「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which prevents the damage on a semiconductor element and raises a processing speed even in the case where the thinning or removing support substrate after forming the semiconductor element over the support substrate.例文帳に追加

支持基板上に半導体素子を設けた後に当該支持基板の薄膜化または除去を行う場合であっても、半導体素子の損傷を防ぎ且つ処理速度を向上させた半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which determines the quality of data transfer between the semiconductor memory and a host device to which the memory is connected and improves the reliability of read write data, and to provide an information processing system, including the semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリとこれが接続されるホストデバイスとの間でデータ転送の良否を判定して読み出し／書き込みデータの信頼性向上を図るようにした半導体メモリ及び、その様な半導体メモリを含む情報処理システムを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device that perform stage processing while conveying a semiconductor device to make a conveying mechanism small-sized and lightweight, are adaptive to miniaturization of the semiconductor device, and has high operation efficiency and productivity.例文帳に追加

半導体素子を搬送しながら工程処理を行い、搬送機構の小型化、軽量化が図れ、半導体素子の微小化にも対応可能で、作業効率、生産性が高い半導体素子製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor chip, the film 1 for processing which has a width larger than the diameter of the semiconductor wafer 10 and whose base film 2 has a thickness of 50 to 120 μm is stuck on a circuit surface 10a of the semiconductor wafer 10.例文帳に追加

この半導体チップの製造方法では、半導体ウェハ１０の直径よりも大きい幅を有し、かつ基材フィルム２の厚みが５０μｍ〜１２０μｍである加工用フィルム１を半導体ウェハ１０の回路面１０ａに貼り付ける。 - 特許庁

To ensure a high carrier mobility in perpendicular directions by forming a wide area single crystal region in a shorter processing time upon forming a crystalline semiconductor thin film by irradiating a semiconductor thin film with a laser beam and melting and solidifying the semiconductor thin film.例文帳に追加

半導体薄膜にレーザービームを照射し、溶融固化させて結晶性半導体薄膜を形成する際に、短い処理時間により広い面積の単結晶領域を形成し、互いに直交する方向において共に高いキャリア移動度を得る。 - 特許庁

Mechanical processing of a surface of a first electrode provided to a semiconductor element is performed to provide a microcrystal first layer having a smaller particle diameter than that before the mechanical processing, and mechanical processing of a surface of a second electrode provided to a mounting member for mounting the semiconductor element is performed to provide a microcrystal second layer having a smaller particle diameter than that before the mechanical processing (step S1).例文帳に追加

半導体素子に設けられた第１の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第１の層を設け、前記半導体素子が搭載される搭載部材に設けられた第２の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第２の層を設ける（ステップＳ１）。 - 特許庁

A heat-processing tool 9 includes: a heat-processing tool in which a cristobalitized oxide film is formed in an area where a semiconductor silicon substrate is in contact held, or the heat-processing tool 9a; and a masking shield 9b that has a larger diameter than the heat-processing tool and is used to control the adhesion of particles generated by the cristobalitized oxide layer to the semiconductor silicon substrate.例文帳に追加

半導体シリコン基板を接触保持する領域にクリストバライト化させた酸化膜が形成されている熱処理治具、または、この熱処理治具９ａと、前記クリストバライト化させた酸化膜に起因して発生するパーティクルの半導体シリコン基板への付着を抑制するための、前記熱処理治具よりも径が大きい遮蔽板９ｂとで構成される熱処理治具９。 - 特許庁

To provide an inspecting method of a semiconductor substrate which can sense efficiently mechanical damages which may be generated on the back-ground surface of the semiconductor substrate (its rear surface, i.e., its surface having no electronic circuit) by back-grinding processing to the rear surface of the semiconductor substrate whereon semiconductor elements are formed, in forming the semiconductor elements by using a largely scaled semiconductor substrate.例文帳に追加

大判化された半導体基板を用いての半導体素子の形成工程に於いて、半導体素子が形成された半導体基板の裏面に対する研削（バックグラインド）処理によって、当該半導体基板の被バックグラインド面（半導体基板の裏面、電子回路の非形成面）に発生する可能性のある機械的損傷を、効率良く検出することができる半導体基板の検査方法の提供。 - 特許庁

To provide a process-processing technology for a device such as a semiconductor element and an electronic component, capable of assuring an extended process-processing time at a low cost, with no additional mechanism, being excellent in transportation efficiency and process efficiency of a device such as a semiconductor element and an electronic component.例文帳に追加

追加機構がなく低コストで、工程処理時間を長く確保することができるとともに、半導体素子や電子部品等のデバイスの搬送効率及び処理効率に優れた半導体素子や電子部品等のデバイスの工程処理技術を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light receiving device is provided with a light receiving part (region PD) where a photodiode is formed and a non-light receiving part (region T) where a bipolar transistor constituting a signal processing circuit for processing an output signal of the photodiode is formed on the same semiconductor layer.例文帳に追加

半導体受光装置は、フォトダイオードが形成される受光部（領域ＰＤ）と、このフォトダイオードの出力信号を処理する信号処理回路を構成するバイポーラトランジスタが形成される非受光部（領域Ｔ）とを同一半導体層上に備える。 - 特許庁

To provide a protection sheet for semiconductor wafer processing which has basic performance as a semiconductor wafer processing protection sheet such as a back grind sheet and further has heat resistance which resists heating process, and also can restrain warp of a wafer in cooling after heating process.例文帳に追加

バックグラインドシート等の半導体ウエハ加工用保護シートとしての基本性能を有し、しかも加熱工程に耐えうる耐熱性を有し、加熱工程後の冷却時におけるウエハの反りも抑えられる半導体ウエハ加工用保護シートを提供すること。 - 特許庁

To provide a precise and inexpensive piezoelectric device having structure capable of performing high temperature processing necessary and sufficient for anneal processing regardless of the problem of the thermal resistance of a semiconductor integrated circuit in a piezoelectric device where the semiconductor integrated circuit and a piezoelectric oscillator are incorporated in a package.例文帳に追加

半導体集積回路と圧電振動子とをパッケージに内蔵した圧電デバイスにおいて、半導体集積回路の耐熱性の問題に拘わることなくアニール処理に必要充分な高温処理が行える構造で、高精度で安価な圧電デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for image processing and its design method that can quickly cope with a sudden specification change and addition through the elimination of defects of a conventional image processing use semiconductor integrated circuit and operate the HDL(Hardware Description Language) as a valid resource in the future.例文帳に追加

従来例の欠点を解消し、急な仕様変更、及び追加に対して迅速に対応すると共に、ＨＤＬ記述を有効な資産として今後に運用可能とする画像処理用半導体集積回路、及びその設計手法の提供。 - 特許庁

To provide a substrate processing method whereby a required number of substrates can be greatly decreased, and a mask member set, a substrate processing apparatus, an element or semiconductor device manufacturing method, and an element or semiconductor device manufacturing condition determining method, when the process conditions are optimized.例文帳に追加

プロセス条件を最適化する際に、基体の所要数量を大幅に軽減可能な基体処理方法、マスク部材セット、基体処理装置、素子又は半導体装置の製造方法、及び、素子又は半導体装置の製造条件決定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor package which can reduce difference in thermal contraction of photosensitive insulation resin on both sides of a metallization layer, significantly reduce warpage on a semiconductor package substrate, and lead to substantial cost reduction by the benefit of bulk processing of both sides, and to provide a substrate for a semiconductor package, a semiconductor package, and an electronic apparatus.例文帳に追加

金属層両面の感光性絶縁樹脂の熱収縮差を軽減し、半導体パッケージ基板の反りを大幅に軽減することを可能とし、両面一括加工のために大幅なコスト削減にも繋がる半導体パッケージの製造方法、半導体パッケージ用基板、半導体パッケージ及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a thermal treatment method of a semiconductor substrate for stably manufacturing the semiconductor substrate in which the in-plane variation of the distribution of a dopant diffused in the semiconductor substrate is suppressed, when the thermal processing is performed to diffuse a diffusate in the semiconductor substrate using a horizontal diffusion furnace.例文帳に追加

横型拡散炉を用いて半導体基板に拡散物質を拡散する熱処理を行う場合に、半導体基板に拡散したドーパントの分布の面内におけるばらつきが抑えられた半導体基板を安定して製造するための半導体基板の熱処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the surface processing method of a semiconductor substrate, after the surface of the semiconductor substrate is subjected to hydrogen termination with hydrofluoric acid solution, the semiconductor substrate is irradiated with light in a solution containing one kind or more of compounds selected from quinhydrone, hydroquinone, semiquinone and quinone thus rendering the surface of a semiconductor substrate inactive.例文帳に追加

半導体基板表面をフッ酸溶液により水素終端した後、キンヒドロン、ヒドロキノン、セミキノン及びキノンから選ばれた１種以上の化合物を含む溶液中で、半導体基板に光を照射することにより、半導体基板表面を不活性化させることを特徴とする半導体基板の表面処理方法である。 - 特許庁

A mixture obtained by mixing aqueous ammonia to the water solution of the organic polymer matter having a carboxyl group is applied to the inclined side face 10 of a semiconductor substrate 1 composed of an n^+-type semiconductor region 7, an n-type semiconductor region 8 and a p-type semiconductor region 9, and baking processing is conducted to form the protection film 6 having negative electric charge.例文帳に追加

ｎ^＋形半導体領域７とｎ形半導体領域８とｐ形半導体領域９とから成る半導体基体１の傾斜側面１０に、カルボキシル基を有する有機高分子物質の水溶液にアンモニア水を混合したものを塗布し、ベ−キング処理して負電荷を有する保護膜６を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element, which can obtain a polycrystalline semiconductor layer of high quality by reducing the fluctuation of the irradiated energy density of a laser beam and making the crystallinity of the polycrystalline semiconductor layer to be uniform at obtaining of the polycrystalline semiconductor layer with an annealing processing through irradiation of the laser beam.例文帳に追加

レーザ光の照射によるアニール処理によって多結晶半導体層を得る際に、レーザ光の照射エネルギー密度のばらつきを低減し、多結晶半導体層の結晶性の均一を図ることにより、高品質な多結晶半導体層を得ることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the memory test is executed, in a sequence of paper sheet processing where the test is started beginning in the test board having packed the semiconductor device, and the semiconductor device is paid out beginning in the test board whose test is finished.例文帳に追加

この場合、半導体装置を詰め終わったテストボードからテストスタート、テスト終了したテストボードから半導体装置を払い出すという枚葉処理のシーケンスによってメモリテストが実行される。 - 特許庁

The semiconductor sensor comprises a semiconductor sensor chip 1, which detects acceleration which is the dynamic physical quantity, an IC tip 2 for signal processing of a rectangular plate having a temperature compensation circuit, and a rectangular plate-like package tip 3.例文帳に追加

力学的物理量である加速度を検出する半導体センサチップ１と、温度補償回路を備え矩形板状の信号処理用ＩＣチップ２と、矩形板状のパッケージチップ３とを備える。 - 特許庁

In the above case, the memory test is carried out through a sheetfed processing sequence, in which the test is started from a test board which finishes mounting a semiconductor device, and a semiconductor device is removed from a test board whose test is finished.例文帳に追加

この場合、半導体装置を詰め終わったテストボードからテストスタート、テスト終了したテストボードから半導体装置を払い出すという枚葉処理のシーケンスによってメモリテストが実行される。 - 特許庁

A semiconductor processing adhesive sheet is stacked on a base material using the film-shaped semiconductor chip adhesive agent 1 in which the hole 30 is formed as an adhesive agent layer, and the adhesive agent layer is stacked on the base material so as to be peeled off therefrom.例文帳に追加

また、半導体加工用接着シートは、孔３０が形成された半導体チップ用フィルム状接着剤１を接着剤層とし、該接着剤層が剥離可能に基材に積層されている。 - 特許庁

To provide a heat-processing tool such that dust produced as a substrate support portion and a semiconductor silicon substrate or a support member come into contact with each other is not stuck on a surface of the semiconductor silicon substrate right below them.例文帳に追加

熱処理治具に関し、基板支持部と半導体シリコン基板又は支持部材との接触によって発生する塵が直下の半導体シリコン基板の表面に付着しないようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with high quality which does not cause large steps in a cutting line after processing, and suppressing damages to the device at processings and at subsequent processes, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

加工後の切断ラインに大きな段差が生じること無く、加工時及び以後の工程で損傷するのが抑制された高品位な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide drive control equipment of a semiconductor laser which outputs a short optical pulse used for laser processing, cutting, physical measurement, optical sampling, or the like, in ease and under an optimal condition from the semiconductor laser.例文帳に追加

レーザ加工、切断、物理計測、光サンプリング等に使用される短光パルスを容易に最適条件で半導体レーザから出力させる半導体レーザの駆動制御装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a wet processing technique in the cleaning and drying process of a semiconductor substrate wafer easy of drain disposal, by suppressing the cohesion of foreign matter or impurities on the main surface of a semiconductor substrate wafer.例文帳に追加

半導体基板ウェハ主面での異物や不純物の凝集を抑制し、排水処理も容易な半導体基板ウェハの洗浄及び乾燥工程におけるウェット処理技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for detecting a minus charged dust adhering onto a semiconductor wafer in semiconductor production equipment comprising a processing chamber, a carrying chamber and a load lock chamber.例文帳に追加

処理室、搬送室およびロードロック室を備えた半導体製造装置において半導体ウエハ上に付着するマイナス電荷に帯電した異物を検出することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning method for a semiconductor manufacturing apparatus to reduce the amount of cleaning gas to be used for removing a deposition film deposited on a processing chamber inner wall, a semiconductor manufacturing apparatus, and a management system.例文帳に追加

処理チャンバの内壁に堆積する堆積膜を除去するためのクリーニングガスの使用量を削減する半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置、及び管理システムを提供する。 - 特許庁

In the meter system 1, ZPD processing, and on/off switching control of both of the flasher semiconductor switch 52 and the buzzer semiconductor switch 54 are executed by the same control unit 60.例文帳に追加

メータシステム１では、同一の制御ユニット６０によって、ＺＰＤ処理とフラッシャ半導体スイッチ５２及びブザー半導体スイッチ５４の双方のオンオフ切替制御とが実行される構成とする。 - 特許庁

Then the preheated semiconductor wafer W is irradiated with flash light and a surface temperature of the semiconductor wafer W momentarily rises up to a processing temperature to activate the impurity.例文帳に追加

次に、予備加熱された半導体ウェハーＷにフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーＷの表面温度が瞬間的に処理温度にまで昇温して不純物の活性化が行われる。 - 特許庁

To provide a method of processing a semiconductor substrate, capable of efficiently preventing generation of watermarks and adhesion of foreign substances, when removing an oxide film formed on the semiconductor substrate by a treatment which uses hydrofluoric acid.例文帳に追加

弗酸処理によって半導体基板上に形成された酸化膜を除去する際に、ウォーターマークの発生や異物の付着を効果的に防止しうる半導体基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

The system 1 for inspecting the pattern of a semiconductor substrate 9 comprises an optical head section 11 for acquiring the two-dimensional image of the pattern of the semiconductor substrate 9, and a computer 13 performing processing.例文帳に追加

半導体の基板９のパターンを検査する検査装置１において、基板９のパターンの２次元画像を取得する光学ヘッド部１１、および、演算処理を行うコンピュータ１３を設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which limits charging caused by plasma processing with a protection circuit and achieves the separation from a protection circuit having no dependence on an etching process, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

保護回路により、プラズマ処理に伴うチャージングを抑え、かつエッチング工程に依存しない保護回路との切り離しを実現する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an interconnection shielding technology for increasing an anti-noise property of a semiconductor IC including a signal processing circuit which needs a high accuracy, especially, of an analog and digital mixed semiconductor IC.例文帳に追加

高精度が要求される信号処理回路を含む半導体集積回路、特にアナログ・ディジタル混在半導体集積回路の対ノイズ耐性を高める配線シールド技術を提供することにある。 - 特許庁

To provide a processing method for a semiconductor substrate which enables to supply a proper amount of a surfactant uniformly to the surface of the semiconductor substrate and to reduce the total amount for use of the surfactant.例文帳に追加

半導体基板の表面に界面活性剤を均一にかつ適量を供給でき、しかも界面活性剤の使用量の低減が図れる半導体基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chuck assembly of semiconductor device etching facilities wherein a residue from reaction is prevented from remaining in the edge portion of a wafer, processing failure is prevented, and the quality and yield of semiconductor devices can be enhanced.例文帳に追加

ウェハのエッジ部位に反応残余物が残存することを防止し、工程不良を防止し、品質と収率を向上させることができる半導体装置食刻設備のチャック組立体を提供する。 - 特許庁

Lamination processing is carried out under vacuum atmosphere with the semiconductor light emitting element 2 or the like between a first film 8 and a second film 9, and the film 3 is fixed to the semiconductor light emitting element 2.例文帳に追加

この半導体発光素子２等を第１のフィルム８及び第２のフィルム９との間に載置して真空雰囲気下でラミネート加工を行い、被膜３を半導体発光素子２に固着させる。 - 特許庁

Also, since the burying processing is performed, the need of a conventional depression is eliminated and also the need of an adhesive material 7 for mounting the semiconductor component reinforcing member on the semiconductor component is eliminated.例文帳に追加

又、上記埋め込み処理を行うことから、従来のくり抜き穴は不要となり、又、半導体部品に半導体部品補強部材を装着するための接着剤７が必要無くなる。 - 特許庁

To solve the problem that a processing method for, for example, washing a semiconductor wafer is not sufficient since the semiconductor increases in diameter accompanied with an increase in damage to an edge portion, and issues regarding maintenance of washing quality, an increase in size of a washing device and a throughput.例文帳に追加

洗浄等の半導体ウェーハの処理方法は大口径化に従って、エッジ部分のダメージ増加、洗浄品質維持、洗浄装置の巨大化、スループットの点で十分とは言えない。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet used for processing semiconductors having the capability of preventing electrostatic charges from being generated in a semiconductor manufacturing process and semiconductor devices from breaking down and degrading in their properties due to the electrostatic charges.例文帳に追加

半導体製造工程中における帯電の発生を防止し、該帯電による半導体デバイスの破壊および製の劣化を防ぐことのできる半導体加工用粘着シートを提供する - 特許庁

In this case, a memory test is performed through a single board processing sequence, in which the test starts from a test board which is finished mounting semiconductor devices, and a semiconductor device is outputted from a test board whose test is finished.例文帳に追加

この場合、半導体装置を詰め終わったテストボードからテストスタート、テスト終了したテストボードから半導体装置を払い出すという枚葉処理のシーケンスによってメモリテストが実行される。 - 特許庁

To provide a printed circuit board on which a semiconductor element is mounted without performing pattern change nor lead processing when a lead position of the semiconductor element is changed.例文帳に追加

本発明はプリント基板に係り、半導体素子のリード位置の変更があった場合に、パターン変更やリード加工することなく半導体素子を実装可能なプリント基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of processing a semiconductor wafer, capable of reducing chip warpage when dividing the semiconductor wafer in an expansion process and reducing chip recognition defects owing to the chip warpage in a pickup process.例文帳に追加

エキスパンド工程において、半導体ウエハの分断時のチップ反りを低減し、ピックアップ工程でのチップ反りによるチップ認識不良を低減することが可能な半導体ウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁

The same workstation can be applied to the semiconductor wafer of the different batch, but by conducting different processing in the work station, finally the form of semiconductor wafer can be manufactured.例文帳に追加

また、異なるバッチの半導体ウェハーに同じワークステーションを使用することができるが、ワークステーションによって異なる処理を行うことによって、最終的に形式の半導体ウェハーを製造することができる。 - 特許庁