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semiconductor processingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4100件
The semiconductor optical detecting device 1 includes: a p-type semiconductor region 18 that is formed at the side of a surface 3a of a semiconductor substrate 3 and composes a photodiode 28 by a pn junction 26 with the semiconductor substrate 3; and a signal processing circuit section 9 formed at the side of the surface 3a of the semiconductor substrate 3.例文帳に追加
半導体光検出装置1は、半導体基板3の表面3a側に形成されており、半導体基板3とのpn接合26によりフォトダイオード28を構成するp型半導体領域18と、半導体基板3の表面3a側に形成されている信号処理回路部9と、を備えている。 - 特許庁
A cell library pattern constituting a basic configuration of a semiconductor circuit pattern is preliminarily subjected to an OPC processing for a layout of a single cell, and the cell library pattern after the OPC processing is used to produce a semiconductor chip.例文帳に追加
半導体回路パターンの基本構成をなすセルライブラリパターンにあらかじめ、セルが単独で置かれているときのOPC(光近接効果補正)処理を行い、OPC処理されたセルライブラリパターンを用いて半導体チップを作成する。 - 特許庁
To provide a composition and techniques for processing a semiconductor device, more particularly, to provide an antireflective hardmask composition in one aspect of the invention and to provide a method for processing a semiconductor device in another aspect.例文帳に追加
半導体デバイスを加工するための組成物および技術を提供すること、より詳細には、本発明の一態様で反射防止ハードマスク組成物を提供し、本発明の別の態様で半導体デバイスの加工方法を提供する。 - 特許庁
A method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of film forming the low dielectric constant interlayer insulating film having the source of the hole on a semiconductor substrate, and plasma processing to remove the source of the hole from the low dielectric constant interlayer insulating film by the plasma processing.例文帳に追加
半導体基板上に空孔源を有する低誘電率層間絶縁膜を成膜する成膜工程と、プラズマ処理により低誘電率層間絶縁膜中から空孔源を除去するプラズマ処理工程とを有する。 - 特許庁
To provide an antistatic adhesive tape for semiconductor processing, which exhibits an excellent antistatic performance in semiconductor processing, allows little slack of the tape by irradiation, and hardly allows an adhesive to remain on an adherend in pickup.例文帳に追加
半導体加工工程において優れた帯電防止能を発揮し、かつ、放射線照射によるテープの弛みが少なく、かつ、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくい半導体加工用粘着テープを提供する。 - 特許庁
To prevent a semiconductor wafer from damaging by stopping processing before abnormal processing such as breaking of a cutting tool such as a turning tool occurs when tips of bumps on a surface of the semiconductor wafer are ground by the cutting tool to be made uniform in height.例文帳に追加
バイト等の切削工具で半導体ウエーハ表面のバンプの先端を削り取って高さを揃えるにあたり、バイトの折損等による異常加工が起こる前に加工を停止して半導体ウエーハの損傷を未然に防止する。 - 特許庁
To provide a controller with which processing of CPU (Central Processing Unit) required for accessing a nonvolatile semiconductor memory is reduced and the time since inputting a command till end of access to the nonvolatile semiconductor memory can be reduced.例文帳に追加
不揮発性半導体メモリへアクセスするために必要なCPUの処理を軽減し、コマンドが入力されてから不揮発性半導体メモリへのアクセスが終了するまでの時間を短縮することができるコントローラを提供する。 - 特許庁
In a heating step for heating a semiconductor substrate arranged in the processing chamber 10, an emissivity meter 8 measures emissivity of a sidewall inner face 1s dissipating heat to the semiconductor substrate disposed in the processing chamber 10.例文帳に追加
処理室10内に設置された半導体基板を加熱する加熱工程において、まず、処理室10内に設置された半導体基板に対して熱を放射する側壁内面1sの放射率が放射率計8により計測される。 - 特許庁
Further, the semiconductor apparatus includes the programmable device (3), capable of being changed in logic function by many logic elements according to definition data that a rewritable storage circuit holds, as at least one semiconductor device, a memory device (7) as another semiconductor device, and a processing device (4), having a central processing unit, further as another semiconductor device.例文帳に追加
また、少なくとも一つの半導体デバイスとして、書き換え可能な記憶回路が保持する定義データに従って多数のロジックエレメントによる論理機能が可変とされるプログラマブルデバイス(3)を備え、その他の一つの半導体デバイスとしてメモリデバイス(7)を備え、その他の別の一つの半導体デバイスとして中央処理装置を有するプロセッシングデバイス(4)を備える。 - 特許庁
Based on a crystal number stored in a storage medium, a block ID given to a crystal block, and a wafer ID given to each semiconductor wafer, it is easy to trace which route a particular semiconductor wafer passes in respective processing processes and how the semiconductor wafer is processed in the respective processing processes on a one by one basis of semiconductor wafer.例文帳に追加
記憶媒体に記憶された結晶番号、結晶ブロックに付与されたブロックIDおよび1枚毎の半導体ウェーハに付与されたウェーハIDに基づき、特定の半導体ウェーハが各加工工程をどのような経路を経て、各加工工程でどのように処理されたかをウェーハ1枚毎に簡単に追跡することができる。 - 特許庁
The processing apparatus for partially cleaning the semiconductor wafer includes: a turntable 2 holding the semiconductor wafer; a nanobubble generator 17 which supplies processing liquid with mixed nanobubbles at least to a part to be cleaned of the semiconductor wafer held by the turntable; and an electron gun 12 which breaks nanobubbles contained in the processing liquid by irradiating the part to be cleaned of the semiconductor wafer with an electron beam.例文帳に追加
半導体ウエハを部分的に洗浄処理する処理装置であって、 半導体ウエハを保持する回転テーブル2と、回転テーブルによって保持された半導体ウエハの少なくとも洗浄処理される部分にナノバブルが混入された処理液を供給するナノバブル発生器17と、半導体ウエハの洗浄処理される部分に電子ビームを照射して処理液に含まれるナノバブルを圧壊させる電子銃12を具備する。 - 特許庁
This substrate processing device is provided with a recipe setting part having a recipe setting screen for setting a processing condition in a processing recipe of a semiconductor wafer and the direction of the semiconductor wafer by relating them to each other; the direction of the semiconductor wafer is set on the recipe setting screen; and the direction of the semiconductor wafer is aligned to be set in the direction set on the recipe setting screen in a positioning module.例文帳に追加
基板処理装置は、半導体ウエハの処理レシピにおける処理条件と半導体ウエハの向きとを対応付けて設定するためのレシピ設定画面を備えたレシピ設定部を設けており、このレシピ設定画面上にて半導体ウエハの向きを設定し、位置合わせモジュールにおいて前記レシピ設定画面上で設定した向きになるように半導体ウエハの向きを合わせている。 - 特許庁
To provide a masking structure for laser light, a laser processing method, a TFT element, and a laser processing apparatus, which provides a high-performance semiconductor device by uniforming crystal orientation.例文帳に追加
結晶方位の均一化により、高性能な半導体デバイスが実現されるレーザ光のマスク構造、レーザ加工方法、TFT素子およびレーザ加工装置、を提供する。 - 特許庁
To provide a substrate processing apparatus capable of notifying a transition state of a recipe, a substrate processing method, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of displaying recipe transition.例文帳に追加
レシピの遷移状況を確実に知らせることができる基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法及びレシピ遷移表示方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of processing a semiconductor wafer by which no adhesive agent paste remains in a device region even in the case that a heat treatment is performed at an additional processing step.例文帳に追加
追加加工ステップで熱処理を実施してもデバイス領域に接着剤の糊が残存することのない半導体ウエーハの加工方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for cleaning a wafer suited to pre-processing or post-processing for micro machining semiconductor device, using a single-tank wafer cleaning device.例文帳に追加
一槽式のウエハ洗浄装置を使って、半導体装置の微細加工を目的とするプロセスの前処理又は後処理に対応したウエハの洗浄方法を提供する。 - 特許庁
The processing chamber cooling mechanism 17 introduces cooling gas into the processing chamber 11 while the semiconductor wafer Waf is moved by the loading/unloading mechanism 16 before or after the wafer Waf has been processed.例文帳に追加
処理室冷却機構17は、搬入出機構16による半導体ウェハWafの処理前後の移動の間、処理室11に冷却用のガスを導入する。 - 特許庁
To provide a semiconductor substrate processing apparatus which achieve an efficient working regulation without the occurrence of any deadlock in a single wafer processor for processing substrates in parallel.例文帳に追加
並列的に基板の処理を行う枚葉装置において、デッドロックを発生させることなく、効率的な運用規制を実現する半導体基板処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide the element for measuring processing dimension of a semiconductor device which is capable of easily evaluating the processing dimension of a connection hole with high accuracy through an electrical measuring method.例文帳に追加
電気的な測定手法により容易に接続孔の加工寸法を高精度に評価することができる半導体装置の加工寸法測定用素子を提供する。 - 特許庁
To provide an improved method of controlling critical dimensions of structures, formed on a substrate using an etching processing, in a semiconductor substrate processing system.例文帳に追加
半導体基板処理システムにおいて、エッチングプロセスを用いて基板上に形成された構造物の最小寸法を制御する改善された方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a wafer processing method in which burr formation itself can be suppressed without a special device nor processing stage as measures against burrs of a semiconductor chip with an adhesive film.例文帳に追加
接着フィルム付き半導体チップのバリ対策として,別途の装置や処理工程を必要とせず,バリの発生自体を抑制可能なウェハ加工方法を提供する。 - 特許庁
To provide a downsized reaction force processing mechanism, a stage apparatus provided with the reaction force processing mechanism, and a semiconductor inspection apparatus provided with the stage apparatus.例文帳に追加
小型化を図ることができる反力処理機構、その反力処理機構を備えたステージ装置、及びそのステージ装置を備えた半導体検査装置を提供する。 - 特許庁
To provide a plasma processing method and a plasma processing system employing an electrostatic suction unit in which adhesion of particles to a semiconductor substrate is reduced.例文帳に追加
静電吸着装置を用いたプラズマ処理装置において、半導体基板へのパーティクルの付着が少ないプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁
A temperature measuring apparatus monitors temperature of a semiconductor substrate, which is housed inside a processing chamber so as to supply gas to the process chamber of a wafer processing system.例文帳に追加
ウエハ処理システムの処理チャンバ内にガスを送出することもできるように、処理チャンバ内に容れられた半導体基板の温度をモニタするための温度測定装置。 - 特許庁
To provide a plasma processing equipment and a plasma processing method, which reduces falling of particles inside a vacuum treatment container, and also reduces deterioration of semiconductor product yield.例文帳に追加
真空処理容器内におけるパーティクルの落下を低減し、半導体基板の製品歩留まりの低下を低減するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁
To enable to shorten an ECC operation processing time at the time of read-out and to permit gapless read-out, in a semiconductor memory performing ECC processing.例文帳に追加
ECC処理を行うようにした半導体記憶装置で、読み出し時のECC演算処理時間を短縮化できるようにすると共に、ギャップレス読み出しを可能にする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device that reduces a processing amount of a non-processed film when selectively processing a processed film and the non-process film in a reactive ion etching (RIE) method.例文帳に追加
加工膜と非加工膜をRIE法で選択的に加工するときに、非加工膜の加工量を低減させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a carrying and sucking pad mechanism capable of carrying a semiconductor substrate from a processing stage to a next processing stage without mis-sucking, falling, and breaking it.例文帳に追加
半導体基板をある加工処理ステ−ジより次の加工ステ−ジへ吸着ミスなく、脱落、破損させることなく搬送できる搬送吸着パッド機構を提供する。 - 特許庁
To enhance throughput in a vacuum processing apparatus for vacuum-processing a wafer being a semiconductor substrate in a vacuum chamber after orienting the wafer in a predetermined direction.例文帳に追加
半導体基板であるウエハに対して、ウエハの向きを所定の向きに合わせた後、真空処理室にて真空処理を行うに装置において、スループットを高めること。 - 特許庁
This semiconductor processing device comprises an interface control circuit 4 and a processing circuit 5, and it is installed to an external device, e.g., a card slot 11, to receive an operating power supply.例文帳に追加
半導体処理装置は、インタフェース制御回路(4)と処理回路(5)を有し外部装置例えばカードスロット(11)に装着されて動作電源の供給を受ける。 - 特許庁
Subsequently, the processing gas (a second gas) formed of a compound including nitrogen is introduced to the vacuum chamber, and the semiconductor substrate 10 is irradiated with the plasma thereof (nitrogen plasma processing step).例文帳に追加
続いて、真空チャンバに窒素含有化合物からなる処理ガス(第2のガス)を導入し、そのプラズマを半導体基板10に照射する(窒素プラズマ処理工程)。 - 特許庁
To provide a semiconductor signal processor capable of carrying out quickly logic computation processing and arithmetic computation processing at a low electric power consumption in a narrow occupied area.例文帳に追加
低消費電力かつ小占有面積で高速に論理演算および算術演算処理を実行することのできる半導体信号処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a processing device used for processing a resist film formed on a substrate such as a liquid crystal display(LCD) glass substrate or a semiconductor wafer and its use.例文帳に追加
例えば、液晶ディスプレイ(LCD)用ガラス基板や半導体ウエハのような基板に形成されたレジスト膜の処理に用いられる処理装置とその使用方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory inspection device which suppresses memory consumption in fail bit map data display processing of a GUI tool, and can increase processing speed.例文帳に追加
GUIツールでのフェイルビットマップデータ表示処理におけるメモリ使用量を抑え、処理速度を向上させることができる半導体メモリ検査装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of cleaning equipment surfaces in a semiconductor material processing chamber, after deposition of a porous film containing a porogen in the processing chamber.例文帳に追加
半導体材料処理室においてポロゲンを含有する多孔質膜を堆積させた後にその処理室において装置表面をクリーニングする方法を提供すること。 - 特許庁
As a result, the maintenance time of the semiconductor manufacturing equipment can be automatically detected, and the availability of processing can be automatically judged at a time of the reservation of processing.例文帳に追加
その結果、半導体製造設備のメンテナンスの時期を自動で検出するとともに、処理予約を行う時点で処理の可否を自動で判断することが可能となる。 - 特許庁
To provide a processing method of a susceptor capable of removing a film adhered to the susceptor during SiC epitaxial growth process, and to provide a processing method of a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加
SiCエピタキシャル成長過程でサセプタに付着した膜を除去することのできるサセプタ処理方法および半導体製造装置の処理方法を提供する。 - 特許庁
The two encryption processing circuits (1, 2) performs encryption processing in parallel for data received from the outside of the semiconductor substrate by using different encryption keys.例文帳に追加
この2つの暗号処理回路(1、2)では、半導体基板の外部から入力されるデータに対して、互いに異なる暗号鍵を用いて並行に暗号化処理が実行される。 - 特許庁
Definition Micro-Electro-Mechanical Systems: Miniscule structural parts that are manufactured with fine-processing technologies, such as the semiconductor processing technology, and that have electrical, mechanical, and optical functions.例文帳に追加
定義 マイクロ電子機械システム: 半導体加工技術等の微細加工技術を用いて作製する、電気的、機械的又は光学的な機能を備えた微小構造部品。 - 経済産業省
In a plasma processing method which performs plasma processing, placing a semiconductor wafer 4 on a lower electrode 3 within a processing chamber 2, the plasma processing is performed in condition that the edge of the semiconductor wafer 4 fixed by the resin sheet 4a having a larger thermal expansion coefficient than the thermal expansion coefficient of the semiconductor wafer 4 is pressed against the surface of a lower electrode 3 by means of a board pressing means 5.例文帳に追加
処理室2内にの下部電極3上に半導体ウェハ4を載置してプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、半導体ウェハ4の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する樹脂シート4aによって固定された状態の半導体ウェハ4の縁部を基板押さえ部材5によって下部電極3の表面に押さえ付けた状態でプラズマ処理を行う。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device, a thermal oxidizing processing method, and a thermal oxidizing processing apparatus which enable the formation of a gate oxide film having a highly uniform film thickness with respect to the thermal oxidizing processing method.例文帳に追加
本発明は、熱酸化処理方法に関し、膜厚均一性の高いゲート酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法、熱酸化処理方法及び熱酸化処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which a waiting time is reduced, that is accompanied by erasion processing executed before execution of processing other than erasion for securing a free region when processing other than erasion is executed.例文帳に追加
消去外処理の実行の際、空き領域を確保するために消去外処理の実行前に実行される消去処理に伴う待ち時間を削減する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide an exclusive management method of an operation terminal capable of operating a unit to be maintained only from the operation terminal of a specified person at the time of maintaining a processing unit in a semiconductor processing apparatus provided with a plurality of processing units.例文帳に追加
複数の処理ユニットを備えた半導体処理装置において、処理ユニットのメンテナンス時に、特定人の操作端末からのみ被メンテナンスユニットを操作できる操作端末の排他管理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a plasma processing method capable of improving quality of an obtainable film and reducing influence of plasma processing on a substrate, a film formation method, a manufacturing method of a semiconductor device, and a plasma processing device.例文帳に追加
得られる膜の品質を向上できると共にプラズマ処理が基板に及ぼす影響を低減できるプラズマ処理方法、膜形成方法、半導体デバイスの製造方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁
The raw material gas is introduced into a reaction chamber to generate plasma, and a substrate support part 1, on which a semiconductor substrate as the processing object is placed, is arranged within the reaction chamber in the plasma processing apparatus provided for the plasma processing.例文帳に追加
反応室内に原料ガスを導入し、プラズマを発生させて、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、反応室の内部に、処理対象となる半導体基板が載置される基板支持部1を配置する。 - 特許庁
To reduce a carbon-based material deposited inside of a processing chamber which is produced during a ultra-violet processing of a semiconductor substrate, and to attain processing properties of long-term stability and a good yield of products.例文帳に追加
半導体基板などを紫外光処理する際に生成する炭素系物質の処理室内部での固着を低減し、長期にわたって安定した処理特性と良好な製品歩留りを実現できるようにする。 - 特許庁
To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which damage on the interlayer insulating film group is reduced during laser processing, and the processing profile of a trench formed by laser processing can be improved.例文帳に追加
本発明は、レーザ加工をする際における層間絶縁膜群のダメージを低減するとともにレーザ加工によって形成される溝の加工形状を改善することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor substrate grinding machine that performs constant-speed grinding processing and constant-pressure grinding processing in a series of operations, makes a processed alteration layer thin, and improves processing efficiency.例文帳に追加
一定速度での研削加工と一定圧力での研削加工を一連の動作で行うことを可能とし、加工変質層を薄くし、かつ加工能率の向上を図った半導体基板研削機を提供する。 - 特許庁
To provide a new semiconductor packaging technique which can realize thinning without depending on a rear surface processing for a silicon wafer.例文帳に追加
シリコンウェーハの裏面加工に頼らずに薄型化が実現できる、新たな半導体実装技術を提供すること。 - 特許庁
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