「memory gap」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor memory device and a manufacturing method, where bit lines which are narrower in line width and in gap than the wavelength of light for exposure can be realized without sacrificing the semiconductor memory device in productivity.例文帳に追加

露光の波長より狭い幅，間隔のビット線が生産性を犠牲にしないで実現する製法および構造を提供する。 - 特許庁

A gap 40 smaller than the thickness of the micro memory card 1 exists between the micro-memory-card-corresponding terminal 14 and the metallic cover 20.例文帳に追加

マイクロメモリカード対応端子１４と金属板製カバー２０との間には、マイクロメモリカード１の厚さより少し狭い隙間４０が存在している。 - 特許庁

TWIST ANGLE, CELL GAP AND AZIMUTH ANCHORING MEASURING EQUIPMENT AND METHOD, AND MEMORY MEDIUM STORING PROGRAM例文帳に追加

ツイスト角、セルギャップ及び方位角アンカリング測定装置、測定方法及びプログラムを記憶した記憶媒体 - 特許庁

To provide a configuration in which a gap is formed between adjacent memory cells and between the memory cells and a selective transistor and which suppresses short-circuiting of the selective transistor and peripheral circuits.例文帳に追加

隣接するメモリセル間およびメモリセルと選択トランジスタとの間に間隙を設けつつ、選択トランジスタおよび周辺回路における短絡を抑制する。 - 特許庁

A gap-length deviation integrator 169 is actuated through the switcher 167, and a gap-length constant control is started on the basis of the output of the memory unit 137.例文帳に追加

そして、切換え器１６７を介してギャップ長偏差積分器１６９を動作させ、記憶器１３７の出力に基づいてギャップ長一定制御を開始する。 - 特許庁

METHOD OF RAISING ENERGY BAND GAP OF CRYSTALLINE ALUMINUM OXIDE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING CHARGE TRAP MEMORY DEVICE PROVIDED WITH CRYSTALLINE ALUMINUM OXIDE HAVING HIGH ENERGY BAND GAP例文帳に追加

結晶質アルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法及びエネルギーバンドギャップの高い結晶質アルミニウム酸化物層を備える電荷トラップメモリ素子の製造方法 - 特許庁

The mocro memory card 1 is housed in the adaptor by inserting its front edge side to the gap 40 adequately tightly.例文帳に追加

マイクロメモリカード１は、その先端側を隙間４０に適度にきつく挿入されてアダプタ内に収容される。 - 特許庁

A boundary correction unit 4B adds gap data corresponding to a gap size δ to data in a buffer memory 4A so that the boundary of the track 5 and boundary of the block 6 inside the storage device 2 match.例文帳に追加

バウンダリ補正部４Ｂは、トラック５の境界と記憶デバイス２内のブロック６の境界とが一致するように、ギャップサイズδに対応するギャップデータをバッファメモリ４Ａ上のデータに付加する。 - 特許庁

By these slopes 8 and 9, even when the compact memory 1 is placed on a flat surface such as on the desk, a gap is formed between the sides 6 and 7 and the flat surface to facilitate the gripping of the compact memory 1.例文帳に追加

これら傾斜面８，９により、コンパクトメモリ１を卓上等の平坦な面においても、辺６，７で平坦な面との間に隙間が生じ、コンパクトメモリ１が掴みやすくなる。 - 特許庁

A printer 11 having a platen gap adjusting means 14 is provided with a nonvolatile memory 13 for storing a plurality of sized of platen gap in correspondence with medium information M.例文帳に追加

本発明のプリンタ１１は、プラテンギャップ調整手段１４を有するプリンタ１１において、プラテンギャップの大きさを媒体情報Ｍに対応して複数記憶する不揮発性メモリ１３を有する。 - 特許庁

To provide a method of raising the energy band gap of a crystalline aluminum oxide layer, and a method of manufacturing a charge trap memory device provided with a crystalline aluminum oxide layer having a high energy band gap.例文帳に追加

結晶質アルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法及びエネルギーバンドギャップの高い結晶質アルミニウム酸化物層を備える電荷トラップメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element which can secure a floating gate space, and improve a trench-gap filling performance.例文帳に追加

フローティングゲートスペースを確保し且つトレンチギャップフィル特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulating material is deposited over the polycrystalline memory material to at least partially fill the gaps, thereby blocking a portion of each gap.例文帳に追加

絶縁層を多結晶メモリ材料上に堆積し、少なくとも部分的にギャップを埋めることにより、各ギャップの一部が塞がれる。 - 特許庁

CHARGE TRAP MEMORY DEVICE WITH BLOCKING INSULATING LAYER HAVING HIGH-DIELECTRIC CONSTANT AND LARGE ENERGY BAND-GAP, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

高い誘電定数と大きいエネルギーバンドギャップとを有するブロッキング絶縁膜を有する電荷トラップ型メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

In one embodiment, a time and gap not scheduled can be processed by a unified memory for more efficient operations.例文帳に追加

一実施形態では、スケジュールされていない時間とギャップを、より効率的なオペレーションのために、統一されたメモリにおいて処理することが可能である。 - 特許庁

A comparison is made between each potential stored in the memory and the potential actually detected by the gap sensor, with the position of the end face discriminated for the workpiece W.例文帳に追加

メモリに記憶された各電位とギャップセンサにより実際に検出した電位とが比較判断され、ワークＷの端面の位置を判断する。 - 特許庁

To provide a charge trap memory device with a blocking insulating layer having a high-dielectric constant and a large energy band-gap, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高い誘電定数と大きいエネルギーバンドギャップとを有するブロッキング絶縁膜を有する電荷トラップ型メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gap portion 11 which has its lower end and side surface shielded by the insulating film 10 and also has its upper end shielded by the insulating film 14 is provided between the gates of the memory transistors and the gate of the memory transistor and the gate of the selection transistor.例文帳に追加

メモリトランジスタのゲート間、及びメモリトランジスタのゲートと選択トランジスタのゲート間には、下端及び側面が絶縁膜１０で遮蔽され、上端が絶縁膜１４で遮蔽される空隙部１１が設けられる。 - 特許庁

A gap 2 which does not share a sense amplifier column is provided between specific adjacent memory cell blocks of each cell array, this gap 2 is utilized as a bank border, and change to 4 independent banks constitution can be performed by only changing connection of address wirings.例文帳に追加

各セルアレイの特定の隣接メモリセルブロック間にセンスアンプ列を共有しないギャップ２を設けて、このギャップ２をバンク境界として利用して、アドレス配線接続の変更のみにより、独立４バンク構成への変更を可能とした。 - 特許庁

In the controller, at a preset gap position, the potential of the gap sensor at the time of the detection of the workpiece W is stored in the memory, as are the potential at the end face of the workpiece W and the potential in the case where the workpiece is undetected.例文帳に追加

制御装置では、予め設定した設定ギャップの位置で、ワークＷを検出するときのギャップセンサの電位と、ワークＷの端面での電位と、ワークＷを検出しないときの電位とが、メモリに記憶される。 - 特許庁

When copying control is ON, the Z axis movement of the laser beam machining head is stopped, at the position based on the copying gap of a nozzle tip from the reference member and a gap quantity command value, this first Z axis coordinate value is stored in a memory.例文帳に追加

ならい制御のＯＮで、ギャップ測定用基準部材に対するノズル先端のならいギャップをギャップ量指令値に基づく位置でレーザ加工ヘッドのＺ軸移動を停止せしめ、この第１Ｚ軸座標値をメモリに記憶する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device with which information of a memory cell can be discriminated accurately, even if the distribution gap of cell current values of data 0 and data 1 of a plurality of memory cells in the memory cell array is very narrow, or if overlapped state of the distribution takes place.例文帳に追加

メモリセルアレイ中の複数のメモリセルのデータ０とデータ１のセル電流値の分布の隙間が極端に狭かったり、あるいは、それらの分布が重なってしまうようなことがあっても、メモリセルの情報を高精度に判別することができる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which can discriminate information on a memory cell with high accuracy, even if distribution gap between cell electric current values of data 0 and data 1 among a plurality of memory cells in a memory cell array is extremely narrow, or those distributions may overlap.例文帳に追加

メモリセルアレイ中の複数のメモリセルのデータ０とデータ１のセル電流値の分布の隙間が極端に狭かったり、あるいは、それらの分布が重なってしまうようなことがあっても、メモリセルの情報を高精度に判別することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The MOS semiconductor memory device 601 includes a second insulating film 112 and a fourth insulating film 114 having an intermediate size of a band gap between a first insulating film 111 and a fifth insulating film 115 having a larger band gap and a third insulating film 113 having the smallest band gap.例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体メモリ装置６０１は、大きなバンドギャップを持つ第１の絶縁膜１１１および第５の絶縁膜１１５と、最も小さなバンドギャップを持つ第３の絶縁膜１１３との間に、両者の中間の大きさのバンドギャップを持つ第２の絶縁膜１１２および第４の絶縁膜１１４を備えている。 - 特許庁

A first memory gate electrode MG1 consisting of a polycrystalline silicon film is formed on the gap-section side between a selective gate electrode CG and a memory gate electrode MG, and a second memory gate electrode MG2 consisting of the polycrystalline silicon film having an impurity concentration higher than that of the polycrystalline silicon film configuring the first memory gate electrode MG1 is formed on the source-region Srm side.例文帳に追加

選択ゲート電極ＣＧとメモリゲート電極ＭＧとの間のギャップ部側に多結晶シリコン膜からなる第１メモリゲート電極ＭＧ１を設け、ソース領域Ｓｒｍ側に第１メモリゲート電極ＭＧ１を構成する多結晶シリコン膜よりも不純物濃度の高い多結晶シリコン膜からなる第２メモリゲート電極ＭＧ２を設ける。 - 特許庁

When set to the memory lock position, the memory bracket has a regulating member (stopper latch 33) that regulates movement of the tilt bracket relative to the fixed bracket, and is disposed in a transverse gap of the vehicle between a steering column and the tilt bracket.例文帳に追加

メモリブラケットは、メモリロック位置に設定されたときには、固定ブラケットに対するチルトブラケットの相対移動を規制する規制部材（係止爪３３）を有し、ステアリングコラムとチルトブラケットとの間の車体の横方向の間隙に介装される。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted by a memory cell that includes a wide gap semiconductor, for example an oxide semiconductor, and the memory cell comprises a write transistor, a read transistor, and a selection transistor.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体、例えば酸化物半導体を含むメモリセルを用いて構成された半導体装置であって、メモリセルに書き込み用のトランジスタ、読み出し用のトランジスタおよび選択用のトランジスタを備えた半導体装置とする。 - 特許庁

To provide a color scanner including an image compressing function capable of reducing memory capacity needed for line gap correction and image compression processing and costs.例文帳に追加

ラインギャップの補正および画像圧縮処理のために必要なメモリ容量を削減し、コストを削減することができる画像圧縮機能内蔵カラースキャナを提供する。 - 特許庁

To improve reliability by inhibiting coupling capacitance and preventing a short circuit between a plurality of contacts by forming a gap between neighboring memory cell gate electrodes.例文帳に追加

隣接するメモリセルゲート電極間に空隙を形成することで結合容量を抑制し、複数のコンタクト同士の短絡を防止しメモリの信頼性を向上する。 - 特許庁

This turbine engine stator assembly body 18 includes a shroud 20 movable in the radial direction and a gap control member 28 made of at least one shape memory alloy (SMA).例文帳に追加

本タービンエンジンステータ組立体（１８）は、半径方向に可動のシュラウド（２０）と、少なくとも１つの形状記憶合金（ＳＭＡ）で作られたギャップ制御部材（２８）とを含む。 - 特許庁

Accordingly, the quantity of hot electrons injected to a charge storage layer CSL under a gap section and the first memory gate electrode MG1 is made smaller than that to the charge storage layer CSL under the second memory gate electrode MG2 when the data is written, and incomplete erasing of data in the gap section and the charge storage layer CSL under the first memory gate electrode MG1 is prevented.例文帳に追加

これにより、データ書き込み時に、ギャップ部および第１メモリゲート電極ＭＧ１下の電荷蓄積層ＣＳＬに注入されるホットエレクトロンの注入量を第２メモリゲート電極ＭＧ２下の電荷蓄積層ＣＳＬに注入されるホットエレクトロンの注入量よりも減少させて、ギャップ部および第１メモリゲート電極ＭＧ１下の電荷蓄積層ＣＳＬにおけるデータの消去残りを防ぐ。 - 特許庁

Since the paper gap PG is adjusted only by comparing the present state parameter with the conveyance error parameter 29a recorded in the non-volatile memory 29, ink and the paper P for adjusting the paper gap are prevented from being wastefully consumed, and also shortening of time spent for adjusting the paper gap is achieved, so that efficiency is increased very much.例文帳に追加

また、現在の状態パラメーターと、不揮発性メモリー２９に記録された搬送エラーパラメーター２９ａとを比較するのみでペーパーギャップＰＧを調整するように構成されているため、ペーパーギャップを調整するためのインクや用紙Ｐの無駄な消費がないとともに、ペーパーギャップの調整に費やす時間の短縮を図ることができるため非常に効率がよい。 - 特許庁

The hold member 30 is fitted into the gap between a reel area section wall 25a and the memory member 9 and its flank decreases gradually in width toward the fitting-in side tip part.例文帳に追加

前記保持部材３０が、リールエリア区画壁２５ａと前記メモリー部材９との間隙に嵌入され、嵌入側先端部に向かって側面の幅が漸減する形状を有するものである。 - 特許庁

Inputted image data in an RGB form which is read from an image input part 1 are written in an image memory 4 via a shading/gap compensation part 2 and an input γ compensation part 3.例文帳に追加

画像入力部１から読み込まれたＲＧＢ形式の入力画像データは、シェーディング／ギャップ補正部２および入力γ補正部３を介して画像メモリ４に書込まれる。 - 特許庁

To provide a wiring structure which assures planarity on a front surface even if an air gap occurs in a vertical connection layer of high aspect ratio, and also to provide a memory element and its fabrication method.例文帳に追加

アスペクト比の高い縦接続層において空隙が発生しても、表面での平坦性を確保することができる配線構造、記憶素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element capable of increasing a formation region of a floating gate, with no decrease of gap fill margin of an element separation film within a limited area.例文帳に追加

限られた面積の下で素子分離膜のギャップフィルマージン減少なしにフローティングゲートの形成領域を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供す。 - 特許庁

To prevent the incidental start of an unnatural performance caused by a gap between the reservation memory counts and the frequency of executing successive advance notices when the successive advance notices are carried out.例文帳に追加

連続予告を行う場合に保留記憶数と連続予告の実行回数との間にズレが生じて不自然な演出を行ってしまう事態を防止することができるようにする。 - 特許庁

The input image data of an RGB form which are read via an image input part 1 are written into an image memory 4 via a shading/gap correction part 2 and an input γ correction part 3.例文帳に追加

画像入力部１から読み込まれたＲＧＢ形式の入力画像データは、シェーディング／ギャップ補正部２および入力γ補正部３を介して画像メモリ４に書込まれる。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor memory in which the leak current source of a capacitor being generated by a gap caused by attack can be removed at the time of etching an etching stop insulating film.例文帳に追加

エッチング停止絶縁膜のエッチング時のアタックによる隙間が原因で生じるキャパシタの漏れ電流ソースを除去できる半導体メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a charge trap memory device formed of a material that can simultaneously secure a relatively high dielectric constant and relatively large band gap, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

相対的に高い誘電定数と相対的に大きいバンドギャップを同時に確保できる物質で形成された電荷トラップ型メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent an incidental awkward performance otherwise caused by a gap between the reservation memory counts and the frequency of executing successive advance notices when the successive advance notices are carried out.例文帳に追加

連続予告を行う場合に保留記憶数と連続予告の実行回数との間にズレが生じて不自然な演出を行ってしまう事態を防止することができるようにする。 - 特許庁

A switcher 157 is mounted in a zero-power control loop L2 to preliminarily detect a contact onto a guide 113, by means of a gap-length range detector 135 for making an input to a current integrator 159 zero; and the deviation of a gap length at that point is stored in a memory unit 137.例文帳に追加

ゼロパワー制御ループＬ２中に切換え器１５７を設け、ガイド１１３への接触をギャップ長範囲検出器１３５で事前に検出して電流積分器１５９の入力をゼロにすると共に、その時点でのギャップ長の偏差を記憶器１３７に記憶する。 - 特許庁

To resolve the problems that it is hard for a tourist to customize a sightseeing plan organized by a tourist agent to enjoy sightseeing and it is also hard for the tourist to personally edit images, topics, happenings and the like obtained at tour destinations due to much expenses in time and effort and due to wrong memory and memory gap.例文帳に追加

ツアーの観光案内は、自分の趣味嗜好に合わせ、観光を楽しむことが出来なく、また旅行先で撮影した画像、トピックス、ハプニング等を個人的に編集するのは、時間・手間がかかり、さらに記憶違いや忘却してしまったりする。 - 特許庁

In this case, when the program in the volatile memory 3 is held by a backup power source 7 and the casing of equipment is opened, a gap between contacts (a) and (b) of a switch SW is opened at a casing open detecting part 8 and no power is supplied from the backup power source 7 to volatile memory 3.例文帳に追加

ここで、揮発性メモリ３のプログラムがバックアップ電源７により保持されている場合、装置の筐体が開けられると筐体開放検出部８ではスイッチＳＷの接点ａ，ｂ間が開放され、揮発性メモリ３にはバックアップ電源７から電源が供給されなくなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents transistor characteristics of a semiconductor storage device having an air gap between memory cells from deteriorating, and accelerates a shrink of the semiconductor storage device, and to provide a method for manufacturing the semiconductor storage device.例文帳に追加

メモリセル間にエアギャップを備えた半導体記憶装置のトランジスタ特性の劣化を防ぎ、且つ、半導体記憶装置のシュリンクを促進する半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁