「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain an information processing system, capable of recognizing the holding member position of a device having an information processing function for supplying power to a semiconductor integrated circuit built in a holding member and executing communication with the integrated circuit and executing information processing corresponding to the position.例文帳に追加

保持部材に組み込まれた半導体集積回路に、電力を与えかつ通信を行う情報処理機能を有する装置の保持部材上の位置を認識し、その位置に対応した情報処理を行う情報処理システムを得る。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processing method capable of realizing a stable discharge state under an atmospheric pressure using a simple device, and carrying out processing with a small amount of processing gas in a peeling process in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程における剥離工程において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理用ガスで処理の可能な放電プラズマ処理方法及びその装置を提供。 - 特許庁

This evaluation method is provided with a step for making a semiconductor device 1 irradiated with ions generated from an ion generating means 10, a step for detecting the quantity of secondary electrons or secondary ions generated from the semiconductor device and performing image processing, on the basis of this detected result and a step for evaluating the semiconductor device, based on the image contrast provided by image processing.例文帳に追加

イオン発生手段１０から発生したイオンを半導体装置１に照射するステップと、半導体装置から発生する二次電子または二次イオンの量を検出し、この検出結果に基づいて画像処理するステップと、画像処理によって得られた像のコントラストに基づいて半導体装置を評価するステップと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The system for fabricating an electronic device comprises a processing chamber employing a fluorine based gas for removing an insulating film between interconnect line layers and oxides on the contact surface of a semiconductor, a conveyor for conveying the semiconductor in order to remove fluorine remaining on the contact surface after the insulating film is removed, equipment for heat treating the semiconductor, and a system performing hydrogen based plasma processing of the semiconductor.例文帳に追加

半導体のコンタクト表面の配線層間絶縁膜と酸化物を除去するためのフッ素系ガスを用いた処理チャンバと、絶縁膜を除去した後、コンタクト表面に残留するフッ素を除去するために前記半導体を搬送する搬送装置と、前記半導体を加熱処理するための加熱処理装置と、前記半導体を水素系のプラズマ処理をするためのプラズマ処理装置を用いる。 - 特許庁

The method for processing the semiconductor wafer is characterized by including the step of bonding a support wafer with a double-faced adhesive sheet on the surface of the semiconductor wafer having a pattern formed thereon, and the step of thinning the back of the semiconductor wafer while the support wafer is fixed.例文帳に追加

パターンが形成された半導体ウエハ表面に、両面粘着シートで支持ウエハを貼付ける工程と、前記支持ウエハを固定した状態の半導体ウエハの裏面に薄型加工を施す工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの加工方法。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device which bonds the conductor posts of stacked semiconductor chips rigidly with high dimensional precision to exhibit excellent conductivity even in processing at a low temperature, and to provide an electronic apparatus with such a semiconductor device.例文帳に追加

積層された各半導体チップが備える導体ポスト同士の接合が、低温下の処理でも、導電性に優れ、かつ、高い寸法精度で強固に行われている信頼性の高い半導体装置、かかる半導体装置を備える電子機器を提供すること。 - 特許庁

The multi-chip module comprises a first semiconductor chip on which a digital signal processing circuit is mounted; a second semiconductor chip constituting a dynamic random access memory; a third semiconductor chip constituting a nonvolatile memory; and a mounting substrate, all assembled into a stacked structure.例文帳に追加

デジタル信号処理回路が搭載された第１半導体チップと、ダイナミック型ランダム・アクセス・メモリを構成する第２半導体チップと、不揮発性メモリを構成する第３半導体チップと、搭載基板とを積層構造に組み立ててマルチチップモジュールを構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor processing device comprising a sucking device wherein a semiconductor substrate can be pre-heated to a high temperature, with a sucking device excellent in response in temperature control, for an excellent process with a semiconductor substrate.例文帳に追加

吸着装置を用いた半導体処理装置において、半導体基板を高温に予備加熱することが可能であり，温度制御の応答性の良い吸着装置を備え，半導体基板に優れた処理を行うことを可能とする半導体処理装置を提供する。 - 特許庁

This method comprises a first process where three semiconductor substrates 1 or less are introduced into a processing chamber 3, a second process where the semiconductor substrates 1 are heated up to a prescribed temperature, and a third process where a natural oxide film formed on the surface of the semiconductor substrate 1 is completely removed in a hydrogen atmosphere.例文帳に追加

３枚以下の半導体基板１を処理室３に設置する工程と、半導体基板１を所定の温度に加熱する工程と、所定の温度の水素雰囲気中で半導体基板１の表面の自然酸化膜を除去する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of preventing a process liquid from flowing around the surface of a substrate to be processed and of easily maintaining the product quality of the substrate, and to provide a highly reliable semiconductor substrate, a semiconductor component, and a semiconductor device.例文帳に追加

処理液の基板の非処理面への回り込みを防止することができ、基板の製造品質維持を容易にすることができる基板処置装置を提供すること、信頼性の高い半導体基板、半導体部品および半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

In the surface processing treatment of the GaN-based semiconductor substrate, mechanical polishing for the surface of the GaN-based semiconductor substrate is performed (cutting step, wrapping step), and then chemical gas phase etching for the surface of the GaN-based semiconductor substrate is performed (CVE step).例文帳に追加

ＧａＮ系半導体基板の表面加工処理において、ＧａＮ系半導体基板の表面に対して機械的研磨を行い（研削工程、ラッピング工程）、その後、ＧａＮ系半導体基板表面に対して化学的気相エッチングを行う（ＣＶＥ工程）。 - 特許庁

To solve the problem on a photoresist coater and a method for processing a semiconductor substrate employing it that the surface of the semiconductor substrate is exposed by stripping liquid and roughened when photoresist is stripped because the semiconductor substrate is coated directly with photoresist.例文帳に追加

フォトレジスト塗布装置およびそれを用いた半導体基板の処理方法においては、半導体基板上に直接フォトレジストを塗布するため、フォトレジストを剥離する際に、剥離液によって半導体基板の表面がむき出しになり荒らされるといった問題を有する。 - 特許庁

To provide a temperature measuring tool which can convey a semiconductor wafer by an automatic conveyer in the same manner as an ordinary semiconductor wafer and can easily and precisely measure temperature during processing of a semiconductor wafer, to provide a method of measuring temperature for a semiconductor manufacturing apparatus using the temperature measuring tool, and to provide a semiconductor manufacturing apparatus which measures temperature by using the temperature measuring tool.例文帳に追加

通常の半導体ウェハと同様に自動搬送装置により搬送することができて、半導体ウェハ処理時における温度を容易に且つ精密に測定できる半導体製造装置用温度測定具、その温度測定具を用いた半導体製造装置の温度測定方法、及びその温度測定具を用いて温度を測定する半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

The method for processing a semiconductor substrate includes a first processing step for polishing the metal layer on a barrier layer, a second processing step for oxidizing the metal layer left on the insulating layer by supplying an oxidizing processing liquid after the first processing step, and a third processing step for polishing the oxidized metal layer with a chemical/mechanical water system dispersing element after the second processing step.例文帳に追加

本発明の半導体基板の処理方法は、バリア層上の金属層を研磨する第１の処理工程と、前記第１の処理工程後において、前記絶縁層の上に残留する金属層を、酸化性の処理液を供給することにより酸化させる第２の処理工程と、前記第２の処理工程後において、酸化処理された金属層を、化学機械研磨用水系分散体を用いて研磨する第３の処理工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a processing method using a liquid which prevents undissolved components contained in a process liquid from adhering to a substrate such as semiconductor wafer to be processed and reduces the residual liquid of the process liquid in processing the substrate, etc., with the liquid.例文帳に追加

半導体ウエハ等の基板を液処理する際に、基板上への処理液に含まれる不溶解物のウエハへの付着を防止しつつ、処理液の残渣を低減する液処理方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor substrate processing apparatus includes a processing chamber 101, a transfer chamber 104, a cooling chamber 107, a load lock chamber 109, an unload lock chamber 110, a transfer machine 113, and a load port section 114.例文帳に追加

半導体基板処理装置は、処理室１０１、搬送室１０４、クーリング室１０７、ロードロック室１０９、アンロードロック室１１０、移載機１１３、ロードポート部１１４を備えて構成される。 - 特許庁

To provide a ceramic heater composed by enhancing heat equalization capability of a processing object holding surface of the ceramic heater having a surface for holding a processing object; and to provide a semiconductor or liquid crystal manufacturing device composed by mounting it.例文帳に追加

被処理物を保持する面を有するセラミックスヒータの被処理物保持面の均熱性を高めたセラミックスヒータおよびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor sensor chip 1 is mounted in the IC tip 2 for the signal processing in form, where the main surface in which the padding 15 is formed, is made to counter the main surface of the IC tip 2 for the signal processing.例文帳に追加

半導体センサチップ１がパッド１５の形成された主表面を信号処理用ＩＣチップ２の主表面に対向させた形で信号処理用ＩＣチップ２に実装されている。 - 特許庁

To provide a method of processing while monitoring the state of deposits on an inner wall of a processing chamber, the inside of plasma, or the like in real time and managing at all times in order to manufacture a semiconductor device stably and efficiently.例文帳に追加

半導体装置の製造を安定して効率よく行うため、処理室内壁の堆積物の状態やプラズマ内部をリアルタイムでモニタを行い、常時管理しながら処理する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device that reduces latency in garbage collection executed before non-erasing processing to secure a free space during non-erasing processing.例文帳に追加

消去外処理の実行の際、空き領域を確保するために消去外処理の実行前に実行されるガーベジコレクション処理に伴う待ち時間を削減する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high-pressure processing method and an apparatus which are capable of carrying out a high-pressure process with high efficiency and uniformity when a semiconductor wafer or the like is subjected to high-pressure processing by the use of a critical fluid.例文帳に追加

超臨界流体を用いて半導体ウエハなどの高圧処理を行うに際して、効率が良く、均一性に優れた高圧処理方法および高圧処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing tape capable of improving the peel strength between the wafer processing tape and a wafer ring, and to provide a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

ウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができるウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing tape excelling in productivity of the wafer processing tape, and preventing occurrence of trouble where a double die is generated or a semiconductor chip cannot be picked up in a pickup process.例文帳に追加

ウエハ加工用テープの生産性に優れ、ピックアップ工程におけるダブルダイの発生や半導体チップをピックアップできないという不具合の発生を抑制することが可能なウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its control method in which high speed data processing and a large amount of data processing in which power consumption is suppressed can be selected in one nonvolatile memory.例文帳に追加

１つの不揮発性メモリにおいて、高速なデータ処理と消費電力を抑えた大量のデータ処理とを選択することが可能な半導体装置およびその制御方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain an apparatus and a method for fabricating a semiconductor device in which prealignment is performed before a wafer enters a processing chamber and the wafer is carried into the processing chamber after dust is removed.例文帳に追加

ウェハが処理室に入室する前にプリアライメントを行う半導体装置の製造装置および半導体製造方法において、裏面のゴミを除去してからウェハを処理室に搬送する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method, a substrate processing device, and a substrate processing method of a semiconductor device that can heighten the work function value of a film to be formed higher than the case using a related prior art.例文帳に追加

形成する膜の仕事関数の値を、従来の技術を用いた場合よりも高くすることができる半導体装置の製造方法、基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor material has homogeneous distortion in the processing distortion direction and a direction orthogonal to the processing distortion direction.例文帳に追加

本発明に係る半導体材料は、スライス加工による加工層の加工歪方向と直交するダメージ加工が施され、前記加工歪方向及び前記加工歪方向と直交する方向に均質な歪を有する。 - 特許庁

To realize a bonding pad arrangement method that efficiently performs design processing using an arithmetic processing unit to arrange signal pads and ring pads in a balanced way on a substrate surface of a semiconductor package.例文帳に追加

シグナルパッドおよびリングパッドを半導体パッケージの基板面上において偏りのないように配置する設計処理を演算処理装置により効率的に実行するボンディングパッド配置方法を実現する。 - 特許庁

To provide an image processor including processing for forming three-dimensional display image data in a form that a virtual dress is put on an object, and an image processing method and a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

被写体に対して仮想衣服を装着した態様の３次元の表示画像データを形成する処理を含む画像処理装置、画像処理方法、及び半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device whereby foreign matter can be prevented from being adsorbed on the substrate, by suppressing agitation of foreign matter present in the processing chamber.例文帳に追加

処理室内に発生した異物の攪拌を抑制することにより、基板への異物の吸着を抑制することが可能な基板処理装置、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a gate insulating film 4 is formed on a main face of a semiconductor substrate 1, a line-shaped dummy gate which has a line width smaller than a minimum processing dimension and a pitch which is two times the minimum processing dimension is formed.例文帳に追加

半導体基板１の主面にゲート絶縁膜４を形成した後、ライン幅が最小加工寸法よりも小さく、ピッチが最小加工寸法の２倍のライン状のダミーゲートを形成する。 - 特許庁

This simulation method for a series of semiconductor manufacturing processes having a process (for example, processes 5 and 8) whose processing time is not included in parameters and a process (processes 6 and 9) whose processing is included as one of parameters.例文帳に追加

処理時間をパラメータに含まない工程（たとえば工程５，８）と処理時間をパラメータの１つとして含む工程（工程６，９）とを有する一連の半導体製造工程のシミュレーション方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin semiconductor chip which can keep a thinned wafer in a stable shape in each step during processing when processing the wafer, and which can prevent cracking, chipping, warping, or other problems of the wafer.例文帳に追加

薄化したウエーハの加工にあたり、加工中の各工程で安定した形状に維持し、ウエーハの割れや欠け、反りに等を防止することのできる、薄型半導体チップの製造方法を提供する。 - 特許庁

The digital camera of this invention is provided with a CCD 1, a signal processing circuit 2, an analog conversion circuit 4, an LCD 5, a semiconductor memory 7, an image processing circuit 11, a zoom circuit 12, a confirmation button 10 and a control circuit 8.例文帳に追加

本発明に係るデジタルカメラは、ＣＣＤ１、信号処理回路２、アナログ変換回路４、ＬＣＤ５、半導体メモリ７、画像処理回路11、ズーム回路12、確認ボタン10及び制御回路８を具えている。 - 特許庁

A semiconductor device is constituted in a structure that an electrical wiring circuit is provided on a processing substrate 1 consisting of a metal film, and recessed parts 10 are provided in the surface on the opposite side to the surface of the processing substrate 1 bonded with solder balls 8, for considering the heat dissipation property of the circuit.例文帳に追加

電気的配線回路を施し、かつ放熱性を考慮するために金属からなる加工基板１に、半田ボール８が接着される反対側の面に凹部１０を設ける。 - 特許庁

To provide a wafer processing tape of high bonding performance capable of preventing void and warping that occur at the time when laminating the wafer processing tape in a step of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程におけるウエハ加工用テープを貼合する際に発生するボイドや反りを防止することが可能な接着性能の高いウエハ加工用テープを提供することを目的とする。 - 特許庁

If the coded partial data after first image processing is smaller date, the coded data for the plurality of pages after first image processing is made to be stored in a compressed data storage portion (semiconductor memory device 19).例文帳に追加

符号化された第１の画像処理後の一部データの方が小さいデータであれば、符号化された第１の画像処理後の複数ページデータを圧縮データ記憶部(半導体メモリ装置１９)に記憶させる。 - 特許庁

To provide a highly sensitive and large-area radiation detecting device by connecting a semiconductor converting substrate for converting radiation and a signal processing substrate for processing its signals by a conductive adhesive.例文帳に追加

放射線をする半導体変換基板とその信号を処理する信号処理基板とを導電性接着剤で接続することによって、高感度で大面積の放射線検出装置を提供する。 - 特許庁

This sensor has probes 2 formed of a multiplicity of acicular protrusions and a signal processing circuit 3 for processing electric signals input from the probes 2, the probes 2 and the circuit 3 being formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

本発明のセンサは、半導体基板１上に、多数の針状突起からなるプローブ２と、各プローブ２から入力された電気信号を処理する信号処理回路３とが形成されたものである。 - 特許庁

A switch which switches supply/interruption of clocks is provided for each of the plurality of protocol processing circuits as the interface control semiconductor integrated circuit having the plurality of protocol processing circuits.例文帳に追加

複数のプロトコル処理回路を有するインタフェース制御半導体集積回路として、前記複数のプロトコル処理回路のそれぞれについて、クロックの供給／遮断の切り替えを行うスイッチを設ける。 - 特許庁

When manufacturing the TFT substrate 1, as processing for reducing the resistance of the auxiliary capacitor semiconductor layer 17, plasma processing is performed after forming a passivation layer 20 and before forming a pixel electrode 21.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１を製造するときには、補助容量半導体層１７を低抵抗化する処理として、パシベーション層２０を形成した後で絵素電極２１を形成する前にプラズマ処理を行う。 - 特許庁

To provide a silver halide photographic sensitive material for plate making using a laser and a semiconductor as light sources nearly free from residual color in rapid processing using an automatic processing machine.例文帳に追加

本発明の目的は、自動現像機を用いた迅速処理において、残色性がほとんど無いレーザー及び半導体を光源に用いる製版用ハロゲン化銀写真感光材料を提供する事である。 - 特許庁

The semiconductor heater covers at least the processing object mounting surface of a ceramic heater to which the processing object is mounted with a covering material having the a conductivity of 200 W/mK or higher.例文帳に追加

本発明の半導体加熱装置は、被処理物を搭載するセラミックスヒータの少なくとも被処理物搭載面に、熱伝導率２００Ｗ／ｍＫ以上の被覆材料を被覆したことを特徴とする。 - 特許庁

In the mounting method for a bare chip, after applying a noncontact cleaning treatment to a semiconductor substrate surface 43 of a bare chip 42 surface-mounted on a board 40, continuously to the noncontact cleaning processing, at least the semiconductor substrate surface 43 of the bare chip 42 is subjected to a resin coating processing 46.例文帳に追加

本発明のベアチップ実装方法においては、基板４０に表面実装されたベアチップ４２の半導体基板面４３に非接触洗浄処理を施し、非接触洗浄処理に連続して少なくともベアチップ４２の半導体基板面４３に樹脂コーティング処理４６を施す。 - 特許庁

In this sampling vessel 21 for sampling the metal impurity in semiconductor processing gas, a sample gas introducing tube 24 and a gas discharging tube 25 are arranged in the positions, in which they are not brought into contact with recovery liquid 22, in a sealed vessel 23 storing the recovery liquid 22 hydrolyzing the semiconductor processing gas.例文帳に追加

半導体プロセスガス中の金属不純物をサンプリングするためのサンプリング容器２１であって、半導体プロセスガスを加水分解させる回収液２２を収納する密封容器２３の前記回収液２２と接触しない位置に、試料ガス導入管２４と排気管２５とを設置する。 - 特許庁