| 意味 | 例文 |
pattern defectの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1125件
Using a defect detection sensitivity correction standard substrate including a pattern 8 and pseudo-defective sections 7 that are cone defects differing in size and are randomly formed on a silicon substrate 1, defect detection sensitivity is used in product management as an indicator for judging sensitivity adjustment after a lamp 21a in a lighting section 21 of a defect detecting device is replaced.例文帳に追加
パターン8と、サイズの異なるコーン欠陥であり、シリコン基板1上にランダムに形成された擬似欠陥部7とを備えた欠陥検出感度校正標準基板を用いて、欠陥検査装置の照明部21におけるランプ21aの交換後の感度調整を判断する指標として製造管理に利用する。 - 特許庁
To provide a template adjustment method for adjusting a template described with the features of a defect distribution pattern as the reference of classification for classifying defect distribution on the surface of a substrate, and for automatically adjusting a template set by a person so that it can be more accurately fitted for the actual defect distribution.例文帳に追加
基板の表面上の欠陥分布を分類するために、分類の基準となる欠陥分布パターンの特徴が記述されたテンプレートを調整するテンプレート調整方法であって、人が設定したテンプレートを、実際の欠陥分布により正確に適合するように自動的に調整できるものを提供すること。 - 特許庁
To provide a processing liquid for forming a pattern due to a chemically amplified resist composition superior in in-plane uniformity (CDU) and defect performance of a resist pattern and in addition, for forming the resist pattern reducing an amount of use of the processing liquid in order to stably form a highly precise fine pattern for manufacturing highly integrated and highly precise electronic device, and to provide a method for forming the pattern using it.例文帳に追加
高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、レジストパターンの面内均一性(CDU)及び欠陥性能に優れ、また処理液の使用量を低減できるレジストパターンを形成し得る化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
By forming the dummy patterns 2 with the above spacing in the dummy scattered region 22, at least one dummy pattern 2 is included in the objective range for scanning in the pattern scattered region 22 when one objective range for scanning is scanned by the mask pattern defect detecting device.例文帳に追加
上述のような間隔で、パターン点在領域22にダミーパターン2が形成されていると、マスクパターン欠陥検査装置によって1走査対象範囲の走査が行われれば、パターン点在領域22内では、その走査対象範囲内には、少なくとも1個のダミーパターン2が含まれている。 - 特許庁
To provide a pattern for evaluation and a photomask for forming the pattern for evaluation capable of evaluating irregularity defect detection capacity and capacity for detecting and analyzing periodicity of irregularity defects in an inspection device for inspecting irregularities of a body to be inspected having a periodic pattern.例文帳に追加
周期性のあるパターンをもつ被検査体のムラ検査をする検査装置の、ムラ欠陥検出能力やムラ欠陥の周期性を検出・解析する能力を評価することが可能な、評価用パターンおよびその評価用パターンを形成したフォトマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁
For example, after a correction film 8 is formed in the region including a white defect, the correction film 8 is partially removed according to the form and/or arrangement which produces the gray tone effect equivalent to the normal pattern to form a correction pattern 3a', 3b' having mutually different widths and position from the normal pattern 3a, 3b.例文帳に追加
例えば、白欠陥を含む領域に修正膜8を形成した後、正常パターンと同等のグレートーン効果を奏する形状及び/又は配列にて前記修正膜8を部分的に除去して、正常パターン3a、3bとは幅や位置が異なる修正パターン3a’、3b’を形成する。 - 特許庁
Also, by arranging the main seal pattern 2 by bending it in the corrugated shape in the line width of a conventional straight pattern, the peeling load of the main seal pattern 2 per unit area of glass is improved and the serious defect of seal peeling is hardly induced in the process of cutting stuck glass into a panel individual piece size.例文帳に追加
また、本シールパターン2を従来の直線パターンの線幅で波状に曲げて配置することにより、ガラスの単位面積当たりの本シールパターン2の剥離荷重が向上し、貼り合わせガラスをパネル個片サイズに切断する工程において、シール剥離という重大欠陥を誘発しにくくなる。 - 特許庁
To provide a correction color for a defect part of a color filter pattern, which is used for a color filter correction method that copes with a size increase, is automated, rational, and economical in perfect correction of color filter defect parts during color filter production.例文帳に追加
カラーフィルターの製造に際し、カラーフィルターの欠陥部分を完全に補修するに、大型化に対応できる、自動化された合理的、経済的なカラーフィルターの新規な補修方法に使用されるカラーフィルターのパターン欠陥部の補修用カラーの提供。 - 特許庁
And each of the set positional relationships is used to position the defect output by the inspection equipment 1 and the design data, and a local pattern of the site at which the defect is positioned is extracted from the design data for every positional relationship (step S6).例文帳に追加
そして、設定された位置関係の夫々を用いて検査装置1が出力した欠陥位置と設計データとを位置合わせし、設計データから欠陥位置が位置合わせされた部位の局所パターンを位置関係毎に抽出する(ステップS6)。 - 特許庁
To provide a method of inspecting a defect that controls a spatial filtering technology that actualizes a defective image independently of polarization characteristics of defective scattered light and suppresses brightness saturation of a normal pattern to improve a defect capturing rate, and a device using the same.例文帳に追加
欠陥散乱光の偏光特性に依存されずに欠陥像を顕在化する空間フィルタリング技術と正常パターンの明るさ飽和を抑制して欠陥捕捉率を向上する欠陥検査方法とその欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁
Respective pattern transfer images 17, 18 are simulated using defect data 15 formed on the basis of a mask image around a defect in a mask 2 and reference data 16 corresponding to the mask image in design data for fabrication of the mask 2.例文帳に追加
マスク2が有する欠陥周辺のマスク像に基づいて作成された欠陥データ15、およびマスク2の製作用の設計データのうちマスク像に対応する参照データ16を用いて、それぞれのパターン転写像17,18をシミュレートする。 - 特許庁
To provide a defect correction device of an electronic circuit pattern, the correction device actualizing defect species which are difficult to be recognized by observation using a conventional correction device relative to defects detected by an electric inspection or the like, and normalizing a pixel or forming a semi-black point therefrom.例文帳に追加
電気検査等で検出された欠陥に対して、従来の修正装置での観察では認識が困難であった欠陥種を顕在化し、画素を正常化あるいは半黒点化できる電子回路パターンの欠陥修正装置の提供。 - 特許庁
In the inspection method, when a defect where the measured width is larger than the size of a pixel is not detected, the blightness level of the circuit pattern or the spatial component is analyzed, more in detail, to detect a defect corresponding to an open circuit, a short circuit or a remaining copper foil.例文帳に追加
本発明の検査方法は、画素単位で映像データを獲得し、回路パターン又は空間成分の幅を測定する方向と垂直方向に測定して、測定された幅が基準幅より大きな場合の不良であると、ショートと検出する。 - 特許庁
To provide a photomask, manufacturing method of photomask and manufacturing method of semiconductor device which can improve a resist shape on a wafer after a photomask pattern exposure, and obtain sufficient defect detection sensitivity in the defect inspection of the photomask.例文帳に追加
フォトマスクパターン露光後のウェーハ上のレジスト形状を良好にし、かつフォトマスクの欠陥検査時における欠陥検出感度を十分に得ることができるフォトマスク、フォトマスクの製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To preclude a subtle edge part difference from being detected as a defect candidate or a defect, when forming a pattern unavoidable on a process in an edge part, and to maintain high detection capability with respect to non-edge part defects.例文帳に追加
エッジ部においてはプロセス上不可避なパターン形成時の微妙なエッジ部差異を欠陥候補、または欠陥として検出しないようにする一方で、非エッジ部欠陥に対しては高い検出力を維持するパターン検査ができるようにする。 - 特許庁
The circuit pattern inspection device independently has a detection signal processing circuit for forming a large current high-speed image for detecting the presence of the defect, and a detection signal processing circuit for forming an image in a specific narrow part detected by this defect detecting inspection.例文帳に追加
欠陥の存在を検出する為の大電流高速画像形成用の検出信号処理回路と、この欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位の画像形成用の検出信号処理回路とを独立に設ける。 - 特許庁
To form an image having a pattern similar to an image of a model, and having a size larger than that of the image of the model, using the image serving as the model, and to restrain a defect of a pattern from being generated in the formed image.例文帳に追加
モデルとする画像を利用して、同様の模様を有し、かつサイズが大きい画像を作成することが可能であると共に、作成した画像に柄癖が発生することを抑えた画像作成方法およびシステムを提供する。 - 特許庁
To solve a problem that when transmitting a test pattern from an LSI tester in the LSI tester or an LSI tester simulation model, which range of an address area in a DUT memory is accessed can not be known and a defect of the test pattern cannot be previously detected.例文帳に追加
LSIテスタ又はLSIテスタシミュレーションモデルでは、LSIテスタ側からテストパターンを送信する際に、DUTメモリのどの範囲のアドレス領域をアクセスしたかを知ることはできず、テストパターンの不備を事前に検出できない。 - 特許庁
The focus of an imaging means 3 is passed through a preform 2 to be aligned with a dot pattern 4, and a defect 12A in the preform 2 is detected through distortion in the dot pattern 4 inside an image 10B of the preform 2 imaged by the imaging means 3.例文帳に追加
撮像手段3の焦点をプリフォーム2を透過させてドットパターン4に合わせ、撮像手段3により撮像されるプリフォーム2の画像10B内のドットパターン4の歪みによりプリフォーム2の欠陥12Aを検出する。 - 特許庁
The method for inspecting a mask defect includes a process of generating referential data from the corrected mask design data D2 obtained by correcting (S10) data according to the exposure transfer pattern, and a process of measuring the actual pattern of the mask based on the corrected mask design data D2 to generate sensor data.例文帳に追加
露光転写パタンに基づき補正した(S10)補正後マスク設計データD2から、参照データを作成し、補正後マスク設計データD2に基づくマスクの形状を実測してセンサデータを作成するマスク欠陥検査方法。 - 特許庁
To provide an inspection system capable of highly accurately determining correlation between the distribution pattern of defects in a semiconductor wafer found in a defect inspection, and the distribution pattern in a defective semiconductor chip found in an electric test, in a short time.例文帳に追加
欠陥検査で発見された半導体ウエハの欠陥の分布パターンと、電気的試験で発見された不良半導体チップの分布パターンとの間の相関関係を、極めて高い確度をもって、より高精度に短時間に行う。 - 特許庁
Translucent regions 12 with a transmission within the range of 10-25 % are formed, adjacent to the region 11, from the inside of a virtual pattern edge having no defect to the outside of the pattern.例文帳に追加
また、遮光領域11に隣接した領域であって、欠陥が場合の仮想パターンのエッジの内側の領域からそのエッジの外側の領域まで、透過率が10〜25%の範囲内の半透明領域12が形成される。 - 特許庁
An ROP pattern data converting part 11 converts the plotting attribute of the plotting object, so that the defect is not caused even when the plotting processing is performed as it is in response to the ROP patterns detected by the ROP pattern detecting part 10.例文帳に追加
ROPパターン用データ変換部11では、ROPパターン検知部10にて検知されたROPパターンに応じて、そのまま描画処理を行っても不具合が生じないように描画オブジェクトの描画属性を変換する。 - 特許庁
For example, when linear defective patterns 1, 2 and cursor patterns 3, 4 are superimposed, a linear defect is easily distinguished from the cursor or the background picture because the linear defective pattern is superimposed through parts where the cursor pattern is cut off.例文帳に追加
例えば、線欠陥パターン1、2とカーソルパターン3,4を重ね合わせたときに、カーソルパターンが切れている部分を通して、線欠陥パターンを重ね合わせることができるために、線欠陥とカーソルまたは背景画面との区別がつきやすい。 - 特許庁
To make possible to draw the high precision line pattern, increasing degree of freedom in drawing a high precision line pattern, determine a defect and measure a length, not only forming a linear beam to a X-axis and a Y-axis directions, but also forming a linear beam to a certain direction.例文帳に追加
X軸、Y軸方向の線形ビームを形成するだけでなく、任意の方向の線形ビームは形成して、高精度なラインパターン描画の自由度を増し、高精度なパターン描画、欠陥検査、測長を可能する。 - 特許庁
To take in a resist pattern of a metal base body as an image having high SN ratio to efficiently and precisely detect a hole defect of the resist pattern, in a manufacturing process for a shadow mask of a color picture tube.例文帳に追加
本発明は、カラー受像管のシャドウマスクの製造工程において、金属基体のレジストパターンをSN比の高い画像で取り込みレジストパターンの孔欠陥を精度良く効率的に検出できるレジストパターンの欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁
To attain a defect inspection method for improving inspection sensitivity to a short circuit of the bottom between wirings and detecting even a pattern short circuit which is a miniaturized pattern at the bottom between a plurality of wirings arranged in parallel, by improving inspection sensitivity to a short circuit at the bottom between the wirings.例文帳に追加
配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現する。 - 特許庁
On the basis of data of defect inspection obtained in a process for forming a circuit pattern in a wafer 1 and of the shape of a circuit pattern wherein a poor conductive region 7a is found by a VC inspection, when performing DSA by using the data of VC inspection after forming the circuit pattern, a rectangular DSA region 8 is formed so as to surround the circuit pattern.例文帳に追加
ウェハ1に配線パターンを形成する過程で得られる欠陥検査のデータと、配線パターン形成後のVC検査のデータを用いてDSAを行う際、VC検査によって導通不良領域7aが見つかった配線パターンの形状を基に、その配線パターンを囲むようにして矩形形状のDSA領域8を設定する。 - 特許庁
A defect is detected by identifying online the relation between an inspection reference pattern image and an objective pattern image for inspection during inspection, constructing a mathematical model absorbing (fitting) displacement of pixels, expansion or contraction noise, or sensing noise of an image, and further comparing a new inspection reference pattern image (model image) obtained by the simulation of the obtained model with the objective pattern image for inspection.例文帳に追加
検査基準パターン画像と被検査パターン画像との関係を検査中にオンラインで同定して、画像の画素ズレや伸縮ノイズ、センシングノイズを吸収(フィッティング)した数式モデルを構築し、そのモデルのシミュレーションによって得られる新たな検査基準パターン画像(モデル画像)と被検査パターン画像とを比較することによって欠陥を検出する。 - 特許庁
In order to make defect detection easier by reducing the influence of scattered light generated by the normal pattern of the mask 6, the image is formed through an angle distribution control board 10.例文帳に追加
マスクの正常パターンから発生する散乱光の影響を小さくして欠陥の検出を容易にするため、角度分布制御板10を通して結像する。 - 特許庁
To discrimination-determine a kind and a place of abnormality generated in a pattern formed periodically, and to determine a defect while taking the significance of the abnormality into account.例文帳に追加
周期性をもって形成されたパターンに発生した異常の種類や場所を判別することができ、その異常の重要度を考慮して欠陥判定できるようにする。 - 特許庁
To easily specify a defect type siding with samples such as patterned media for a hard disk on which a fine convex-concave pattern is formed, without increasing its inspection period of time.例文帳に追加
検査時間を増大させることなく、微細凹凸パターンが形成された、ハードディスク用のパターンドメディアなどの試料よりの欠陥種類の特定を容易に行うようにする。 - 特許庁
To adjust automatically a threshold of defect determination corresponding to characteristic fluctuation of a pattern image detection part 110 or individual dispersion of a surface characteristic of a wafer 6 to be inspected.例文帳に追加
パターン画像検出部110の特性変動や被検査ウェーハ6の表面特性の個体ばらつきに応じて、欠陥判定のしきい値を自動的に調整する。 - 特許庁
To provide a method for forming a smooth pattern without a defect entirely from the start to the end of drawing without using a complicated configuration.例文帳に追加
複雑な構成を用いることない、描画開始から終了に至るまでの全体にわたって欠陥のない滑らかなパターン形成方法を実現することを目的とする。 - 特許庁
To provide a radiation-sensitive resin composition which has a large depth of focus and ensures small LWR and MEEF, excellent pattern collapse resistance and excellent development defect control property.例文帳に追加
焦点深度が広く、LWR及びMEEFが小さく、パターン倒れ特性に優れ、かつ、現像欠陥性能にも優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
In this manufacturing method, a defect 4, wherein resist is not developed on a resist pattern 3 forming a wiring embedding groove 5 is formed in an interlayer insulating film 2, in the wiring forming process using damascene method.例文帳に追加
ダマシン法を用いる配線形成工程において、層間絶縁膜2に配線埋込溝5を形成するレジストパターン3にレジストが現像されない欠陥4ができる。 - 特許庁
To provide a radiation-sensitive resin composition, capable of producing a resist film hardly causing liquid blot and pattern failure defect while maintaining excellent resolution and sensitivity.例文帳に追加
優れた解像度及び感度を維持しつつ、液痕、及びパターン不良欠陥が発生し難いレジスト膜を形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a transfer film for baking forming a functional pattern having no defect like a functional failure even in a high baking speed condition, onto a base material.例文帳に追加
焼成速度が速い条件でも機能不良等の欠陥のない機能性パターンを基体上に形成することが可能な、焼成用転写フィルムを提供する。 - 特許庁
In defect detection of conductor patterns 20, 21, there is a case that defects cannot be detected by a comparative inspection, using a periodic pitch, in each outermost pattern 22, 23, 26, and 27.例文帳に追加
導体パターン20,21の欠陥検出において、最外部パターン22,23,26,27での周期ピッチを用いた比較検査では、欠陥を検出できない場合がある。 - 特許庁
Then it uses the 2nd brightness illuminometer reference value to determine whether the unit determined as defective actually has any pattern defect or non-defective foreign material.例文帳に追加
そして、不良として判別されたユニットは第2の明るさ照度計基準値を利用して実際にパターン不良であるか、良品性異物による不良であるかを判別する。 - 特許庁
To provide a touch panel effectively suppressing the occurrence of a wiring defect in forming a wiring pattern by exposure, and to provide a display device with the touch panel and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
露光処理による配線パターン形成時の配線クワレの発生を効果的に抑制するタッチパネル、タッチパネル付き表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a pattern drawing device which is capable of early finding out a defect having a high urgency level on a mask and of shortening the inspection time of the mask.例文帳に追加
マスク上の緊急性の高い欠陥を早期に発見することができるとともに、マスクの検査時間を短縮することができるパターン描画装置を提供する。 - 特許庁
To provide a defect correction method capable of correcting easily a micro pattern omission defective part, without imparting a damage in the vicinity of the defective part and without generating contamination.例文帳に追加
欠陥部の近傍にダメージを与えたり、汚染することなく、微細なパターン抜け欠陥部を容易に修正することが可能な欠陥修正方法を提供する。 - 特許庁
The image of the resist pattern is picked up only with the light of a visible wavelength area from an exposed metal part by a CCD camera 4, the image of high contrast is provided, and a defect inspection is performed.例文帳に追加
金属露出部分からの可視波長域の光のみによりレジストパターン像をCCDカメラ4により撮像し、高いコントラストの画像を得て欠陥検査を行う。 - 特許庁
To provide an efficient method for manufacturing a stamper roller capable of manufacturing an emboss sheet where a regular fine uneven pattern is formed on the surface with high quality and without defect.例文帳に追加
表面に規則的な微細凹凸パターンが形成されたエンボスシートを、欠陥なく高品質に製造することができるスタンパーローラの効率的な製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of preventing occurrence of a pattern defect in a wafer peripheral part when chips are arranged in a surface of a semiconductor wafer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
半導体ウエハの面内にチップを配列する場合に、ウエハ周辺部のパターン不良の発生を防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To accurately execute inspection of a defect where a part that should be a conductive part becomes an insulation part to a substrate formed with a circuit pattern including an insulation part and a conductive part.例文帳に追加
絶縁部及び導電部を含む回路パターンが形成された基板に対して、導電部であるべき部位が絶縁部となっている欠陥の検査を高精度に行うこと。 - 特許庁
To detect the missing of a mask pattern or a deposit using transmission electrons instead of reflection electrons when inspecting the defect of a scattering-type mask by applying electron beams.例文帳に追加
電子線を照射して散乱型マスクの欠陥検査を行なう際、反射電子ではなく透過電子を用いてマスクパターンの抜けあるいは付着物の検出を行なう。 - 特許庁
Since noise is as large as N×1 pixels, this electron beam type inspecting device removes a detection pattern and a defect of N×1 by judging them to be generated by noise.例文帳に追加
電子線式検査装置において、ノイズがN×1画素の寸法であることに着目して、N×1の検出パターン、欠陥をノイズにより生じたものと考え削除する。 - 特許庁
To prevent defect occurrences in electrical connection at a connection process and after the connection process between a bump of a semiconductor chip and the conductive pattern of a substrate.例文帳に追加
半導体チップのバンプと基板の導電パターンとの接続過程および接続後における電気的接続の不良の発生を防止し、電気的接続の信頼性を高める。 - 特許庁
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