「layer method」に関連した英語例文の一覧と使い方(687ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a quality control method to keep the quality of a planographic printing plate constant and to continuously form uniform images by easily judging the activity state of a developing solution for a planographic printing plate having a negative image forming layer for an IR laser for direct platemaking and by back feeding the result to the platemaking step.例文帳に追加

ダイレクト製版用の赤外線レーザ用ネガ型画像形成層を有する平版印刷版の現像液の活性状態を容易に判定し、その結果を製版工程にフィードバックすることで平版印刷版の品質を一定に保ち、均一な画像を連続的に形成するための品質管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a window for shielding the electromagnetic wave which can conduct a conductive shield layer outside without any connection structure, and an electronic circuit board working machine having the electromagnetic wave shielding window, to reduce the manufacturing man-hours and the manufacturing cost, and to ensure the consistent electromagnetic wave shield effect for a long time.例文帳に追加

接続構造を必要とせずに、導電性シールド層を外部へ導通させることができる電磁波シールド方法及び電磁波シールド窓、並びに電磁波シールド窓を備えた電子回路基板加工機を提供し、製造工数、製造コストの削減、及び長期にわたる安定した電磁波シールド効果の確保を図る。 - 特許庁

To provide a method and equipment for evaluating the life time and process damage of a semiconductor substrate on the basis of the intensity of haze light by aiming at the haze light being scattering light emitted from an area in which strong scattering body does not exit when the crystal defect of a semiconductor substrate surface layer is evaluated by light scattering.例文帳に追加

半導体基板表層の結晶欠陥を光散乱で評価する際、強い散乱体が存在しない領域から発せられる散乱光であるヘイズ光に着目し、このヘイズ光の強度に基づいて半導体基板のライフタイムおよびプロセスダメージを評価する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an elastic member for electrophotography which has the electrostatic capacity and the electric resistance most suitably controlled by preventing diffusion of isocyanate due to an organic solvent or to heating and by centralizing an isocyanate treatment layer near a surface, and also to provide a manufacturing method thereof, and a process cartridge and an electrophotographic device provided with the elastic member.例文帳に追加

有機溶剤や、加熱によるイソシアネートの拡散を防止し、イソシアネート処理層を表面近傍に集中させ、静電容量や電気抵抗を最適に制御した電子写真用弾性部材、その製造方法、該弾性部材を具備するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することである。 - 特許庁

As a method for manufacturing it, after forming the photo diode and the transistor, etc. in the pixel array 10 and the peripheral circuit 11, the region of the transistor of the pixel array is so covered with a silicon nitride etc. that no silicide is formed therein, and the silicide layer 140 is formed in the region of the transistor constituting the peripheral circuit 11.例文帳に追加

その製法としては、画素アレイ部１０および周辺回路部１１にフォトダイオードやトランジスタを形成した後、画素アレイ部のトランジスタの領域にはシリサイドが形成されないように窒化シリコンなどで覆って、周辺回路部１１を構成するトランジスタの領域にシリサイド層１４０を形成する。 - 特許庁

To provide a vacuum vapor deposition method which is capable of yielding a uniform vapor deposited layer on a material to be deposited by evaporation without being affected by the material for vapor deposition adhered near to an electronic gun and being affected by the vapor of evaporated particles and without requiring excess energy and a system for the same.例文帳に追加

電子銃付近の付着蒸着材料による影響ならびに蒸発粒子の蒸気による影響を受けず、余分なエネルギーを要することなく、均一な蒸着層を被蒸着材料の上に得ることができる真空蒸着方法とその装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an electrooptical device capable of securely preventing light from being incident on an active layer of a pixel transistor even when the light having a large angle of incidence without greatly decreasing a pixel numerical aperture, a projection type display device using the electrooptical device, and a manufacturing method of the electrooptical device.例文帳に追加

画素開口率を著しく低下させることなく、入射角が大きな光であっても画素トランジスタの能動層に入射することを確実に防止することができる電気光学装置、この電気光学装置を用いた投射型表示装置、および電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method of the hybrid multilayer circuit board having a structure where a cable B is pulled out from a multilayer part A; a resin coat 5 is formed on the surface of the copper foil of the outer layer at a multilayer and the through-holes 61 and 62 are worked with a drill through the resin coat.例文帳に追加

多層部Aからケーブル部Bが引き出された構造を有する混成多層回路基板の製造方法において、前記多層部における外層の銅箔面に樹脂皮膜５を形成し、前記樹脂皮膜を通してスルーホール６１，６２をドリル穴加工することを特徴とする混成多層回路基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a microwave amplifier by which a variation in the threshold voltage of a field-effect element can be suppressed by changing the structure of a spiral inductor element and can be also suppressed by changing the structure of a capacitor element using a wiring layer as a lower electrode and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

スパイラルインダクタ素子の構造を変更することで、電界効果素子のしきい値電圧の変動を抑え、また、配線層を下部電極として用いるキャパシタ素子の構造を変更して、同様に、電界効果素子のしきい値電圧の変動を抑えることを可能とする、マイクロ波増幅装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition of an organic electroluminescent element capable of raising durability of the organic electroluminescent element having an organic layer formed by using the composition of an organic electroluminescent element including a low molecular compound and a solvent and attaining long lifetime, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物であって、該組成物を用いて形成した有機層を有する有機電界発光素子の耐久性を高め、長寿命化を図ることができる有機電界発光素子用組成物、及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low contact resistance and a desirable conductivity and a method that rarely produces the impurity layer in the interface between the first and second wiring layers, and can easily manufacture the above semiconductor device having a low contact resistance and a desirable conductivity with a high yield.例文帳に追加

本発明は、コンタクト抵抗が低く導電性に優れる半導体装置と、第一の配線層と第二の配線層との接合部に不純物層がほとんど生成されず、コンタクト抵抗が低く導電性に優れた半導体装置を容易に歩留まり良く製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which an overlay vernier can be formed without performing additional drain key open mask and drain key open etch processes by forming a step in a semiconductor substrate when the overlay vernier is formed and forming a hard mask having a stack layer formed thereon so that the shape of the step can be maintained.例文帳に追加

オーバーレイバーニア形成時に半導体基板に段差を形成し、段差の形態が維持され得るように上部に積層膜を形成してハードマスクを形成することで、ドレインキーオープンマスク工程とドレインキーオープンエッチ工程を別途設けるずとも、オーバーレイバーニアの形成が可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An embodiment of this semiconductor device manufacturing method includes a process wherein the reaction product deposited on the conducting layer to extend in the vertical direction is bent so that the thickness of the reaction product is thinner relative to the direction of the acceleration of the active species excited by plasma discharge.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法の一は、反応生成物の厚さが、プラズマ放電によって励起された活性種が加速される方向に対して薄くなるように、導電層の上に垂直方向に延びるように付着した反応生成物を倒す工程を有することを特徴としている。 - 特許庁

The line test method and line test apparatus are configured such that the line test apparatus 46 is provided between an Ethernet exchange 42 and a facility of a base end 44, the network management system of the base end 44 uses the line test apparatus 46 to apply 3-layer line tests to a housing complex network system.例文帳に追加

イーサーネット交換器４２と基地端４４との設備間に回線テスト装置４６を設け、それによって基地端４４のネットワーク管理システムはその回線テスト装置４６を使用し、団地ネットワークシステムに対する三層の回線テストを行うことができる回線テスト方法および回線テスト装置である。 - 特許庁

To provide a protection structure and a protection buffer body method for water barrier normal plane in final disposal plant which reliably protect a water barrier sheet which is laid in a man-made surface of a final disposal plant from the breakage on a reclamation and form a protection layer which is inexpensive and stable.例文帳に追加

最終処分場の造成面に敷設される遮水シートを埋め立て時の破損から確実に保護できると共に、安価で安定した保護層を形成可能である最終処分場における遮水法面の防護構造および最終処分場における遮水法面の防護緩衝体工法を提供する。 - 特許庁

The spiral collection to a computed tomographic thin layer slice 36 for collimating a fan beam 18 to less than the width of a multi-row detector 22 is provided by applying a weighting method for correcting the asymmetry of the detector profile 34 of the detector accompanying such a collimation and then performing an interpolation.例文帳に追加

ファンビーム（１８）を多列式検出器（２２）の幅未満までコリメートさせているコンピュータ断層の薄層スライス（３６）に対するらせん状収集は、こうしたコリメーションに伴う検出器の検出器プロフィール（３４）の非対称性を補正するような重み付け方式を適用した後に補間をすることにより提供される。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes steps of forming interlayer insulating films 10, 14, 18 as silicon oxide films on an SOI layer 3 of an SOI wafer, and printing the wafer ID on the interlayer insulating films by applying a laser beam on the interlayer insulating films.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩウェハのＳＯＩ層３上にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１０，１４，１８を形成する工程と、前記層間絶縁膜にレーザー光線を照射することにより、前記層間絶縁膜にウェハＩＤを印字する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

An optical recording medium and a method for optical recording is characterized by containing a least one of azo compounds represented by general formula (1) and azo metal chelate pigment compounds consisting of metal, metal oxide or salt of them, as to the optical recording medium provided with the recording layer on a substrate.例文帳に追加

基板上に記録層を設けてなる光記録媒体において、記録層中に一般式（Ｉ）で示されるアゾ化合物と金属、金属酸化物又はそれらの塩からなるアゾ金属キレート色素化合物を少なくとも一種類含有することを特徴とする光記録媒体及び光記録方法。 - 特許庁

The solar cell in which at least an electrode 10 having a double-layered structure is formed on a substrate W and a finger electrode 2 of the second layer of the electrode 10 is a copper wire and especially the copper wire is plated on the surface with a soldering material, and the method for fabricating such solar cell are provided.例文帳に追加

少なくとも、基板Ｗ上に複層構造の電極１０が形成された太陽電池であって、電極１０の第２層目２が銅の細線であり、特に銅の細線は、その表面にはんだ性材料がメッキされたものである太陽電池及びそのような太陽電池を製造する方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a nonaqueous secondary battery comprises the steps of: (A) preparing an electrode body in which at least one of electrodes comprises an active material layer containing active material particles and conductive material particles; and (B) building a nonaqueous secondary battery by installing the electrode body and a nonaqueous electrolyte in a battery case.例文帳に追加

（Ａ）少なくとも一方の電極が活物質粒子と導電材粒子とを含む活物質層を備えた電極体を用意する工程；および、（Ｂ）上記電極体と非水電解質とを電池容器に収容して非水二次電池を構築する工程；を包含する非水二次電池製造方法である。 - 特許庁

To provide an electron source and an electron beam application device wherein an emission current having high luminance and a narrow energy width, and with favorable stability is obtained, and a jointing method in which an amorphous carbon layer adhering on a carbon nanotube surface can be greatly reduced at the time of jointing the carbon nanotubes and a conductive base material.例文帳に追加

高輝度・狭エネルギー幅かつ高安定なエミッション電流が得られる電子源およびそれを搭載した電子ビーム応用装置を提供するとともに、カーボンナノチューブと導電性基材との接合時にカーボンナノチューブ表面に付着するアモルファスカーボン層を大幅低減できる接合法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a colored image forming material, having enhanced dispersion stability, light resistance and transmittance of a pigment, a photosensitive liquid using the material, a photosensitive element having a layer containing the colored image forming material and a base, and to provide a method for producing a color filter which uses the photosensitive element and the color filter.例文帳に追加

顔料の分散安定性、耐光性及び透過率を共に著しく向上させた着色画像形成材料、これを用いた感光液、前記着色画像形成材料を含む層及び支持体を有する感光性エレメント、これを用いたカラーフィルターの製造法及びカラーフィルターを提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a PDP, a photosensitive paste composition layer formed on a supporting film is transferred to a substrate and exposed, then the supporting film is removed, and then the paste is calcined to form at least one of barrier walls, electrodes, resistive elements, dielectric elements, phosphors, color filters and a black matrix.例文帳に追加

支持フィルム上に形成された感光性ペースト組成物層を基板に転写し、露光処理したのち、支持フィルムを除去し、次いで焼成して隔壁、電極、抵抗体、誘電体、蛍光体、カラーフィルター及びブラックマトリックスの少なくとも１つを形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device in which a deterioration of transistor characteristics is suppressed by controlling the retreat of substrate surface of the semiconductor device when forming a sidewall-like offset spacer to form a low concentration diffusion layer of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor, and by controlling a variation of forming an offset spacer.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの低濃度拡散層形成のためのサイドウォール状のオフセットスペーサーを形成する際の半導体基板表面の後退を抑え、かつオフセットスペーサーの形成ばらつきを抑えることにより、トランジスタ特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To automatically apply insulating paste using an application device, which is achieved only by hand in the past, in a manufacturing method of a gas sensor for forming a protective film made of the insulating paste so as to prevent contact with a filling layer containing glass components on the rear end face of a sensor element.例文帳に追加

センサ素子の後端面にガラス成分を含む充填層との接触を防止するために絶縁性ペーストからなる保護膜を形成するガスセンサの製造方法において、従来は手塗りでしか行うことができなかった絶縁性ペーストの塗布を塗布装置を用いて自動で塗布できるようにすること。 - 特許庁

To establish a selection standard for a resin composition used for an insulating layer which is capable of predicting a final reliability test result to some extent and furthermore making an evaluation in a comparatively short time, and to provide a very reliable wiring board and its manufacturing method consequently.例文帳に追加

本発明の課題は、最終的な信頼性試験結果を少なくともある程度予測することが可能で、更には比較的短時間での評価が可能な、絶縁層用樹脂組成物の選定基準を確立し、ひいては信頼性の高い配線基板、及び配線基板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a collector for a nonaqueous electrolyte battery restraining generation of a corrosion layer (a passive-state coating) formed at it and restraining increase of contact resistance, a manufacturing method of above collector for a nonaqueous electrolyte battery, and a nonaqueous electrolyte battery equipped with the collector for a nonaqueous electrolyte battery.例文帳に追加

非水電解質電池用集電体に形成される腐食層（不動態被膜）の発生を抑制し、接触抵抗の増加を抑制する非水電解質電池用集電体、当該非水電解質電池用集電体の製造方法、及び当該非水電解質電池用集電体を備える非水電解質電池を提供する。 - 特許庁

A method of welding by vibration first and second components made of material having no compatibility for the vibration welding has a stage of adhering a layer of material having compatibility for the vibration welding to the surface of at least the first component before welding the first and second components by vibration.例文帳に追加

振動溶着されることに対して相容性のない材料で作られた第一および第二部品を振動溶着する方法は、第一および第二部品を振動溶着する前に、振動溶着されることに対して相容性を有する材料の層を、少なくとも第一部品の表面に接着する段階を有している。 - 特許庁

To provide a fabrication method for a build-up multilayer circuit board excellent in its adhesion to inner circuitry by using a resin composition as an adhesion imparting layer, the resin composition that contains polyvinyl acetal which has low elasticity and high adhesion to metallic copper, without giving an oxidative blackening treatment and subsequent reduced copper treatment.例文帳に追加

低弾性かつ金属銅との密着性の高いポリビニルアセタール樹脂を含有する樹脂組成物を接着性付与層として用いることによって、酸化黒化処理およびその後の還元銅処理を行わずに、内層回路との密着性に優れるビルドアップ多層プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method, earthquake motion waveforms in a proper depth of a ground surface or a subsurface layer are prepared based on a plurality of analytical methods, using a disclosed earthquake motion waveform data on a bedrock face, and the proper earthquake motion waveform is selected out of the prepared earthquake motion waveform to estimate the input earthquake motion.例文帳に追加

公開された基盤面における地震波形データを使用して、複数の解析方法に基づいて地表面または表層地盤の適宜の深度における地震動波形を作成し、作成された地震動波形の中から適宜の地震動波形を選択することによって入力地震動が推定される方法である。 - 特許庁

According to the semiconductor laser manufacturing method, by forming a first film-forming step of selectively growing semiconductor layers to form a ridge 110 of the semiconductor laser on a ridge forming region A, formed by a first mask layer forming step, the ridge 110 can be formed with high accuracy.例文帳に追加

本発明による半導体レーザの製造法によれば、第１マスク層形成工程において形成されたリッジ形成領域Ａに、第１成膜工程において各半導体層を選択成長することで半導体レーザのリッジ部１１０を形成するため、リッジ部１１０を高い寸法精度で形成することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving a gate breakdown voltage comparing to the conventional identically sized semiconductor device, reducing an area of element isolation region by making an element isolation layer the structure including no bird's beak to miniaturize the element, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

従来の同一サイズの半導体装置と比較してゲート耐圧を向上させるとともに、素子分離層をバーズビークを含まない構造とすることにより素子分割領域の面積を縮小し、素子の微細化を図ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a TFT 400 formed in the semiconductor device 300A, an insulating layer 330 is composed of a tantalum oxide film 331 formed by oxidizing a tantalum film under conditions of temperatures of 300-400°C and pressures of 0.5-2 MPa, and a silicon oxide film 332 formed by a CVD method or the like.例文帳に追加

半導体装置３００Ａに形成したＴＦＴ４００において、絶縁層３３０は、温度が３００℃〜４００℃、圧力が０．５ＭＰａ〜２ＭＰａの条件下でタンタル膜を酸化してなるタンタル酸化膜３３１と、ＣＶＤなどの方法により形成されたシリコン酸化膜３３２とから構成されている。 - 特許庁

In the method for manufacturing a mask blank, at least one layer of a light-absorbing film having the property to absorb laser light is formed on a transparent substrate 14, and the transparent substrate 14 with the light-absorbing film is irradiated with laser light 12 of the wavelength at which the light-absorbing film shows absorption.例文帳に追加

マスクブランクの製造方法において、透明基板１４上に少なくとも１層のレーザ光を吸収する性質を有する光吸収膜を形成し、この光吸収膜を形成した透明基板１４に前記光吸収膜が吸収を有する波長のレーザ光１２を照射することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device which can solve problems in small process margin and mass production margin in the existing process, while completely stripping a fence of dielectric layer in a gate formation process in which a thickness of a second conductive film used as a floating gate is over 1500 Å.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられる第２導電膜の厚さを１５００Å以上に適用するゲート形成工程で誘電体膜のフェンスを完全除去しながら、既存工程の工程時間及び量産性マージンが足りないという問題点を解決することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method capable of preventing the depletion of a wiring layer by removing a mask, while maintaining even thickness of an underlying film by preventing the generation of reaction active species of fluorine caused by a by-product due to etching when removing the mask, and reducing subsequent underlying film overetching time.例文帳に追加

マスクを除去する時にエッチングによる副生成物に起因するフッ素の反応活性種の生成を防止して下地膜の膜厚を均一に保ちながらマスクを除去して、その後の下地膜のオーバーエッチングの時間を少なくして配線層の減少を抑制することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The machine plate of which the wettability of the surface is controlled selectively according to image information is prepared by the preparing method of the machine plate which has a process of heating a polyimide precursor layer of the plate material to make it into a polyimide one and a process of giving energy to the polyimide surface of the machine plate according to the image information.例文帳に追加

版材のポリイミド前駆体層を加熱してポリイミド化する工程と、該ポリイミド化した版材表面に画像情報に応じてエネルギーを付与する工程とを有する刷版の作製方法によって表面の濡れ性を画像情報に応じて選択的に制御した刷版を作製する。 - 特許庁

To provide a carrier having a coating layer of uniform thickness, which is improved in terms of toner electrification, stability against aging, and also, good adhesion with a core material, to provide developer using the carrier, to provide an image forming method, a process cartridge and an image forming apparatus using the developer.例文帳に追加

被覆層を有するキャリアであって、トナー帯電性及び経時安定性が良好であると共に芯材との密着性が良く、かつ、均一な厚みの被覆層を有するキャリア及び該キャリアを用いた現像剤並びに該現像剤を用いた画像形成方法、プロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method to make an impurity layer by ion implantation of an impurity into an edge part in side part and of an active region to prevent generation of a parasitic transistor phenomenon or an edge transistor phenomenon along the edge part in the side part of the active region even when the active region is refined to the limit.例文帳に追加

アクティブ領域を極限にまで微細化しても、前記アクティブ領域側部のエッジ部分に不純物をイオン注入して、不純物層を形成でき、前記アクティブ領域側部のエッジ部分に沿っての寄生トランジスタ現象又はエッジトランジスタ現象の発生を防止することができるようにする。 - 特許庁

To provide a method for using an adhesive masking tape for protecting a window flange from excess coating in painting and baking operations so that an automobile window is mounted to a window flange having no surface layer material and no transparent coating (clearcoat) using a reactive PU (polyurethane) window adhesive after removing the adhesion masking tape.例文帳に追加

接着マスキングテープを除去した後、自動車のガラス窓が、反応性ＰＵ窓接着剤を用いて表層材及び透明塗膜（ｃｌｅａｒｃｏａｔ）のない窓フランジに取り付けられるように、窓フランジを、続く塗装及び焼き付け操作中の過剰塗装から保護するための、接着マスキングテープの使用法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-junction thin-film silicon solar cell module having high light conversion efficiency, in which current leakage through an intermediate layer having conductivity, light transmissivity and light reflectivity is suppressed and an ineffective area not contributing to electricity generation is prevented from enlarging, and to provide a method of manufacturing the module.例文帳に追加

導電性を有し、光透過性及び光反射性を有する中間層を介した電流リークが抑制され、且つ、発電に寄与しない無効面積の拡大が抑制された高い光変換効率を有する多接合薄膜シリコン太陽電池のモジュール及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for alternately stacking electrode sheets and separators easily without bringing the electrode sheets into contact with each other due to a shift, in a multilayer structure of the electrode sheets and the separators in an electric double layer capacitor having such a structure that the electrode sheets and the separators are alternately stacked.例文帳に追加

電極シートとセパレータが交互に積層されてなる構成を備えた電気二重層キャパシタにおいて、電極シートとセパレータの積層構造のずれによる電極シート同士の接触が生じることなく、また容易に電極シートとセパレータを交互に積層させることが可能な手段等を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a ceramic substrate in which baking is performed after a conductor layer is formed on a baked ceramic green sheet laminate, the baking is performed by using a baking jig having a periphery support region for supporting all the edges of the ceramic green sheet laminate.例文帳に追加

焼成したセラミックグリーンシート積層体に導体層を形成した後に焼成処理を行うセラミック基板の製造方法において、前記焼成処理の際に、前記セラミックグリーンシート積層体の全ての縁を支持するための外周支持領域を持つ焼成治具を用いて行うセラミック多層基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrooptical device high in display quality and reliability, capable of manufacturing the electrooptical device with high productivity by efficiently and selectively removing an alignment layer formed on a substrate and to provide an electrooptical device and a projection type display device using the electrooptical device.例文帳に追加

基板上に形成した配向膜を効率よく選択的に除去することにより、高い生産性をもって表示品位や信頼性の高い電気光学装置を製造することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the colored stainless foil is carried out by cathode-electrolyzing a stainless foil used as a base material in an acidic aqueous solution containing Ni ion and triiron tetraoxide particles having 0.1-10 μm average particle diameter to form the coating film layer comprising triiron tetraoxide particles and metal (Ni) on the surface of the stainless foil.例文帳に追加

Ｎｉイオンと平均粒径0.1〜10μmの四酸化三鉄粒子を含む酸性水溶液中で、ステンレス箔を基材としてカソード電解して、前記ステンレス箔の表面に四酸化三鉄粒子と金属ニッケル（Ｎｉ）からなる被膜層を形成することで前記着色ステンレス箔を製造する方法。 - 特許庁