「memory block」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

By such a method, data are provided in the first memory for the processing of the image, the data organized into a plurality of blocks wherein each block relates to a portion of the image.例文帳に追加

この方法によれば、複数のブロックに編成されているデータが、画像の処理のために第１のメモリに提供され、この各ブロックは画像の部分と関連している。 - 特許庁

Consequently, if an error caused by a factor concerned with the system occurs, the block use management table 142 is not updated and the life of the nonvolatile memory can be prolonged.例文帳に追加

この結果、システム的な要因によるエラーの場合には、ブロック使用管理テーブル１４２が更新されることはなく、不揮発性メモリの長寿命化を図ることができる。 - 特許庁

To enable a distributed memory type parallel computer, with which data are transferred by a SEND/RECV model, to properly execute a program including a block to which execution by a specified processor is designated.例文帳に追加

SEND/RECV モデルでデータ転送を行う分散メモリ型並列計算機において、特定プロセッサでの実行を指定されたブロックを含むプログラムを正しく実行できるようにする。 - 特許庁

The image data read from the area WA, the converter 18 converts the format of the data into the 4:1:1 form, and the resulting data are written to positions corresponding to block positions in the memory 10 after rotation.例文帳に追加

ＷＡから画像データを読み出し、変換器１８により４：１：１形式に変換して、メモリ１０の回転後のブロック位置に相当する位置に書き込む。 - 特許庁

Whenever a data state is changed in the data write/erase process of the flash memory section 11, the data state/block state of the section 12 are successively changed.例文帳に追加

フラッシュメモリ部１１のデータ書き込み／消去処理においてデータ状態が変化する毎に、ブロック状態保持部１２のデータ状態／ブロック状態を順次変化させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which current consumption at the time of initializing fuse information can be reduced without initializing a fuse block in a redundant circuit when the circuit is not used.例文帳に追加

不使用時の冗長回路はヒューズブロックのイニシャライズを行わず、ヒューズ情報イニシャライズ時の消費電流の低減を可能にした半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A DCT processing section 300 processes image data by one block each, a quantization section 301 processes the processed data and writes the result to a 2-port memory 302 in the columnar sequence.例文帳に追加

画像データを１ブロック分ずつＤＣＴ処理部３００で処理し、量子化処理部３０１で処理して２ポートのメモリ３０２に列方向順序で書き込む。 - 特許庁

The rotation block can receive, from a memory, pixel data for a source image rearranged on the basis of an address created according to rotation information, and output them.例文帳に追加

前記ローテーションブロックは、ローテーション情報に基づいて生成されるアドレスに基づいて、再配列されたソースイメージのピクセルデータをメモリから受信して出力することができる。 - 特許庁

The decoding block 13 uses the decoding information held in the register to decode the encrypted program read from the memory through the first route.例文帳に追加

該復号ブロック１３は、前記第１の経路を通じて前記メモリから読み出した前記暗号化プログラムを、前記レジスタに保持した前記復号情報を利用して復号する。 - 特許庁

A plurality of word lines connected to the cell transistor in the memory cell block are selected sequentially by a word line selecting circuit 15 based on an address signal during an active cycle period.例文帳に追加

アクティブサイクル期間中にアドレス信号に基づいて、ワード線選択回路１５によりメモリセルブロック内のセルトランジスタに接続された複数のワード線が順次選択される。 - 特許庁

In this MRAM device, a memory block MB is divided into four regions A∼D, and four constant current circuits 13∼16 are provided respectively corresponding to four regions A∼D.例文帳に追加

このＭＲＡＭデバイスでは、メモリブロックＭＢを４つの領域Ａ〜Ｄに分割し、４つの領域Ａ〜Ｄに対応してそれぞれ４つの定電流回路１３〜１６を設ける。 - 特許庁

A cell current made to flow from the bit line by output of a column latch via a memory cell in which write is completed is bypassed by this source line MSL outside the block.例文帳に追加

プログラムベリファイ時にカラムラッチの出力でビット線から書き込み完了のメモリセルを介して流れるセル電流をこのブロック外ソース線ＭＳＬでバイパスさせる。 - 特許庁

To provide a storage cell having a small current for writing and a small change of a switching magnetic field, and to provide a memory cell and a storage circuit block.例文帳に追加

本発明の目的は、書き込み用の電流が小さく、メモリセルのスイッチング磁界の変動が小さい記憶素子、メモリセル及び記憶回路ブロックを提供することである。 - 特許庁

To provide a method or the like capable of creating a reading window or a reading margin more independent of the variations between bits over an arbitrary array, group or block of memory cells.例文帳に追加

メモリセルの任意の配列、組又はブロックに亘るビット間の変化に、より依存しない読み出し窓又は読み出しマージンを作ることが可能な方法等を提供する。 - 特許庁

Then macro blocks after the estimated macro block are aborted from the decoding information memory 13 and a concealment section 27 restores the aborted macro blocks.例文帳に追加

そして、上記推定されたマクロブロック以降のマクロブロックを上記復号情報メモリ１３から破棄し、この破棄されたマクロブロックをコンシールメント部２７において復元する。 - 特許庁

The global decoder 71 comprises a second logic block 97 receiving an address specifying input 101 and outputting a signal selecting an individual row of the memory cell 13 included in the SRAM array 99.例文帳に追加

グローバルデコーダ(71)は、アドレス指定入力(101)を受け取り、SRAMアレイ(99)に含まれるメモリセル(13)の個々の行を選択する信号を出力する第2の論理ブロック(97)を含む。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage circuit which prevents a memory cell from deteriorating by performing no repeating erasing process for an erasure block where an erasing process is already performed.例文帳に追加

すでに消去処理がなされてある消去ブロックに対して、重複した消去処理を行わず、メモリセルの劣化を防ぐ不揮発性半導体記憶回路を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the pixel data is compressed or the frame memory size is reduced by combining with an IDCT in a reduced block size, and thus, the drift noise or resolution deterioration can be suppressed.例文帳に追加

従って、画素データを圧縮したり、削減したブロックサイズのIDCTと組み合わせてフレームメモリサイズを削減するため、ドリフト雑音や解像度劣化を抑制することができる。 - 特許庁

That is, an incomplete address not including the image data is skipped so as to secure a memory area necessary for transposition processing to incomplete blocks among each block of the image data.例文帳に追加

すなわち、画像データの各ブロックのうちの不完全なブロックに対して転置処理に必要なメモリ領域を確保すべく、画像データを含まない不完全なアドレスをスキップする。 - 特許庁

A selector 109 transfers DCT coefficient data in each stage of the block BK 1 from the Huffman decoder 102 to storage areas d1-d5 of a coefficient memory M4.例文帳に追加

セレクタ１０９は、ハフマン復号化器１０２からのブロックＢＫ１の各段階のＤＣＴ係数データを、係数メモリＭ４の記憶領域ｄ１−ｄ５に転送する。 - 特許庁

Thus, by accessing the memory of the PLC from the outside, the existence of the status abnormality, a function block having the abnormality, and its abnormality factor can be specified easily.例文帳に追加

これにより、外部からＰＬＣのメモリにアクセスすることで、ステータス異常の有無や、異常を生じているファンクションブロック並びにその異常要因の特定が簡単にできる。 - 特許庁

The video decoder recognizes a continuous not-coded macro-block group that is linked with a current frame in a bit string of compressed video data, which are received through transmission from the main memory.例文帳に追加

ビデオデコーダはメインメモリから伝送を受けた圧縮されたビデオデータのビット列内で現在フレームと連関された連続的なノットコーディドマクロブロックのグループを識別する。 - 特許庁

The word line driving circuit controls a voltage level of corresponding sub-word line inside the memory cell block responding to a logical level of the global word line and an inputted address signal.例文帳に追加

ワードライン駆動回路は、グローバルワードラインの論理レベルと入力されるアドレス信号とに応答して、メモリセルブロック内部の対応するサブワードラインの電圧レベルを制御する。 - 特許庁

A determining section 82 reads a voltage threshold stored in memory 84, based on the detected value of the temperature and compares the detected voltage of each block with the voltage threshold.例文帳に追加

判定部８２は、温度の検出値に基づいて、メモリ８４に記憶されている電圧しきい値を読み出し、その電圧しきい値と検出された各ブロックの電圧を比較する。 - 特許庁

This flash memory device comprises a row decoder circuit having row global decoders 100, 120, a row partial decoder 160, a row local decoder 140 and a block decoder 180.例文帳に追加

このフラッシュメモリ装置は、行グローバルデコーダ（１００、１２０）、行パーシャルデコーダ（１６０）、行ローカルデコーダ（１４０）及びブロックデコーダ（１８０）を有する行デコーダ回路を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit apparatus having a nonvolatile semiconductor memory apparatus in which the number program loops of one whole block can be obtained simply.例文帳に追加

一つのブロック全体のプログラムループ回数を簡単に知ることができる不揮発性半導体記憶装置を有した半導体集積回路装置を提供すること - 特許庁

When a reading or writing request is issued to a buffer block in which any data are written once, the memory controller 12 operates the reading or writing of data as requested.例文帳に追加

一度書き込まれたバッファブロックに対して、読み出しあるいは書き込み要求があった場合、メモリコントローラ１２は、要求通りにデータの読み出しあるいは書き込みを行う。 - 特許庁

To provide an image compressor with which compression per block over a plurality of lines is attained by reducing capacity of a memory for temporary storage used in compression.例文帳に追加

複数ラインに跨るブロック単位の圧縮を、圧縮時に使用する一時保持用のメモリの容量を少なくして実現可能な画像圧縮装置を提供する。 - 特許庁

To avoid the generation of memory block floating state of list structure information caused by the interruption of generating (adding or inserting)/ erasing processing of the list structure information through system switching operation.例文帳に追加

系切り替え動作によるリスト構造情報の生成（追加、挿入）／削除処理の中断に起因するリスト構造情報のメモリブロック浮き状態の発生を回避する。 - 特許庁

A program current is supplied through a pair of current source transistors positioning respectively at first and second sides of the first resistive memory cell block and opposing each other.例文帳に追加

第１抵抗型メモリセルブロックの第１及び第２側部にそれぞれ位置して互いに対向する一対の電流源トランジスタを介してプログラム電流が供給される。 - 特許庁

To achieve suitable data reading without reducing application efficiency in using a non-volatile storage medium such as a NAND type flash memory which is managed by the block.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリなどのブロック単位で管理される不揮発性記憶媒体を用いるときに、利用効率を低下させることなく、適正なデータ読み出しを可能とする。 - 特許庁

Further, the memory controller erases the erasure instruction data of the image data subjected to the main erasure processing from the management block and writes the management information of the newly recorded image data.例文帳に追加

また、メモリコントローラは管理ブロックから本消去処理を行った画像データの消去指示データを消去して、新たに記録した画像データの管理情報を書き込む。 - 特許庁

To provide a flash memory element in which occupied area is reduced by reducing the number of needless transistors and its block selecting circuit.例文帳に追加

本発明は、不要なトランジスタの個数を減らして占める面積を減らしたフラッシュメモリ素子及びそのブロック選択回路を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

In such a manner, the defective pixel is corrected by using the defect information stored in the memory space block 10 and image signals after the correction are sent out to output equipment.例文帳に追加

このようにして、メモリ空間ブロック１０に格納した欠陥情報を用いて欠陥画素の補正を行い、補正後の画像信号を出力機器に送出する。 - 特許庁

Each memory block is provided with a plurality of 1 word circuits storing data of one word respectively and outputting a detected result of accordance/discordance by accordance-retrieving stored data and retrieved data driven on a retrieving bit line, and a retrieving bit line driver driving a retrieving bit line of a corresponding memory block respectively in accordance with retrieved data.例文帳に追加

各々のメモリブロックは、それぞれ１ワード分のデータを記憶し、この記憶されたデータと検索ビット線上にドライブされた検索データとの一致検索を行って、その一致不一致の検出結果を出力する複数の１ワード回路と、検索データに応じて、各々対応するメモリブロックの検索ビット線をドライブする検索ビット線ドライバとを備える。 - 特許庁

A moving image decoding apparatus of the present invention has a scramble information memory means which memorizes scramble information which is position exchange information of a plurality of subdivision blocks which carry out subdivision of the macro block, and a descrambling means which carries out descrambling of the macro block information in a subdivision unit following scramble information memorized in the scramble information memory means.例文帳に追加

本発明の動画像復号化装置は、マクロブロックを細分した複数の細分ブロックの位置入替情報であるスクランブル情報を記憶するスクランブル情報記憶手段と、マクロブロックの情報を、スクランブル情報記憶手段に記憶されているスクランブル情報に従って、細分ブロック単位にデスクランブルするデスクランブル手段とを有する。 - 特許庁

When a flash memory controller receives access to the storage region of the boot program from a CPU (a step S101), the flash memory controller outputs the read data to the CPU only when deciding that the corresponding block is not defective, from decision based on an ECC in data read from the corresponding page (steps S105, S106) and decision based on block information (step S109).例文帳に追加

フラッシュメモリコントローラは、ＣＰＵからブートプログラムの記憶領域へのアクセスを受けると（ステップＳ１０１）、対応するページから読み出したデータ中のＥＣＣに基づく判定（ステップＳ１０５，Ｓ１０６）と、ブロックインフォメーションに基づく判定（ステップＳ１０９）により、対応するブロックが不良でないと判定した場合のみ、読み出したデータをＣＰＵに出力する。 - 特許庁

This non-volatile memory comprises memory cells which store data bits to many pages included in a predetermined block through many states embodied by at least two bits, wherein the block includes a first page in which the data bits for determining effectiveness to data recorded by a user are stored, and a second page in which the data bits recorded by the user are stored.例文帳に追加

少なくとも２ビットで具現される多数個の状態を通じて所定ブロックに含まれた多数個のページに対するデータビットを貯蔵するメモリセルを含み、ブロックは、ユーザーが記録するデータに対する有効性を判断するためのデータビットが貯蔵される第１ページ、及びユーザーが記録するデータビットが貯蔵される第２ページとを含む。 - 特許庁

A control part 9 decides compression start timing by a compression/expansion part 8 based on power necessary for compressing data by controlling the compression/expansion part 8 in order to set at least one memory block as a free memory block and power necessary for backing up the DRAM 5 in a state that the data are compressed under the consideration of the predicting/correcting environmental temperature.例文帳に追加

制御部９は、予測・補正環境温度を加味して、少なくとも１つのメモリブロックが空きメモリブロックとなるように圧縮伸張部８を制御してデータ圧縮するのに必要な電力と、そのデータ圧縮後の状態でＤＲＡＭ５をバックアップするのに要する電力とに基づいて、圧縮伸張部８による圧縮開始タイミングを定める。 - 特許庁

After that, the CVD method is used to form a deposition film 18 in the memory cell region Rmc and select gate region Rsg, remove the deposition film 18 from the memory cell region Rmc, form a block insulating film 16 on the charge film and deposition film 18, and form a word electrode WL and a select gate electrode SG on the block insulating film 16.例文帳に追加

次に、メモリセル領域Ｒｍｃ及びセレクトゲート領域ＲｓｇにＣＶＤ法により堆積膜１８を形成し、メモリセル領域Ｒｍｃから堆積膜１８を除去し、チャージ膜上及び堆積膜１８上にブロック絶縁膜１６を形成し、ブロック絶縁膜１６上にワード電極ＷＬ及びセレクトゲート電極ＳＧを形成する。 - 特許庁

Prior to data processing using a flash memory 203 as a cache based on a command, partial or entire data of a second data block based on a long sector defined on the hard disk 204 side including the start end and terminal addresses of a first data block based on a host definition sector is read from the hard disk and written into the flash memory 203.例文帳に追加

コマンドに基づいてフラッシュメモリ２０３をキャッシュとして使用したデータ処理を行うに先立ち、ホスト定義セクタをベースとする第１のデータブロックの始端及び終端アドレス囲む、ハードディスク２０４側で定義されているロングセクタをベースとする第２のデータブロックの一部若しくは全体のデータを前記ハードディスクから読出しフラッシュメモリ２０３に書き込むようにした。 - 特許庁

The method of controlling a memory system 1 including a non-volatile memory 10 having a plurality of blocks as a unit of data erasure includes steps of: measuring erase time when data is erased for each block; and writing at least data to be supplied from the outside into a first block that is empty and has the oldest erase time.例文帳に追加

データ消去の単位であるブロックを複数個有する不揮発性メモリ１０を含むメモリシステム１の制御方法であって、各ブロックのデータが消去された消去時期を計測する工程と、少なくとも外部から供給されるデータを、空き状態でありかつ消去時期が最も古い第１のブロックに書き込む工程とを含む。 - 特許庁

In the nonvolatile memory information storage device, a control part 20 selects an empty block for a fixed capacity in the ascending order of the number of writing times in a nonvolatile memory of a storing part 10 by referring to a storage state and the number of writing times recorded in a management table 30 and sequentially writes cyclic material in the selected empty block.例文帳に追加

不揮発性メモリ情報蓄積装置において、制御部２０は、管理テーブル３０に記録されている蓄積状況及び書き込み回数を参照して、蓄積部１０の不揮発性メモリのうち書き込み回数が少ない順に一定容量分の空きブロックを選定し、選定した空きブロックにサイクリック素材を順次書き込む。 - 特許庁

The first switching circuit is configured to pass the output current to the first memory cell not at the desired resistance level, and block the output current from the first memory cell in response to the first memory cell achieving the desired resistance level.例文帳に追加

上記第１のスイッチング回路は、上記所望の抵抗値にない上記第１のメモリセルへ上記出力電流を送るように構成されていると共に、上記第１のメモリセルが上記所望の抵抗値に達したことに応答して、上記出力電流を上記第１のメモリセルから遮断するように構成されている。 - 特許庁

A boosting power source circuit 7 generating drive voltage required for memory operation is provided for each block of the memory cell array 1, and a boosting power source switch SWi holding 'on' at the time of normal memory operation is provided between a power source line 8 connected to an external power source terminal and a power source supply terminal of each boosting power source circuit 7.例文帳に追加

メモリセルアレイ１の各ブロック毎に、メモリ動作に必要な駆動電圧を発生する昇圧電源回路７が設けられ、外部電源端子につながる電源線８と各昇圧電源回路７の電源供給端子との間には、通常のメモリ動作時はオンを保つ昇圧電源スイッチＳＷｉが設けられている。 - 特許庁