「plating-method」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent the stagnation of air bubbles in a member to be treated and to decrease the treatment defects to be caused by the stagnation of the air bubbles with chemical treatment equipment (plating treatment equipment) and chemical treatment method (plating treatment method) using a closed type treating cup in which a treating liquid (plating liquid) is circulated under and at a certain pressure and velocity of flow.例文帳に追加

ある圧力と流速をもって内部で処理液（メッキ液）を流通させる閉鎖型処理カップを用いる化学的処理装置（メッキ処理装置）および化学的処理方法（メッキ処理方法）において、被処理部材における気泡の滞留を防止し、気泡の滞留による処理欠陥の発生を少なくする。 - 特許庁

Further, as a manufacturing method suitable for manufacturing this screen printing plate 20, the manufacturing method for completing a metal mask screen plate 4 consists of two stages of a plating treatment process or a first plating layer of the formation of some part of the metal plate 2 and the mesh 4 and a second plating layer or the lamination of the metal plate 2.例文帳に追加

および、本発明のスクリーン印刷版２０を製造するのに適した製造方法であって、２段階のメッキ処理の工程により１層目のメッキ層で金属板２の１部およびメッシュ４を形成し、２層目のメッキ層で金属板２を積層して完成させるメタルマスクスクリーン版の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor ceramic electronic component capable of surely suppressing a growth of an undesired plating film on the surface of a ceramic sintered compact other than the surface of an external electrode, when forming a plating film by an electrolytic plating method after forming the external electrode on the outer surface of the ceramic sintered compact.例文帳に追加

セラミック焼結体の外表面に外部電極形成後に電解めっき法によりめっき膜を形成した際に、外部電極表面以外のセラミック焼結体表面における所望でないめっき膜の成長を確実に抑制することができる半導体セラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electroplating method of a flat cable in which a plurality of conductors exposed in a conductor exposed part of a lengthy flat cable are connected surely to a plating power source, and conductors plating omission of does not occur, and a manufacturing method of the flat cable.例文帳に追加

長尺のフラットケーブルの導体露出部に露出する複数本の導体が確実にメッキ電源に接続され、メッキ洩れ導体が生じないフラットケーブルの電気メッキ方法とフラットケーブルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a card edge terminal of a printed wiring board, the method which forms a connection terminal part in an edge portion of the board by electrolytic plating without forming a connecting lead wire serving as a feeding means for carrying out the electrolytic plating.例文帳に追加

プリント配線基板のカードエッジ端子製造方法において、電解めっきを行うための給電手段としての接続用リード線を形成することなく、接続端子部を基板のエッジ部分に電解めっきで形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing stannous oxide powder whose solubility to an acid or acidic plating liquid is extremely high, which is suitable for a method of directly adding stannous oxide powder to a plating liquid and supplying an Sn component therein.例文帳に追加

酸化第一錫粉末を直接めっき液中に添加しＳｎ成分を補給する方法に好適な、酸又は酸性めっき液への溶解性が極めて高い酸化第一錫粉末を製造する方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the fuel cell separator has a plating process to apply noble metal plating to the surface of a stainless steel separator base material 5a, and an aerosol-deposition process to form a carbon-contained coating on the surface of the nobel metal plated base material 5a by an aerosol-deposition method.例文帳に追加

ステンレス鋼セパレータ基材５ａの表面に貴金属メッキを施すメッキ工程と、貴金属メッキされた基材５ａの表面に、エアロゾルデポジション法を用いてカーボン含有被膜を形成するエアロゾルデポジション工程と、を備える。 - 特許庁

In forming a barrier film having the copper diffusion preventing function on a metal wiring including copper with the electroless plating method, the area where the metal wiring is not formed is etched before formation of the barrier film with the electroless plating method.例文帳に追加

銅を含む金属配線上に、無電解メッキ法により銅拡散防止機能を有するバリア膜を形成するに際し、バリア膜を無電解メッキ法により成膜する前に、金属配線が形成されていない部分をエッチングする。 - 特許庁

In the electroless plating method, the metal powder may have an average particle diameter of not less than 1 nm and not more than 100 μm, and the electroless plating method may also be applied to a damascene process or a dual damascene process which is a method for forming a fine metal wiring within a semiconductor element.例文帳に追加

本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 - 特許庁

To provide a hard coat production method using an arc ion plating method, wherein the maximum temperature of a substrate is lowered, namely, to provide a technique of forming a hard coat on the surface of a substrate by using an arc ion plating method even when the substrate is made of an inexpensive and easily processable material.例文帳に追加

従来のアークイオンプレーティング法では、エッチング工程時に４００〜５００℃の熱影響を基材に与えてしまうため、５００℃以下では軟化や歪みがほとんど発生しない高価で加工が困難な材料を基材として用いなくてはならない。 - 特許庁

In the method of controlling an electroless nickel plating solution containing hypophosphite as a reducing agent, the amount of an electroless nickel plating film formed by using the same electroless nickel plating solution to be magnetized is measured, and, based on the measured result of the amount to be magnetized, the content of sulfur compounds in the electroless nickel plating solution is controlled.例文帳に追加

還元剤として次亜リン酸塩を含む無電解ニッケルめっき液の管理方法であって、該無電解ニッケルめっき液を用いて形成された無電解ニッケルめっき皮膜の磁化量を測定し、磁化量の測定結果に基づいて、該無電解ニッケルめっき液中のイオウ化合物量を管理することを特徴とする無電解ニッケルめっき液の管理方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the conductive paste includes dispersing the conducive powder containing the silver plated copper powder into a bound resin, the silver plated copper powder being manufactured through a first plating step of plating silver to material copper powder, a cracking step of cracking the silver plated material copper powder, and a second plating step of plating the silver to the cracked powder.例文帳に追加

銀メッキ銅粉を含有する導電性粉末を結着樹脂中に分散させる導電性ペーストの製造方法であって、前記銀メッキ銅粉は、原料銅粉に銀をメッキする第１のメッキ工程と、銀メッキされた原料銅粉を解砕する解砕工程と、解砕された解砕粉に銀をメッキする第２のメッキ工程とを経て製造される。 - 特許庁

To provide an electrolytic copper plating method for a semiconductor wafer, with which upon electrolytic copper plating, production of particles such as sludge produced on an anode side in a plating liquid can be suppressed, and sticking of the particles to a semiconductor wafer can be prevented; to provide a phosphorous-containing copper anode for electrolytic copper plating; and to provide a semiconductor wafer with reduced sticking of particles plated using them.例文帳に追加

電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。 - 特許庁

To surely insulate a sample wherein a leakage failure has occurred before wafer burn-in without contaminating a plating tub or a plating liquid with a coating resin, in a semiconductor device subjected to wafer burn-in before a plating process and in a method for manufacturing the semiconductor device, which executes wafer burn-in before the plating process.例文帳に追加

めっき工程前にウエハーバーンインが実施された半導体装置において、また、めっき工程前にウエハーバーンインを実施する半導体装置の製造方法において、被膜樹脂によるめっき槽またはめっき液の汚染を発生させることなくウエハーバーンイン前にリーク不良が発生したサンプルを確実に絶縁させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a chemical polishing agent of copper or copper alloy which forms a surface state of a required and sufficient level, without generation of unevenness or the like, as pretreatment of plating of the copper or the copper alloy to which metal plating is applied, and to provide a metal plating method using the copper or the copper alloy treated before plating using the chemical polishing agent, as a plated material.例文帳に追加

金属めっきを施す銅又は銅合金のめっき前処理として必要十分なレベルの表面状態を、むらなどの発生無く形成できる銅又は銅合金の化学研磨剤と、被めっき物としてその化学研磨剤を用いてめっき前処理を施した銅又は銅合金を用いる金属めっき方法を提供する。 - 特許庁

The forming method of the alignment mark includes controlling the film thickness of the plating layer to become mark body 15 by adjusting the resistance in the plating electricity feeding by partially providing the region where the plating electricity feeding film 13 is not formed by forming the plating electricity feeding film non-formation region 16 at the periphery of the mark body 15.例文帳に追加

アライメントマークの作成方法は、前記マーク本体１５を形成する際に、当該マーク本体１５の周囲にメッキ給電用膜非形成領域１６を形成して前記メッキ給電用膜１３を形成しない領域を一部に設けてメッキ給電時の抵抗を調整し、前記マーク本体１５となるメッキ層の膜厚を制御する。 - 特許庁

To provide an additive for copper plating in a process for manufacturing a large scale integration circuit, which is not degraded with time after an electrolytic bath has been made up, and adequately embeds copper in a groove and a hole on the circuit even having a finer structure, without producing voids through electrolytic copper plating; a copper plating bath containing the additive; and a copper plating method using the bath.例文帳に追加

高集積化電子回路の製造等において、建浴後の経時的な劣化が殆どなく、且つより微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによってボイドを生じさせること無く銅を良好に埋め込むことを可能にする、銅メッキ用添加剤、これを含有する銅メッキ浴、及びこれを用いた銅メッキ方法を提供する。 - 特許庁

Hooking members 18 for supporting materials to be plated of a rack 16 for nickel plating to be used in a rack type nickel plating method for executing the multiple bright plating on materials 19 to be plated are formed of the same material as the material of anode cases used at the time of executing the nickel plating and are freely attachably and detachably mounted at a rack body.例文帳に追加

被めっき物上に多重光沢めっきを行うラック式ニッケルめっき方法において用いられるニッケルめっき用ラックにおいて、被めっき物支持用の引っ掛け部材が、ニッケルめっきを行う際に用いるアノードケースと同材質であり、かつラック本体に脱着自在に取付けられていることを特徴とするニッケルめっき用ラック。 - 特許庁

To provide an insoluble anode for plating metal wire material, which can make the plating amount per unit area of a plurality of metal wire materials uniform and stable for a long time, can contribute to simplification of plating equipment and convenience of wiring work, and is superior in releasing gases generated by plating reaction, and a manufacturing method of wire materials using the same.例文帳に追加

複数本の金属線材におけるメッキ付着量を、長期間安定して均一化することができ、メッキ設備の簡略化や通線作業の便宜にも寄与でき、更にはメッキ反応に伴って発生するガスの放出性にも優れた金属線材メッキ用不溶性陽極およびこれを用いた線材の製造方法を提供する。 - 特許庁

A cassette stage 13 for loading, a plating preceding cleaning tank 14, an electroless plating tank 15 for forming a Cu film on a semiconductor substrate by an electroless plating method, a plating after cleaning tank 16, a heat-treating surface 17 for performing heat treatment of the Cu film formed on the semiconductor base body and a cassette stage 18 for unloading are successively arranged at the periphery of a carrying unit 12.例文帳に追加

搬送ユニット１２の周囲に、ロード用のカセットステージ１３、メッキ前洗浄槽１４、無電解メッキ法により半導体基体にＣｕ膜を成膜する無電解メッキ槽１５、メッキ後洗浄槽１６、半導体基体に成膜されたＣｕ膜の熱処理を行う熱処理炉１７、アンロード用のカセットステージ１８が順に配置されている。 - 特許庁

The method for removing the potassium ions from the silver plating liquid comprises bringing the silver plating liquid containing silver potassium cyanide as a supply source for silver into contact with a chelate resin in order to remove the potassium ions from the silver plating liquid increased in the potassium ions and made higher in the pH by precipitation of the silver by electrolytic plating.例文帳に追加

本発明に係る銀めっき液からのカリウムイオン除去方法では、シアン化銀カリウムを銀の供給源として含む銀めっき液であって、電解めっきにより銀が析出することにより、カリウムイオンが増加し、ｐＨが高くなった銀めっき液から、カリウムイオンを除去すべく、銀めっき液をキレート樹脂に接触させることを特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, the resist is separated to make the base plating layer 4 exposed, the exposed base plating layer 4 is removed through an ion milling method by which the base plating layer 4 of the same shape as the electrodes 5 is formed, and the electrodes 5 are connected to the ends of the resistor 2 through the intermediary of the base plating layer 4 for the formation of a thin film resistor element.例文帳に追加

しかる後、レジストを剥離して下地めっき層４を露出させ、この露出した下地めっき層４をイオンミリング法で除去することにより、両電極５と同一形状の下地めっき層４を形成し、両電極５がそれぞれ下地めっき層４を介して抵抗体２の両端部に接続された薄膜抵抗素子を得る。 - 特許庁

To provide a plating method in feed part in plating vessel which suppresses the concentration of plating at an end of continuous feeding of articles to be treated upon the feeding of rackless electric plating to the minimum, thereby, can enhance the precision drastically as compared to the conventional precision level and prevents spurious anodization to stabilize quality.例文帳に追加

本発明はラックレス電気メッキの投入時に於ける被処理物の連続投入の終端にメッキが集中することを最小限に押え、従来の高精度レベルよりも大幅に精度を引上げることが可能となると共に擬似陽極化を防止して品質が安定するメッキ槽内の投入部に於けるメッキ処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To insulate a sample which a leakage failure occurs before wafer burn-in, without fail, without causing contamination of a plating bath or plating liquid with a coating resin, with regard to a semiconductor device in which wafer burn-in is performed before a plating step, and with regard to a manufacturing method of the semiconductor device in which the wafer burn-in is performed before the plating step.例文帳に追加

めっき工程前にウエハーバーンインが実施された半導体装置において、また、めっき工程前にウエハーバーンインを実施する半導体装置の製造方法において、被膜樹脂によるめっき槽またはめっき液の汚染を発生させることなくウエハーバーンイン前にリーク不良が発生したサンプルを確実に絶縁させることが可能となる。 - 特許庁

The method for cutting the metal plating optical member 12 includes a stage for covering the metal plating optical member 12 with cushioning members 14 and 16, a stage for making the metal plating optical member 12 covered with the cushioning members 14 and 16 abut on protector boards 20 and 22 and fixing it thereon, and a stage for cutting the metal plating optical member 12 fixed on the protector boards 20 and 22.例文帳に追加

金属メッキ光学部材１２の切断加工方法は、金属メッキ光学部材１２をクッション部材１４，１６で覆う工程と、クッション部材１４，１６で覆われた金属メッキ光学部材１２をヤトイ板２０，２２に当接させ固定する工程と、ヤトイ板２０，２２に固定された金属メッキ光学部材１２を切断する工程と、を含む。 - 特許庁

When a porous body 13 essentially consisting of ceramics is dipped into a plating liquid 22 by using an electroless plating method, the plating liquid 22 is stirred at a stirring strength G value of ≥250(1/s), thus the surface of the porous body 13 essentially consisting of ceramics is coated with a metal plating film 2 made of palladium or a palladium alloy as a component.例文帳に追加

無電解めっき方法を用いて、セラミックスを主成分とする多孔質体１３をめっき液２２中に浸漬させる時に、攪拌強度Ｇ値を２５０（１／ｓ）以上にてめっき液２２を攪拌することで、セラミックスを主成分とする多孔質体１３の表面をパラジウム又はパラジウム合金を成分とする金属めっき膜２で被覆する。 - 特許庁

To provide a method for extremely easily and uniformly forming a metal oxide fine particle layer excellent in adhesive strength, wear resistance and strength as compared with the conventional plating method, CVD method, coating liquid method or electrodeposition method.例文帳に追加

従来のメッキ法、ＣＶＤ法、塗布液法あるいは電着法等に比して極めて容易に均一で密着性、耐摩耗性、強度等に優れた金属酸化物微粒子層の形成しうる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface treatment method for applying tin plating or tin alloy plating on the surface of a terminal of a printed wiring board or the like or the surface of a terminal of an electronic component without the generation of whisker on the surface.例文帳に追加

プリント配線板等の端子表面や電子部品の端子表面にウィスカーの発生を抑制する錫めっき及び錫合金めっきを付与する表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of efficiently manufacturing a semiconductor device with a thin sheet type semiconductor wafer accompanied by plating treatment as a base in such a manner that the failure of the thin sheet type wafer in the plating treatment is evaded.例文帳に追加

メッキ処理時における薄板型ウェハの破損を回避し、メッキ処理を伴う薄板型半導体ウェハをベースとする半導体素子を効率よく製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a hot-dip galvanized steel sheet manufacturing method capable of easily manufacturing a minimum spangle plated steel sheet by using a plating bath for regular spangle at low cost without adjusting Pb content in the plating bath.例文帳に追加

めっき浴中のPb含有量の調整を行うことなしに、レギュラースパングル用のめっき浴を用いてミニマムスパングルめっき鋼板を簡便かつ低コストで製造するための方途について提案する。 - 特許庁

A stainless steel sheet is used as the substrate, and a titanium or titanium-alloy plating layer in which ≥0.5% nitrogen is made to enter into solid solution is deposited by a sputtering method, and a titanium oxide film is formed on the outermost surface layer of the plating layer.例文帳に追加

ステンレス鋼板を基板に、０．５ａｔｍ％以上の窒素を固溶するチタンまたはチタン合金めっき層をスパッタリング法により施し、該めっき最表層に酸化チタン皮膜を形成した。 - 特許庁

To provide a method for patterning a conductive film in which short circuit due to deposition of plating particles can be prevented when a conductive film is patterned by plating, and to provide a process for manufacturing a droplet ejection head.例文帳に追加

メッキによる導電膜パターンの形成時に、メッキ粒子の析出に起因するショートを防止した、導電膜パターンの形成方法、及び液滴吐出ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of controlling electroplating current capable of providing uniform plating by arbitrarily setting load-bearing rates and usage priority order of a plurality of plating cells with respect to adjustable speed of material to be plated.例文帳に追加

被メッキ材の加減速に対して、複数のメッキセルの負荷分担率及び使用優先順位を任意に設定して、均一目付を得ることが可能な電気メッキ電流制御方法を提供する。 - 特許庁

By the configuration, a necessary speed ratio can be previously set according to the kind and the formed shape of the semiconductor device, and thereby the plating method can deposit Cu in the finely formed recess without depending on the condition of the plating bath.例文帳に追加

この構成により、半導体装置の品種・加工形状からあらかじめ必要な速度比を設定することで、メッキ浴の状態に依存せずに、微細加工された凹部内を埋め込むことができる。 - 特許庁

To provide a plating device and a plating method with which, even to a semiconductor substrate with a large diameter, growing by electroplating can be performed with high uniformity in film thickness in the plane even when a seed Cu film is thin.例文帳に追加

大口径の半導体基板に対して、シードＣｕ膜が薄くても面内の膜厚均一性良く電解めっき成長を行うことができるめっき装置、めっき方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electroless plating method and equipment which are capable of preventing the production of internal pores and are capable of forming a plating film improved in intra-surface uniformity and selectivity.例文帳に追加

内部の微細孔が生じることを防止し、しかも面内均一性及び選択性を向上させためっき膜を形成することができるようにした無電解めっき方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Rewiring layers 13 jointed with the plating foundation layers of the terminal electrodes 2 are formed via a plating method through the insulating-resin layers 7, and solder balls 16 are loaded at connecting places with an external circuit.例文帳に追加

次に、この絶縁樹脂層７を介して、端子電極２のめっき下地層に接合する再配線層１３をめっき法によって形成し、外部回路との接続位置にはんだボール１６を搭載する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment apparatus and a substrate treatment method which allows treating liquid such as plating liquid to reliably penetrate even the inner part of a recessed part for wiring of a micronized trench, etc. and can perform prescribed treatment such as plating.例文帳に追加

例え微細化されたトレンチ等の配線用凹部であっても、この内部にめっき液等の処理液を確実に浸入させて、めっき等の所定の処理を行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide a method for making helical-shaped plating or at least one loop plating, in equal thickness at uniform pitch, on at least some inner surface of a narrow cylindrical structure with its diameter of a few mm or so.例文帳に追加

径が数ｍｍ程度の細い筒体内面の少なくとも一部に、均一なピッチで、均一な厚さで、ヘリカル状メッキ又は少なくとも１本の環状メッキを施す方法を提供する。 - 特許庁

This invention is related to a method for manufacturing the LED (a light emitting diode) comprising the reflector plated by the silver with a diffusion preventing metal plating conducted in advance before the silver plating.例文帳に追加

本願発明は、銀めっきされた反射部を備えるＬＥＤ（発光ダイオード）の製造方法において、銀めっきを行う前に予め拡散防止金属めっきを行うＬＥＤの製造方法に関する。 - 特許庁

To provide plating equipment for a TAB tape which is an object to be plated in which made it possible to surely apply the conductor plating having a uniform thickness on the TAB tape, and to provide a method for manufacturing the TAB tape.例文帳に追加

均一な厚さを有する導体めっきを被めっき物であるＴＡＢテープに確実に施すことを可能としたＴＡＢテープ用めっき装置およびＴＡＢテープの製造方法の提供。 - 特許庁

The joining method by plating comprises bringing metals to be joined into contact with each other under pressure, followed by plating.例文帳に追加

具体的には、リジットタイプのプリント配線基板の端子部とフレキシブルプリント配線基板の端子部との接合に適用でき、接続抵抗が小さくかつ低コストな、メッキによる金属の接合方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sleeve for connecting ferrules having excellent lubricity and wear resistance by providing a copper plating layer or copper-based alloy plating layer to the inside surface of the sleeve and further providing a nickel layer to the top thereof.例文帳に追加

内面に銅メッキ層または銅系合金メッキ層を、その上にニッケル層を設けることにより、潤滑性，耐摩粍性に優れたフェルール接続用スリーブの製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method includes preparing a base material for the terminal by stamping a copper alloy strip having large surface roughness; and plating the whole copper-alloy strip with Ni, Cu and Sn, as a post-plating treatment.例文帳に追加

表面粗さの大きい銅合金板条に打抜き加工を施して端子素材を形成した後、銅合金板条全体に後めっきとしてＮｉめっき、Ｃｕめっき及びＳｎめっきを行う。 - 特許庁

To provide a highly reliable method for press fit connector attachment not making an elimination process for plating adhesion failure after press fitting of a terminal pin unnecessary and with absolutely no inconvenience due to plating adhesion failure.例文帳に追加

端子ピンの圧入後にメッキ削れの除去工程を必要とせず、それでいてメッキ削れに起因する不都合が完全になく、信頼性の高いプレスフィットコネクタ組み付け方法を提供すること。 - 特許庁