「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, and a substrate processing apparatus, excellent in particle reducing effectiveness and improving productivity.例文帳に追加

パーティクル低減効果に優れ、生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

CIRCUIT BOARD USED IN CLEAN ROOM, EPOXY-BASED SEMICONDUCTOR SEALING RESIN, PACKAGING CIRCUIT BOARD, INSULATION PAPER, BOARD PROCESSING EQUIPMENT, AND VERTICAL TYPE HEAT TREATMENT APPARATUS例文帳に追加

クリーンルーム内で使用する回路基板、エポキシ系半導体封止樹脂、実装回路基板、絶縁紙、基板処理装置、及び、縦型熱処理装置 - 特許庁

The semiconductor wafer is dried by discharging the carbon dioxide fluid in the supercritical state or liquid state from the processing chamber.例文帳に追加

上記半導体ウェハーは、超臨界状態または液体状態の二酸化炭素の流体を処理チャンバーから排気することにより乾燥される。 - 特許庁

To put a system into sleep state without complicated software processing in the memory control system having an interface of volatile semiconductor memory.例文帳に追加

揮発性半導体メモリのインタフェースを有するメモリ制御システムにおいて、複雑なソフトウエア処理をすることなくシステムをスリープ状態にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can detect not only failures in a memory but also failures in paths and data processing sections connected to the memory.例文帳に追加

メモリの故障だけでなく当該メモリに接続されたパス及びデータ処理部の故障も検出可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a pressure-welding semiconductor device, in which the deformation of an electrode layer 33, and a surface processing layer 34 to be pressured-welded is within the range of elastic deformation.例文帳に追加

圧接される電極層３３と表面処理層３４の変形が弾性変形範囲内である圧接型半導体装置を提供する。 - 特許庁

The rework method for a resist film includes: a processing step of improving the hydrophilic property of a resist film including hydrophobic resin; a processing step of removing the resist film with improved hydrophilic property with organic solvent having polarities; and a processing step of forming a resist film again on a semiconductor substrate.例文帳に追加

レジスト膜のリワークは、疎水性の樹脂を含むレジスト膜の親水性を向上させる処理と、親水性を向上させたレジスト膜を、極性を有する有機溶剤で除去する処理と、半導体基板上に再度レジスト膜を形成する処理を含む。 - 特許庁

In the vacuum processing chamber supplied with negative ions, the negative ions are made to react with particles inside the vacuum processing chamber, and the semiconductor wafer is charged negative by the charging mechanism so that ionized particles do not adhere thereto, thus removing the particles in the vacuum processing chamber.例文帳に追加

マイナスイオンが供給された真空処理室で、マイナスイオンを真空処理室内のパーティクルと反応させ、帯電機構により半導体ウェハをイオン化されたパーティクルが付着しないように負に帯電させて、真空処理室内のパーティクルを除去する。 - 特許庁

To prevent the deviation of relative edges of an internally complementary signal when amplified and to perform accurate signal processing in a semiconductor integrated circuit device that is provided with a signal processing circuit performing signal processing based on an internal complementary signal obtained by amplifying an externally complementary signal.例文帳に追加

外部相補信号を増幅した内部相補信号に基づいて信号処理を行う信号処理回路を備えた半導体集積回路装置において、増幅時の内部相補信号の相対的なエッジのずれを防止して、正確な信号処理を行わせる。 - 特許庁

To provide a microwave plasma generator for a plasma processing device and an ion beam processing device which perform various processes using plasma in the field of semiconductor processing, enabled to stably generate a uniform plasma having big area for long period at low gas pressure.例文帳に追加

半導体プロセッシングの分野において、プラズマを用いて各種の加工を行なうプラズマ加工装置およびイオンビーム加工装置において、低ガス圧で、均一、大面積のプラズマを長時間安定に発生さすことを可能とするマイクロ波プラズマ生成装置を提供する。 - 特許庁

The image processing modules include processing of performing distortion correction for image data in a predetermined area and processing of writing the distortion-corrected image data in the area in the semiconductor memory through the bus and the second interface.例文帳に追加

そして上記画像処理モジュールは、予め指定された領域内の画像データについて歪み補正を行い、その歪み補正後の上記領域内の画像データを、上記バス及び上記第２インタフェースを介して上記半導体メモリに書き込む処理を含む。 - 特許庁

A plurality of power supply processings which contain a first power supply processing in which a current flowing in the semiconductor light-emitting element is greater than zero, and a second power supply processing in which a current is greater than the first power supply processing are repeatedly executed, respectively.例文帳に追加

半導体発光素子を流れる電流がゼロより大きい第１電力供給処理と、電流が第１電力供給処理よりも大きい第２電力供給処理と、を含む複数の電力供給処理のそれぞれを繰り返し実行する。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive sheet for use in processing semiconductor wafers which sheet has an excellent pressure-sensitive adhesion to a semiconductor wafer and resistance to chipping and is almost free from the occurrence of glue remained on the wafer after ultraviolet ray irradiation and separation from the wafer.例文帳に追加

半導体ウエハに対して優れた粘着力を示し、かつ耐チッピング特性に優れ、紫外線照射剥離後にウエハへの糊残りが少ない半導体ウエハ加工用粘着シートを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device, where in a state that the increase of capacity between wirings and wiring interlayer capacity is suppressed, a cavity is formed in an insulating film at a fine processing accuracy.例文帳に追加

配線間容量および配線層間容量の上昇を抑制した状態で、加工精度よく絶縁膜に凹部を形成する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor wafer, in which production of particles caused by a contact track generated on a semiconductor wafer due to contact with a support boat etc., of a thermal processing device is further suppressed.例文帳に追加

熱処理装置の支持ボート等との接触により半導体ウェーハに生じる接触痕に起因するパーティクルの発生を一層抑制することができる半導体ウェーハの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Since irregularities are not provided, entire surface of the semiconductor wafer 150 under processing can be attracted electrostatically and the channel resistance of heat transfer gas becomes uniform on the side for attracting the semiconductor wafer 150.例文帳に追加

また、凹凸部が設けられていないため、処理中の半導体ウエハ１５０の全面を静電吸着することが可能となり、伝熱ガスの流路抵抗が半導体ウエハ１５０が吸着される面側で均一となる。 - 特許庁

An individual signal processing substrate 2 keeps a plurality of semiconductor devices 4 in a line in the X-direction and detector modules 5, connected with the individual semiconductor devices 4, arranged in parallel at an end of a flat substrate 3.例文帳に追加

個々の信号処理基板２は、平板状の基板３の一端に、Ｘ方向に１列に複数の半導体素子４と個々の半導体素子４に接続されている検出器モジュール５とが並列して配置されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of reducing loads on work at the time of transferring a process newly developed on a development line to a plant, and to provide a semiconductor processing device.例文帳に追加

開発ラインで新規に開発されたプロセスを工場に移管する際の作業上の負荷を低減させることが可能な半導体デバイスの製造方法および半導体プロセス処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a novel processing sequence for producing a semiconductor wafer that achieves not only an excellent geometric shape of a semiconductor wafer, but also an excellent nano-topography, and is suitable even to a wafer of 450 mm.例文帳に追加

半導体ウェハの良好な幾何学的形状のみならず良好なナノトポグラフィも達成し、且つ４５０ｍｍのウェハにも適している、半導体ウェハを製造するための新規の処理シーケンスを提供する。 - 特許庁

In a step S2, the laser processing device removes a semiconductor layer and a back electrode layer of an area near an inner circumference of an area where the transparent electrode layer, the semiconductor layer, and the back electrode layer are removed using the SHG laser beam.例文帳に追加

ステップＳ２において、レーザ加工装置は、SHGレーザ光を用いて、透明電極層、半導体層、裏面電極層を除去した領域の内周付近の領域の半導体層、裏面電極層を除去する。 - 特許庁

To improve a processing performance in assembling and testing processes of a semiconductor device for a fingerprint sensor, by decreasing a mounting area of the semiconductor device, so as to reduce a manufacturing cost and enhance a mounting reliability.例文帳に追加

本発明は、指紋センサ用半導体装置の実装面積を縮小化し、組立、テスト工程の処理能力を向上させて製造コストを削減し、実装信頼性を向上させることを課題とする。 - 特許庁

In the feedback processing process, parameters acquired for every semiconductor wafer is substituted into the foregoing relational expression to estimate the predicted value of the etching size, and lithography conditions for every semiconductor wafer is set on the basis of the predicted value.例文帳に追加

フィードバック処理工程は、半導体ウェハ毎に取得されたパラメータを、上述の関係式に代入してエッチング寸法の予測値を求め、当該予測値に基づいて半導体ウェハ毎のリソグラフィ条件を設定する。 - 特許庁

A P layer 22 is formed inside a surface S1 of the semiconductor substrate 1, and a P layer 23 is formed inside the semiconductor substrate 1 in contact with the surface S1 and a the so-called bevel processing surface S2.例文帳に追加

半導体基板１の表面Ｓ１内にＰ層２２が形成されており、表面Ｓ１及びいわゆるベベル加工面にあたる表面Ｓ２に接して半導体基板１内にＰ層２３が形成されている。 - 特許庁

Accordingly, the device formed on the semiconductor wafer W can be protected and solution processing efficiency can also be improved by controlling the charging on the semiconductor wafer W generated during the solution process.例文帳に追加

これにより、液処理中に生じる半導体ウエハＷの帯電を抑制して、半導体ウエハＷに形成されるデバイスの保護を図ることができると共に、液処理効率の向上を図ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacture management system which can estimate not only whether the processing of each process is normal and the numbers of finally obtainable normal articles of semiconductor devices that users order process by process.例文帳に追加

各プロセス毎にプロセスの処理の良否だけでなく、プロセス毎にユーザが発注した半導体装置の最終的に取得できる良品数を推定することが可能な半導体装置製造管理システムを提供する。 - 特許庁

To simplify a manufacturing process by strongly connecting a semiconductor element with a wiring circuit board without necessitating any conventional flux processing in connecting a semiconductor element with a wiring circuit board.例文帳に追加

半導体素子と配線回路基板の接続に際して、従来のようなフラックス処理を必要とせずに、上記両者を強固に接続することができ、製造工程が簡略化された半導体装置の製法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processing device capable of suppressing an image quality defect caused by a droop phenomenon relating to a semiconductor laser based on pulse width information indicating the pulse width of laser light emitted by the semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザから発光されたレーザ光のパルスの幅を示すパルス幅情報に基づき、当該半導体レーザにかかわるドループ現象による画質欠陥を抑制することのできる画像処理装置を提供する。 - 特許庁

To airtightly or liquid-tightly mount a sensor where a semiconductor sensor section, a signal processing circuit section, and a pad section are formed on a semiconductor substrate over the inside and outside of a wall section of a pipe, vessel or the like.例文帳に追加

半導体センサ部及び信号処理回路部並びにパッド部を半導体基板に形成してなるセンサを、パイプあるいは容器などの壁部の内外にわたって気密に又は液密に取り付けることができるようにする。 - 特許庁

To provide a method for processing an end of an external semiconductor layer which forms an ideally tapered shape by the use of a convenient means, without inducing peelings, and steps at the end of the external semiconductor layer.例文帳に追加

外部半導電層の端部に剥離や段差を生じさせることなく、理想的なテーパー形状を簡便な手段によって形成することのできる外部半導電層の端部処理方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor chip judged rejectable through these visual inspection and electric characteristics inspection undergoes overlay processing at a test control unit 5, and a marker indicative of a rejectable product is put on the semiconductor chip by means of a concentration marker 6.例文帳に追加

これら外観検査と電気的特性検査とで不良と判別された半導体チップは、テスト制御部５において重ね合わせ処理され、集中マーカ６によって不良品を示すマーカが付けられる。 - 特許庁

When a semiconductor wafer W is heat-treated by being irradiated with flash light from a flash lamp FL, a holding unit 7 holding the semiconductor wafer F is moved to a processing position near a chamber window 61.例文帳に追加

フラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射して半導体ウェハーＷの加熱処理を行うときには半導体ウェハーＷを保持する保持部７をチャンバー窓６１に近接した処理位置に移動させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus, with which costs are reduced by stable chemical reaction and polishing and the reduction of processing time and man-hours and cost are reduced by simplifying control.例文帳に追加

安定した化学反応と研磨加工、及び、処理時間、工数の削減による低コスト化、制御の簡易化による低コスト化を図る半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

Liquid material 21 is applied on a section analysis spot 11 of the semiconductor device 100, and a protective film 22 is formed by burning or the like, and thereafter section processing of the semiconductor device 100 is executed by using a focused ion beam 1.例文帳に追加

半導体装置１００の断面解析箇所１１に液体材料２１を塗布し、焼成等により保護膜２２形成後、集束イオンビーム１を用いて半導体装置１００の断面加工を行う。 - 特許庁

To provide a process of processing a semiconductor wafer, by which back surface grinding of the semiconductor wafer having large unevenness is facilitated, the wafer is easily divided into individual chips and a sheet can be peeled without incurring any problem of remaining paste.例文帳に追加

凹凸の大きな半導体ウエハに対する裏面研削、およびチップ個片化が容易であるとともに、糊残り等の不具合なしに簡単にシートを剥離できる半導体ウエハの加工プロセスを実現する。 - 特許庁

This processing method comprises a first process of implanting nitrogen (n) ions into a semiconductor substrate 101 of silicon and a second process of forming a cluster-containing layer 103 in the semiconductor substrate 101 by annealing nitrogen (n) ions.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板１０１に窒素（ｎ）イオンを注入する工程と、窒素（ｎ）イオンをアニールすることにより、半導体基板１０１中に窒素を含むクラスター含有層１０３を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

In the ashing processing method of a semiconductor wafer for making resist on a semiconductor wafer react with reaction gas in plasma for ashing elimination, the mixed gas of O_2, N_2 and H_2O is used as the reaction gas.例文帳に追加

半導体ウェハ上のレジストをプラズマ中で反応ガスと反応させて灰化除去するための半導体ウェハのアッシング処理方法において、上記反応ガスとして、Ｏ_２と、Ｎ_２と、Ｈ_２Ｏとの混合ガスを用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which evaluates a decoding function during decoding processing without taking any unnecessary evaluation time as a semiconductor device which has a speech decoding evaluating function and decodes speech stream data.例文帳に追加

音声復号化評価機能を有し、音声ストリームデータを復号化する半導体装置において、無駄な評価時間をかけることなく、復号化処理中に復号化機能を評価するものを提供することを目的とする。 - 特許庁

That is, the semiconductor laser 21 is moved by using an exclusive arm by the positional moving quantity of the semiconductor laser 21 calculated from the position of the light emitting point detected by image processing image pickup data by the CCD camera 33.例文帳に追加

すなわち、ＣＣＤカメラ３３の撮像データを画像処理して検出された発光点位置から算出された半導体レーザ２１の位置移動量分だけ、専用アームを用いて半導体レーザ２１を移動させる。 - 特許庁

When a cache mistake occurs in the process of the first virtual machine 131, a cache control part 10a performs the cache processing of data causing the cache mistake from the nonvolatile semiconductor memory 7 to the semiconductor memory 6.例文帳に追加

キャッシュ制御部１０ａは、第１の仮想マシン１３１の処理においてキャッシュミスが発生した場合、不揮発性半導体メモリ７から半導体メモリ６に当該キャッシュミスの原因となったデータをキャッシュ処理する。 - 特許庁

To eliminate fine damage and metal impurities which are generated by processing a semiconductor substrate, and enable the superior elimination of impurities on the substrate which contain organic deposits and fine particles on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の加工により生じた微小ダメージや金属不純物を除去するとともに、半導体基板表面の有機性付着物や微粒子を含む基板上の不純物を良好に除去し得る。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device capable of easily, surely, and speedily performing interruption processing for requesting real-time responsiveness, and a data processor using this nonvolatile semiconductor storage device.例文帳に追加

リアルタイムな応答性を要求する割り込み処理を簡便・確実・高速で処理可能な不揮発性半導体記憶装置およびこの不揮発性半導体記憶装置を用いたデータ処理装置を提供すること - 特許庁

Since the semiconductor devices 4 constitute a plurality of channels, the detector modules 5 perform predetermined processing for signals output from the plurality of the channels of the target semiconductor devices 4, respectively.例文帳に追加

半導体素子４は複数のチャンネルを構成することになるため、検出器モジュール５は、それぞれが対象とする半導体素子４の複数のチャンネルから出力される信号に対して所定の処理を施す。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device using gettering technique for improving the yield of the semiconductor device by gettering contaminations generated by Cu etc. introduced during film-thinning processing such as MCP and SIP.例文帳に追加

ＭＣＰやＳＩＰなどでの薄厚加工時に導入されるCu等による汚染をゲッタリングして、半導体デバイスの歩留まりを向上させるためのゲッタリング技術を用いた、半導体デバイスの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a rapid thermal processing apparatus and method ensuring accurate measurement of substrate temperature and high precision heating of a semiconductor substrate even under a low temperature state of a low translucence semiconductor substrate.例文帳に追加

遮光性の低い半導体基板の温度が低い状態においても正確な基板温度の測定及び半導体基板に対する高い精度の加熱を可能にする急速熱処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which processing tolerance between gate electrodes of different polarity is small and damage on a gate insulating film or a semiconductor substrate is minimized.例文帳に追加

異なる極性のゲート電極における、ゲート電極間の加工寸法差が小さく、かつ、ゲート絶縁膜や半導体基板に与えるダメージを極力低減させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁