| 意味 | 例文 |
line patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3472件
A scanner 10 reads image data from a document per line to store the image data in a buffer and detects a copy protected image by pattern recognition in parallel with reading and storing the image data.例文帳に追加
スキャナ10は、原稿からライン単位に画像データを読み取りバッファに蓄積するとともに、これに並行してパターン認識にて印刷禁止画像の検出を行う。 - 特許庁
Both ends of the connection small board 9 are inserted into connection holes 7b, 8c, and a feeding pattern 22 and a preamplifier circuit 25 are connected via a microstrip line 26.例文帳に追加
接続小基板9は両端部が接続孔7b,8cに挿通されており、マイクロストリップライン26を介して給電パターン22と前置増幅回路25とが接続されている。 - 特許庁
To provide an electromagnetic shielding material having a satisfactory electromagnetic shielding characteristics and capable of achieving a thin line width of, for instance, ≤20 μm, especially ≤10 μm in a convex pattern layer.例文帳に追加
電磁波シールド特性がよく、凸状パターン層を例えば20μm以下特に10μm以下の線幅への細線化を可能にする電磁波シールド材を提供する。 - 特許庁
A semiconductor device has a first conductor pattern 312 formed within a multilayer interconnection 400, positioned under a signal line 342 and above a transistor region.例文帳に追加
本発明は、多層配線400内に形成され、信号線342下にあり、トランジスタ領域上に形成された第1導体パターン312を有する、半導体装置に関する。 - 特許庁
To provide a chemically amplified positive resist composition suitable for ArF excimer laser lithography, especially having good line edge roughness and giving a finer pattern in a reflow process.例文帳に追加
ArFエキシマレーザーリソグラフィに適し、特に、ラインエッジラフネスが良好であり、リフロー工程においてパターンをより微細化できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物の提供。 - 特許庁
The pattern-omitted portion 200 is formed in a position opposing the microstrip line configuring input output portions 122, 124 of the filter circuit with the dielectric substrate 100 sandwiched therebetween.例文帳に追加
パターン抜き部200は、誘電体基板100を挟んで、フィルタ回路の入出力部122,124を構成するマイクロストリップ線路と対向する位置に形成される。 - 特許庁
To provide a salt forming a pattern of an excellent shape, line edge roughness and focus margin, and a resist composition or the like comprising the salt.例文帳に追加
優れた形状、ラインエッジラフネス及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物等を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a resist coating/developing apparatus and method in which line width roughness of a resist pattern can be efficiently reduced while avoiding contamination of a process atmosphere.例文帳に追加
プロセス雰囲気の汚染を避けつつ、レジストパターンのライン幅ラフネスを効率よく低減することができるレジスト塗布現像装置およびレジスト塗布現像方法を提供する。 - 特許庁
To provide a parking frame partition space provided with a pattern, which performs a parking guide for an automobile to a parking frame partition line space by appealing to a human sensitivity of a user of a parking and by physical vibration.例文帳に追加
駐車場の利用者の感性に訴えて、また、物理的な振動によって、駐車枠区画線スペースに、自動車の駐車誘導を可能にする。 - 特許庁
To provide a wet developer for circuit formation with which a fine circuit pattern with high accuracy of line width can be formed by an electrophotographic method.例文帳に追加
電子写真法による回路形成用現像剤として、ライン幅精度が高く、緻密な回路パターンを形成できる回路形成用湿式現像剤を提供する。 - 特許庁
The magnetism-sensitive part 23 is formed of a serpentine magnetoresistance pattern 26 to obtain a predetermined magnetic reluctance value, with having a rectangular area as indicated by a chain line.例文帳に追加
感磁部23は、所定の磁気抵抗値を得るため蛇行形状の磁気抵抗パターン26にて構成され、点線で示すように長方形の領域を有している。 - 特許庁
To provide a photomask which prevents a density correction pattern from being transferred onto a wafer, and which is inexpensive and which has excellent uniformity of line width, and to provide a method for manufacturing the photomask.例文帳に追加
密度補正パターンがウェーハに転写されることを予防し、かつ安価で優れた線幅均一性を有するフォトマスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
When the reticle 1 is arranged at a regular position, the electrically-charged particle line follows optical paths as shown with dashed lines as 2A and 2B, and the pattern of the reticle 1 is performed on the wafer 5.例文帳に追加
レチクル1が正規の位置にある場合、荷電粒子線は、2A、2Bとして破線で示されるような光路をたどり、ウエハ5上にレチクル1のパターンを結像する。 - 特許庁
To provide a photosensitive resin composition and a photoresist film very excellent in sensitivity, resolution, thin line adhesion and pattern forming property even under a low exposure condition.例文帳に追加
低露光条件下においても、感度、解像度、細線密着性、パターン形成性に非常に優れた感光性樹脂組成物及びフォトレジストフィルムを提供すること。 - 特許庁
Then the flattening film 18 is exposed (exposure quantity: 200 mJ/cm2) to irradiating light (i line) through a photomask 41 having an opening pattern 41a arranged (Fig.(c)).例文帳に追加
次に、開口パターン41aを配したフォトマスク41を介して光(i線)を照射して平坦化膜18を露光(露光量:200mJ/cm^2 )する(図3(c))。 - 特許庁
To provide an aligner for manufacturing a semiconductor device comprising a fine pattern with a line width 100 nm or less by using an F2 excimer laser beam as an exposure light source.例文帳に追加
F_2 エキシマレーザ光を露光光源として用いて線幅が100nm以下の微細パターンを有する半導体装置を製造するための露光装置の提供。 - 特許庁
Thereafter, while these drums 20, 21, 22 stop one after another, two drums 20, 22 stop on the same straight line with the same picture pattern to each other and get into the reach state.例文帳に追加
その後これらドラム20、21、22が順次停止していくうちに2個のドラム20、22が互いに同じ絵柄で、同一直線上に停止し、リーチ状態となる。 - 特許庁
For example, a digital video signal corresponding to an output of the color solid-state imaging element 11 is fed to an image pattern detection circuit 41c via a 4H line memory 41b.例文帳に追加
たとえば、カラー固体撮像素子11の出力に対応するデジタル映像信号は、4Hラインメモリ41bを介して、画像パターン検出回路41cに送られる。 - 特許庁
To provide a dry etching system having a function of intermediate length measurement for producing a photomask in which the pattern line width of a dry-etched metal film always satisfies dimensional specifications.例文帳に追加
ドライエッチングした金属膜のパターン線幅が常に寸法規格を満たしたフォトマスクを作製する中間測長機能を備えたドライエッチングシステムを提供する。 - 特許庁
To form the line width CD of a pattern, and a sidewall angle SWA uniformly in a substrate surface in each substrate that is etched after a photo lithography process.例文帳に追加
フォトリソグラフィ工程後にエッチング処理が施された基板において、パターンの線幅(CD)とサイドウォールアングル(SWA)とを夫々、前記基板面内で均一に形成すること。 - 特許庁
A test pattern 33 of at least several dot width per line is printed in the main scanning direction and subscanning direction while developing each thermal coloring layer with maximum density.例文帳に追加
主走査方向および副走査方向に、少なくとも1ライン分で数ドット幅からなり、各感熱発色層を最大濃度で発色させたテストパターン33を印画する。 - 特許庁
Preferably, a recessed pattern 28 is formed in the planar antenna chip 10, etc., to ensure a gap G between the surface of the photodiode top transmission line 8 and an antenna board surface.例文帳に追加
好ましくは、平面アンテナチップ10に窪地パタン28を形成する等で、フォトダイオード上伝送路8の表面とアンテナ基板の表面との間Gに間隙を確保する。 - 特許庁
GaN layers 13a, 13b and the AlN buffer layer 12 are removed to a substrate by dry etching by using a resist and the SiO2 film 14 as a mask and using chlorine gas, and a line and space pattern is formed.例文帳に追加
レジストとSiO_2膜14をマスクとして、塩素系のガスを用いてGaN層13a、13bおよびAlNバッファ層12をドライエッチングにより基板まで除去して、ラインアンドスペースのパターンを形成する。 - 特許庁
To provide a tire vulcanizing mold constituted so as to efficiently heat the groove line pattern parts of a green tire to shorten the vulcanizing time of the green tire while keeping the quality of a tire.例文帳に追加
生タイヤの溝条パタン部分を効率良く加熱し、タイヤの品質を維持しながら加硫時間の短縮を図ることができるタイヤ加硫用モールドを供する。 - 特許庁
To prevent a resist pattern from being broken in the case of forming line-state patterns such as active areas separated by wiring between elements, a gate electrode or a trench element.例文帳に追加
素子間配線・ゲート電極もしくはトレンチ素子によって分離された活性領域等のライン状パターンを形成する際に、レジストパターンが崩れてしまうことを防止する。 - 特許庁
The image detector has a light source for illuminating an inspection medium M, having a pattern constituted of the optical characteristics a, b constituting an image P and the camera arranged on a normal line L.例文帳に追加
画像Pを構成する光学特性a,bで構成された紋様を持つ検査媒体Mを照明する光源および法線L上に配置されたカメラを有する。 - 特許庁
The added boundary region balances the light on both sides of the line ends, resulting in a more predictable final resist pattern.例文帳に追加
付加された境界領域は配線の端部の両側において光を平均化し、それによって、より意図したものに近い最終的なレジストパターンを得ることができる。 - 特許庁
Wiring 50 arranged nearest to the intersection of a cutting line and the reinforcement member 20 of a plurality of wiring which constitute the wiring pattern 18 is wiring with the widest width.例文帳に追加
配線パターン18を構成する複数の配線のうち切断線と補強部材20との交点の最も近くに配置される配線50は、最も幅が広い配線である。 - 特許庁
The source electrode 101 has such a pattern that the electrode width gradually widens toward both side portions, connected to the main line of the source electrode 101, of the branched electrode portion 101a.例文帳に追加
ソース電極101は、ソース電極101の本線とつながる分岐電極部101aの両側部分に向かって電極幅が漸次広くなっている。 - 特許庁
An alignment mark 1 is formed by densely arranging patterns of element configuring components in a scribe line region 3 of a reticle 5 used for pattern transfer to the wafer.例文帳に追加
アライメントマーク1は、ウェハに対するパターン転写に用いられるレチクル5のスクライブライン領域3に、素子構成要素のパターンを密集して配置することにより構成されている。 - 特許庁
To provide a chemically amplified photoresist composition or the like from which a pattern having an excellent shape, line edge roughness, and a focus margin can be formed.例文帳に追加
優れた形状、ラインエッジラフネス及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することができる化学増幅型フォトレジスト組成物等を提供することを目的とする。 - 特許庁
The matching circuit part is composed of a conductive line 4 being composed of a pattern-like conductive film formed on the principal surface of the dielectric substrate (f) and having an inductance component.例文帳に追加
整合回路部は、誘電体基板fの主面に形成されたパターン状導電膜からなり且つインダクタンス成分を持つ導電ライン4により構成されている。 - 特許庁
The reticle for metal patterning has a scribe line, in a non-transmitting solid region (B) adjacent to the counter side of the side of the TEG pattern region adjacent to the region A.例文帳に追加
また、前記領域Aと接しているTEGパターン領域の辺の対辺と接している光非透過ベタ領域(領域B)にスクライブラインを有する金属パターニング用レチクルとした。 - 特許庁
A metal line which constitutes the liquid crystal display device is disposed under the extended part of the color layer to cut light in the region between the pixel electrode and the frame pattern.例文帳に追加
また、着色層の延出部の下方に、液晶表示素子を構成する金属配線を配置して、画素電極と額縁パターンとの間の領域を遮光する。 - 特許庁
The right (left) pattern area slope is a fingerprint line that flows out to the right (left) from a start point positioned above the center of a fingerprint image and satisfies predetermined conditions.例文帳に追加
右(左)パタンエリアスロープは、指紋画像の中心部より上位に位置する開始点から右(左)側を外に向かって流れ、かつ、所定の条件を満たす指紋線をいう。 - 特許庁
A third reflecting surface 16 of the second shade 6 in the vicinity of the first shade 5 forms a shading-up light distribution pattern GP overlapped on the cutoff line CL.例文帳に追加
第2シェード6のうち第1シェード5の近傍部分の第3反射面16は、カットオフラインCLに重畳する暈し用の配光パターンGPを形成する。 - 特許庁
Since a pattern 40 different for each job is recorded at the edge of the print sheet, a line is formed at a position on the side face of a recording sheet bundle different for each job.例文帳に追加
印刷用紙の縁にはジョブごとに異なった図柄40が記録されているため、記録用紙束の側面にはジョブごとに位置が異なったラインが形成される。 - 特許庁
In a game for which the drawing section 1A or 1B is decided by drawing, control is performed so as to pull in a plum pattern to a winning line for other display columns.例文帳に追加
抽選区分1A又は1Bが抽選によって決定されたゲームでは、他の表示列についてはプラム図柄を入賞ラインに引き込むように制御される。 - 特許庁
In a step of setting specifications for inspection of a photomask, a dimensional variance specification of a line end is provided as one of dimensional variance specifications of a mask pattern to be inspected.例文帳に追加
フォトマスクの検査のための仕様を設定するステップにおいて、検査すべきマスクパターンの寸法ばらつき仕様の一つとしてラインエンドの寸法ばらつき仕様を設ける。 - 特許庁
The number of lines in a line and space pattern to be transcribed to a wafer is changed from 5 to 2 in this method for measuring imaging characteristics such as comatic aberration.例文帳に追加
投影光学系のコマ収差等の結像特性を計測するために、ウエハに転写するライン・アンド・スペースパターンのラインパターンの数を5本から2本に変更する。 - 特許庁
Simultaneously, the power supply line of an indicating circuit TC is made identical to that of the circuit part 14 of a relay so as to be connected with the identical power supply pattern over a printed circuit board.例文帳に追加
同時に、表示用回路部品TCとリレー用回路部品14との電源ラインを同一とし、プリント基板12上の同一の電源パターンに接続する。 - 特許庁
At a border 30 between the first region 10 and the second region 20, a border line blurring pattern formed of a plurality of surface roughness modes A and B is formed.例文帳に追加
第1領域10と第2領域20との境界部30には、複数の表面粗さ態様A,Bにより形成された境界線ぼかしパターンが構成されている。 - 特許庁
After a lapse of 0.5 second, the practical-use pattern group command symbol 10A is displayed to be reduced on the left end of the second display line 9b of the liquid crystal display in a regular size.例文帳に追加
そして、0.5秒経過後に、この実用模様群指示記号10Aは、液晶ディスプレイ9の第2表示行9bの左端に、通常サイズで縮小表示される。 - 特許庁
Moreover, the prior drawing draws the fine pattern of the line width of not larger than 10 μm, and a liquid droplet amount in the main drawing is made larger than a liquid droplet amount in the prior drawing.例文帳に追加
また、さらに、先描画が、線幅が10μm以下の微細パターンを描画し、本描画における液適量を、先描画における液滴量より多くする。 - 特許庁
To provide a game machine and the like, capable of neatly arranging patterns on a valid line while minimizing the pattern stop processing time associated with ART function.例文帳に追加
ART機能に伴って生じる図柄停止処理時間を極力少なくし、有効ライン上に図柄を綺麗に揃えることが可能な遊技機等を提供することにある。 - 特許庁
When only a picture pattern stop line L1 is validated, the emission of a full color LED 143 in the center of respective back light illuminators 14A-14C is controlled to red.例文帳に追加
図柄停止ラインL1のみが有効化された場合には、各バックライト照明装置14A〜14Cの中央のフルカラーLED143が赤色に発光制御される。 - 特許庁
To provide a positive photosensitive composition that improves edge roughness of a pattern and suppresses occurrence of development defects and a change in line width with the lapse of time.例文帳に追加
パターンのエッジラフネスが改良され、現像欠陥が抑制され、且つ引きおき経時による線幅変動が改善されたポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁
Consequently, the matrix is obtained after the rearrangement using the threshold data "3" as data in a line and a row, and the continuity of the threshold data of the matrix is held, thus preventing the generation of the displacement of the output pattern.例文帳に追加
この結果、閾値データ[3]を1行1列目のデータとする並び替え後のマトリクスを得、マトリクスの閾値データの連続性が保たれるので、出力パターンのずれが起きない。 - 特許庁
A line memory 3 for storing a smear pattern is provided to this solid-sate image pickup device, where a signal in a dummy area of the solid-state image pickup device 1 is stored by a writing signal WE of a timing generator 4A.例文帳に追加
スミアパターン記憶用のラインメモリ3を設け、タイミング発生器4Aの書込信号WEにより、固体撮像素子1のダミー領域の信号を記憶させる。 - 特許庁
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