「second step」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method includes (i) the step of providing a substrate with a first silicon surface area and a second silicon-germanium surface area, (ii) the step of forming layers of the gate dielectrics of metal silicates on the first surface area and the second surface area and (iii) the step of forming gates on the layers of the gate dielectrics.例文帳に追加

又、その製造方法は(i)基板に第１のシリコン表面領域及び第２のシリコン−ゲルマニウム表面領域を設けるステップ、(ii)前記第１の表面領域と第２の表面領域上に金属シリケートのゲート誘電体の層を形成するステップ、及び(iii)前記ゲート誘電体の層上にゲートを形成するステップを有する。 - 特許庁

This operation system substitutive use control method is provided with a step for setting a first drive for storing an operation system to be normally used, a step for setting a second drive for storing an operation system for backup, and a step for designating either the first drive or the second drive in response to power supply.例文帳に追加

オペレーションシステム代替使用制御方法は、通常時使用するオペレーションシステムを格納する第１のドライブを設定するステップと；バックアップ用のオペレーションシステムを格納する第２のドライブを設定するステップと；電源投入に応答して前記第１のドライブ及び前記第２のドライブのいずれかを指定させるステップとを備える。 - 特許庁

Preferably the seal is manufactured by a method including a first cutting step of cutting out a first annular edge part in a metal sheet material; a bending step of subsequently bending the sheet material substantially in the shape of the seal; and a second cutting step of further subsequently cutting out a second annular edge part to complete the shape of the seal.例文帳に追加

好ましくは、シールは、金属のシート材料に第１環状縁部を切削する第１切削ステップと、続いてシート材料をほぼシールの形状に曲げる曲げステップと、さらに続いてシールの形状を完成するよう第２の環状縁部を切削する第２の切削ステップとによって製造される。 - 特許庁

The method for producing the hydrogel includes the following steps: (1) a step for preparing the fine particle gel including the first polymer having the network structure; (2) a step for soaking the fine particles in a solution of a monomer constituting the second polymer; and (3) a step for forming the second polymer permeating into the crosslinked network structure of the fine particles by polymerizing the monomer.例文帳に追加

１）架橋網目構造を有する第1のポリマーを含む微粒子ゲルを調製する工程；２）前記微粒子を、第２のポリマーを構成するモノマーの溶液に浸漬する工程；及び３）前記モノマーを重合させて、前記微粒子の架橋網目構造に侵入した第２のポリマーを形成させる工程。 - 特許庁

In this DNA quantitative detection method, the nested PCR is carried out by using the first step PCR using the outside primer set and the second step PCR using the inner side primer set thereby quantitatively detecting the desired DNAs in test sample and the real-time PCR method is employed as a PCR for the second step.例文帳に追加

本発明のDNAの定量的検出方法は、外側プライマーセットを用いた第1段階目のPCR及び内側プライマーセットを用いた第2段階目のPCRを行うネスティドPCR法により被験試料中の所望のDNAを定量的に検出する方法であって、第2段階目のPCRとしてリアルタイムPCR法を用いることを特徴とする。 - 特許庁

The color processing method and the apparatus are characterized in to include: a color data acquisition step of acquiring the first color data denoting the image; a mapping step of mapping the first color data to a color gamut of a device to acquire the second color data; and a display step of displaying the cross-reference between the first color data and the second color data.例文帳に追加

画像を示す第一の色データを取得する色データ取得工程と、前記第一の色データをデバイスの色域内にマッピングし、第二の色データを取得するマッピング工程と、前記第一の色データと前記第二の色データとの対応関係を表示させる表示工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In the case where it is judged that the control deviation of a second variable mechanism 2 is out of an acceptable value (step 21), and the control deviation of a first variable mechanism 1 is not within an acceptable value range (step 24); both first and second oil passages are opened, and valve lifting and valve timing are controlled by both variable mechanisms (step 25).例文帳に追加

ステップ２１で第２可変機構２の制御偏差値が許容値外と判別し、ステップ２４において第１可変機構１の制御偏差値が許容値内ではないと判別した場合は、ステップ２５で、第１，第２油通路の両方を開成して、両可変機構により、バルブリフトとバルブタイミングの制御を行う。 - 特許庁

After a semiconductor layer is formed on a substrate (step S1), a first insulating film and a first gate electrode are formed in regions for forming low voltage P type and N type TFTs (step S2) and then a second insulating film and a second gate electrode are formed in regions for forming high voltage P type and N type TFTs (step S3).例文帳に追加

基板上に半導体層を形成した後（ステップＳ１）、低電圧用Ｐ型，Ｎ型ＴＦＴを形成する領域に第１の絶縁膜および第１のゲート電極を形成し（ステップＳ２）、高電圧用Ｐ型，Ｎ型ＴＦＴを形成する領域に第２の絶縁膜および第２のゲート電極を形成する（ステップＳ３）。 - 特許庁

When determining that it includes the stitch binding step, the data creation device defines jobs D1 to D3 including a printing step and a paper folding step at a quire unit where the stich binding is performed, and creates printing data (second imposition data 106 or imposed data 142 for POD) corresponding to second paper sheet 112 for each job D1 to D3 respectively.例文帳に追加

含まれると判別された場合、平綴じがなされる折り丁単位で、印刷工程及び紙折り工程を含むジョブＤ１〜Ｄ３を定義し、ジョブＤ１〜Ｄ３毎に、第２用紙１１２に対応する印刷用データ（第２面付けデータ１０６又はＰＯＤ用面付け済みデータ１４２）をそれぞれ作成する。 - 特許庁

In the second step, the CIF_3 gas, whose flow rate is larger than that upon the first cleaning step, is supplied from a CIF_3 nozzle (cleaning gas nozzle) 46 different from the deposition gas nozzle 40 while supplying N_2 gas (inert gas) from a second deposition gas nozzle 40.例文帳に追加

第２段階では、第２の成膜ガスノズル４０よりＮ_2ガス（不活性ガス）を供給しつつ、第１のクリーニングステップのときよりも大きな流量のＣｌＦ_3ガスを、成膜ガスノズル４０とは異なるＣｌＦ_3ノズル（クリーニングガスノズル）４６より供給する。 - 特許庁

When the maximum value among the output levels of the line sensors determined by the second determination means exceeds the lower-limit target level, even when adjustment of the output level by the second gain control means is not performed, the step reducing means does not reduce the step.例文帳に追加

第２ゲイン調整手段による出力レベルの調整を実行せずとも第２決定手段により決定されたラインセンサの出力レベルの最大値が下限のターゲットレベルを超えていれば、段差低減手段は、段差の低減を実行しない。 - 特許庁

The method further includes a step calculating a range of predicted voltages expected at the sample point PB at a second sample time following the first sample time, and a step determining the sample voltage at the sample point PB at the second sample time.例文帳に追加

本方法は、標本点ＰＢにおいて第１標本時間に続く第２標本時間に期待される予測電圧の範囲を計算する段階と、標本点ＰＢにおける第２標本時間の標本電圧を求める段階を更に含んでいる。 - 特許庁

An identification unit 1e identifies a step included in the second flow chart 2b corresponding to any step included in the first flow chart 2a based on the similarity calculated by the first calculation unit 1c and the relative position calculated by the second calculation unit 1d.例文帳に追加

特定部１ｅは、第１の算出部１ｃが算出した類似度と、第２の算出部１ｄが算出した相対位置とに基づいて、第１のフロー図２ａが有するいずれかのステップに対応する第２のフロー図２ｂが有するステップを特定する。 - 特許庁

The method includes the first step of forming the first emboss on the surface of the mold, and the second step of further forming the second emboss, which is finer than the first emboss on the surface of the mold on which the first emboss is formed.例文帳に追加

シボの形成方法は、前記金型の表面に第１のシボを形成する第１の工程と、前記第１のシボが形成された前記金型の表面に、前記第１のシボよりも細かい第２のシボをさらに形成する第２の工程とを包含する。 - 特許庁

A gas leakage alarm compares the occasionally obtained sensor output and a prescribed second threshold value (an initial sounding prevention release level), and when the sensor output exceeds the second threshold value (step S13, YES), releases the initial sounding prevention mode and transfers to a normal mode (step S14).例文帳に追加

随時取得するセンサ出力と所定の第２閾値（初期鳴動防止解除レベル）とを比較して、センサ出力が第２閾値を越えたら（ステップＳ１３，ＹＥＳ）、初期鳴動防止モードを解除し、通常モードへと移行する（ステップＳ１４）。 - 特許庁

The manufacturing method of a coupled substrate includes a coupling surface processing step for processing at least one of first and second substrates each including a coupling surface containing silicon and a coupling step for coupling the coupling surface of the first substrate and the coupling surface of the second substrate.例文帳に追加

結合基板の製造方法は、シリコンを含む結合面を有する第１及び第２基板の少なくとも一方を処理する結合面処理工程と、第１基板の結合面と第２基板の結合面とを結合させる結合工程とを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor element comprises a step of forming the thick gate oxide film 216 on a second active region II, in a state in which a field oxide film 210 is separately formed at the edge area of the STI 202 of the second active region II for forming the thick gate oxide film in a LOCOS step.例文帳に追加

厚いゲート酸化膜を形成する第２アクティブ領域IIのSTI２０２エッジ部位にＬＯＣＯＳ工程でフィールド酸化膜２１０を別途形成した状態で、厚いゲート酸化膜２１６を第２アクティブ領域IIに形成する。 - 特許庁

A method for measuring an aspherical surface object includes a step of obtaining shape data of a first lens surface 91 and a second lens surface 92 of an aspherical lens 9 by reflected wave surface measurements using a first interferometer 1A and a second interferometer 1B, and a step of approximating each of the shape data with Zernike polynomial.例文帳に追加

第１干渉計１Ａと第２干渉計１Ｂとを用いた反射波面測定により、非球面レンズ９の第１レンズ面９１および第２レンズ面９２の形状データを求め、各形状データをツェルニケ多項式で近似する。 - 特許庁

When a segment to be refreshed next is one of the plurality of second segments (step 807: NO), the CPU withdraws data stored in the one of the plurality of second segments to the first segment (step 808, 809).例文帳に追加

次にリフレッシュされるべきセグメントが前記複数の第２のセグメントの前記１つである場合（ステップ８０７のＮＯ）、ＣＰＵは、前記複数の第２のセグメントの前記１つに格納されているデータを前記第１のセグメントに退避する（ステップ８０８，８０９）。 - 特許庁

The metal mask is removed for forming a second opening pattern aligned with a first pattern after the multilayer hard mask is used in a first step, and the insulation mask is used for forming a first pattern structure in an insulation layer in a second step.例文帳に追加

第１パターンにアラインされた第２開口パターンを形成するために、第１ステップで多層ハードマスクが使用された後、金属マスクが除去され、絶縁マスクが、第２のステップで絶縁層中に第１のパターン構造を形成するために使用される。 - 特許庁

For example, five level codes having first to fifth to fifth code levels are allocated to the multilevel symbol, and the first conversion step includes a step for converting a first prescribed bit value into a third code level and converting a second prescribed bit value into a second code level.例文帳に追加

例えば、マルチレベルシンボルには、第１〜第５符号レベルを有する５レベル符号が割り当てられ、第１変換ステップは、第１所定ビット値を第３符号レベルに変換し、第２所定ビット値を第２符号レベルに変換するステップを含む。 - 特許庁

According to one embodiment, a method of transmitting two or more beams includes: a step of transmitting a first transmission beam 152 using a first subset element 156; and a step of transmitting a second transmission beam 154 using a second subset element 158.例文帳に追加

本発明の一態様によれば、第１のサブセットの素子（１５６）を用いて第１の送信ビーム（１５２）を送信する段階と、第２のサブセットの素子（１５８）を用いて第２の送信ビーム（１５４）を送信する段階とを含む方法が提供される。 - 特許庁

A material W used in thermal cutting machining is pulled out in an elevator 7 together with a material pallet W(P) stored on a shelf 5, and the elevator 7 is positioned at a second step 33 from below the shelf 5 to store the material pallet W(P) at the second step 33.例文帳に追加

熱切断加工に用いる素材Ｗを、棚５に収納されている素材パレットＷＰごとエレベータ７に引き出し、棚５の下から２段目３３にエレベータ７を位置決めして素材パレットＷＰを２段目３３に収納する。 - 特許庁

A step of dividing the current limit signal includes a step of injecting a first portion of the current limit signal on the first side of the resistor and injecting a second portion of the current limit signal on the second side of the resistor.例文帳に追加

電流制限信号を分割する過程は、上記抵抗器の第１の側にその電流制限信号の第１の部分を注入する過程と、その抵抗器の第２の側にその電流制限信号の第２の部分を注入する過程とを含む。 - 特許庁

Particularly, this method includes at least a first oxygen ion implant wherein a primary oxide seed region is formed, a first annealing step, a second oxygen ion implant wherein a BOX adjustment oxide seed region is formed, and a second annealing step.例文帳に追加

特に、本発明方法は、少なくとも、一次酸化物シード領域が形成される第１の酸素イオン・インプラント、第１のアニール・ステップ、ＢＯＸ調整酸化物シード領域が形成される第２の酸素イオン・インプラント、および第２のアニール・ステップを含む。 - 特許庁

The method comprises a step of branching the optical signal into first and second optical signals, a step of widening the pulse width of the first optical signal and obtaining waveform shaped light, a step of generating a clock pulse on the basis of the second optical signal, and a step of inputting the waveform shaped light and the clock pulse to an optical AND circuit 10 and obtaining converted optical signals.例文帳に追加

本発明による方法は、光信号を第１及び第２の光信号に分岐するステップと、第１の光信号のパルス幅を拡大して波形整形光を得るステップと、第２の光信号に基いてクロックパルスを生成するステップと、波形整形光及びクロックパルスを光ＡＮＤ回路１０に入力して変換光信号を得るステップとを備えている。 - 特許庁

The method includes a step of forming a first silicon crystalline layer 12 doped with oxygen atoms on a silicon single crystalline substrate 11, a step of forming a silicon/germanium crystalline layer 13 on the first layer 12, a step of forming a second silicon crystalline layer 14 on the silicon/ germanium crystalline layer 13, and a step of heat-treating the second layer 14 to provide distortion thereto.例文帳に追加

シリコン単結晶基板１１上に酸素が添加された第１のシリコン結晶層１２を形成する工程と、第１のシリコン結晶層１２上にシリコン・ゲルマニウム結晶層１３を形成する工程と、シリコン・ゲルマニウム結晶層１３上に第２のシリコン結晶層１４を形成する工程と、熱処理により第２のシリコン結晶層１４に歪みを与える工程とを有する。 - 特許庁

A semiconductor substrate cleaning method is provided with a first cleaning step in which the surface of the semiconductor substrate is cleaned by using a first brush; and a second cleaning step for cleaning the surface of the semiconductor substrate by using a second brush, after the first cleaning step under a condition that recontamination on the surface of the semiconductor substrate is suppressed compared with the first cleaning step.例文帳に追加

半導体基板の洗浄方法は、第１のブラシを用いて、半導体基板の表面を洗浄する第１の洗浄工程と、第１の洗浄工程の後に、第１の洗浄工程と比較して半導体基板の表面の再汚染を抑制した条件下において、第２のブラシを用いて半導体基板の表面を洗浄する第２の洗浄工程とを備える。 - 特許庁

A step for forming a first insulating film on the semiconductor substrate in the nonvolatile memory transistor region, a step for forming a second insulating film on the first insulating film, a step for forming a third insulating film on the second insulating film, and a step for forming a fourth insulating film on the substrate in the MOS field effect transistor region, are processed simultaneously.例文帳に追加

不揮発性メモリトランジスタ領域の半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する工程とＭＯＳ電界効果トランジスタ領域の半導体基板上に第４の絶縁膜を形成する工程とを同時に行う。 - 特許庁

The method for producing the composite fullerene particles comprises a first step to generate a fullerene gas by heating fullerene, a second step wherein at least a part of the fullerene gas is changed to particles by cooling the fullerene gas and a third step to generate the composite fullerene particles by bringing the fullerene particles from the second step into contact with a metal-containing gas generated by heating a metal or a metal oxide.例文帳に追加

フラーレンを加熱してフラーレンガスを発生させる第１のステップと、前記フラーレンガスを冷却して前記フラーレンガスの少なくとも一部を粒子化させる第２のステップと、金属又は金属酸化物を加熱することにより発生させた含金属ガスに前記第２のステップにおいて粒子化させたフラーレンを接触させることで複合フラーレン粒子を生成する第３のステップとを有する。 - 特許庁

The method for forming a solder bump structure includes a step for developing a photoresist by primary exposure and forming at least one or more first openings, a step for forming a metal layer at the first opening, a step for developing a photoresist by secondary exposure and forming at least one or more second openings, and a step for forming a solder layer at the second opening.例文帳に追加

半田バンプ構造の形成方法において、フォトレジストを１次露光し現像して少なくとも一つ以上の第１開口部を形成する段階と、第１開口部に金属層を形成する段階と、フォトレジストを２次露光し現像して少なくとも一つ以上の第２開口部を形成する段階と、第２開口部のうちに半田層を形成する段階とを有する。 - 特許庁

The method for forming the memory cell array comprises the step of forming a first floating gate region 42 between isolation regions 45 in a semiconductor substrate, the step of selectively forming a second floating gate region 48 only on the first floating gate region 42, the step of forming a dielectric layer 51 on at least the second floating gate region 48, and the step of forming a control gate layer 52 on the dielectric layer 51.例文帳に追加

アレイの形成方法は、半導体基板内のアイソレーション領域45間に、第1浮遊ゲート領域42を形成するステップと、第1浮遊ゲート領域42上のみに、第2浮遊ゲート領域48を選択的に形成するステップと、少なくとも第2浮遊ゲート領域48上に誘電層51を形成するステップと、誘電層51上に制御ゲート層52を形成するステップとを含む。 - 特許庁

When a terminal-status detecting means detects a prescribed terminal status (a step S403; Yes)at a state in which communication over a first radio communication system being enabled by a first radio communication means (a step S401), a second radio communication means starts a process of obtaining a second radio communication system (a step S406) to shift communication via second radio communication system in an enabled status (a step S408).例文帳に追加

第一の無線通信手段による第一の無線通信システムを介した通信が可能な状態（ステップＳ４０１）において、端末状態検出手段によって所定の端末状態が検出されたときに（ステップＳ４０３；Ｙｅｓ）、第二の無線通信手段により第二の無線通信システムの捕捉処理を開始して（ステップＳ４０６）、第二の無線通信を介した通信を可能な状態（ステップＳ４０８）に移行させる。 - 特許庁

The method comprises a step for preparing a silicon substrate, a step for forming a first conductivity type impurity region in a first region of the silicon substrate, a step for forming a second conductivity type impurity region in a second region which is separated from the first region of the silicon substrate and a step for forming a porous silicon layer by chemically etching the surface of the second conductivity type impurity region.例文帳に追加

本発明のフォトダイオードの製造方法は、シリコン基板を用意する段階と、前記シリコン基板の第１領域に第１導電型不純物領域を形成する段階と、前記シリコン基板の前記第１領域と離隔した第２領域に第２導電型不純物領域を形成する段階と、前記第２導電型不純物領域の表面を化学的エッチング処理して多孔質シリコン層を形成する段階を含む。 - 特許庁

When the accumulated value of the waste liquid accumulation in the waste liquid pad 71 exceeds its threshold (Step S1: Yes), the carriage 61 is moved to "a second flushing area" (Step S4) and performs flushing into an ink absorber 64 (Step S5).例文帳に追加

廃液パッド７１の廃液蓄積量の積算値が廃液パッド７１の廃液蓄積量の閾値を超えている場合には（ステップＳ１でＹｅｓ）、「第２フラッシング領域」へキャリッジ６１を移動させ（ステップＳ４）、インク吸収材６４へフラッシングする（ステップＳ５）。 - 特許庁

This method for preparing a mixture of powder and a binder comprises the first step to stir/mix powder and a part of the binder, the second step to compact the mixture and the third step to add the remaining binder to the obtained compact and stir/mix them.例文帳に追加

粉末及びバインダーの混合物の製造において、粉末及びバインダーの一部を攪拌混合する第１の工程と、この混合物を加圧する第２の工程と、この加圧物にバインダーの一部を添加し、攪拌混合する第３の工程とを行う。 - 特許庁

Then, the notice performance in the first step-up notice performance is changed at prescribed change timing and the notice performance in the second step-up notice performance is changed at the timing different from the change timing in the first step-up notice performance.例文帳に追加

そして、第１ステップアップ予告演出における予告演出を所定の変化タイミングで変化させるとともに、第１ステップアップ予告演出における変化タイミングとは異なるタイミングで第２ステップアップ予告演出における予告演出を変化させる。 - 特許庁

While the advance notice in the first step up advance performance is changed at a prescribed changing timing, the advance notice in the second step up advance notice performance is changed at a different timing from the changing timing in the first step up advance notice performance.例文帳に追加

そして、第１ステップアップ予告演出における予告演出を所定の変化タイミングで変化させるとともに、第１ステップアップ予告演出における変化タイミングとは異なるタイミングで第２ステップアップ予告演出における予告演出を変化させる。 - 特許庁

The method for producing an aminoalkyl thiosulfate compound includes: a first step wherein a compound (1) and an alkali metal salt of thiosulfate are reacted with each other in the presence of water; and a second step wherein a reaction mixture which is obtained in the first step and contains an aminoalkyl thiosulfate compound (2) is desalted by electrodialysis.例文帳に追加

化合物（１）とチオ硫酸のアルカリ金属塩とを、水の存在下で反応させる第１工程と、第１工程で得られたアミノアルキルチオ硫酸化合物（２）を含む反応混合物を電気透析し脱塩する第２工程とを有する。 - 特許庁

The printing method comprises a first step (S100) of writing image files into the medium, and a second step (S110-S230) of acquiring one or more image files written in the first step from the medium and printing an image based on the acquired image files to a label face.例文帳に追加

メディアに画像ファイルを書き込む第１のステップ（Ｓ１００）と、第１のステップで書き込まれた画像ファイルをメディアから１以上取得し、該取得した画像ファイルに基づく画像をラベル面に印刷する第２のステップ（Ｓ１１０〜Ｓ２３０）とを備えた。 - 特許庁

A second etching step employs an etching method in which an etching rate to the first film is higher than that in the first etching step, and an etching rate to "a layer provided below and in contact with the first film" is lower than that in the first etching step.例文帳に追加

第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。 - 特許庁

Adjacent buried-back films 42 and 43 after the patterning of the magnetic multilayer film 14 is deposited by a series of manufacturing processes comprising a deposition step of a first stage, a step for etching back the deposited film and a deposition step of a second stage.例文帳に追加

磁性多層膜１４のパターン加工後の隣接する埋め戻し膜４２，４３の堆積を，第１段階の堆積工程と，続けて堆積した膜をエッチバックする工程と，第２段階の堆積工程からなる一連の製造プロセスによって形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing vulcanized rubbers includes: a first step for kneading an S-(3-aminopropyl)thiosulfuric acid and/or its metal salt, a rubber component, a filler, and a sulfur constituent together; and a second step for performing heat treatment on the kneaded product obtained by the previous step.例文帳に追加

Ｓ−（３−アミノプロピル）チオ硫酸および／またはその金属塩とゴム成分と充填剤と硫黄成分とを混練する第１工程と、前工程により得られた混練物を熱処理する第２工程とを有する加硫ゴムの製造方法。 - 特許庁

A control device selectively switches the circulation state of a refrigerant in the heat pump cycle between a first refrigerant circulation mode (Step 150) and a second refrigerant circulation mode (Step 160) based on a boiling temperature in a heat exchanger for hot water supply (Step 140).例文帳に追加

制御装置は、給湯用熱交換器における沸き上げ温度に基づいて（ステップ１４０）、ヒートポンプサイクル内の冷媒の循環状態を第１冷媒循環モード（ステップ１５０）と第２冷媒循環モード（ステップ１６０）とで選択的に切り替える。 - 特許庁

A second etching step employs an etching method in which the etching rate to the first film is higher than that in the first etching step and the etching rate to "the layer in contact with the bottom of the first film" is lower than that in the first etching step.例文帳に追加

第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。 - 特許庁