「process variation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of fabricating electronic components capable of compensating a threshold voltage variation caused by a variation in a critical dimension of a gate electrode to secure a process margin and reduce defects.例文帳に追加

ゲート電極の臨界ディメンションの変化によるスレッショルド電圧変動を補償して工程マージン確保と不良減少が可能な電子素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a resistance ratio of the two resistors formed by the same process is considered, variation in a resistor of an one side is suppressed by variation of the other side resistor.例文帳に追加

同一プロセスで形成された二つの抵抗の抵抗比を考えた場合、一方の抵抗のばらつきによる変動を他方の抵抗のばらつきが抑えることになる。 - 特許庁

To provide a stabilized DC power supply circuit capable of reducing the variation of restriction in an output current caused by the variation, etc., of a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスのばらつき等に由来する出力電流の制限のばらつきを低減することができる直流安定化電源回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a filter circuit which holds a fixed cutoff frequency without depending upon process variation nor temperature/voltage variation, and is suitably made compact and low in current consumption.例文帳に追加

プロセスばらつき、温度・電圧変動に依存することなく一定のカットオフ周波数を保持する、小型化・低消費電流化に適したフィルタ回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which can control a variation caused by a fluctuation of an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセスのゆらぎによるばらつきを抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming device which can suppress development density unevenness due to variation in process linear speed.例文帳に追加

プロセス線速の変化に起因する現像濃度ムラを抑えることができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit equipped with a protective circuit hardly influenced by the variation of a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセス等のばらつきの影響を受けにくい保護回路を備える半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing variation in device characteristics and process, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

デバイス特性及びプロセスのばらつきを低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To determine the occurrence of image quality degradation due to the periodicity of image data and the periodicity of variation of an image forming process.例文帳に追加

画像データの周期性と画像形成プロセスの変動の周期性による画質劣化の発生を判定する。 - 特許庁

The value δrt is subjected to the variation inhibition process to output a rear wheel modified steering angle target value δrte.例文帳に追加

このδrtに対して変動抑制処理がなされて後輪修正舵角目標値δrteが出力される。 - 特許庁

To cancel second-order or third-order nonlinearity of a transistor, without depending on the temperature variation or on the manufacturing process drift.例文帳に追加

温度変動や製造プロセスドリフトに依存することなく、トランジスタの２次または３次の非線形性をキャンセルする。 - 特許庁

To overcome the problem that an optical fiber coupler exists having a characteristic variation and a defective loss due to an improper heating process of an optical fiber.例文帳に追加

光ファイバの加熱プロセスが不適切であり特性変動や損失不良の光ファイバカプラが存在する。 - 特許庁

To output a stable oscillation frequency without being influenced by dispersion in process variation or changes in external environments.例文帳に追加

プロセス変動バラツキや外部環境の変化に影響されずに安定した発振周波数を出力する。 - 特許庁

To provide a sense amplifier bias circuit giving tolerance for variation of process, power source voltage, and temperature.例文帳に追加

プロセス、電源電圧、及び温度の変動に対する耐性を与えるセンス増幅器バイアス回路を提供する。 - 特許庁

Further, the method includes a process 46 of reducing in-wafer variation in critical dimension by changing at least one parameter of a process module configured to execute a step of the lithography process, for example, a development process 36.例文帳に追加

本方法はまた、リソグラフィ・プロセスのステップを実行するように構成されたプロセス・モジュール、例えば現像工程３６の少なくとも１つのパラメータを変更し、クリティカルディメンジョンのウェハ内変動を低減する工程４６を含む。 - 特許庁

A method for reducing in-wafer variation in critical measurement standard of the lithography process includes a process 22 of measuring at least one characteristic of resist arranged on a wafer during the process.例文帳に追加

リソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減するための方法は、リソグラフィ・プロセス中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも１つの特性を測定する工程２２を含む。 - 特許庁

A variation pattern determination means holds a plurality of pattern selection tables wherein correspondence relationships between a drawing value and a variation symbol determining the variation process of patterns are different from each other, and refers to one of the plurality of pattern selection tables to select the variation pattern corresponding to an acquired drawing value.例文帳に追加

変動パターン決定手段は、抽選値と図柄の変動過程が定められた変動パターンとの対応関係が互いに異なる複数のパターン選択テーブルを保持し、複数のパターン選択テーブルのうち一つを参照して、取得された抽選値に対応する変動パターンを選択する。 - 特許庁

The oscillating variation by the error process may be performed for each special pattern after the variation time for each special pattern has passed, or the oscillating variations may simultaneously be performed after the variation time for the right special pattern has passed, i.e., the variation time for all special pictures has passed.例文帳に追加

このエラー処理による揺れ変動は、各特別図柄の変動時間経過後に各特別図柄毎に揺れ変動を実行しても良いし、右特別図柄の変動時間経過後、即ち全ての特別図柄の変動時間経過後に一斉に揺れ変動を実行しても良い。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus providing a stable processing result even when variation exists in a process by adding a process model expressing a variation in a state of a process processor to a control loop in Run-to-Run control for changing a processing condition in each wafer treatment.例文帳に追加

ウエハ処理毎に処理条件を変更するRun-to-Run制御において、制御ループにプロセス処理装置の状態の変動を表すプロセスモデルを付加することによりプロセスに変動が存在する場合においても、安定な処理結果を得ることのできるプラズマ処理装置の提供。 - 特許庁

This rolling stock design method is equipped with a space pressure calculation process, a pressure variation analysis process, a frequency characteristic analysis process, a bandpass treatment process, a bandpass maximum amplitude analysis process, and a rolling stock shape selection process for obtaining a head part shape whereby maximum amplitude ΔPb obtained by the bandpass maximum amplitude analysis process is reduced.例文帳に追加

空間圧力計算工程と、圧力変動解析工程と、周波数特性解析工程と、バンドパス処理工程と、バンドパス最大振幅解析工程と、このバンドパス最大振幅解析工程で得られた最大振幅△Ｐｂを低減させる先頭部形状を求める車両形状選定工程とを有する鉄道車両設計方法を採用した。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which solves a problem that a transistor suffers variation in threshold voltage or mobility due to a series of factors of the variation in a gate insulator film resulting from difference in a manufacture process or a substrate used and of the variation in a crystal state in channel-region.例文帳に追加

トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じる。 - 特許庁

To avoid the variation of the threshold voltage or the mobility of a transistor due to the variation of a gate insulation film, resulting from the change of its manufacturing process or the discrepancy of a used substrate in addition to the variation factor of the crystallizing condition in the channel forming region.例文帳に追加

トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じてしまう。 - 特許庁

To avoid the variation of the threshold voltage or the mobility of a transistor due to the variation of agate insulation film, resulting from the change in its manufacturing process or the discrepancy of a used substrate in addition to the variation factor of the crystal conditions in the channel forming region.例文帳に追加

トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じる。 - 特許庁

In this process, the main CPU specifies not only the basic variation period based on the sixth offset value corresponding to the distribution data but also the detailed variation period based on the fifth offset value (second processing data) corresponding to the distribution data to calculate the variation period for a symbol variable game to be currently executed by adding the basic variation period to the detailed variation period.例文帳に追加

この際、メインＣＰＵは、振分データに対応した第６のオフセット値に従って基本変動時間を特定するとともに、振分データに対応した第５のオフセット値（第２の処理データ）に従って詳細変動時間を特定し、詳細変動時間に基本変動時間を加算して今回実行する図柄変動ゲームの変動時間を算出する。 - 特許庁

To prevent vapor containing a substance produced in a dehydration process from being condensed in a pressure variation damper.例文帳に追加

脱水処理工程で生成された物質を含む蒸気が圧力変動吸収装置で結露しないようにすること。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which variation can be suppressed in resistance of magnetoresistic effect elements.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の抵抗のばらつきを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask for processing of large process margin and small variation in a method of producing the mask.例文帳に追加

本発明のマスクの製造方法によれば、プロセスマージンの広いばらつきの小さな加工用マスクを提供することが出来る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that decreases a scratch and a variation in polishing amount occurred in a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ処理で発生するスクラッチと研磨量ばらつきを低減した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of suppressing the generation of polymer residue and variation in etching process.例文帳に追加

ポリマー残渣の発生と、エッチングプロセスの変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To precisely monitor variation in the exposure conditions (gap between an exposure amount and focus) in a product wafer level in a lithographic process.例文帳に追加

リソグラフィプロセスにおいて、製品ウェーハレベルで、露光条件の変動（露光量とフォーカスのずれ）を正しくモニタリングする。 - 特許庁

To prevent reduction of operation margin of a sense amplifier by compensating variation factors such as manufacturing process, power supply voltage, junction temperature.例文帳に追加

製造プロセス、電源電圧、接合温度等の変動要因を補償して、センスアンプの動作マージンの低下を防止する。 - 特許庁

To easily manufacture a developing roller that achieves a satisfactory developing process by reducing variation in a quantity of toner to be conveyed.例文帳に追加

トナー搬送量のばらつきを軽減して良好な現像処理を実現する現像ローラを容易に製造する。 - 特許庁

Thus, the variance due to the variation in process, voltage or temperature can be freely corrected even after the package assembly.例文帳に追加

これにより、工程、電圧または温度の変動によるばらつきをパッケージアセンブリ後にも自由に補正できるようになる。 - 特許庁

To provide a charged particle beam lithography method capable of reducing dimensional variation by improving accuracy of a correction process.例文帳に追加

補正処理の精度を高めて寸法変動を低減することのできる荷電粒子ビーム描画方法を提供する。 - 特許庁

To provide process and equipment for fabricating an inexpensive semiconductor element having a high quality interconnect line film in which variation in thickness is suppressed.例文帳に追加

厚みにバラツキが少なくて高品質な配線膜を有する半導体素子を低廉なコストで提供することである。 - 特許庁

One of factors in occurrence of unevenness in process is the variation of the conveyance speed of an exposed flexographic plate material in a leaching apparatus.例文帳に追加

製版ムラの発生要因の一つは露光済みのフレキソ版材の溶出装置中での搬送速度の変動にある。 - 特許庁

To easily process an orifice 14a to reduce processing cost, and easily respond to variation development of the diameter of the orifice.例文帳に追加

オリフィス１４ａの加工が容易で加工コストを低減でき、且つオリフィス径のバリエーション展開にも容易に対応できること。 - 特許庁

To quickly detect the status of process variation, and to efficiently perform tuning to each macro included in a chip.例文帳に追加

迅速にプロセスばらつきの状態を検知し、チップに含まれる各マクロに対して効率よくチューニングを実行すること。 - 特許庁

To accelerate an inductance variation process, by which the need for a clamp circuit is obviated and high stress of the related components are avoided.例文帳に追加

インダクタンス変化のプロセスを加速し、それによりクランプ回路を不要とし、それに関連して部品の高ストレスを回避する。 - 特許庁

To provide a remounting system of a process gas supply unit capable of remounting a module corresponding to each variation, in the process gas supply unit compact and in light weight.例文帳に追加

コンパクトで軽量なプロセスガス供給ユニットであって、各バリエーションに対応したモジュールの載せ替えが可能な、プロセスガス供給ユニットの載せ替えシステムを提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a correction process of charged particle beam exposure data effectively correcting a pattern variation by an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセスによるパターン変動を有効に補正することができる荷電粒子ビーム露光データの補正工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the server 23 recognizes the variation of the external factors in the process of a game, and varies the game elements based on the variation of the external factors and the previously stored element information.例文帳に追加

そして、サーバ２３は、ゲーム進行中における外的要素の変動を認識し、当該外的要素の変動と予め記憶してある要素情報に基づいてゲーム要素を変動させる。 - 特許庁

By the operation process, the current compensated for the influence of the variation in the threshold voltage of the transistor can be supplied to the light emitting element, and the variation in the luminance can be suppressed.例文帳に追加

この動作過程により、発光素子にトランジスタの閾値電圧のばらつきの影響を補償した電流を供給することができ、輝度のばらつきを抑えることができる。 - 特許庁

The work station 10 generates the trend variation chart showing ≥1 selected process parameters in selected time windows and displays them on a display screen and also generates and displays the event table containing information wherein process events generated in the selected time windows are described in relation to the selected process parameters.例文帳に追加

このワークステーションはまた、この選択されたプロセスパラメータに関連し前記選択された時間ウインドウ中に発生したプロセス事象を記述する情報を含んでいる事象テーブルを発生して表示する。 - 特許庁

The oxidation time of the oxidation process to be performed next is calculated by taking into account not only the atmospheric pressure before the oxidation process to be performed next, but also factors other than atmospheric pressure variation such as a device state., so variation in oxide film thickness can be effectively suppressed.例文帳に追加

次に行う酸化処理前の気圧だけでなく、装置状態等、気圧変動以外の要因も含めて次に行う酸化処理の酸化時間を算出するため、酸化膜厚の変動を効果的に抑制することが可能になる。 - 特許庁