「line pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

The upper electrode 6 is formed by using a film forming mask 20A having an upper electrode forming mask pattern 20a opened to the element region E; and at least a part of the upper extraction line 7 is formed by using a film forming mask 20B having a mask pattern 20b for the upper electrode extraction line comprising a plurality of openings without communicating with one another on the upper electrode forming mask pattern side.例文帳に追加

発光素子領域Ｅに開口する上部電極形成用マスクパターン２０ａを有する成膜用マスク２０Ａを用いて上部電極６を成膜し、上部電極形成用マスクパターン側で互いに連通しない複数の開口からなる上部電極引き出し線用マスクパターン２０ｂを有する成膜用マスク２０Ｂを用いて上部電極引き出し線７の少なくとも一部を成膜する。 - 特許庁

In China, the kirikane technique is found in two statues of Bosatsu (bodhisattva) in Northern Qi period (550 to 577) (owned by Qingzhou Museum in Shandong Province): For one of them, it is used in the motif of a double-line kikkomon (hexagonal pattern) in which a tortoise is drawn, and the motif which two patterns of plant with three leaves are arranged one above the other in a vertically long kikkomon in its mosuso (hem of pants), and for the other, in the boundary line between green pattern with white circle and red pattern with white circle in its mo (long pleated skirts). 例文帳に追加

中国では北斉時代（550-577）の菩薩像２体（山東省・青州博物館蔵）に截金が見られ、一方は二重の亀甲文の中に亀を描いたものと、裳裾に縦長の亀甲文の中に３枚の葉をもった植物文を上下に重ねた文様に、もう一方は裳に緑と赤に白い丸文を描いた文様の区画の境界線に截金が使われている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

If the game player selects the black cherry (a pattern number 20 of the reel 4a) and stops a pattern combination corresponding to the black single cherry on the effective line, the game is controlled neither to stop the pattern combination corresponding to the black continuous cherry nor to shift into the replay high probability state.例文帳に追加

もし、遊技者が黒チェリー（リール４ａの図柄番号２０）を選択し、黒単チェリーに対応する図柄組み合わせを有効ライン上に停止させたときは、黒連チェリー対応する図柄組み合わせを有効ライン上に停止させず再遊技高確率状態に移行しないように遊技を制御する。 - 特許庁

The word line pattern is formed by patterning a floating gate pattern 57a covering the first active region 53a, a first gate interlayer insulating film 64a formed on the whole surface of a cell array region having the floating gate pattern and a second conducting film 69 formed on the first gate interlayer insulating film 64a.例文帳に追加

ワードラインパターンは第１活性領域５３ａを覆う浮遊ゲートパターン５７ａ、浮遊ゲートパターンを有するセルアレイ領域の全面に形成された第１ゲート層間絶縁膜６４ａ及び第１ゲート層間絶縁膜６４ａの上に形成された第２導電膜６９をパターニングして形成する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method which is excellent in roughness performance such as line width roughness, local pattern dimension uniformity, and exposure latitude and capable of suppressing reduction in film thickness (so-called film reduction) at a pattern portion formed by development, and to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition used in the method, and a resist film.例文帳に追加

ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜の提供。 - 特許庁

The radio wave absorber includes a radio wave absorbing material in which a partial conductive line 3 alternately formed with a conductive portion 2 and a nonconductive portion 1 into a serpentine pattern, a spiral pattern, or a lattice pattern, and a radio wave reflector disposed on the back side in the radio incident direction of the radio absorbing material.例文帳に追加

導電部２と非導電部１が交互に形成された部分導電線３を、蛇行状、渦巻き状、または格子状パターンに配索した電波吸収材と、その電波吸収材における電波入射方向背面側に設けられる電波反射体とを備えてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an actinic-ray- or radiation sensitive resin composition superior in line width roughness (LWR), depth of focus (DOP) and pattern profile, so as to more stably form a high-precision minute pattern for manufacturing a highly integrated high-precision electronic device, and to provide a method of forming a pattern using the same.例文帳に追加

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(ＬＷＲ)、フォーカス余裕度(ＤＯＦ)およびパターン形状に優れる感活性光線または感放射線性樹脂組成物組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist composition for negative tone development, which reduces line edge roughness, enhances in-plane uniformity of a pattern dimension and shows excellent bridge margin, so as to stably form a high precision fine pattern for manufacturing a highly integrated electronic device with high precision, and to provide a method for forming a pattern using the resist composition.例文帳に追加

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、ラインエッジラフネスを低減し、パターン寸法の面内均一性を高め、更にはブリッジマージンに優れたネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition for forming a pattern satisfying demands for high sensitivity, high resolution (for example, high resolving power, an excellent pattern profile and small line edge roughness (LER)) and good dry etching durability, and to provide a resist film, a resist-coated mask blank, a resist pattern forming method and a photomask using the composition.例文帳に追加

高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及びフォトマスクを提供する。 - 特許庁

A non-contact IC card reader is added to the intravenous pattern authenticating device, the registered number of the intravenous pattern is input by using a non-contact IC card, and intravenous pattern data is stored in the non-contact IC card, to construct an off-line system without using the host computer.例文帳に追加

静脈パタ−ン認証装置に非接触ＩＣカ−ド読取り装置を付設し、静脈パタ−ンの登録番号の入力を非接触ＩＣカ−ドを用いて行い、さらに静脈パタ−ンデ−タを非接触ＩＣカ−ドにメモリ−させることによりホストコンピュ−タ−を用いることなく、オフラインシステムの構築が可能となる。 - 特許庁

The NOR flash memory element includes a gate formed of a first polysilicon pattern, a dielectric film, and a second polysilicon pattern formed on a semiconductor substrate, a plurality of electrodes formed between the first polysilicon pattern in a line form by inserting into the semiconductor substrate, and contacts formed respectively on the respective electrodes.例文帳に追加

半導体基板上に形成された第１ポリシリコンパターン、誘電体膜及び第２ポリシリコンパターンで構成されたゲートと、前記第１ポリシリコンパターンの間に形成されて、前記半導体基板に挿入されてラインの形態に形成された複数の電極と、及びそれぞれの電極ごとに一つずつ形成されたコンタクトを含む。 - 特許庁

In this headlamp device, a second lighting fixture unit is provided to form an additional light distribution pattern PA including an upper region from a cutoff line of a light distribution pattern for a low beam and to increase and decrease luminous intensity to each of a plurality of partial regions constituting a part of the additional light distribution pattern PA.例文帳に追加

前照灯装置において、第２灯具ユニットは、ロービーム用配光パターンのカットオフラインから上方の領域を含む付加配光パターンＰＡを形成し、それぞれが付加配光パターンＰＡの一部を構成する複数の部分領域の各々への照射光の光度を増減可能に設けられる。 - 特許庁

In the solid oxide fuel cell 2, this is provided with a solid electrolyte layer 6, an air electrode layer 10, a fuel electrode layer 16, and one or two or more cavities 20 having a channel shape pattern in either one of these porous electrode layers 18, and the channel shape pattern is made to have a broken line-type pattern.例文帳に追加

固体酸化物形燃料電池２において、固体電解質層６と、空気極層１０と、燃料極層１６と、これらの多孔質電極層１８のずれかにおいてチャンネル状パターンを有する１又は２以上のキャビティ２０と、を備え、前記チャンネル状パターンを破線状パターンを有するようにする。 - 特許庁

These three patterns are composed of one reference pattern (a pattern by contact areas 13b to 17b), and, with this being a reference (axis of symmetry), pattern pairs having a mutually symmetrical (line symmetry) relation, that is, patterns by contact areas 13a to 17a and 13c to 17c.例文帳に追加

これら３つの同一パターンは、１つの基準パターン（コンタクト領域１３ｂ〜１７ｂによるパターン）と、これを基準（対称軸）にして互いに対称（線対称）な関係をもつパターン対、すなわちコンタクト領域１３ａ〜１７ａによるパターンとコンタクト領域１３ｃ〜１７ｃによるパターンとによって構成されている。 - 特許庁

Specifically, at a prescribed time after start of fluctuation display of the patterns in each line, the second pattern 22 or the third pattern 23 to be displayed at a different position from that of the first pattern 21 that is to be first displayed in the normal stop sequence is first displayed in a visible display part H (screens 2-1 and 2-2).例文帳に追加

具体的には、各列の図柄が変動表示を開始してから所定の時間の経過後、通常の停止順序の場合に最初に表示される第１図柄２１の位置とは異なる位置に表示される第２図柄２２又は第３図柄２３を可視表示部Ｈに最初に表示する（画面２−１，２−２）。 - 特許庁

This vehicular lighting fixture is composed of a first lamp unit L1 to emit a first light distribution pattern part P1 for forming a cutoff line CL1, CL2, CL3, a second lamp unit L2 to emit a second light distribution pattern P2 for forming a hot zone, and a third lamp unit L3 to emit a third light distribution pattern P3.例文帳に追加

カットオフラインＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３形成用の第１配光パターン部Ｐ１を出射する第１ランプユニットＬ１と、ホットゾーン形成用の第２配光パターン部Ｐ２を出射する第２ランプユニットＬ２と、拡散ゾーン形成用の第３配光パターン部Ｐ３を出射する第３ランプユニットＬ３とから構成されている。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having high resolving power in the production of a semiconductor device, having evaluation with the same light exposure near the margin of resolution by which the size in which a nondense pattern vanishes and the marginal resolution size of a dense pattern show approximate values closer to each other and ensuring low surface roughness of a line pattern.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも解像限界あたりにおいて、同一露光量の評価で、疎パターンが消失してしまう寸法と密パターンの限界解像寸法の二者がより近い近似値を示し、更にラインパターンの表面ラフネスが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Then, in a low-beam light distribution pattern formed by the first unit and the second unit, a low-brightness part with brightness partially lowered is formed at an interface at either right and left end of a superposed part on a diffusion area forming pattern, out of peripheral edge parts for a cutoff line forming pattern formed by the sub units.例文帳に追加

そこで、第１ユニットと第２ユニットとで形成するすれ違いビームの配光パターンにおいて、サブユニットが形成するカットオフライン形成用パターンの周端部分のうち、拡散領域形成用パターンの上に重なる部分における左右両端側の境には、明るさが部分的に低減された低照度部が形成される。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, capable of forming a pattern which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, proper pattern profile and satisfactory line edge roughness, particularly in an electron beam, X-ray or EUV lithography in an ultrafine region, and to provide a pattern formation method that uses the composition.例文帳に追加

超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィーにおける、高感度、高解像性、良好なパターン形状、および良好なラインエッジラフネスを同時に満足するパターンを形成可能な感活性光線または感放射線性樹脂組成物、それを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a voice standard pattern generating means which has a small decrease in recognizing performance even when training data for generating a standard pattern for recognizing a voice passed through some line A are not much as to a procedure of learning for generating the voice standard pattern used for voice recognition.例文帳に追加

音声認識で使用する音声標準パタンを作成するための学習の手続きにおいて、ある回線Aを通った音声を認識するための標準パタンを作成するための訓練データが少ない場合においても認識性能低下の小さい音声標準パタン作成手段を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resist composition for forming a resist pattern that has remedied collapse of the resist pattern, line edge roughness and generation of scum and that has little degradation in the profile and good follow-up property to an immersion liquid during immersion exposure, and to provide a pattern forming method using the photosensitive resist composition.例文帳に追加

レジストパターンの倒れ、ラインエッジラフネス、並びにスカムの発生が改良され、プロファイルの劣化も少なく、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジストパターンを形成することが可能な感光性レジスト組成物、及び該感光性レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition with which a pattern having an excellent exposure latitude (EL) and a good pattern profile and line edge roughness (LER) can be formed, and to provide a active ray-sensitive or radiation-sensitive film formed by using the composition and a method for forming a pattern using the composition.例文帳に追加

露光ラチチュード（ＥＬ）に優れ、パターン形状及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が良好なパターンを形成することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いて形成された感活性光線性または感放射線性膜、及び該組成物を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

A cross pattern filter including two or more cross patterns is used on the side of an opposite transmission part by an incidence direction detection means, and the cross pattern filter is disposed to be crossing without overlapping a cross pattern that is created on a photo-detector for position detection, and a dividing line dividing the photo-detector for position detection.例文帳に追加

入射方向検出手段より相手送信部側に、２本以上のクロスパターンを持ったクロスパターンフィルタを用い、前記クロスパターンフィルタが位置検出用受光素子上に作り出すクロスパターンと位置検出用受光素子を分割する分割線とが重なり合わずに交差するように配置する。 - 特許庁

To provide a resist composition that forms a resist pattern improved in the collapse of the resist pattern, line edge roughness and the generation of scum, less liable to the deterioration of the profile, and having good conformability to an immersion liquid in immersion exposure; and to provide a pattern forming method using the resist composition.例文帳に追加

レジストパターンの倒れ、ラインエッジラフネス、並びにスカムの発生が改良され、プロファイルの劣化も少なく、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジストパターンを形成することが可能なレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

As a result, the low-beam light distribution pattern LP is obtained in which a clear cut-off line CL is maintained and the luminous intensity of a prescribed portion (point A) is reduced.例文帳に追加

この結果、この発明は、明瞭なカットオフラインＣＬが保持されていてかつ所定の部分（ポイントＡ）の光度が下げられているすれ違い用配光パターンＬＰが得られる。 - 特許庁

For example, one of the bit lines 13 laid in a column direction is made a reference bit line RBL in the memory cell array 10 with anti-fuse elements 11 arranged in a grid pattern.例文帳に追加

たとえば、アンチヒューズ素子１１が格子状に配置されたメモリセルアレイ１０の、列方向に敷設されたビット線１３のうちの１本を参照ビット線ＲＢＬとする。 - 特許庁

To provide a method capable of improving the reliability of biometrics for evaluating a projection line stripe pattern for authentication in an entrance area against a false trial.例文帳に追加

欺瞞の試みに対抗して、入口領域での認知チェックのために突起線スジパターンを評価する生物測定の信頼度を向上させることができる方法を提供する。 - 特許庁

When an annotation button 32 set on a screen 24 is clicked on with a mouse, an annotation pallet 32 appears and one of a line, a pattern, and a text is selected to draw an annotation.例文帳に追加

画面２４上に設定される注釈ボタン３２をマウスでクリックすると、注釈パレット３２が現れ、線、図形、テキストのいずれかを選択して注釈を描画する。 - 特許庁

In addition, as shown in Fig. 5 (c), when the movable unit 15a1 is moved to the non-display surface side, the pattern 7 is re-displayed on a big win line on the display surface B.例文帳に追加

更に、図５（ｃ）に示すように、可動式ユニット１５ａ１を非表示面側まで移動すると、図柄（７）は大当たりライン上の表示面Ｂの位置に再表示される。 - 特許庁

A ground pattern 96 having a line shape is formed in the print board at a boundary portion between the terrestrial signal receiving tuner 37 and the satellite signal receiving tuner 27.例文帳に追加

プリント基板には、線状のアースパターン９６が地上波信号受信選局部３７と衛星信号受信選局部２７との間の境界の場所に形成してある。 - 特許庁

To provide a forming method to easily obtain a conductive pattern which is comparatively thick without any deposition spot even in the line width which is smaller than the deposition diameter of ink.例文帳に追加

より簡便に比較的厚さが大きく、インクの着弾径より小さな線幅でも着弾痕のない導電性パターンを得る形成方法を提供することにある。 - 特許庁

No matter what is the number of the slide frames, the prescribed pattern is stopped on the winning line 3La after the lapse of the prescribed time, 1642.5 [msec] for instance, from the start of the slide performance.例文帳に追加

スベリコマ数が何れの場合でも、スベリ演出の開始から所定時間例えば１６４２．５〔ｍｓｅｃ〕経過後に所定図柄が入賞ライン３Ｌａ上に停止する。 - 特許庁

To provide a pattern correction method in which an electrode disconnection part or the like can be corrected with a fine line of around 10 μm and a damage and contamination around the defective part are small.例文帳に追加

１０μｍ前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺のダメージや汚染が小さなパターン修正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition that find applications in formation of microscopic patterns for semiconductor production and that is superior to conventional products in exposure latitude, LWR (line width roughness) and pattern collapse performance.例文帳に追加

半導体製造の微細なパターン形成に用いられ、従来品よりも露光ラチチュード、ＬＷＲ、パターン倒れ性能に優れた感光性組成物を提供すること。 - 特許庁

In addition, the receiver 4 counts the number of code errors of the test pattern and determines which transmission line among the respective transmission lines is used as the operation system from a counting result.例文帳に追加

また、受信装置４は、テストパターンの符号誤りの数を計測し、計測結果から各伝送路のうちいずれの伝送路を運用系として用いるか決定する。 - 特許庁

Furthermore, a Figure 5 (c) shows, when the movable unit 15a1 is moved to the non- display surface side, the pattern 7 is displayed again at a position in the display surface B on a big-winning line.例文帳に追加

更に、図５（ｃ）に示すように、可動式ユニット１５ａ１を非表示面側まで移動すると、図柄（７）は大当たりライン上の表示面Ｂの位置に再表示される。 - 特許庁

The ECU also generates the speed pattern and the estimated course track when the other vehicle (a waiting vehicle) waiting at a stop line of the cross lane at the intersection starts.例文帳に追加

また、ＥＣＵは、交差点における交差車線の停止線で待機している他車両（待機車両）が発進する時の速度パターン及び推定進路軌跡を生成する。 - 特許庁

It is preferable that the octupole winding pattern is disposed advantageously so as to provide a considerable amount of the optical symmetry to the winding central line of the optical fiber coil.例文帳に追加

好ましくは、八重極巻線パターンは有利には、光ファイバーコイルの巻線中心線に関して相当量の光学的対称性を提供するように配置される。 - 特許庁

The pattern of a second impurity area 62, formed for adding the impurity has a line width which, is narrower than that of the first impurity area 60 by one rank.例文帳に追加

この不純物を追加するための第２不純物領域６２のパターンが、第１不純物領域６０のライン幅より一回り狭いライン幅を有している。 - 特許庁

The third stage of the still variation is indicated in (d), the still variation progresses further and the pattern 'dugong' in the display area 3b3 of the middle line at a right end is also enlarged.例文帳に追加

（ｄ）は静止変動の第３段階を図示しており、更に静止変動が進行し、右端中段の表示領域３ｂ３の図柄「ジュゴン」についても拡大されている。 - 特許庁

Simultaneously, the pattern 5 for visual recognition has high contrast from the smoke layer 4 and strongly attracts a line of sight of the other person and therefore has an effect of diverting his or her attention from the information I.例文帳に追加

同時に、視認用模様５はスモーク層４とのコントラストが高く、他人の視線を強く惹きつけるため、情報Ｉから他人の注意を逸らす効果を有する。 - 特許庁

The uneven pattern 14 is configured by a plurality of linear projecting portions 14a extending in a generally straight line at an angle in a range of ±30 degrees in regard to a longitudinal direction of the white key 10.例文帳に追加

そして、凹凸模様１４を、白鍵１０の長手方向に対して±３０度の範囲の角度で略直線状に延びる複数の線状凸部１４ａで構成した。 - 特許庁

To provide a vehicular lamp unit and a vehicular lamp, which apply light even to an upside of a cut-off line of a light distribution pattern so as to raise visibility on a front side.例文帳に追加

配光パターンのカットオフラインより上方にも光を照射して前方の視認性を高めることができる車両用灯具ユニット及び車両用灯具を提供する。 - 特許庁

A pattern (antenna part 8) for an antenna which can transmit and receive a signal converted to a radio wave of a radio broadcasting band of a FM band or the like is formed integrally on the connection line 7.例文帳に追加

接続線７上にＦＭ帯域等のラジオ放送帯域の電波に変換した信号を無線で送受信できるアンテナ用のパターン（アンテナ部８）を一体形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for electron beams, X-rays or EUV rays in which the resist pattern profile and changes in the line width in the post exposure period in a vacuum chamber are improved.例文帳に追加

レジストパターンプロファイル、真空チャンバー内での引き置きによる線幅変動が改善されたポジ型電子線、Ｘ線又はＥＵＶ用レジスト組成物を提供する。 - 特許庁