「line pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

In the positional misalignment determination pattern 31 recorded on the recording paper, whether each line of cyan, magenta, or yellow is recorded so that it is misaligned by 0, ±1, ±2, ±3, ±4 with respect to one black line of a predetermined interval is determined.例文帳に追加

記録紙に記録された位置ずれ判定パターン３１において、シアン、マゼンタ、イエローの各ラインが、所定間隔毎のブラックの１ラインに対して、それぞれ０，±１，±２，±３，±４ラインずつ、位置ずれして記録されているか否かを判断する。 - 特許庁

Furthermore, a light shielding film 11A is arranged to cover a non-pattern formation region 51 which is in a region between the pixel region 10P and the perpendicular driving circuit 40 and in which the gate line GL and the sustaining capacity line SC are not formed.例文帳に追加

そして、画素領域１０Ｐと垂直駆動回路４０の間の領域であって、ゲート線ＧＬ及び保持容量線ＳＣが形成されていない非パターン形成領域５１を覆う遮光膜１１Ａが配置されている。 - 特許庁

An irregularity shape can be formed on the surface of an organic insulation film 1 depending on a level difference between the signal line 3 and the insulation film 2 by forming the organic insulation film 1 after pattern-forming the signal line 3 and the insulation film 2.例文帳に追加

信号線３および絶縁膜２をパターン形成した後に有機絶縁膜１を形成することで、信号線３および絶縁膜２の段差に依存して、有機絶縁膜１の表面に凹凸形状が形成できる。 - 特許庁

A laser marking apparatus inhibits writing of the marking pattern in the state that the line speed v of the X-ray film does not reach a predetermined speed vs, and eliminates the inhibiting of writing when the line speed becomes the speed vs or higher (steps 100 to 106).例文帳に追加

マーキング装置では、Ｘレイフィルムのライン速度ｖが所定の速度ｖｓに達しない状態では、マーキングパターンの書込み処理を禁止し、速度ｖｓ以上となると、書込み禁止を解除する（ステップ１００〜１０６）。 - 特許庁

The test pattern TP formed when initializing is constituted of a pair of line segments L1 and L2 inclined at the same angle in opposite directions while putting a line orthogonal to the moving direction of a paper conveying belt 6 in between as shown by (C).例文帳に追加

イニシャライズ時に形成されるテストパターンＴＰが、（Ｃ）に示すように、用紙搬送ベルト６の移動方向に直交する直線を挟んで相反する方向へ同じ角度で傾斜した一対の線分Ｌ１，Ｌ２から構成されている。 - 特許庁

When a metal substance like tungsten is introduced into a manufacturing process of gate line, the cleaning liquid relating to this invention can be employed in a cleaning process for removing particles which is executed after forming gate line pattern thereby.例文帳に追加

これにより、ゲートラインの製造工程にタングステンのような金属物質を導入する場合、ゲートラインパターンを形成した後で実施するパーティクル除去のための洗浄工程に本発明に係る洗浄液を使用することができる。 - 特許庁

On a printing plate body 11, a hole 12 for forming the conductor pattern is formed, the hole 12 including straight line-like regions 14a and 14b, and a bending region 16 which connects these straight line-like regions 14a and 14b.例文帳に追加

刷版本体１１には、導体パターンを形成するための孔１２であって、直線状領域１４ａ，１４ｂと該直線状領域１４ａ，１４ｂを接続する屈曲領域１６とからなる孔１２が設けられている。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that has improved performance of Line Width Roughness and Depth of Focus and also adapted to a liquid immersion process with a line width of ≤45 nm, and to provide a pattern forming method employing the same.例文帳に追加

ラインウィズスラフネス、デプスオブフォーカスの性能が改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスにも適合した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To enhance effects of obscuring of a cut-off line and spectroscopic color measures in the vicinity of its upper side, in a lamp unit of a projector type vehicular headlamp that is structured to form a light distribution pattern having the cut-off line.例文帳に追加

カットオフラインを有する配光パターンを形成するように構成されたプロジェクタ型の車両用前照灯の灯具ユニットにおいて、カットオフラインの暈かしおよびその上方近傍の分光色対策の効果を高める。 - 特許庁

The key of the electronic musical instrument comprises an uneven pattern including at least one of linear patterns composed of valley line portions formed by arranging minute recessed portions, and linear patterns composed of ridge line portions formed by arranging minute projecting portions.例文帳に追加

そして、凹凸模様を、微小凹部を配列することにより形成される谷線部からなる線模様と、微小凸部を配列することにより形成される尾根線部からなる線模様の少なくとも一方で構成した。 - 特許庁

The method of testing the superconductive cable line comprises: continuously energizing a direct current of a prescribed energization pattern by a power supply 60 to the superconductive cable line having joints 30A-30C; and evaluating the integrity of each joint by measuring temperatures at each joint.例文帳に追加

接続部30A〜30Cを有する超電導ケーブル線路に電源60により連続的に所定の通電パターンの直流電流を通電し、各接続部における温度を測定することにより各接続部の健全性を評価する。 - 特許庁

When thick line regions and thin line regions exist at inspection of a resist pattern 3a formed on the surface of a wafer for size distribution (step ST14), the scanning waveform of an ion implantation unit on the surface of the wafer is controlled according to information on the size distribution.例文帳に追加

ウエハ面内のレジストパターン３ａの寸法分布の検査の際に（ステップＳＴ１４）、太い領域と細い領域とがあった場合に、その寸法分布情報に応じて、イオン注入機のウエハ面内スキャン波形を制御する。 - 特許庁

All bit lines BL in one word line WL are opened by logical combination of a column activation signal CAS and a test mode signal TM, a test data pattern is written simultaneously in all cells in the word line ML.例文帳に追加

本発明では、１つのワード線ＷＬにおける全ビット線ＢＬを、カラム活性化信号ＣＡＳと試験モード信号ＴＭとの論理的な組み合わせにより開いて、該ワード線ＷＬにおける全セルにテストデータパターンを同時に書き込む。 - 特許庁

A signal line between the printed wiring boards is electrically connected by bringing the signal line take-out electrode wiring patterns of a plurality of the printed wiring boards into contact with the inter-board connection electrode wiring pattern of the connection substrate.例文帳に追加

複数枚のプリント配線基板の信号線取り出し電極配線パターンと接続基板の基板間接続用電極配線パターンとを接触させることによって、プリント配線基板間の信号線が電気的に接続される。 - 特許庁

To provide a compact, thin and multifunctional antenna apparatus in which an element, a strip line for feeding power to the element and a grounding pattern opposed to the strip line are formed on a printed wiring board by patterns.例文帳に追加

エレメントと、エレメントに給電を行なうストリップラインと、ストリップラインに対向する接地パターンとがプリント配線板上にパターンによって形成されたアンテナ装置に関し、小型、薄型で、多機能なアンテナ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A monochromatic first line segment group lined up in parallel along a first direction and a monochromatic second line segment group lined up in parallel along a second direction different from the first direction are arranged on a projection pattern image.例文帳に追加

投影パターン画像上には、第１の方向に沿って平行に並んでいる単色の第１の線分群と、第１の方向とは異なる第２の方向に沿って平行に並んでいる単色の第２の線分群と、が配置されている。 - 特許庁

This reduces the effect of defocusing of line widths or the like in the line pattern to be imaged on the wafer and also decreases the effect of reticle formation errors or the like, and enables a high-precision measurement of projection optical system imaging characteristics.例文帳に追加

このようにすれば、ウエハ上に形成されるラインパターンの像の線幅等のサイズへのデフォーカス量、レチクル製造誤差等の影響を少なくすることができ、高精度に投影光学系の結像特性を計測することができる。 - 特許庁

An original pattern 10, which is formed on an Si substrate that is to serve as an epitaxial wafer, is so regulated in a line width dx in the direction of an X-axis and a line width dy in the direction of a Y-axis as to compensate for anisotropy in epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャルウエハの元になるＳｉ基板上に形成する原パターン１０で、エピタキシャル成長の異方性を補償するように、Ｘ軸方向の線幅ｄｘとＹ軸方向の線幅ｄｙとを調整する。 - 特許庁

When an electronic document data of the document is input into this document processor, the document data is analyzed to extract a character string data expressing a character string, and a form data expressing a frame line, a ruled line or a pattern.例文帳に追加

文書を電子化した文書データが文書処理装置に入力された場合に、その文書データを解析させ、文字列を表す文字列データと枠線または罫線または図形を表す体裁データとを抽出させる。 - 特許庁

In a game machine constituting a displaying area in the state of a matrix consisting of three rows and three columns in the special pattern display device, the effective line is changed by each variable display and the effective line is shown by lighting of backlights (lamps).例文帳に追加

特別図柄表示装置４に３行３列のマトリクス状の表示領域が構成された遊技機において、有効ラインが可変表示ごとに変更され、有効ラインがバックライト（ランプ）の点灯によって示されるようにした。 - 特許庁

To improve the pattern accuracy of a bit line and wiring having different film thickness, to make shallow a through-hole which is to be formed between bit lines through self-alignment, and to reduce the resistance of the bit line and wiring, concerning a semiconductor device provided with a COB type DRAM.例文帳に追加

ＣＯＢ型ＤＲＡＭを備えた半導体装置に関し、膜厚の異なるビット線と配線のパターン精度を高くし、セルフアラインでビット線間に形成されるスルーホールを浅くし、ビット線と配線を低抵抗化すること。 - 特許庁

In a printer where pixel string data is converted into dot data for each print line by interlace print system and printing is carried out based on that dot data, a CPU 10 generates a mask pattern corresponding to the pixel string data for each print line.例文帳に追加

インターレス印刷方式において、印刷行ごとに画素列データをドットデータに変換し、そのドットデータに基づいて印刷を行う印刷装置であって、ＣＰＵ１０は、画素列データに応じたマスクパターンを印刷行ごとに生成する。 - 特許庁

A pattern matching detection point is determined as the intersection P of the hole guide line L1 and the hole guide line L2, its position is calculated as the relative coordinate with the registered image, and this coordinate is temporarily stored in the volatile storage part.例文帳に追加

そして、パターンマッチング検出点を、抜き穴案内線Ｌ１と抜き穴案内線Ｌ２との交点Ｐに決定して、その位置を登録画像との相対座標として算出し、この座標を、揮発性記憶部に一時的に記憶する。 - 特許庁

To reduce deterioration in electric characteristics by relaxing the difference in potential between ground conductors of a microstrip line or the difference in path between a microstrip line pattern and the ground conductor, in a multilayer substrate in which the microstrip lines are mutually connected.例文帳に追加

マイクロストリップ線路が相互接続される多層基板において、マイクロストリップ線路の接地導体間の電位差や、マイクロストリップ線路パターンと接地導体間の経路差を緩和し、電気特性の劣化を低減することを目的とする。 - 特許庁

To prevent a profile line of an unnecessary portion from being contaminated as a noise when extracting a profile line of an assembled component from a picked-up image of the component, so as to enhance determination precision for correctness or the like in the assembled component by pattern matching.例文帳に追加

組付部品の撮像画像から当該部品の輪郭線を抽出する際に不要な部分の輪郭線がノイズとして混入するのを防止し、パターンマッチングによる組付部品の正誤等の判定精度を向上する。 - 特許庁

To arrange four block selection transistors within one pitch of repetition pitch for a pattern, wherein one main bit line is arranged to four sub-bit lines around a string sub-selector of a flash EEPROM for which a double bit line architecture is adopted.例文帳に追加

二重ビット線アーキテクチャを採用したフラッシュＥＥＰＲＯＭの列サブセレクタ回りにおいて、４本のサブビット線に対して主ビット線１本を配設するパターンの繰り返しピッチの１ピッチ内で４個のブロック選択トランジスタを配設する。 - 特許庁

When performing on a circuit board the input/output impedance matching of approximately lower than 1 Ω relative to the power amplification element for power amplifying the high-frequency signals of 500 MHz or higher, in order to narrow the pattern width of the transmission line being pattern-formed on a pattern wiring layer of the circuit board, a ground layer is additionally formed in a dielectric layer immediately below the pattern concerned.例文帳に追加

５００ＭＨｚ以上の高周波信号を電力増幅する電力増幅素子に対して回路基板上で概ね１Ω未満の入出力インピーダンスマッチングを行う場合に、前記回路基板のパターン配線層にパターン形成される伝送線路のパターン幅が狭まるように、該当パターン直下の誘電体層内にグランド層を追加形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

In the ceramic heater in which a resistant heater consisting of a plurality of circuits is formed on the surface or the inside of the ceramic substrate, at least one circuit constituting the resistant heater consists of a pattern formed by a continuing straight line or a continuing curved line, and a heat accumulation preventing region whose pattern intervals are wider than the pattern intervals of the other portion is formed.例文帳に追加

セラミック基板の表面または内部に複数の回路からなる抵抗発熱体が形成されたセラミックヒータであって、上記抵抗発熱体を構成する少なくとも一の回路は、直線または曲線が繰り返して形成されたパターンからなり、かつ、上記回路内にパターン間隔が他の部分のパターン間隔に比べて広い蓄熱防止領域が形成されてなることを特徴とするセラミックヒータ。 - 特許庁

The upper electrode 6 is formed by using a film forming mask 20A having an upper electrode forming mask pattern 20a opened to the element region E; and at least a part of the upper extraction line 7 is formed by using a film forming mask 20B having a mask pattern 20b for the upper electrode extraction line comprising a plurality of openings without communicating with one another on the upper electrode forming mask pattern side.例文帳に追加

発光素子領域Ｅに開口する上部電極形成用マスクパターン２０ａを有する成膜用マスク２０Ａを用いて上部電極６を成膜し、上部電極形成用マスクパターン側で互いに連通しない複数の開口からなる上部電極引き出し線用マスクパターン２０ｂを有する成膜用マスク２０Ｂを用いて上部電極引き出し線７の少なくとも一部を成膜する。 - 特許庁

In China, the kirikane technique is found in two statues of Bosatsu (bodhisattva) in Northern Qi period (550 to 577) (owned by Qingzhou Museum in Shandong Province): For one of them, it is used in the motif of a double-line kikkomon (hexagonal pattern) in which a tortoise is drawn, and the motif which two patterns of plant with three leaves are arranged one above the other in a vertically long kikkomon in its mosuso (hem of pants), and for the other, in the boundary line between green pattern with white circle and red pattern with white circle in its mo (long pleated skirts). 例文帳に追加

中国では北斉時代（550-577）の菩薩像２体（山東省・青州博物館蔵）に截金が見られ、一方は二重の亀甲文の中に亀を描いたものと、裳裾に縦長の亀甲文の中に３枚の葉をもった植物文を上下に重ねた文様に、もう一方は裳に緑と赤に白い丸文を描いた文様の区画の境界線に截金が使われている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

If the game player selects the black cherry (a pattern number 20 of the reel 4a) and stops a pattern combination corresponding to the black single cherry on the effective line, the game is controlled neither to stop the pattern combination corresponding to the black continuous cherry nor to shift into the replay high probability state.例文帳に追加

もし、遊技者が黒チェリー（リール４ａの図柄番号２０）を選択し、黒単チェリーに対応する図柄組み合わせを有効ライン上に停止させたときは、黒連チェリー対応する図柄組み合わせを有効ライン上に停止させず再遊技高確率状態に移行しないように遊技を制御する。 - 特許庁

The word line pattern is formed by patterning a floating gate pattern 57a covering the first active region 53a, a first gate interlayer insulating film 64a formed on the whole surface of a cell array region having the floating gate pattern and a second conducting film 69 formed on the first gate interlayer insulating film 64a.例文帳に追加

ワードラインパターンは第１活性領域５３ａを覆う浮遊ゲートパターン５７ａ、浮遊ゲートパターンを有するセルアレイ領域の全面に形成された第１ゲート層間絶縁膜６４ａ及び第１ゲート層間絶縁膜６４ａの上に形成された第２導電膜６９をパターニングして形成する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method which is excellent in roughness performance such as line width roughness, local pattern dimension uniformity, and exposure latitude and capable of suppressing reduction in film thickness (so-called film reduction) at a pattern portion formed by development, and to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition used in the method, and a resist film.例文帳に追加

ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜の提供。 - 特許庁

The radio wave absorber includes a radio wave absorbing material in which a partial conductive line 3 alternately formed with a conductive portion 2 and a nonconductive portion 1 into a serpentine pattern, a spiral pattern, or a lattice pattern, and a radio wave reflector disposed on the back side in the radio incident direction of the radio absorbing material.例文帳に追加

導電部２と非導電部１が交互に形成された部分導電線３を、蛇行状、渦巻き状、または格子状パターンに配索した電波吸収材と、その電波吸収材における電波入射方向背面側に設けられる電波反射体とを備えてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an actinic-ray- or radiation sensitive resin composition superior in line width roughness (LWR), depth of focus (DOP) and pattern profile, so as to more stably form a high-precision minute pattern for manufacturing a highly integrated high-precision electronic device, and to provide a method of forming a pattern using the same.例文帳に追加

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(ＬＷＲ)、フォーカス余裕度(ＤＯＦ)およびパターン形状に優れる感活性光線または感放射線性樹脂組成物組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist composition for negative tone development, which reduces line edge roughness, enhances in-plane uniformity of a pattern dimension and shows excellent bridge margin, so as to stably form a high precision fine pattern for manufacturing a highly integrated electronic device with high precision, and to provide a method for forming a pattern using the resist composition.例文帳に追加

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、ラインエッジラフネスを低減し、パターン寸法の面内均一性を高め、更にはブリッジマージンに優れたネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition for forming a pattern satisfying demands for high sensitivity, high resolution (for example, high resolving power, an excellent pattern profile and small line edge roughness (LER)) and good dry etching durability, and to provide a resist film, a resist-coated mask blank, a resist pattern forming method and a photomask using the composition.例文帳に追加

高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及びフォトマスクを提供する。 - 特許庁

A non-contact IC card reader is added to the intravenous pattern authenticating device, the registered number of the intravenous pattern is input by using a non-contact IC card, and intravenous pattern data is stored in the non-contact IC card, to construct an off-line system without using the host computer.例文帳に追加

静脈パタ−ン認証装置に非接触ＩＣカ−ド読取り装置を付設し、静脈パタ−ンの登録番号の入力を非接触ＩＣカ−ドを用いて行い、さらに静脈パタ−ンデ−タを非接触ＩＣカ−ドにメモリ−させることによりホストコンピュ−タ−を用いることなく、オフラインシステムの構築が可能となる。 - 特許庁

The NOR flash memory element includes a gate formed of a first polysilicon pattern, a dielectric film, and a second polysilicon pattern formed on a semiconductor substrate, a plurality of electrodes formed between the first polysilicon pattern in a line form by inserting into the semiconductor substrate, and contacts formed respectively on the respective electrodes.例文帳に追加

半導体基板上に形成された第１ポリシリコンパターン、誘電体膜及び第２ポリシリコンパターンで構成されたゲートと、前記第１ポリシリコンパターンの間に形成されて、前記半導体基板に挿入されてラインの形態に形成された複数の電極と、及びそれぞれの電極ごとに一つずつ形成されたコンタクトを含む。 - 特許庁

In this headlamp device, a second lighting fixture unit is provided to form an additional light distribution pattern PA including an upper region from a cutoff line of a light distribution pattern for a low beam and to increase and decrease luminous intensity to each of a plurality of partial regions constituting a part of the additional light distribution pattern PA.例文帳に追加

前照灯装置において、第２灯具ユニットは、ロービーム用配光パターンのカットオフラインから上方の領域を含む付加配光パターンＰＡを形成し、それぞれが付加配光パターンＰＡの一部を構成する複数の部分領域の各々への照射光の光度を増減可能に設けられる。 - 特許庁

In the solid oxide fuel cell 2, this is provided with a solid electrolyte layer 6, an air electrode layer 10, a fuel electrode layer 16, and one or two or more cavities 20 having a channel shape pattern in either one of these porous electrode layers 18, and the channel shape pattern is made to have a broken line-type pattern.例文帳に追加

固体酸化物形燃料電池２において、固体電解質層６と、空気極層１０と、燃料極層１６と、これらの多孔質電極層１８のずれかにおいてチャンネル状パターンを有する１又は２以上のキャビティ２０と、を備え、前記チャンネル状パターンを破線状パターンを有するようにする。 - 特許庁

These three patterns are composed of one reference pattern (a pattern by contact areas 13b to 17b), and, with this being a reference (axis of symmetry), pattern pairs having a mutually symmetrical (line symmetry) relation, that is, patterns by contact areas 13a to 17a and 13c to 17c.例文帳に追加

これら３つの同一パターンは、１つの基準パターン（コンタクト領域１３ｂ〜１７ｂによるパターン）と、これを基準（対称軸）にして互いに対称（線対称）な関係をもつパターン対、すなわちコンタクト領域１３ａ〜１７ａによるパターンとコンタクト領域１３ｃ〜１７ｃによるパターンとによって構成されている。 - 特許庁

Specifically, at a prescribed time after start of fluctuation display of the patterns in each line, the second pattern 22 or the third pattern 23 to be displayed at a different position from that of the first pattern 21 that is to be first displayed in the normal stop sequence is first displayed in a visible display part H (screens 2-1 and 2-2).例文帳に追加

具体的には、各列の図柄が変動表示を開始してから所定の時間の経過後、通常の停止順序の場合に最初に表示される第１図柄２１の位置とは異なる位置に表示される第２図柄２２又は第３図柄２３を可視表示部Ｈに最初に表示する（画面２−１，２−２）。 - 特許庁

This vehicular lighting fixture is composed of a first lamp unit L1 to emit a first light distribution pattern part P1 for forming a cutoff line CL1, CL2, CL3, a second lamp unit L2 to emit a second light distribution pattern P2 for forming a hot zone, and a third lamp unit L3 to emit a third light distribution pattern P3.例文帳に追加

カットオフラインＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３形成用の第１配光パターン部Ｐ１を出射する第１ランプユニットＬ１と、ホットゾーン形成用の第２配光パターン部Ｐ２を出射する第２ランプユニットＬ２と、拡散ゾーン形成用の第３配光パターン部Ｐ３を出射する第３ランプユニットＬ３とから構成されている。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having high resolving power in the production of a semiconductor device, having evaluation with the same light exposure near the margin of resolution by which the size in which a nondense pattern vanishes and the marginal resolution size of a dense pattern show approximate values closer to each other and ensuring low surface roughness of a line pattern.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも解像限界あたりにおいて、同一露光量の評価で、疎パターンが消失してしまう寸法と密パターンの限界解像寸法の二者がより近い近似値を示し、更にラインパターンの表面ラフネスが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁