「memory gap」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Using the wide gap semiconductor allows off-currents of the transistors constituting the memory cell to be sufficiently small, and allows the semiconductor device to hold information for a long period of time.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体を用いることで、メモリセルを構成するトランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができ、長期間にわたって情報を保持することが可能な半導体装置を提供することができる。 - 特許庁

To perform stable development by suppressing occurrence of an image memory or leakage due to gap variation between a conveying roller and a developing roller in a developing device having a hybrid developing type.例文帳に追加

ハイブリッド現像方式を有する現像装置において、搬送ローラと現像ローラとの間のギャップ変動による画像メモリやリークの発生を抑制することができ、安定して現像を行うことができるようにする。 - 特許庁

A gap between the gate electrodes 32a and 32b of MOS transistors QM as memory cells adjacent to each other is so designed as to be larger than that between the gate electrodes 32a and 32b and gate electrodes 32c and 32d which pass outside the gate electrodes 32a and 32b.例文帳に追加

隣接メモリセルのＭＯＳトランジスタＱＭのゲート電極３２ａ、３２ｂの間隙は、これらとその外側を通過するゲート電極３２ｃ、３２ｄとの間の間隙より大きく設計されている。 - 特許庁

To provide a deep trench type capacitor manufacturing method removing an oxide remaining in a gap, guaranteeing electric connection of first and second conductive layers and improving validity of a single memory cell, that is an yield of products.例文帳に追加

隙間に残留の酸化物を除去し第１と第２の伝導層の電気的接続が保証され単一記憶セルの有効性即ち製品の良品率を向上させる深トレンチ型キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a twist angle, cell gap and azimuth anchoring measuring equipment, measuring method and a memory medium storing a program in which the in-plane distribution of liquid crystal cell characteristics can be measured without increasing the size of the equipment.例文帳に追加

装置を大型化せずに、液晶セル特性の面内分布を測定することのできるツイスト角、セルギャップ及び方位角アンカリング測定装置、測定方法及びプログラムを記憶した記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a connector 10 for a memory card free from dispersion in dimension of a gap of a contact, and failure in connection, and capable of obtaining a stable contact, and inserting the card without buckling the connector.例文帳に追加

本発明は、コンタクトのギャップ寸法にバラツキがなく、安定した接触が得られ、カードを挿入した際にコンタクトの座屈がなく、接続不良のないメモリーカード用コネクタ１０を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a game machine that can reliably prevent a gap between the display of a start prize winning memory of a display mode that informs a player of a jackpot and the display of the start prize winning memory actually decided as a jackpot even if a start prize win and a variation start of a special symbol occur at the same timing.例文帳に追加

始動入賞と特別図柄の変動開始とが同じタイミングで発生した場合でも、大当りを報知する表示態様の始動入賞記憶の表示と実際に大当りになると判定された始動入賞記憶の表示との間にずれが生じるのを確実に回避することができる遊技機を提供する。 - 特許庁

To provide a game machine which can accurately avoid a gap possible between the display of starter prize winning memory in a display aspect for reporting the jackpot and the display of the starter prize winning memory determined to present the jackpot actually even when the winning of starter prizes and the start of the variation of special figures occur at the same timing.例文帳に追加

始動入賞と特別図柄の変動開始とが同じタイミングで発生した場合でも、大当りを報知する表示態様の始動入賞記憶の表示と実際に大当りになると判定された始動入賞記憶の表示との間にずれが生じるのを確実に回避することができる遊技機を提供する。 - 特許庁

Stacked capacitor lower electrodes 7 of the memory cells of a dynamic semiconductor semiconductor memory device(DRAM) are patterned, and an insulating oxide film 9 is filled into a gap between the lower electrodes 7 to be flush with the top surface of the lower electrode 7, and then a rugged polysilicon (HSG-Si) 7a is formed on the top surfaces of the lower electrodes 7.例文帳に追加

ダイナミック型半導体記憶装置（ＤＲＡＭ）のメモリセルのスタックキャパシタ下部電極７をパターニング後、隣接するスタックキャパシタ下部電極７間にキャパシタ下部電極７の上面と同一高さに絶縁酸化膜９を埋設し、次いでスタックキャパシタ下部電極７上面にポリシコンからなる凹凸ポリシコン（ＨＳＧ−Ｓｉ７ａ）の形成する。 - 特許庁

The spring 26 takes on a coil shape, and in a state before super-elastically deforming, portions 26a of the ferromagnetic shape memory alloy and portions 26b of a magnetic gap are arranged alternately in the axial direction of the rotating members 14, 16.例文帳に追加

ばね２６は、コイル形状を呈しており、超弾性変形する前の状態では、回転部材１４，１６の中心軸方向において強磁性形状記憶合金の部分２６ａと磁気的ギャップの部分２６ｂとが交互に並んで配置されている。 - 特許庁

To attain an optical memory, a variable light delay line, and a highly efficient wavelength conversion element by achieving adiabatic wavelength conversion by modulating the refractive index of a mode gap resonator, and using the resulting change in the coupling with a waveguide.例文帳に追加

モードギャップ型共振器の屈折率を変調することによって、断熱的な波長変換を実現し、その結果導波路との結合が変化することを利用することで、光メモリ、可変な光遅延線、及び高効率な波長変換素子を実現する。 - 特許庁

A gap part 9 whose bottom is separated from the surroundings by a tunnel oxide film 2, whose side face is separated from the surroundings by the side wall film 7, whose upper part is separated from the surroundings by an insulating film 8, and in which the air is filled is provided at the side part of the gate of the memory cell transistor.例文帳に追加

メモリセルトランジスタのゲートの側面部分には、底部がトンネル酸化膜２により周囲と分離され、側面が側壁膜７により周囲と分離され、上部が絶縁膜８により周囲と分離され、空気が充填された空隙部９が設けられる。 - 特許庁

When the spring 26 contracts for engaging the rotating members 14, 16, the portion of the ferromagnetic shape memory alloy attracted to the electromagnet 12 attracts an adjacent portion of the ferromagnetic shape memory alloy with the magnetic gap in between in the axial direction of the rotating members 14, 16, and by this, attraction actions to the electromagnet 12 are carried out in a chain reaction.例文帳に追加

回転部材１４，１６を係合させるためにばね２６が収縮するときには、電磁石１２へ吸引された強磁性形状記憶合金の部分が、回転部材１４，１６の中心軸方向に磁気的ギャップを空けて近接する強磁性形状記憶合金の部分を吸引することで、電磁石１２への吸引動作が連鎖的に行われる。 - 特許庁

After that, a long linear concave part 218 in a narrow direction of a gap between the capacitors 216 two dimensionally arranged in the memory cell array region is formed on the insulating film 217 so as to run through on the plurality of capacitors 216, and then the surface of the insulating film 217 is made flat by the CMP method.例文帳に追加

次に、メモリセルアレイ領域において2次元状に配置されているキャパシタ216同士の間隔が狭い方向に長いライン状の凹部218を、複数のキャパシタ216上を通るように、絶縁膜217に形成した後、絶縁膜217の表面をＣＭＰ法により平坦化する。 - 特許庁

To provide a MOS semiconductor memory device maintaining a band gap structure of an insulating film laminate serving as a charge storage region for a long period of time, and combining all of excellent data holding characteristics, a high-speed data rewrite performance, an operation performance with a lower power consumption, and a high reliability.例文帳に追加

電荷蓄積領域として機能する絶縁膜積層体のバンドギャップ構造を長期間維持し、優れたデータ保持特性と、高速でのデータ書換え性能と、低消費電力での動作性能と、高い信頼性と、を同時に兼ね備えたＭＯＳ型半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

A memory device comprises a substrate 100, a first electrode 110 which is extended vertically for the substrate 100, and a second electrode 120 which is extended vertically for the substrate 100 and is separated from the first electrode 110 with an electrode gap.例文帳に追加

メモリ素子は、基板１００と、基板１００に対して垂直方向に延長される第１電極１１０と、基板１００に対して垂直する方向に延長され、電極のギャップによって第１電極１１０と互いに離隔するように配置される第２電極１２０と有する。 - 特許庁

To provide a process for spin-on deposition of a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates such as silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

A charge trapping memory cell whose band gap structure has been designed includes a charge trapping element that is separated from a metal or metal compound gate, such as a platinum gate, by a blocking layer of material having a high dielectric constant, such as aluminum oxide, and separated from a semiconductor body including a channel by an improved tunneling dielectric material.例文帳に追加

バンドギャップを構造設計した電荷捕捉メモリーセルは、プラチナゲートのような金属又は金属化合物のゲートから、酸化アルミニウムのような高い誘電定数を有する材料のブロッキング層によって隔離され、チャンネルを含む半導体本体から改良されたトンネリング誘電体によって隔離される電荷捕捉素子を有する。 - 特許庁

To provide a process for spin-on depositing a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates, such as, silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

In the MOS semiconductor memory device 601, a second insulating film 112 and a fourth insulating film 114 having middle-sized band gaps are provided between a first insulating film and a fifth insulating film 111, which have-large-sized band gaps, and a third insulating film 113 having smallest-sized band gap.例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体メモリ装置６０１は、大きなバンドギャップを持つ第１の絶縁膜１１１および第５の絶縁膜と、最も小さなバンドギャップを持つ第３の絶縁膜１１３との間に、両者の中間の大きさのバンドギャップを持つ第２の絶縁膜１１２および第４の絶縁膜１１４を備えている。 - 特許庁

The outside anastomotic member 10 is a member to which predetermined shape memory treatment is applied and can be deformed in its shape to narrow the gap (g) by reheating the outside anastomotic member 10 to predetermined temperature or above and has a C-shape wherein a part of the side surface of the member 10 is eliminated from one opening end 12 thereof to the other opening end 14 thereof.例文帳に追加

外側吻合部材１０は、所定の形状記憶処理が施された部材であって、所定温度以上に再加熱することにより、隙間ｇを狭くするようにその形状を変形可能に構成されており、一方側の開口端１２から他方側の開口端１４に向けて側面の一部が削除された形状（Ｃ字状）である。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit such as an LSI, a CPU, or a memory is manufactured using a thin film transistor in which a channel formation region is formed using an oxide semiconductor which becomes an intrinsic or substantially intrinsic semiconductor by removing impurities serving as electron donors (donors) in the oxide semiconductor and has larger energy gap than that of a silicon semiconductor.例文帳に追加

酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導体でチャネル領域が形成される薄膜トランジスタを用い、ＬＳＩやＣＰＵやメモリなどの半導体集積回路を作製する。 - 特許庁

The ink channel 23 is elongated to have longitudinal and widthwise directions and the shape regulating means 19b is provided, at least on one side of the shape memory material layer 18, to occupy a part of the ink channel 23 in the widthwise direction with a gap being provided between the opposite end parts of the ink channel 23 in the widthwise direction.例文帳に追加

インクチャンネル２３は、長手方向と幅方向とを有する細長い形状であり、形状規制手段１９ｂは、形状記憶材料層１８の少なくとも一方の面側に、インクチャンネル２３の幅Ｗ２方向の一部分を占め、かつ、インクチャンネル２３の幅Ｗ２方向の両端部との間に隙間２４を有するように設けられている。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit such as an LSI, a CPU or a memory is manufactured using a transistor with a channel region formed using an oxide semiconductor which is an intrinsic or substantially intrinsic semiconductor obtained by removing impurities serving as electron imparting parts (donors) in the oxide semiconductor and has a larger energy gap than a silicon semiconductor over a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上において、酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導体でチャネル領域が形成されるトランジスタを用い、ＬＳＩやＣＰＵやメモリなどの半導体集積回路を作製する。 - 特許庁

The ferroelectric memory is equipped with a plurality of capacitors 19 which are provided above a silicon substrate 1 comprising lower electrodes 13, ferroelectric films 14, and upper electrodes 15; and a poly silazane film 21 which is provided on the capacitors 19 and among a plurality of the capacitors 19, and in a gap between the capacitors 19 so as to fill it up.例文帳に追加

強誘電体メモリは、シリコン基板１の上方に設けられ、下部電極１３、強誘電体膜１４および上部電極１５を含む複数のキャパシタ１９と、複数のキャパシタ１９上および複数のキャパシタ１９間に設けられ、かつ、複数のキャパシタ１９間の隙間を埋め込む、ポリシラザン膜２１とを備えている。 - 特許庁

In an information display panel in which a display medium having a display memory property is encapsulated between two mutually facing flexible base plates with a gap therebetween secured by a barrier and the display medium is driven between the base plates to display information, a reinforcement seat is stuck over the outside surface of at least either one of the base plates of the information display panel via a sticking material.例文帳に追加

基板間ギャップを隔壁で確保されて互いに対向する２枚のフレキシブルな基板間に、表示メモリー性を有する表示媒体を封入し、該表示媒体を基板間で駆動させて情報を表示する情報表示用パネルにおいて、 上記情報表示用パネルの少なくともいずれか一方の基板の外側面に対して補強用シートを貼り合せ材を介して貼り合せる。 - 特許庁

When the temperature is high in midsummer, a rod formed of a shape memory alloy is deformed so that the power generation panel becomes substantially perpendicular to the sun in midsummer, thus enhancing power generation efficiency, and a lot of air from many holes around the power generation panel passes through the gap between the power generation panel and transparent glass thereabove to cool them and to reduce defects.例文帳に追加

ソーラーパネル本体と蓋状体の二つの組み合わせで、真夏などの高温時には、形状記憶合金製の棒の変形で発電パネルが真夏の太陽にほぼ直角になって発電効率を上昇させると同時に、発電パネルの周りの多数の穴から大量の空気が発電パネルとその上の透明ガラスの隙間を通過して両者を冷やして故障を少なくする。 - 特許庁

The air gap estimation device of the electromagnetic actuator contains a constant voltage applying means to apply the constant voltage to an exciting coil, a memory means to memorize time series date of a current generated in the exciting coil by applying the constant voltage, and a threshold setting means to measure a saturated current from the time series data and set a first threshold value and a second threshold for the saturated current value.例文帳に追加

電磁アクチュエータのエアギャップ推定装置で、励磁コイルに定電圧を印加する定電圧印加手段と、定電圧の印加により励磁コイルに発生する電流の時系列データを記憶する記憶手段と、時系列データから飽和電流値を計測し、この飽和電流値に対して第１の所定割合の第１閾値と第２閾値を設定する閾値設定手段とを含む。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes: a semiconductor substrate 10; the ferroelectric capacitor FC provided above the semiconductor substrate and including an upper electrode UE, a ferroelectric film FE and a lower electrode LE; and upper interlayer insulating films ILD3 and ILD4 provided enclosing a periphery of the ferroelectric capacitor, wherein a gap 50 is provided between the ferroelectric capacitor and upper interlayer insulating film.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板１０と、半導体基板の上方に設けられ、上部電極ＵＥ、強誘電体膜ＦＥおよび下部電極ＬＥを含む強誘電体キャパシタＦＣと、強誘電体キャパシタの周辺を取り囲むように設けられた上部層間絶縁膜ＩＬＤ３，ＩＬＤ４とを備え、強誘電体キャパシタと上部層間絶縁膜との間に間隙５０が設けられている。 - 特許庁

An organic molecule memory comprises a first electrode; a second electrode formed of a material different from that of the first electrode; and an organic molecule layer provided between the first electrode and the second electrode, one end of a resistance change type molecular chain constituting the organic molecule layer being chemically coupled with the first electrode and an air gap being present between the other end of the resistance change type molecule chain and the second electrode.例文帳に追加

第１の電極と、第１の電極と異なる材料で形成される第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に設けられる有機分子層であって、有機分子層を構成する抵抗変化型分子鎖の一端が第１の電極と化学結合し、抵抗変化型分子鎖の他端と第２の電極との間に空隙が存在する有機分子層と、を備える有機分子メモリ。 - 特許庁