「pattern defect」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To easily extract a dangerous pattern which is apt to induce a defect from the chip layout of an integrated circuit and to contribute to improvement in yield and to stabilization of the process margin.例文帳に追加

集積回路のチップレイアウトの中から欠陥の生じやすい危険パターンを簡易に抽出し、歩留まり向上及びプロセスマージンの安定化に寄与する。 - 特許庁

Blind members are not provided at both the ends of the pattern region CP in a Y direction, but a defect-free area PF of one illumination beam IB is provided.例文帳に追加

パターン領域ＣＰのＹ方向の両端には、ブラインド部材を設けず、照明ビームＩＢ１本分の欠陥フリー領域ＰＦを設けている。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having excellent sensitivity and resolution, hardly generating development residue or development defect and exhibiting excellent shape of pattern profile.例文帳に追加

感度、解像力が優れ、現像残査又は現像欠陥の発生が抑制され、更にパターンプロファイルの形状も優れたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

Thereby, various defect can be detected with a high sensitivity even if there is a difference in the brightness of the same pattern between the images in a wafer.例文帳に追加

これにより、ウェハ内の画像間の同一パターンで明るさの違いが生じている場合であっても各種の欠陥を高感度に検出できるようにした。 - 特許庁

To manufacture a rugged sheet, in which a regular fine rugged pattern is formed on its surface, with high quality without any defect at a high line speed and also at high productivity.例文帳に追加

表面に規則的な微細凹凸パターンが形成された凹凸状シートを、欠陥なく高品質で、かつ高ラインスピードで生産性よく製造する。 - 特許庁

To prevent a pattern defect from being caused by preventing an immersion lithography device from being contaminated by removing a bump formed on a wafer surface before immersion lithography processing.例文帳に追加

ウェハ表面に形成したハンプを液浸露光処理前に除去することで、液浸露光装置の汚染を防止し、パターン不良の発生を防止する。 - 特許庁

An evaluation processing section 34 evaluates the defect and the characteristics of the magnetic disk 16 by using the result of reading the evaluation pattern written with the excessively large or small current.例文帳に追加

評価処理部３４は過大電流や過小電流で書き込まれた評価パターンの読み出し結果から、磁気ディスク１６の欠陥や特性を評価する。 - 特許庁

To provide a screen printing apparatus and a screen printing method which prevent a printing defect resulting from the drying of paste in a pattern hole.例文帳に追加

パターン孔内のペーストの乾燥に起因する印刷不良を防止することができるスクリーン印刷装置およびスクリーン印刷方法を提供すること。 - 特許庁

If the abnormity of the wafer is caused by a foreign matter on the reticle, the matter is removed, or if caused by the defect of the reticle pattern, the reticle is replaced.例文帳に追加

さらに、ウエハの異常の原因が、レチクル上の異物にある場合には、それを取り除き、レチクルパターンの欠陥にある場合には、レチクルを交換する。 - 特許庁

To solve problems resulting from charge-up upon correcting a defect in an isolated pattern with an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source.例文帳に追加

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームで孤立パターンの欠陥を修正するときのチャージアップに起因する問題点を解決する。 - 特許庁

To provide a photoresist composition to be used for the manufacture a semiconductor, superior in uniform coating and small in pattern defect after development and wide in focal depth.例文帳に追加

半導体製造に使用されるフォトレジストであって、塗布均一性に優れ、現像後のパターン欠陥が少なく、且つ焦点深度の広い組成物を提供する。 - 特許庁

The inspection unit 2 comprises a complement electrode pair 22 that detects a defect against a conductive pattern portion that faces an electrode of an inspection electrode pair 21.例文帳に追加

検査部２は、検査電極対２１の電極が対向する導電パターン部分に対して欠陥を検出する補完電極対２２とで構成される。 - 特許庁

To introduce a structural defect by developing a portion in the pattern of the periodic array structure exposed with high precision by an interference exposure method.例文帳に追加

干渉露光法で精度高く露光した周期的配列構造のパターン中の一部分が現像されるようにして、構造欠陥を導入すること。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having excellent resolution and edge roughness of line pattern and hardly causing developing defect in the manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において解像力、ラインパターンのエッジラフネスに優れ、現像欠陥の少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The plate patterns 24 and the reference data patterns 26 are compared in the subsequent pattern inspection step S28 and the dissidence of both patterns is defected as the defect patterns.例文帳に追加

その後のパターン検査工程Ｓ２８にて、プレートパターン２４と基準データパターン２６とを比較して、両パターンの不一致を欠陥パターンとして検出する。 - 特許庁

Since the number of pixels in the one cycle is obtained from the moire pattern projected on the X-ray image, the line defect can be accurately corrected.例文帳に追加

Ｘ線画像に写りこんだモアレパターンから、その１周期における画素数を求めているので、正確にライン欠損を補正することができる。 - 特許庁

To provide a double-sided wiring circuit substrate which prevents any defect of a plating layer sufficiently and can realize a wiring pattern of high density, and to provide a manufacturing method of the substrate.例文帳に追加

めっき層の欠陥を十分に防止し、高密度の配線パターンを実現可能な両面配線回路基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electron beam measuring technique for inspecting the shape, dimensions, presence of an defect, and the like in regard to a pattern formed on a sample through a multiple exposure method.例文帳に追加

多重露光法により試料上に形成されたパターンの形状、寸法、または欠陥の有無等の検査を行う電子ビーム測定技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing a crystal defect from spreading over a wide range even if caused at a periphery of a trench for a pattern.例文帳に追加

パターン用トレンチの周囲に結晶欠陥が生じても、その結晶欠陥が広範囲に広がるのを防止することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a developing method for suppressing the occurrence of a precipitation-induced defect in a developing process, changes in a CD or dissolution of a resist pattern caused by a rinsing liquid.例文帳に追加

現像処理における析出系欠陥の発生、ＣＤ変動、リンス液によるレジストパターンの溶解を抑制する現像処理方法を提供する。 - 特許庁

Here, a perfect crystal means a parallel-sided slab of defect-free crystalline material, which produces an ideal point diffraction pattern when illuminated by a plane wave. 例文帳に追加

ここで、「完全結晶」とは欠陥がない結晶性の平行平板を意味し、これは平面波で照らされるとき理想的な「点状の」回折図形を作る。 - 科学技術論文動詞集

To provide a defect inspection device realizing high resolution and an increase in an inspection speed in a technology for inspecting a pattern defect, foreign matter, residue, a step and the like on a wafer in a production process of a semiconductor by an electron beam.例文帳に追加

半導体装置の製造過程にあるウェハ上パターンの欠陥、異物、残渣および段差等を電子ビームにより検査する技術において、高分解能で、かつ検査速度の高速化を実現する欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

A table of correlation between three-dimensional information of a glass defect 11 of the phase shift mask 10 and a CD (minute dimension) error of a transfer pattern is created and a specification in which the glass defect 11 is allowed is determined based on the table.例文帳に追加

位相シフトマスク１０のガラス欠陥１１の３次元情報と転写パターンのＣＤ（微細寸法）誤差との相関関係のテーブルを作成し、このテーブルを基にしてガラス欠陥１１の許容される仕様を決定する。 - 特許庁

To provide a defect inspecting method using a scanning charged particle beam system, capable of precisely inspecting a defect over a short period of time, which exists on a surface of a sample to be inspected such as a semiconductor LSI or the like, by using a pattern matching technique.例文帳に追加

半導体ＬＳＩなどの被検査試料の表面に生じた欠陥の検査を、パターンマッチング技術を用いて高い精度で短時間に行なうことができる走査型荷電粒子ビーム装置を用いた欠陥検査方法 - 特許庁

A signal pattern is discriminated from a center of gravity pixel and surrounding pixels in real-time processing, during photographing of video and a pixel having an extremely large or small level, as compared with surrounding pixels, is regarded as a defect, and pixel defect correction is performed.例文帳に追加

映像撮影中にリアルタイムの処理で重心画素とその周囲の画素から信号のパターンを判別し、周囲と比較して1画素だけ極端の大きいレベルや小さいレベルの画素を欠陥とみなし画素欠陥補正を行なう。 - 特許庁

To provide a building panel 41 having a design surface provided with unevenness (undulation), further having acute angle cavity surfaces in its design surface and eliminating a feeling of physical disorder by making a defect inconspicuous even if the defect of a printing pattern due to gravure- offset printing is generated.例文帳に追加

凹凸（起伏）のある意匠面を有する建築板４１であって、更に、意匠面に鋭角な窪み部分があるものにおいて、グラビアオフセット印刷による印刷柄抜けが生じても、それを目立たなくして、違和感をなくす。 - 特許庁

The method for checking the pattern comprises calculating the feature amount of a defect which includes the signal amount of a charged particle beam image of the defect, simultaneously or concurrently upon checking, and immediately sorting the defects based on the electrical properties of the defects.例文帳に追加

検査と同時にあるいは並行して欠陥部の荷電粒子線画像の信号量を含む欠陥の特徴量を算出し、これによって欠陥の電気的性質に基づく分類を即座に行えるようにする。 - 特許庁

Then, a specific label, related to the defect scan test pattern is identified by the ATE 114, and (i) the second scanning test pattern is provided to the BIST hardwares 102, 104, (ii) and captures the raw response data, in the diagnostic mode.例文帳に追加

次に、ＡＴＥ（１１４）により、欠陥スキャンテストパターンと関連した固有ラベルを識別し、診断テストモードで、ｉ）第２のスキャンテストパターンをＢＩＳＴハードウェア（１０２，１０４）に提供し、ｉｉ）生応答データを捕捉する。 - 特許庁

To provide a pattern profile detecting device or method that is capable of detecting at a high-speed a shaping defect in a pattern profile of a patterned media surface and a stamper as well as a production line for patterned media disks.例文帳に追加

本発明は、本高速でパターンドメディア表面やスタンパのパターン形状の整形不良を検査できるパターン形状検査装置または検査方法並びにパターンドメディアディスク製造ラインを提供することである。 - 特許庁

The effective contact area of the rough area 35 with the resist is extremely small, which prevents peeling of the resist, gives preferable separating property, and prevents a pattern defect and degradation in the pattern accuracy.例文帳に追加

このことにより、粗面領域３５の実効的なレジストとの接触面積はごく僅かとなり、レジスト剥離を防止でき良好な離間性が実現でき、パターン欠陥を防ぎパターン精度の悪化を防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory testing device capable of preventing the degradation of defect detection capability by making it possible to test an aimed address or the address other than the aimed address without changing a test pattern and a pattern program.例文帳に追加

テストパターンやパターンプログラムを変更することなく、着目するアドレスまたは該アドレスを除外した試験を可能にして、不良検出能力の低下を防止できる半導体メモリ試験装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a defect-free metal barrier layer without any bubbles of a front plate for a field emission type display which requires a plating pattern of high aspect ratio by solving problems that bubbles easily remain in the aperture of a plating resist pattern, and plating defects easily occurs.例文帳に追加

電界放出型ディスプレイ用前面板の障壁層はアスペクト比の高いめっきパタ−ンが求められるが、めっき用レジストパタ−ンの開口部内に気泡が残り易く、めっき欠陥が生じ易い。 - 特許庁

By the method for making mask pattern data, a proximity correction mask with high accuracy and no correction defect can be obtained in a short period of time while keeping the process margin in a complicated LSI pattern.例文帳に追加

以上のように、本発明のマスクパターンデータ作成方法によれば、複雑なＬＳＩパターンにおいて、プロセス余裕度を保ちながら補正欠陥の無い高精度な近接効果補正マスクを短時間で提供することができる。 - 特許庁

To provide a substrate circuit pattern defect inspecting device and an inspection method capable of decreasing frequency of erroneous measurement due to contact pressure and shortening the measurement time, by installing a capacitor sensor to a connecting circuit pattern in a noncontact manner.例文帳に追加

連結回路パターンにキャパシタセンサーが非接触式で設置されて、接触圧力による誤測定の頻度を減らし、測定時間を節減する基板の回路パターン欠陥検査装置及び検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide an EUV exposure mask for leaving a buffer film, in which a pattern defect of an absorbing film is corrected and a decrease in a reflection rate is prevented, and to provide a pattern forming method employing the mask.例文帳に追加

緩衝膜を残すタイプのＥＵＶ露光用マスクにおいて、吸収膜のパターン欠陥が修正され、かつ、反射率の低下が防止されたマスク、およびそのマスクを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a resist composition, restraining the occurrence of a defect in a resist pattern after development, especially fine scum and micro-bridge and having small line edge roughness, and to provide a resist composition and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

現像後のレジストパターンのディフェクト、特に微細なスカムやマイクロブリッジの発生を抑制でき、またラインエッジラフネスの小さいレジスト組成物の製造方法、レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a suction chamber which removes a defect of a suction chamber in the prior art that an occurrence of vibration of a film in forming a thin film produces a lateral cockle pattern and a crepe cockle pattern and these make the forming operation impossible.例文帳に追加

従来のサクションチャンバーでは薄いフイルムを成形する際、フイルムに膜振動が起き、フイルムに横縞模様やちり緬しわ模様が入り、成形出来ないという欠点を取り除いたサクションチャンバーを提供すること。 - 特許庁

To provide an EUV exposure mask for leaving a buffer film, in which a pattern defect of an absorbing film is corrected and deterioration of a reflection rate is prevented, and to provide a pattern forming method employing this mask.例文帳に追加

緩衝膜を残すタイプのＥＵＶ露光用マスクにおいて、吸収膜のパターン欠陥が修正され、かつ、反射率の低下が防止されたマスク、およびそのマスクを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

A defect-scan test pattern is identified in the production mode, (i) by providing the first scanning test pattern to the BIST hardwares 102, 104 from an ATE 114, and (ii) by comparing the response signature with a predicted response signature.例文帳に追加

生産テストモードで、ＡＴＥ（１１４）から、ｉ）第１のスキャンテストパターンをＢＩＳＴハードウェア（１０２，１０４）に提供し、ｉｉ）応答シグネチャと予想応答シグネチャとを比較して、欠陥スキャンテストパターンを識別する。 - 特許庁

In dry etching employing a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, a defect introduced into a silicon substrate 10 at the time of growth to cause a conical pattern defect is removed by digging down the surface of an isolation trench forming region on a silicon substrate at the time of overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

A micromachining apparatus is used, which includes an AFM having a plurality of independently actuatable probes and uses an electron beam or a helium ion beam produced by a gas field ion source; wherein an isolating pattern 9 including a defect is grounded by bringing the conducting probe 6 into contact with the pattern, and then an opaque defect 8 is corrected while preventing charge-up by the electron beam 1.例文帳に追加

独立に駆動できる複数の探針を有するAFMを付加した電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビーム微細加工装置で、導電性探針6を接触させることで欠陥を含む孤立したパターン9を接地して、電子ビーム1によるチャージアップを防止しながら黒欠陥8を修正する。 - 特許庁

A principal wiring part separator 1, a wiring central part separator 2, and a wiring end part separator 3 are respectively arranged to a principal wiring part, a wiring central part, and a wiring end part of a test pattern and these separators 1, 2 and 3 loaded to the test pattern are defined as indices for confirming coordinate locations of a defect at the time of observing the defect.例文帳に追加

テストパターンの基幹配線部、配線中央部および配線端部にそれぞれ基幹配線部セパレータ１、配線中央部セパレータ２および配線端部セパレータ３を配置し、テストパターンに搭載したこれら各種セパレータ１，２および３を、欠陥観察の際に欠陥の座標位置を確認する指標とする。 - 特許庁

To provide a method for correcting a defect of a photomask capable of acquiring an excellent cross-sectional shape at the edge part of a pattern of an absorption layer or a light blocking layer after dark defect correction, a method for manufacturing a photomask using it, and a photomask defect correction device for performing the method.例文帳に追加

本発明は、黒欠陥修正後、吸収層または遮光層のパターンの端部にて良好な断面形状が得られるフォトマスクの欠陥修正方法、およびそれを用いたフォトマスクの製造方法、それを実施するためのフォトマスクの欠陥修正装置を提供することを主目的とする。 - 特許庁

To provide a master disk defect measuring device which can be easily installed in a master disk cutting machine and can acquire, store and process a position and a scale of the defect generated in a rugged pattern of an optical master disk as data of a small amount of information and to provide an master disk defect measuring method.例文帳に追加

原盤カッティング機への設置が容易で、且つ光ディスク原盤の凹凸パターンに生じたディフェクトの位置及び大きさを情報量の少ないデータで取得、格納、及び処理することが可能な原盤ディフェクト測定装置、及び原盤ディフェクト測定方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The edge defect detecting method of the invention is provided with the process of enhancing the edge defects at edges E1-E3 in a plurality of the directions D1-D3 in the pattern P, and obtaining edge defect enhancement values by applying an edge defect enhancement filter to a captured image.例文帳に追加

本発明のエッジ欠陥検出方法は、撮像画像にエッジ欠陥強調フィルタを適用することにより、パターンＰにおける複数の方向Ｄ１〜Ｄ３にそれぞれ沿った各エッジＥ１〜Ｅ３に係るエッジ欠陥を強調し、エッジ欠陥強調値を取得するエッジ欠陥強調工程を備える。 - 特許庁