「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

In the manufacturing method, a groove surrounding the semiconductor device is formed by carrying out plasma etching on the surface of the semiconductor substrate by using a plasma processing apparatus 1.例文帳に追加

本発明の製造方法では、プラズマ処理装置１を用いて前記半導体基板の表面をプラズマエッチングすることによって前記半導体素子を取り囲む溝を形成する。 - 特許庁

To control the driving temperature of a semiconductor laser element and the driving temperature of an element that performs predetermined processing for laser light emitted from the semiconductor laser element so that they are in an appropriate temperature range.例文帳に追加

半導体レーザ素子の駆動温度と半導体レーザ素子から出射されたレーザ光に対し所定の処理を施す素子の駆動温度とを適切な温度範囲内に制御すること。 - 特許庁

To propose a device for processing a semiconductor substrate, effectively preventing peeled materials (for example, a resist and metal film) or the like released from a semiconductor substrate from adhering to a surrounding scattering preventing cover.例文帳に追加

半導体基板からの剥離物（例えば、レジストや金属膜）等が周囲の飛散防止カバーに付着するのを効果的に防止する半導体基板の処理装置を提案する。 - 特許庁

To solve the problem in the conventional method that it is difficult to control the crystal orientation of a crystalline semiconductor film, forming by subjecting an amorphous semiconductor film formed on an underlying film which is a known crystallization processing.例文帳に追加

下地膜上に非晶質半導体膜を形成し、公知の結晶化の処理をして形成した結晶性半導体膜の結晶配向性を制御することは難しい。 - 特許庁

An etching plastic is injected into a processing chamber in which the semiconductor wafer is accommodated, and a self-supporting type nano-structure part is exposed on the semiconductor wafer by etching the patterned layer.例文帳に追加

上記半導体ウェハーを収容した処理チャンバーに、エッチング化成品を注入し、パターン化された層をエッチングして、自立型ナノ構造部を半導体ウェハー上に露出させる。 - 特許庁

To provide a treating method which is capable of controlling accurately the growth of a nitride semiconductor layer and improves the light emission characteristics of a light emission device obtained by processing a nitride semiconductor in a short time.例文帳に追加

窒化物半導体層の成長を正確に制御でき、かつ短時間で、窒化物半導体を加工してなる発光デバイスの発光特性を向上させる処理方法を提供する。 - 特許庁

To form a silicon dioxide film of high quality on a surface of a semiconductor in a short time through processing wherein the semiconductor is brought into contact with vapor and/or a solution of nitric acid of high concentration.例文帳に追加

半導体を高濃度の硝酸の蒸気および／または溶液に接触させる処理で、短時間に、前記半導体表面に高品質の二酸化シリコン膜の生成を実現する。 - 特許庁

Thus, it is possible to form a stable oxide film on a semiconductor made of a material which had difficulty in oxidation, while also restricting damage to the semiconductor material, as well as to perform stable etching after oxidation processing.例文帳に追加

半導体材料のダメージを抑えつつ、酸化が困難であった素材の半導体に安定した酸化膜を形成でき、酸化処理後に安定したエッチングを行うこともできる。 - 特許庁

A heater 3 adjusts the temperature of the sidewall 1 while the semiconductor substrate installed in the processing chamber 10 reaches a target temperature based on the acquired temperature of the semiconductor substrate.例文帳に追加

そして、取得された半導体基板の温度に基づいて、処理室１０内に設置された半導体基板が目標温度となる状態に、側壁１の温度がヒータ３により調整される。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor chip by preventing deterioration of mounting accuracy caused by sticking of dust or the like, during mounting in processing of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの加工工程において、マウンティング時にゴミなどの付着によりマウント精度が悪化することがなくなり、信頼性の高い半導体チップを提供することができる。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and a semiconductor device manufacturing method, which can form a high quality film with less defect of a semiconductor device at high productivity and inhibit decrease in yield.例文帳に追加

生産性よく、半導体装置の不良の少ない高品質な膜を形成でき、歩留りの低下を防止できる基板処理装置及び半導体製造装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the semiconductor sensor module 10 has the control IC as an electronic component for processing the output signal of the semiconductor sensor element 25 and an upper-layer substrate 12 on which an electronic element 14 is mounted.例文帳に追加

半導体センサ素子２５の出力信号処理用の電子部品である制御ＩＣや、電止素子１４が実装された上層基板１２と、半導体センサモジュール１０を有する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element for obtaining a p-type nitride semiconductor layer with low resistance having holes at concentrations of ≥10^18/cm^3 without the need for annealing and substrate processing.例文帳に追加

窒化物半導体素子において、アニーリングや基板の加工を必要としないで、ホール濃度が１０^１８ｃｍ^-3以上ある低抵抗のｐ型窒化物半導体層を可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and a manufacturing method of a semiconductor device capable of detecting insulation breakdown of a substrate support even during a film forming processing and forming a film with high reliability.例文帳に追加

成膜処理中にも基板支持部の絶縁破壊を検知することができ、高信頼性の成膜が可能な半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data processor which has a structure to share a semiconductor storage circuit of a DDR-SDRAM or the like with a plurality of data processing circuits and is capable of preventing malfunction of the semiconductor storage circuit.例文帳に追加

ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭ等の半導体記憶回路を複数のデータ処理回路で共有する構造で、半導体記憶回路の誤動作を防止できるデータ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide methods of processing and displaying data of a semiconductor test device with which a region with good wafer evaluation and a region with poor evaluation can be known, and to provide the semiconductor test device.例文帳に追加

ウェハの評価の良い部分の領域や悪い部分の領域が分かる半導体検査装置のデータ処理方法とデータ表示方法と半導体検査装置を提供する。 - 特許庁

The method of forming the semiconductor structure includes the steps of generating the nanostructure, by using a nano mask and performing an additional semiconductor processing step by using the nanostructure thus generated.例文帳に追加

半導体構造を形成する方法は、ナノマスクを用いてナノ構造を生じさせ、生じさせられたナノ構造を用いて付加的な半導体加工ステップを行うことを含む。 - 特許庁

To provide a method for efficiently manufacturing a semiconductor element, based on a thin-plate type semiconductor wafer accompanying plating process, by averting breakage of the thin-plate type wafer at plating processing.例文帳に追加

メッキ処理時における薄板型ウェハの破損を回避し、メッキ処理を伴う薄板型半導体ウェハをベースとする半導体素子を効率よく製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer, its processing method and a method of manufacturing a semiconductor device wherein the yield of a chip formed on the outermost region of chip regions can be enhanced.例文帳に追加

チップ領域の最外領域で形成される、チップの歩留まりを高くすることができる、半導体ウエハおよびその処理方法ならびに半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method capable of easily forming a desired circuit by print processing in a wafer state after a wafer test and a semiconductor device.例文帳に追加

ウェーハテスト後のウェーハ状態において所望の回路を印刷処理により容易に形成することが可能な半導体製造方法および半導体装置を提供することを課題する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of manufacturing a capacitor used in the semiconductor device with efficiency and a small occupied area, and to provide a substrate processing apparatus.例文帳に追加

半導体装置に用いられるキャパシタを効率よく、しかも少ない占有床面積で行うことができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To appropriately manage a processor required for every semiconductor wafer and to prevent dispersion of a characteristic, when the semiconductor wafer is processed by parallel processing by means of plural processors (aligners).例文帳に追加

複数の処理装置（露光装置）による並行処理によって半導体ウェーハを処理する場合に、各半導体ウェーハ毎に必要な処理装置を適正に管理し、特性のバラツキを防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing process control system in which the recipe for controlling the processing of a semiconductor production apparatus can be calculated efficiently, even immediately after the semiconductor manufacturing apparatus has been overhauled.例文帳に追加

半導体製造装置がオーバーホールをした直後でも、半導体製造装置の処理を制御するレシピを効率的に算出することのできる製造プロセス制御システムを提供する。 - 特許庁

To provide a processing machine which can remove a low dielectric constant insulator laminated on the surface of a semiconductor wafer along a street without deteriorating a semiconductor circuit.例文帳に追加

半導体ウエーハの表面に積層されている低誘電率絶縁体を、半導体回路を劣化せしめることなく、ストリートに沿って除去することができる加工機を提供する。 - 特許庁

PLASMA PROCESSING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY THE SAME, AND ACTIVE MATRIX SUBSTRATE CONSTITUTED BY THE SEMICONDUCTOR DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE ACTIVE MATRIX SUBSTRATE例文帳に追加

プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置を用いて製造した半導体装置、並びに半導体装置で構成したアクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示素子 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device capable of uniformly and flexibly processing encryption without depending on the confidentiality of data to be written in a memory of the semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

半導体集積回路装置内のメモリに書き込まれるデータの機密性に依存することなく、一様にかつ柔軟な暗号化処理が可能な半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

Since the semiconductor layer 7 can be formed after the second and third electrodes 5 and 6 are formed, the semiconductor layer 7 is not damaged by the heat etc., generated at the time of processing the electrodes.例文帳に追加

半導体層７は、第２および第３の電極５，６を形成した後に成膜できるので、電極の加工の際に生じる熱などで半導体層７がダメージを受けることが無い。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element capable of easily processing a shape having varying etching depths in the same plane while suppressing detachment of group V atoms, from a semiconductor.例文帳に追加

半導体からのＶ族原子の脱離を抑制しつつ同一面内でエッチング深さが異なる形状を簡易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing system for recovering chemical energy while processing the combustible gas exhausted in a manufacturing process of a semiconductor.例文帳に追加

この発明は半導体の製造過程で排出される可燃性ガスの処理においてガスの処理を行ないながら、その化学エネルギーを回収する半導体製造システムに関するものである。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which hydrogen can be supplied sufficiently to the interface of the gate insulating film and the semiconductor substrate of a transistor, without having to elevate the processing temperature.例文帳に追加

処理温度を高温にしなくてもトランジスタのゲート絶縁膜と半導体基板の界面に水素を十分に供給することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By these processing, the breakage occurring around the outer edge of the semiconductor element 2 is prevented in the semiconductor device 1 in the mounted condition and the reliability after the mounting can be ensured.例文帳に追加

これにより、半導体装置１の実装状態において半導体素子２の外縁部近傍に発生する破損を防止して、実装後の信頼性を確保することができる。 - 特許庁

To provide a power consumption analysis program for easily analyzing the power consumption of a semiconductor circuit by calculating an operation rate of the wiring of the semiconductor circuit by simple processing.例文帳に追加

半導体回路の配線の動作率を簡易な処理により算出することにより半導体回路の消費電力を容易に算出する消費電力解析プログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of designing semiconductor integrated circuit device by which clock skew adjustment can be performed easily, without having to rely upon the circuit scale or the chip size of a semiconductor integrated circuit device and a clock skew adjusting method by which high-speed processing can be realized by using an automatic tool.例文帳に追加

回路規模やチップサイズに依存することなく容易にクロックスキュー調整を行うことの可能な半導体集積回路装置の設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive film for processing a semiconductor, along with its manufacturing method, capable of suppressing degradation of a cutter knife at cutting out after pasting of a semiconductor wafer with neither burr formation nor chip occurrence, relating to the adhesive film for processing a semiconductor wafer in which a bump electrode is so formed as to protrude from a main surface.例文帳に追加

突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムであって、半導体ウェハ貼り合せ後の切り出しにおいてカッターナイフの劣化を抑制するとともに、バリの形成や切削屑等の発生させない半導体加工用接着フィルムおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 100 includes at least: a plasma processing chamber 101 for executing plasma processing to a semiconductor wafer W; a mounting base 102 for arranging the semiconductor wafer W in the plasma processing chamber 101; and a microwave generator 108 for generating plasma in the plasma processing chamber 101, wherein a device capable of intermittently supplying energy is used for the microwave generator 108.例文帳に追加

半導体ウエハＷにプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室１０１と，半導体ウエハＷを，プラズマ処理室１０１内に配置するための載置台１０２と，該プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させるためのマイクロ波発生装置１０８とを少なくとも含むプラズマ処理装置１００において，マイクロ波発生装置１０８に，断続的なエネルギー供給可能なもの使用している。 - 特許庁

To provide a method of processing a semiconductor substrate so that it may be possible to fulfill acceptability about dopant quantity and dopant position, a method of processing the semiconductor substrate so that an extremely thin oxide film with excellent characteristics and excellent uniformity can be manufactured, and a method of processing the semiconductor substrate so that etching of a reactant of silicon and silicon oxide can be controlled carefully.例文帳に追加

ドーパント量およびドーパント位置に関する許容性を満たすことが可能なように半導体基板を処理する方法、非常に薄い酸化膜を優れた特性および優れた均一性で製造することができるように半導体基板を処理する方法、シリコンおよび酸化シリコンの反応物のエッチングを慎重に制御できるように半導体基板を処理する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device for loading and unloading semiconductor workpieces which accurately locates a semiconductor workpiece in a processing station, avoids the problem of a displacement of a semiconductor workpiece caused by an up and down movement of an injector pin, and loads and unloads a semiconductor workpiece at high-speed, and also to provide a method of loading and unloading semiconductor workpieces using the device.例文帳に追加

半導体ワークピースを処理ステーションに正確に位置決めさせ、イジェクターピンの昇降による半導体ワークピースの位置ずれが生じる問題を回避でき、半導体ワークピースの高速ローディング・アンローディングを実現できる半導体ワークピースのローディング・アンローディング装置、及びその装置を用いた半導体ワークピースローディング・アンローディング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing a semiconductor wafer by which the protection of the surface of a semiconductor wafer and its warpage can be established when the semiconductor wafer is made small in thickness, a protective tape be peeled off without damaging the brittle semiconductor wafer, the breakage or cracking of the semiconductor wafer be suppressed to improve yield, and the yield can be improved as a result.例文帳に追加

半導体ウェーハの薄化処理においては、適正に半導体ウェーハの表面保護と反りを抑制することができるとともに、脆弱な半導体ウェーハへダメージを与えることなく、保護テープを剥離することができ、半導体ウェーハの割れや欠けを抑制して歩留を向上させることができる半導体ウェーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor substrate processing apparatus comprises a lower electrode 1 on which a semiconductor substrate 10 is placed, and in which the upper surface has a smaller area than that of the semiconductor substrate 10; a semiconductor ring 4 disposed to encircle the lower electrode 1; a first support member 3 on which the semiconductor ring 4 is disposed; and a second support member 2 for supporting the first support member 3 via an elastic member 5.例文帳に追加

上面に半導体基板１０が載置され、上面の面積が半導体基板１０の面積よりも小さい下部電極１と、下部電極１を囲むように配置された半導体リング４と、半導体リング４が載置された第1の支持部材３と、弾性部材５を介して第1の支持部材３を支持する第２の支持部材２とを具備する。 - 特許庁

After processing to form a plurality of semiconductor chips on each semiconductor wafer and test each semiconductor chip by a lot constituted of a plurality of semiconductor wafers, common data through each semiconductor wafer within the same lot is stored in one characteristic data file f1, and characteristic data of each semiconductor chip obtained by a test is stored in a semiconductor chip characteristic data file f2 classified by measurement terms of characteristics.例文帳に追加

複数の半導体ウェーハで構成されるロット単位で、各半導体ウェーハそれぞれに複数の半導体チップを形成する処理、及び各半導体チップそれぞれの検査を行い、同じロット内の各半導体ウェーハに共通するデータを１つのロット特性データファイルｆ１に格納し、検査によって得られる各半導体チップの特性データを、特性の測定項目ごとに分けて１つの半導体チップ特性データファイルｆ２に格納する。 - 特許庁

To provide a production method of a gallium nitride-based compound semiconductor capable of forming an unevenness without performing a post-processing such as a dry or wet etching of the gallium nitride-based compound semiconductor after removing a substrate from the gallium nitride-based compound semiconductor and capable of suppressing largely a damage caused by the post-processing for preventing the gallium nitride-based compound semiconductor from being directly processed.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体から基板を除去した後、窒化ガリウム系化合物半導体にドライまたはウェットエッチング等の後加工を施すこと無しに凹凸を形成可能とし、窒化ガリウム系化合物半導体に直接加工をしないために、後加工によるダメージを大幅に抑えることができる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The equipment 1 for producing a semiconductor comprises a vacuum processing chamber 4 or 6, having a mechanism for charging a semiconductor wafer and depositing a film on the semiconductor wafer, a vacuum conveyance chamber 3 for conveying the semiconductor wafer, a means of generating negative ions, and a means of supplying negative ions generated from the ion-generating means to the vacuum processing chamber.例文帳に追加

本発明の半導体製造装置１は、半導体ウェハを帯電させる帯電機構を有し半導体ウェハ上に成膜するための真空処理室４あるいは６、半導体ウェハを搬送するための真空搬送室３、マイナスイオンを発生させるイオン発生手段、イオン発生手段が発生させたマイナスイオンを真空処理室に供給するイオン供給手段を有する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device having a plurality of processing elements provided in one semiconductor chip comprises a latching means 23 provided at the output of each processing element and a means 27 for selecting an input source from upper/lower or left/right processing elements or a zero signal.例文帳に追加

１つの半導体チップに設けられた複数のプロセッシングエレメント２を有する半導体集積回路装置であって、前記各プロセッシングエレメントの出力に設けられたラッチ手段２３と、入力元を上下左右のいずれかのプロセッシングエレメントまたは零信号から選択して出力する選択手段２７とを備えるように構成する。 - 特許庁

In a cleaning processing of the semiconductor substrate formed with the fine patterns on the surface thereof, the semiconductor substrate is held with the pattern surface thereof facing down in a cleaning processing chamber, vapor is supplied into the cleaning processing chamber to cause water drops to be condensated, and foreign substances between the fine patterns are removed.例文帳に追加

表面に微細パターンが形成された半導体基板を洗浄する処理において、洗浄処理チャンバー内で半導体基板のパターン面を下向きにして保持するとともに、洗浄処理チャンバー内に蒸気を供給して半導体基板表面で液滴を結露させて微細パターンの間の異物除去を行う。 - 特許庁

In the semiconductor workpiece processing system including the loadlock chamber, the transfer chamber and one or more processing chambers, the transfer chamber provided with a transfer device is positioned between the loadlock chamber and the processing chamber provided so as to surround the transfer chamber.例文帳に追加

ロードロック室と、移載室と、一つ或いは複数の処理チャンバとを含む半導体ワークピース処理システムにおいて、移載装置を備える移載室が、ロードロック室と移載室を囲んで設けられている処理チャンバとの間に位置する。 - 特許庁