electrode formation process forming a gate electrode (3b) so as to overlap with the channel portion in plan view of the substrate.例文帳に追加
電気光学装置の製造方法は、基板(10)に、トランジスタの半導体層(1a)を形成する半導体層形成工程と、半導体層のチャネル部(1a’)に不純物を導入する不純物導入工程と、基板を平面的に見て、チャネル部に重なるようにゲート電極(3b)を形成するゲート電極形成工程とを備える。 - 特許庁
The customer reception total management system comprises a customer reception terminal 100 for inputting and outputting the data and its forms required for the reception work for customers associated with the use of electric power, a common reception process device 200 for performing a common introduction process for starting the target individual reception work, and an individual reception process device 300 for executing the target individual reception work.例文帳に追加
電力利用に伴う顧客受付業務に要する、データおよびその帳票を入出力する顧客受付端末100と、目的とする個別の受付業務の開始に至るための、共通の導入処理を行う受付共通処理装置200と、目的とする個別の受付業務を実行する個別受付処理装置300とから成る。 - 特許庁
In the method for detecting leakage of a process fluid, oxygen gas is detected in a gas phase portion within a heating medium flow passage in a heat exchange process for heat exchange between the process fluid containing oxygen gas and the heating medium passing in the heating medium flow passage where an inert gas atmosphere is produced in the gas phase portion by introduction of inert gas.例文帳に追加
酸素ガスを含有するプロセス流体と、不活性ガスの導入によりその気相部が不活性ガス雰囲気とされた熱媒体流路内を流通する熱媒体との間で熱交換を行なう熱交換プロセスにおいて、酸素ガスを熱媒体流路内における気相部で検知することを特徴とするプロセス流体の漏洩検知方法である。 - 特許庁
While a power generation process during the shutdown period is underway after an operation shutdown directive for a fuel cell system 10 is detected, destruction of a fuel cell stack 12 and an erroneous opening of an air introduction valve 55 can be prevented by suspending the power generation process during the shutdown period when the pressure on an anode side drops below a threshold pressure.例文帳に追加
燃料電池システム10の運転停止指令を検出したときから停止時発電処理中に、アノード側の圧力が閾値圧力以下で停止時発電処理を中断することで、燃料電池スタック12の破壊や空気導入弁55の誤開弁を防止できる。 - 特許庁
To realize highly efficient solution process and particularly realize highly efficient simultaneous solution process of a plurality of substrates by fully utilizing sufficient processing capability of bubbles to the processing surface at the time of solution processing through introduction of bubbles under the condition that the substrate is soaked in the solution.例文帳に追加
基板を液体内に浸漬させた状態で気泡を導入して液体処理を行う場合に、気泡が被処理面に対して十分な処理能力を発揮することで、液体処理の効率化を図ること、特に複数の基板を同時に液体処理する場合の効率化を図ること。 - 特許庁
The manufacturing method of the electrode for the fuel cell is equipped with an activation process S11 activating carbon 1 in a peripheral part of platinums 2, of platinum carrying carbon 11; and an introduction process S12 introducing a proton exchange group into activated carbons 1a.例文帳に追加
白金担持カーボン11の白金2、2、…周辺部のカーボン1を活性化する活性化工程S11と、活性化工程S11後に、活性化されたカーボン1a、1a、…にプロトン交換基を導入する導入工程S12と、を備える燃料電池用電極の製造方法とする。 - 特許庁
To provide a method for accelerating a reaction of a chemical substance utilizing an ultrasonic wave without performing an advanced refining process and capable of performing a continuous process from raw material introduction to residual gas recovery, its apparatus, and a method for producing a fluororesin utilizing the ultrasonic wave.例文帳に追加
高度な精製工程を行うことなく、原料投入から残ガス回収まで連続した工程で行うことができる超音波を利用した化学物質の反応促進方法及びその装置並びに超音波を利用したフッ素樹脂の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The wastewater treatment method comprises a carbon dioxide gas introduction process for introducing carbon dioxide gas (CO_2) into lead-containing wastewater, and an iron salt coprecipitation process for adding a ferrous salt to a liquid fraction after solid-liquid separation and adjusting pH to 7-11 by addition of an alkali agent to perform solid-liquid separation.例文帳に追加
鉛を含む排水に炭酸ガス(CO_2)を導入する炭酸ガス導入工程と,固液分離後,液分に第1鉄塩を添加し,アルカリ剤を添加してpHを7〜11に調整して固液分離する鉄塩共沈工程と,を有することを特徴とする,排水処理方法である。 - 特許庁
Before start of a process for supplying the ultraviolet light and the ozone-containing gas to the substrate 10, the ozone-containing gas is introduced intermittently into the ozone processing furnace 2, and the temperature of the substrate 10 before start of the process is detected based on the ozone concentration measured by the ozone concentration measuring part 3 in each introduction.例文帳に追加
基板10に紫外光及びオゾン含有ガスを供するプロセスの開始前にオゾン処理炉2はオゾン含有ガスを間欠的に導入し、この導入毎にオゾン濃度測定部3によって測定されたオゾン濃度に基づきプロセス開始前の基板10の温度を検出する。 - 特許庁
With this configuration, the occurrence of dishing when forming STI 14 is suppressed, etching treatment of the oxide films can be abbreviated in a process for introducing high-concentration impurities, and introduction to the guard rings 16, 17 can also be made.例文帳に追加
この構成とすることで、STI14の形成時のディッシング発生を抑制でき、高濃度不純物導入工程では、酸化膜のエッチング処理を省略でき、しかもガードリング16、17にも導入できる。 - 特許庁
To provide doping which allows the concentration and uniformity of a deposited dopant to be controlled by blocking some of the available binding sites for a dopant precursor with a blocking reactant and allows the blocking reactant to be introduced prior to introduction of the dopant precursor in an ALD (atomic layer deposition) process or allows the blocking reactant and the dopant precursor to be introduced simultaneously.例文帳に追加
阻害反応物を用いてドーパント前駆体が利用可能な結合部位の一部を阻害することによって、堆積したドーパントの濃度および均一性を制御することができる。 - 特許庁
An inert gas such as a N_2 gas is introduced to a plurality of positions of the second recess 42 in a circumferential direction from a gas source 45 outside the process tube 1 through an introduction pipe 45 and a communication hole 43.例文帳に追加
第2の凹部42には、円周方向における複数の位置のそれぞれに、プロセスチューブ1の外部の気体源45からに導入用パイプ45及び連通孔43を経由してN_2ガス等の不活性ガスを導入する。 - 特許庁
The objective process for the production of a food or drink containing bacteria of the genus Bifidobacterium is characterized by the introduction of a step to decrease the proliferation speed of the bacteria during the cultivation of the bacteria without stopping the metabolism of the bacteria.例文帳に追加
ビフィドバクテリウム属細菌の培養途中に、該細菌の代謝を停止させずに増殖速度を低下させる工程を導入することを特徴とするビフィドバクテリウム属細菌含有飲食品の製造方法。 - 特許庁
The batch heat treatment device includes: a shield 52 for confining an electromagnetic wave to the outside of a process tube 36 concentrically arranged; an electromagnetic wave introduction port 53 drilled at central height of the shield 52; a waveguide 54 with its one end connected to the electromagnetic wave introduction port 53; and a microwave source 55 for supplying the microwave connected to the other end of the waveguide 54.例文帳に追加
バッチ式熱処理装置において、プロセスチューブ36外に電磁波を閉じ込めるシールド52を同心円状に設置し、シールド52の中央高さに電磁波導入ポート53を穿設し、電磁波導入ポート53に導波管54の一端を接続し、導波管54の他端にマイクロ波を供給するマイクロ波源55を接続する。 - 特許庁
The reception system consists of a first receiving antenna 1 used when the in-vivo introduction device is present outside the subject, a second receiving antenna 2 used when the in-vivo introduction device is introduced into the subject, and a reception device 3 for executing the receiving process of the radio-signals received via the first or second receiving antenna.例文帳に追加
受信システムは、被検体内導入装置が被検体外部に存在する際に用いられる第1受信アンテナ1と、被検体内導入装置が被検体内に導入されている際に用いられる第2受信アンテナ2と、第1受信アンテナ1または第2受信アンテナ2を介して受信された無線信号の受信処理を行う受信装置3とからなる。 - 特許庁
The anaerobic waste water treatment apparatus comprises a reactor 1, a waste water introduction pipe 3 for introducing waste water into the reactor 1, and a anaerobic microorganism layer 2 installed in the reactor 1 for reducing and decomposing organic substances contained in the waste water by passing the waste water introduced by the waste water introduction pipe 3 to generate a process gas and treated water.例文帳に追加
嫌気性廃水処理装置は、リアクタ1と、リアクタ1内に廃水を導入する廃水導入管3と、リアクタ1内に設けられ、廃水導入管3により導入された廃水を通過させてこの廃水に含まれる有機物を還元分解処理し、処理ガスおよび処理水を発生させる嫌気性微生物層2とを備えている。 - 特許庁
Furthermore, a semiconductor wafer W is disposed in a vertical hermetic process tube 1 and is heated by a first heater 2, provided outside an outer periphery of the process tube 1; and the sublimation gas is then introduced from an introduction port 1a which is provided in a part to be heated by the first heater 2 of the process tube 1 at heating and is connected hermetically to the heating tube 3.例文帳に追加
さらに、縦型の密閉可能なプロセスチューブ1内に半導体ウェハWを配置して、そのプロセスチューブ1の外周外方に設けた第1のヒータ2で加熱するとともに、その加熱時に、プロセスチューブ1の第1のヒータ2によって加熱される部分に設けられ、上記加熱チューブ3を気密に連結された導入口1aから上記昇華ガスを導入する。 - 特許庁
The method of processing the films and photographic paper to recover silver from the films and photographic paper includes: a crushing process S1 to crush the film and photographic paper; a compression molding process S3 to compress the crushed film and photographic paper to obtain the compression molded body; and an introduction process S4 to introduce the compression molded body into a copper refining furnace.例文帳に追加
フィルム及び印画紙から銀を回収するフィルム及び印画紙の処理方法であって、前記フィルム及び前記印画紙を破砕する破砕工程S1と、破砕された前記フィルム及び前記印画紙を圧縮して圧縮成形体を得る圧縮成形工程S3と、前記圧縮成形体を銅製錬炉に投入する投入工程S4と、を備えていることを特徴とする。 - 特許庁
The method of manufacturing the aluminum nitride granule is performed by carrying out a slurry preparation process for preparing slurry 16 in which AlN powder is dispersed in water as a dispersion medium, a slurry introduction process for introducing the slurry 16 into a spray dryer and a granulation process for spray-drying the slurry 16 introduced into the spray dryer at a temperature exceeding the boiling point of water and granulating.例文帳に追加
AlN顆粒の製造方法は、分散媒としての水にAlN粉末が分散されたスラリー16を調製するスラリー調製工程を行った後、前記スラリー16を噴霧乾燥機内に導入するスラリー導入工程を行い、続いて前記導入されたスラリー16を水の沸点を超える温度で噴霧乾燥させて造粒する造粒工程を行う。 - 特許庁
The software introducing method and the peripheral equipment are provided with a software introduction process to take out the software specified by a software transmission request received from the terminal from a storage device and to transmit the software to the terminal and a software update process to take out the software from a storage place of the software acquired from the terminal and to store the software in the storage device.例文帳に追加
端末から受信したソフトウェア送信要求により指定されたソフトウェアを記憶装置から取りだし、前記端末へ送信するソフトウェア導入工程と、前記端末から取得したソフトウェアの格納場所からソフトウェアを取りだし、該ソフトウェアを記憶装置に格納するソフトウェア更新工程と、を有する。 - 特許庁
Surface treatment is done to the semiconductor substrate 1 with a process of introducing reaction gas which contains the surfactant to a chamber 3 as shown in (a), and a process of interrupting the introduction of the reaction gas and exposing the semiconductor substrate 1 to the atmosphere which contains the surfactant under the condition that the chamber 3 is enclosed as shown in (b).例文帳に追加
(a)のように界面活性剤を含有する反応ガスをチャンバ3に導入する工程と、(b)のように反応ガスの導入を遮断しチャンバ3内を密閉した状態で半導体基板1を界面活性剤を含む雰囲気下にさらす工程とを行って半導体基板1に表面処理を施す。 - 特許庁
Subsequently, the control part 100 controls the heat-up heater 16 to heat the interior of the reaction tube 2 to a predetermined temperature and controls the MFC part to supply ethylene from a process gas introduction tube 17 to the interior of the heated reaction tube 2.例文帳に追加
続いて、制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して、反応管2内を所定の温度に加熱し、MFC制御部を制御して、加熱された反応管2内に処理ガス導入管17からエチレンを供給する。 - 特許庁
To provide a denitrogenation method for firebricks containing compound-state nitrogen and also a denitrogenation method in the steelmaking process not requiring introduction of new facilities and not requiring additional cost in the processing.例文帳に追加
化合物態窒素を含有する耐火物レンガ中の窒素分を除去する方法を提供し、さらに、製鋼工程において新規設備を導入する必要が無く、かつ、処理において追加コストの発生のない脱窒方法を提供する。 - 特許庁
After the introduction, the double-layered laminated material is wound in water, or the double-layered laminated material is swum in a longitudinally folded state and made to a state not loaded of a positive tension for carrying the double-layered laminated material to the next process.例文帳に追加
導入後、二層積層物を水中で巻き取るか、又は二層積層物を長手方向に折り畳まれた状態で遊動させ、二層積層物に次工程へ搬送するための積極的な張力が負荷されない状態とする。 - 特許庁
When the lot of the part 3 mounted on the board 2 is ascertained, the passing time 4 at which the board 2 passes through the manufacturing process 1 is retrieved from the time table 5, and the passing time 4 is collated through the introduction time table 6.例文帳に追加
前記基板2に実装した前記部品3のロットを確認する際に、前記時刻テーブル5より、各生産工程の前記通過時刻4を検索し、前記投入時間テーブル6から前期通過時刻4を照合するものである。 - 特許庁
The process for modifying starch or a starch derivative with a branching enzyme comprises the continuous introduction of the branching enzyme into the reaction medium containing the starch or the starch derivative.例文帳に追加
分枝酵素によってデンプンまたはデンプン誘導体を変性する方法であって、デンプンまたはデンプン誘導体を含む反応媒体に、前記分枝酵素を連続的に導入することを含むことを特徴とする方法を提供すること。 - 特許庁
When accretion adheres to the interior of a system, the control unit 100 of a heat treatment apparatus 1 heats the inside of a reaction tube 2 to a predetermined temperature, and supplies a cleaning gas from a process gas introduction tube 17 to remove the accretion.例文帳に追加
熱処理装置1の制御部100は、装置内部に付着物が付着すると、反応管2内を所定の温度に加熱するとともに処理ガス導入管17からクリーニングガスを供給して付着物を除去する。 - 特許庁
A control unit 8 introduces gas for cleaning by the gas introduction system 3 after completion of etching, forms plasma by the means 4 for plasma formation, and removes a film deposited on an exposure surface in the process chamber 1 by the action of plasma.例文帳に追加
制御部8は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系3により導入し、プラズマ形成用手段4によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー1内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。 - 特許庁
In a plasma processing apparatus 1 which changes a processing gas introduced in a processing container 2 into plasma to process a substrate W, the ratio of an introduction amount of a processing gas introduced in a center part of the substrate W stored in the processing container 2 and an introduction amount of a processing gas introduced in a peripheral part of the substrate W stored in the processing container 2 changes during the plasma processing.例文帳に追加
処理容器2に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板Wを処理するプラズマ処理装置1において、処理容器2に収納された基板Wの中心部に導入される処理ガスの導入量と、処理容器2に収納された基板Wの周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、プラズマ処理中に変化する。 - 特許庁
A process gas is introduced into a processing chamber 1 from an introduction system 2 and a high frequency power supply 4 applies a high frequency voltage of VHF bands to a high frequency electrode 3 so that high frequency discharge take place to form a plasma for processing a substrate 9.例文帳に追加
処理チャンバー1内にプロセスガス導入系2によりプロセスガスが導入され、高周波電極3に高周波電源4がVHF帯の高周波電圧を印加して高周波放電を生じさせてプラズマを形成し、基板9が処理される。 - 特許庁
In the same impurity ion introduction process, a p^- type semiconductor region 10 and a p^- type field limiting ring 11 are formed collectively in a gate wiring region GLA to contact a groove 5 with a gate extraction electrode 8 formed therein.例文帳に追加
同一の不純物イオン導入工程にて、ゲート配線領域GLAでp^−型半導体領域10およびp^−型フィールドリミッティングリング11をゲート引き出し電極8の形成された溝5と接するように一括して、形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus of a semiconductor device capable of suppressing variations in film thickness and the amount of impurities between semiconductor wafers and between lots for obtaining stable element characteristics in plasma surface reforming and an impurity introduction process.例文帳に追加
プラズマ表面改質や不純物導入工程において、半導体ウェーハ間やロット間で膜厚や不純物量のばらつきが抑制され、安定した素子特性が得られる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁
The fart introduced from a gas introduction pipe 32 inside the gas-liquid contact tower 11 and containing the sulfuric compound such as hydrogen sulfide and the organic matter such as ethanol as the odorous component contacts the acidic liquid in the process of coming up the absorption chamber 12.例文帳に追加
ガス導入管32から気液接触塔11内に導入され、硫化水素のような硫黄化合物とエタノールのような有機物とを臭気成分として含む臭気ガスは、吸収室12を上昇する過程で酸性液と接触する。 - 特許庁
In the impurity introduction process, the impurities are respectively introduced into a first region, located at an end of the channel portion in a channel width direction and into a second region of the channel portion, the width thereof being narrower than that of the first region in a channel-length direction.例文帳に追加
不純物導入工程においては、不純物は、チャネル幅方向においてチャネル部の端部に位置する第1領域、及びチャネル長方向において第1領域よりも幅が狭いチャネル部の第2領域にそれぞれ導入される。 - 特許庁
The method for synthesizing the phosphate group-type scavenger comprises a step in which a polymeric substrate is graft polymerized with a reactive monomer having a mono-or bi-functional phosphate group, wherein the introduction of the phosphate group is carried out in a one-step process.例文帳に追加
高分子基材に1又は2官能性のリン酸基を有する反応性モノマーをグラフト重合することからなる、リン酸基型捕集材の合成方法であって、リン酸基の導入が1段階の工程で行われることを特徴とする方法。 - 特許庁
The plasma processing device processes the surface of a processing subject S using radicals generated by exciting a process gas, wherein a plasma generating chamber member 6 having an internal plasma generating chamber 6a is connected to a gas introduction tube 5 attached to the outside of a process chamber 1, and a gas regulator 7 is provided at the end of the plasma generating chamber member 6.例文帳に追加
プロセスガスを励起させて生成したラジカルによって被処理物Sの表面を処理するプラズマ処理装置であり、プロセス室1外部に取り付けられたガス導入管5には、内部にプラズマ発生室6aを備えたプラズマ発生室部材6が接続され、このプラズマ発生室部材6の端部にはガス制御部7が設けられている。 - 特許庁
The manufacturing method includes a plasma treatment process for applying plasma treatment to at least the uppermost surface of a base material film with a plurality of plastic films peelably laminated in advance in an environment of the atmospheric pressure of 0.1 Pa or more and 10 Pa or less under the introduction of inert gas, and a gas barrier layer laminating process for laminating a gas barrier layer having the gas barrier characteristics on the surface after applying the plasma treatment process.例文帳に追加
少なくとも、複数枚のプラスチックフィルムが剥離可能に積層された状態である基材フィルムの最表面に対し、不活性ガス導入下において、気圧0.1Pa以上10Pa以下という環境下にて予めプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程を実施した後に、その表面にガスバリア性を有するガスバリア層を積層してなるガスバリア層積層工程と、を備えてなる製造方法とした。 - 特許庁
In the manufacturing method for an oxide superconductive thin film which is used for the manufacturing of the superconductive wire, heat treatment is carried out while oxygen concentration is raised in the oxygen introduction process after forming an oxide superconductive thin film.例文帳に追加
超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜の製造方法であって、酸化物超電導薄膜を形成した後の酸素導入過程において、酸素濃度を上昇させながら熱処理を行う酸化物超電導薄膜の製造方法。 - 特許庁
The process for producing an olefin polymer comprises suspension polymerization of an olefin in which the polymerization of the olefin is carried out with the introduction of the olefin and the catalytic product of component (B): a metallocene compound, component (C): a clay mineral and component (D): an organoaluminium compound into a medium containing component (A): an organic alkaline earth metal compound.例文帳に追加
オレフィンの懸濁重合において、成分(A)有機アルカリ土金属化合物を含む媒体に、成分(B)メタロセン化合物と成分(C)粘土鉱物と成分(D)有機アルミニウム化合物の接触生成物とオレフィンを導入して、オレフィンを重合する。 - 特許庁
To provide a method for humidifying leaf tobacco, capable of performing the humidifying process after the completion of the drying of the leaf tobacco by a natural outside air introduction at any time not limited in early mornings, and without forming a bad change of the leaf tobacco since without requiring a humidifier so as to improve the working rate of a bulk drying device economically.例文帳に追加
葉たばこの乾燥終了後の吸湿工程を、自然な外気導入によって早朝に限らず何時でも行なうことができ、加湿器等を要しないので葉たばこに悪変も起こらず、バルク乾燥装置の稼動率向上を経済的に図る。 - 特許庁
Simultaneously with introduction of a process gas containing TMG being an organogallium compound, nitrogen (N_2) and hydrogen (H_2) in a space between a pair of electrodes (12H, 12E) under a pressure close to atmospheric pressure, and electric field is applied between the electrodes (12H, 12E) so as to induce electric discharge.例文帳に追加
大気圧近傍の圧力下で一対の電極12H,12E間に、有機ガリウム化合物であるTMGと窒素(N_2)と水素(H_2)とを含有するプロセスガスを導入するとともに、電極12H,12E間に電界を印加して放電を生成する。 - 特許庁
During the treatment of the substrate W by the treatment liquid, a fluctuation is imparted to a process parameter by the control of liquid introduction valves 41-44, flow rate adjustment valves 101-104, a pure water supply source valve 51, a warm pure water supply source valve 52 and a pure water valve 5, etc.例文帳に追加
処理液による基板Wの処理中に、薬液導入バルブ41〜44、流量調整バルブ101〜104、純水供給源バルブ51、温純水供給源バルブ52、純水バルブ5などの制御によって、プロセスパラメータに揺らぎが付与される。 - 特許庁
Through understanding of the medical care needs and systems in each country and discussions with other countries, we will promote introduction of medical devices and drugs originating from Japan, human resource development, acceleration of regulatory review process in other countries for products approved under the Japanese regulation, and development of various medical systems in emerging countries.例文帳に追加
各国の医療ニーズ・制度等の把握や諸外国との協議を通じて、日本発の医療機器・医薬品の輸出や人材育成、日本で承認された製品の諸外国での許認可迅速化及び諸制度の整備支援を促進する。 - 厚生労働省
To provide an automatic measuring system and an automatic measuring method which use an measuring device which has been installed in each household as it is to process measured values of the measuring gauge from a location remote from the measurement gauge, permitting the reduction of introduction cost.例文帳に追加
既に各戸に設置されている計測計器をそのまま使用して、計測計器より離れた位置から計測計器の測定値の処理をすることができ、導入コストを削減することができる自動計測システムおよび自動計測方法を提供する。 - 特許庁
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