「layer-controlled」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

Movement of bottom sediment is controlled by arranging a plural number of small scale structural bodies different in resisting characteristics in accordance with directions of a flow in a reciprocating flow formed by waves on the sea bottom in a coastal area and forming a flow in the neighbourhood of a bottom layer in an optional direction.例文帳に追加

沿岸域における海底において、波浪により形成される往復流の中に、流れの方向により抵抗特性の異なる小規模構造体を複数配置して、任意の方向に底層付近の流れを生成することにより、底質の移動を制御するようにした。 - 特許庁

To provide a semiconductive roller which is composed of a conductive elastic layer made of a curable composition including a conductivity imparting agent, can be easily controlled in resistance in the semiconductive region and is extremely small in the dispersion of electrical property among samples and the voltage dependence.例文帳に追加

導電性付与剤を含む硬化性組成物により導電性弾性層を形成した半導電性ローラで、容易に半導電性領域に抵抗をコントロール可能で、かつ電気特性のサンプル間ばらつきおよび電圧依存性が極めて小さい半導電性ローラを提供する。 - 特許庁

Consequently, when a voltage is applied to the electrode, a dielectric breakdown and an electric field leak are suppressed and the electrode width can be controlled to size precision of photolithography by using the sacrificial layer, so a periodic polarization inversion structure with good size precision can efficiently be manufactured.例文帳に追加

そのため、電極へ電圧を印加する際に、絶縁破壊や電界漏れが抑制され、また犠牲層を用いることでフォトリソグラフィーの寸法精度で電極幅を制御できるので、均一で精度の良い周期分極反転構造を効率的に製造することが可能となる。 - 特許庁

To provide a technology for constituting a GaP based LED having a monojunction or heterojunction light emitting part exhibiting a current block function, and a technology for constituting a current block function structure utilizing a boron phosphate based semiconductor layer where conductivity can be controlled easily.例文帳に追加

電流阻止機能を発揮する、ホモ接合型或いはヘテロ接合型の発光部を備えたＧａＰ系ＬＥＤを構成するための技術、及び電流阻止機能構造を伝導性の制御を容易に行えるリン化硼素系半導体層を利用して構成するための技術を提供する。 - 特許庁

Since the supply rate of oxygen is controlled by the presence of the atmosphere diffusion rate controlling layer 38c also in a crack detection mode and the flow of large current into an oxygen ion conductive solid electrolyte 34 is suppressed, the oxygen ion conductive solid electrolyte 34 can be prevented from being deteriorated.例文帳に追加

クラック検出モード時にも大気用拡散律速層３８ｃの存在により酸素の供給が律速されて酸素イオン導電性固体電解質３４に大量に電流が流れるのが阻止されるので、酸素イオン導電性固体電解質３４の劣化を防止できる。 - 特許庁

In this compound semiconductor epitaxial wafer, the impurity concentration in the most upper layer 15 in a unit of HBT epitaxial layers 20 to 15 is controlled to a lower concentration or an undoped state, and a plurality of HBT epitaxial layers 20-15, 13-8 are laminated in the same wafer.例文帳に追加

一単位のＨＢＴエピタキシャル層（２０〜１５）の最上層（１５）の不純物ドープ濃度を低濃度に抑え又はアンドープ層として、ＨＢＴエピタキシャル層を複数層（２０〜１５、１３〜８）、同一ウェハ内に積層したことを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェハ。 - 特許庁

To obtain an organic-inorganic composite gradient material with which a coating film having a relatively thick film thickness, controlling crack occurrence can be formed by a spray coating and deterioration of the coating film by a photocatalyst can be controlled when used as an intermediate film of a photocatalytically active material layer.例文帳に追加

スプレーコート法などにより、膜厚が比較的厚く、かつクラックの発生が抑制された被膜を形成することができる上、光触媒活性材料層の中間膜として用いた場合、該膜の光触媒による劣化を抑制することができる有機−無機複合傾斜材料を提供する。 - 特許庁

It has been found that interface reaction can be controlled and it has also been verified that electrical and mechanical reliability can be obtained by combining a Sn-system solder 8 including Cu6Sn5 phase and a Ni-system layer 3 within the temperature range from a room temperature to 200°C at the solder connection part 1 in the electronic apparatus.例文帳に追加

電子装置のはんだ接続部１において、室温から２００℃においてCu6Sn5相を含有するSn系はんだ８とNi系層３とを組合せることで界面反応を抑制できることを見出し、電気的および機械的信頼性が得られることを確認した。 - 特許庁

Two-dimensionally arranged vapor deposition sources 110 are divided into three groups 111, 112, 113 per vapor deposition material correspondingly to the number of layer configurations, and the vapor deposition sources of the respective groups can be independently heated and controlled respectively by heating elements 120 (121, 122, 123).例文帳に追加

２次元的に配列された蒸着源１１０が層構成の数に対応して蒸着材料毎に３つのグループ１１１、１１２、１１３に分かれており、各グループの蒸着源は発熱体１２０（１２１、１２２、１２３）によって、それぞれ独立して加熱・制御可能である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a full depletion type SOI transistor, which can suppress SOI layer film thickness dependency of a threshold while preventing a parasitic channel when the threshold is controlled with concentration of impurities to be doped into a channel forming portion, in the full depletion type SOI transistor, especially, an NMOS transistor.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタにおいて、閾値をチャネル形成部へ導入する不純物濃度で制御しようとした場合に、寄生チャネルを防止しつつ、かつ、閾値のＳＯＩ膜厚依存性が抑制できる完全空乏型ＳＯＩトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

When a fused pool is formed by fusion-treating the surface layer of the metal material, the surface shape in the fused pool is controlled by impressing an AC electromagnetic field having a parallel component with the surface of the fused pool, into the fused pool under condition of satisfying the following expression: d/δ≥1.例文帳に追加

金属材料表層を溶融処理して溶融プールを形成するに際し、該溶融プールの表面と平行な成分を有する交流電磁場を下式を満たす条件で該溶融プールに印加することにより溶融プールの表面形状を制御すること。 - 特許庁

A detecting part 2 having an X-ray converting layer and an active matrix substrate inside, a gate circuit part 5 and a reading circuit part 6 are controlled by a control circuit part 44, a pixel signal of the detecting part 2 is read out to the reading circuit part 6, and data is sent through the sliding electrode 4 to the outside.例文帳に追加

内部にＸ線変換層とアクティブマトリックス基板を有する検出部２と、ゲート回路部５と読取回路部６を制御回路部４４が制御して、検出部２の画素信号を読取回路部６に読出し、滑り電極４を介して外部にデータを送る。 - 特許庁

To provide a wafer in which the thickness of an epitaxial layer is controlled during processing so that a region close to the edge of the wafer has a thickness larger or smaller than the thickness of a region close to the center of the wafer, and to provide a method for manufacturing the wafer.例文帳に追加

本発明は、ウェハの中央部に近接する領域における厚さと比較して前記ウェハのエッジに近接する領域の厚さが増大するか又は減少するようにエピタキシャル層の厚さが処理の間に制御されるウェハ、及び前記ウェハを製造する方法に関する。 - 特許庁

And also, by installing a low-friction processing layer on the surface of the cleaning blade 35, impregnating the surface of the blade 35 with low-friction processing agent and internally adding low-friction processing material, that is, by performing low-friction processing, the friction coefficient at the contact part of the cleaning blade 35 and the image carrier 10 is controlled to be ≤1.0.例文帳に追加

また、クリーニングブレード３５に、表面に低摩擦化処理層を設けたり、低摩擦化処理剤を含侵させたり、低摩擦化処理用物質を内添させたりして低摩擦化処理を行うなどにより、クリーニングブレード３５と像担持体１０との接触部位での摩擦係数を１．０以下とする。 - 特許庁

Throat height TH_T in the film thickness direction upper part which is a medium running direction trailing side of the main pole layer 34 and a throat height TH_L in the film thickness direction lower part being a medium running direction leading side are controlled, and the throat height TH_T of the trailing side is smaller than the throat height TH_L of the leading side.例文帳に追加

主磁極層３４の媒体走行方向トレーリング側である膜厚方向上部におけるスロートハイトTH_Tと、媒体走行方向リーディング側である膜厚方向下部におけるスロートハイトTH_Lを制御し、トレーリング側のスロートハイトTH_Tがリーディング側のスロートハイトTH_Lより短くなる構造とする。 - 特許庁

To provide a honeycomb segment with a spacer which is controlled to have a required thickness of a bonding layer between honeycomb segments, prevented from practically no misalignment between segments upon bonding and forms a honeycomb structure with little dimensional deviation and the honeycomb structure comprising the honeycomb segment with the spacer.例文帳に追加

ハニカムセグメント間の接合層の厚さを所望の厚さとし、ハニカムセグメントの接合時のずれを防止し、寸法不良が少ないハニカム構造体を形成することのできるスペーサー付ハニカムセグメント、及びそのスペーサー付ハニカムセグメントによって構成されたハニカム構造体を提供する。 - 特許庁

Hereby, a reflecting domain can be controlled precisely to reflect correct reflection light by reflecting different reflection light by utilizing a different reflection domain of a different reflecting layer, and thereby the page recognizer can recognize precisely the present page.例文帳に追加

本発明によれば、異なる反射層の異なる反射領域を利用して異なる反射光を反射させることにより、反射領域を正しい反射光を反射させるように精確に制御することができるので、ページ認識器が現在のページを精確に認識できる。 - 特許庁

The liquid crystal display device comprises a first substrate having a first electrode on one surface, a second substrate having a second electrode on one surface and a liquid crystal layer which is provided between the first substrate and the second substrate and is controlled to a substantially vertical orientation having a pretilt angle that is smaller than 90°.例文帳に追加

液晶表示装置は、一面上に第１電極を有する第１基板と、一面上に第２電極を有する第２基板と、第１基板と第２基板の間に設けられ、９０°より小さいプレティルト角を有する略垂直配向に制御された液晶層を備える。 - 特許庁

A plurality of second electrode parts 4 are laminated on their respective insulation layer 3 projected on a substrate, so that the convergence of the electron beam is controlled as desired together with efficient electron emission.例文帳に追加

絶縁層３の側壁が複数存在するように、絶縁層３を介して第２電極４が積層された凸部を複数配列した凹凸構造になっているので、電子放出素子の性能が向上でき、電子放出の効率化と放出電子ビーム径の収束の両者に対し所望の設定が可能になる。 - 特許庁

To form layers of graphene in which the number of layers is precisely controlled in atomic layer unit, under growth conditions with a high degree of freedom, in dimensions suitable for microfabrication for large-scale integration and practical dimensions of a single crystalline region, with high quality including few defects.例文帳に追加

自由度の高い成長条件で、大規模集積化のための微細加工に適した大きさで、かつ単一結晶領域が実用的な大きさであり、欠陥が少ない高品質で、層数を原子層単位で精密に制御したグラフェンの層が形成できるようにする。 - 特許庁

The abundance ratio of a carboxy group to a hydroxy group at the surface layer part of the carbon fiber can be controlled by subjecting the carbon fiber after the electrolytic oxidation treatment to an alkali treatment in a step for preparing the carbon fiber surface-modified by the electrolysis treatment of the carbon fiber.例文帳に追加

炭素繊維を電解処理して表面改質される炭素繊維を調製する過程において、炭素繊維の電解酸化処理後にアルカリ処理を施すことにより、炭素繊維表層部のカルボキシル基とヒドロキシル基との存在比率を制御することが出来る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a pattern forming body with which a pattern with high fineness can be formed, oxidation decomposability of a photocatalyst-containing layer is constant even in continuously performing manufacturing of the pattern forming body, and the shape of the formed pattern can be controlled.例文帳に追加

高精細にパターンを形成することが可能であり、かつ連続してパターン形成体の製造を行う際にも、光触媒含有層の酸化分解力が一定であり、形成されたパターンの形状を制御することが可能なパターン形成体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer for epitaxial wafer in which the transition layer width and particle of the epitaxial wafer can be uniformly controlled over whole surface of the epitaxial wafer, and which improves the production yield of the epitaxial wafer and the production yield and the reliability of a final product or a device.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハの遷移層幅およびパーティクルをエピタキシャルウェーハ全面に亘って均一に制御でき、エピタキシャルウェーハの製造歩留、さらには、最終製品のデバイスの製造歩留及び信頼性を向上させたエピタキシャルウェーハ用シリコン基板を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method and a system for three-dimensional fine area elemental analysis which perform the elemental analysis in a condition controlled by layer, without applying high-voltage pulses required to cause electrical field evaporation on the sample, nor being affected by the difference in the electrical field evaporation of the component element.例文帳に追加

３次元微細領域元素分析方法及び３次元微細領域元素分析装置に関し、試料に電界蒸発を起こすのに必要な高電圧パルスを印加することなく、一層ずつ制御された状態で、且つ、構成元素の蒸発電界の違いに影響されずに分析を行う。 - 特許庁

When the charge amount detecting part 92 is controlled by the leaking determination part in saturation 90 to discard data indicating the received charging current from the charging current detecting part 84, the charge accumulation is not computed and nothing is outputted to a layer thickness computing part 94.例文帳に追加

電荷量検知部９２は、帯電電流検出部８４から受け入れた帯電電流を示すデータを破棄するように、飽和時リーク判定部９０によって制御される場合には、帯電電荷量を算出することなく、層厚算出部９４に対して何も出力しない。 - 特許庁

A polishing slurry containing colloidal silica having an average primary particle diameter of 60 nm or smaller, an acid and water, controlled into a pH range of 0.5 to 4 is used to polish the glass substrate with a polishing pad having a nap layer having a compressibility of 10% or higher and a compressive elastic modulus of 85% or higher.例文帳に追加

平均一次粒子径が６０ｎｍ以下のコロイダルシリカ、酸および水を含み、ｐＨが０．５〜４の範囲になるように調整してなる研磨スラリーを用いて、ガラス基板をナップ層の圧縮率が１０％以上、圧縮弾性率が８５％以上である研磨パッドで研磨する。 - 特許庁

To provide a method of producing organic-inorganic hybrid particles, by which the organic-inorganic hybrid particles are obtained, each of which has a small particle size, and the particle size and film thickness of an inorganic layer can be controlled uniformly; and to provide a method of producing an inorganic hollow particles.例文帳に追加

本発明は、粒子径の小さい有機−無機ハイブリッド粒子が得られるとともに、粒子径や無機層の膜厚を均一に制御することが可能な有機−無機ハイブリッド粒子の製造方法、及び、無機中空粒子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a magnetic recording medium in which a magnetic layer 2 having a thickness of 50 nm or less is formed on a surface of one side of a non-magnetic support 1 by evaporating Co by electron beam heating, an average particle diameter of Co to be deposited is controlled to 10 nm or less by raising intensity of the electron beam.例文帳に追加

非磁性支持体１の一方の面に、電子ビーム加熱によってＣｏを蒸発させて、厚みが５０ｎｍ以下の磁性層２を形成する磁気記録媒体において、前記電子ビームの強度を上げて、前記蒸着されるＣｏの平均粒径を１０ｎｍ以下に制御する。 - 特許庁

To obtain a light-emitting device capable of emitting light, having a plurality of wavelengths using a single light-emitting device and freely adjusting the luminance of each light-emitting layer, due to input/output electrodes being provided so that respective light-emitting layers can be electrically controlled independently, and to obtain a light-emitting device.例文帳に追加

１つの発光素子で複数波長の光を発することができ、且つ各発光層が互いに電気的に独立に制御可能に入出力電極が設けられていることにより各発光層の輝度を自由に調整できる発光素子及び発光装置を得ること。 - 特許庁

A rotation driving mechanism part and a tilt mechanism part are controlled by a control unit 40, thereby continuously changing the tilt angle θ of a substrate holder 20 and a substrate 28' for the recording medium, from the minimum tilt angle to the maximum tilt angle, according to increase of film thickness of a protective film layer during film deposition.例文帳に追加

回転駆動機構部およびチルト機構部が制御ユニット４０に制御されることにより、基板ホルダー２０および記録媒体用基板２８’の傾斜角θが、成膜中、保護層の膜厚の増大に応じて最小傾斜角度から最大傾斜角度まで連続的に変化する。 - 特許庁

On the deposition of each thin film 2c, per molecular layer 2a and 2b, gaseous starting materials respectively comprising constituting elements are alternatively introduced into a vacuum vessel, and the number of changing the gaseous starting materials is controlled, so that the composite physical values of each thin coverage 2c are continuously changed.例文帳に追加

ここにおいて、各薄膜２ｃの形成にあたっては、分子層２ａ，２ｂごとに、構成元素それぞれを含む原料ガスを交互に真空容器内に導入するようにし、原料ガスの入れ替え回数を調整することで各薄膜２ｃの複合的な物性値を連続的に変化させる。 - 特許庁

To provide a hollow carbon fiber whose wall layer number, diameter and length can be controlled to give a homogeneous shape and homogeneous characteristics, and does not use a metal catalyst, thereby not necessitating the removal of the metal catalyst, and can relatively massively be produced, and to provide a method for producing the hollow carbon fiber.例文帳に追加

中空状カーボンファイバーの壁層数、直径、長さの制御が可能であり、均一な形状及び特性を得ることができ、金属触媒を使用しないためその精製除去が不要で、量産が比較的容易である中空状カーボンファイバー及びその製造法を提供する。 - 特許庁

Although each cathode electrode line 2 and each gate electrode line 4 is drivingly controlled by being connected to a means of control 15 respectively, many almost circular holes 5 penetrating through the gate electrode line 4 and the insulating layer 3 and reaching the thin film 7 are formed in each crossing area 9.例文帳に追加

各カソード電極ライン２及び各ゲート電極ライン４は制御手段１５にそれぞれ接続されて駆動制御されるが、その各交差領域９においては、ゲート電極ライン４と絶縁層３とを貫通して薄膜７に達する多数の略円形の孔５が形成されている。 - 特許庁

To provide a method capable of enhancing a product yield by suppressing a temperature difference between an outer layer part and the center part and improving a productivity by operating a rolling apparatus during a cooling steel when performing controlled rolling in the process of manufacturing a thick plate from a slab.例文帳に追加

スラブから厚鋼板を製造する過程で制御圧延を行なうにあたって、表層部と中心部の温度差を抑制することによって製品歩留りを向上し、かつ鋼材の冷却中に圧延設備を稼動させることによって生産性を向上する方法を提供する。 - 特許庁

An address indicating a position on a recording medium during read-out is compared with an address of a switching occurrence point of the recording layer, and based on the comparison result, it is controlled whether read-out of information from a recording medium is continued or read-out of the information is interrupted.例文帳に追加

読み出し中の記録媒体上の位置を示すアドレスと、記録層の切り替わり発生箇所アドレスとを比較し、その比較結果に基づき、記録媒体からの情報の読み出しを継続するか、情報の読み出しを中断するかを制御するように構成する。 - 特許庁

To improve a visual angle-luminance characteristic of half-tones without spoiling a visual angle-contract characteristic in a liquid crystal display mode wherein the phase difference and rotary polarizing property of a liquid crystal layer are controlled with an electric field causing transitions of liquid crystal molecules between a vertical alignment state and a hybrid alignment state.例文帳に追加

液晶分子を垂直配列状態とハイブリッド配列状態との間で遷移させる電界により液晶層の位相差および旋光性を制御する液晶表示モードで視角−コントラスト特性を損なわずに中間階調での視角−輝度特性を向上させる。 - 特許庁

Then the inter-layer film 6 is polished, while the polished thickness is controlled by measuring the thickness of the part of the interlayer film 6 which is left on the scribe line 4s with the largest thickness, and the interlayer film 6 on the protruding patterns 4 is removed.例文帳に追加

次いで、スクライブライ４ｓ上において層間膜６の膜厚が最も厚く残る部分における層間膜６の膜厚を測定することで研磨膜厚を管理しながら層間膜６を研磨し、チップ領域１ａ内の凸パターン４上の層間膜６を除去する。 - 特許庁

By bringing a magnetic writing means such as magnetic heads 16 or the like corresponding to the pixels into contact with the display layer 14 through the supporting substrate 11, the rotation state of the rotating particles 13 is controlled and an image is formed based on the rotation state of the colored rotating particles 13.例文帳に追加

この表示層１４に、支持体基板１１側から画素に対応した磁気ヘッド１６等の磁気書き込み手段を密着させることで、回転粒子１３の回転状態が制御され、これらの色分けされた回転粒子１３の回転状態により画像が形成される。 - 特許庁

Accordingly, for example, even when a plurality of cold-cathode tubes 33 are arranged as the light source 28 in an inner bottom section 40, the vacuum layer 37 can easily be arranged right above the light source; and the transfer of the heat between the light source 28 and the liquid crystal panel 2 can be controlled just easily.例文帳に追加

これにより、例えば光源２８として複数の冷陰極管３３がケース５の内底部４０に配置されているような場合にも、真空層３７を簡単に当該光源の真上に配置し、極めて容易に光源２８と液晶パネル２との間の熱の伝達を抑制することができる。 - 特許庁

The laminated metal plate 1 in which the bleeding and elimination of the colored layer 8 by a physical or chemical action from the outside are controlled is applicable to a wrapping container for an electronic part, a container for cosmetics, a wall material for a bathtub, a blind material, or an interior finish material for a vehicle.例文帳に追加

ラミネート金属板１は、前記課題を解決すると同時に、外部からの物理的または化学的作用による着色層８のにじみや消失が抑えられ、電子部品用外装容器、化粧品用容器、浴槽用壁材、ブラインド材または車両用内装材に好適である。 - 特許庁

Since heat generated from the power amplifier 130 for RF and propagated through the via 140 further propagates to the solid GND layer 104 quickly, rapid temperature change in the TCXO 120 is controlled by delaying propagation of heat to the TCXO 120, i.e. the component to be protected.例文帳に追加

当該ビア１４０を介してＲＦ用パワーアンプ１３０から発生して伝搬してきた熱が速やかにベタＧＮＤ層１０４に伝搬されるので、被保護部品であるＴＣＸＯ１２０への熱の伝搬を遅延させて、ＴＣＸＯ１２０における急激な温度変化を抑制する。 - 特許庁

An ink accepting layer is mainly composed of aluminum oxide, an average value of particle size distribution in its secondary particles is 3.0 μm or less, and surface smoothness is controlled by a physical method before casting treatment to realize high gloss after casting.例文帳に追加

インク受容層の主成分が酸化アルミニウムからなり、その２次粒子における粒度分布の平均の値が３．０μｍ以下であり、かつキャスト処理前に物理的方法により表面平滑性を制御をすることによりキャスト後に高い光沢性を発現させることを特徴とする。 - 特許庁

A binder resin contained in a coating liquid forming the uppermost layer in multiply coated plural layers and having the number average molecular weight of ≥5,000 is controlled to have ≤5% concentration to a solvent contained in the coating liquid.例文帳に追加

複数のスリット３０を有する塗布ヘッド１４を用いて、多層塗布される複数の層のうち、少なくとも最上層を形成する塗布液に含まれる数平均分子量が５０００以上の結合剤樹脂については、塗布液に含まれる溶剤に対する濃度が５％以下になるように構成した。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor element by which a low-resistance p-type nitride semiconductor layer can be obtained without diffusing a p-type dopant and thereby such a nitride semiconductor element can be fabricated that has good characteristics with a very precisely controlled dopant concentration profile in the depthwise direction.例文帳に追加

ｐ型不純物を拡散させることなく低抵抗なｐ型の窒化物半導体層を得ることが可能で、これよって深さ方向の不純物濃度のプロファイルが高精度に制御された良好な特性を有する窒化物半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the method for ink jet recording comprising the steps of discharging ink droplets to a recording medium having an ink receptive layer containing an at least hydrophilic polymer as a main body forming an image, hitting amount of a black ink is controlled to be less than a maximum ink hitting amount of a color ink.例文帳に追加

少なくとも親水性ポリマーを主体とするインク受容層を有する記録媒体に対して、インク滴を吐出して画像を形成する記録方法であって、黒色インクの打ち込み量をカラーインクの最大インク打ち込み量よりも少ないように制御する。 - 特許庁