「single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

In the interlayer of an orientational substrate for forming the epitaxial film, which is provided between a base material and an epitaxial film to be formed on at least one surface of the base material, the interlayer has a single layer structure or a multilayer structure of not less than two layers and the layer in contact with the substrate is formed from an indium tin oxide (ITO).例文帳に追加

基材と、基材の少なくとも一方に形成されるエピタキシャル膜との間に設けられるエピタキシャル膜形成用配向基板の中間層において、単層構造又は２層以上の多層構造を有し、基板と接触する層がインジウムスズ酸化物からなる中間層である。 - 特許庁

A laminated sheet is obtained by arranging a resin layer comprising a mixture of polymethyl methacrylate and a phenoxy resin and a resin layer comprising polymethyl methacrylate containing an ultraviolet absorber on the single surface or both surfaces of a base material of a polyester polymer based on polyethylene terephthalate in this order by integral co-extrusion.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレートを基本構造とするポリエステル系重合体の基材の両面または片面にポリメチルメタクリレートとフェノキシ樹脂の混合物からなる樹脂層、および紫外線吸収剤を含有するポリメチルメタクリレートからなる樹脂層をこの順番で配してなる積層シート。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an element or particularly a transistor has excellent operating characteristics and reliability by forming a domain structure or a single crystal metal oxide insulating layer extremely strongly oriented in a normal direction to a board in the insulating layer on a silicon plane (001).例文帳に追加

本発明は、シリコン（００１）面上の金属酸化物絶縁層において、基板法線方向に極めて強く配向したドメイン構造あるいは単結晶の金属酸化物絶縁層を形成することにより素子、特にトランジスタの動作特性と信頼性に優れた半導体装置を提供する。 - 特許庁

Using a π electron conjugated molecule 1 which is a kind of linear tetra-pyrrole and has a frame 2 having a nearly discoidal structure like porphyrin and a flexible side chain 3 composed of an alkyl chain, a single-layer molecular layer is formed in close contact with surfaces of the electrodes 5 and 6.例文帳に追加

まず、リニアテトラピロールの１種で、ポルフィリン様の略円盤状構造を有する骨格部２と、アルキル鎖からなるフレキシブルな側鎖部３とをもつπ電子共役系分子１を用いて、電極５および６の表面に密着した分子層を単層で形成する。 - 特許庁

The positive charge type electrophotographic photoreceptor has a single layer type photosensitive layer containing at least a binder resin, a charge generating material, an electron transport material and a hole transport material, wherein the electron transport material is selected from compounds represented by formula (1), formula (2), etc.例文帳に追加

単層型感光層を有する正帯電型電子写真感光体であって、単層型感光層中に少なくともバインダー樹脂、電荷発生材料、電子輸送材料、および、正孔輸送材料を含有し、電子輸送材料が式（１）〜（２）などで表される化合物から選ばれる。 - 特許庁

A buffer layer 2 laminated between an element layer 4 and a single crystal substrate 3 so as to be butted to them is provided with at least three kinds of lamination interfaces 12 by selecting the kinds of compound semiconductors configuring two layers made adjacent with the lamination interfaces 12 interposed.例文帳に追加

素子層４と単結晶基板３とに当接するように、それらの間に積層形成されるバッファ層２が、少なくとも３種の積層界面１２を有するように、該積層界面１２を挟んで隣接する２層を構成する化合物半導体の種類を選別する。 - 特許庁

To provide a double layer glass which is as thin as replaceable in the glass sash fixing an existing single glass sheet without interchanging the glass sash and similarly as replaceable for an existing double layered glass sheet with the combined double layer glass sheet and besides which has an extremely low initial dew point and a particularly excellent thermal insulation performance.例文帳に追加

既存の単ガラス板を固定しているガラスサッシにガラスサッシを交換することなく複層ガラスに、同様に、既存の複層ガラスを合せ複層ガラスに入れ替えられる程に薄く、且つ初期露点が極めて低く格別に優れた断熱性能を有する複層ガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a flexible laminated board cladded with a copper layer on a single site totally made of polyimide superior in a heat resistivity and transparency of a polyimide layer, which is preferably used for mounting electronic members or the like comprised of a flexible wiring board, a semiconductor package, a TAB structure or a COF structure, and also to provide a manufacturing method of it.例文帳に追加

ポリイミド層の耐熱性、透明性に優れ、フレキシブル配線板や半導体パッケージ、ＴＡＢ構造やＣＯＦ構造からなる電子部品実装等に好適に用いることのできるオールポリイミドのフレキシブル片面銅張積層板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The radio wave absorber comprises a single layer for absorbing radio wave and/or electromagnetic wave wherein the radio wave absorbing layer is composed of a fixed medium dispersed or mixed with an inclusion compound containing rare earth ions.例文帳に追加

電波及び／または電磁波を吸収するための電波吸収層単層からなる電波吸収体であって、前記電波吸収層として、希土類イオン含有包接物を分散あるいは混合させた固定媒体を用いたことを特徴とする電波吸収体を構成した。 - 特許庁

This method for manufacturing a photovoltaic device comprises the steps of forming a substantially true i-type amorphous silicon layer 2a on the surface of an n-type single crystal silicon substrate 1, and thereafter introducing hydrogen into the substantially true i-type amorphous silicon layer 2a.例文帳に追加

この光起電力装置の製造方法は、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面上に実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａを形成する工程と、この後、前記実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａに水素を導入する工程とを備えている。 - 特許庁

If this condition is satisfied, the ionomers in the catalyst can hold a lump of particles (an aggregate) which sufficiently permeates reaction gas and does not impede gas transfer, or an ionomer integral layer having structure formed by minimum integration and in which the ionomers are arranged in nearly a single layer.例文帳に追加

上記の条件を満たしていれば、触媒中のイオノマーは、反応ガスを十分に透過できてガス移動を阻害しない粒子塊状（凝集体）、または、最小限の一体化により形成される、イオノマーがほぼ単層に配列された構造からなるイオノマーの一体層が維持可能となる。 - 特許庁

This organic thin film transistor has the structure where the moving direction of carrier between the first and second electrodes is matched with the thickness direction of the organic thin film layer and also includes, as single material or as mixed material, a compound in which the organic thin film layer is expressed with the following general formula [1].例文帳に追加

本有機薄膜トランジスタは、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、有機薄膜層が下記一般式［１］ で表される化合物を単独若しくは混合物として含んでいる。 - 特許庁

This material is produced by mixing reclaimed pulp from wastepaper as a raw material with single fiber-like or small lump-like reusable fiber obtained by subjecting waste fiber to opening to prepare a fiber suspension, by dewatering the fiber suspension to form a fiber layer and then by drying the fiber layer to form interfiber bonding.例文帳に追加

古紙を原料とする再生パルプと、繊維くずを開繊して得られる単繊維状又は小塊状の再使用繊維とを混合して繊維懸濁液を調製し、これを脱水して繊維層を形成させ、次いで乾燥して繊維間結合を生成させてなるもの。 - 特許庁

In the biaxially oriented polyester film having a coating layer at least on its single surface, the coating layer has an island structure having island-like protruded parts and the island-like protruded parts with a length/ breadth ratio of 3.0 or less occupy 50% or more of all of the protruded parts.例文帳に追加

少なくとも片面に塗布層を有する二軸配向ポリエステルフイルムにおいて、塗布層が島状隆起部を有する海島構造をなし、かつ、長径と短径との比が３．０以下である島状隆起部が全隆起部の５０％以上を占める二軸配向ポリエステルフイルム。 - 特許庁

The method for manufacturing a compound semiconductor comprises a first heating step for heating a GaN single crystal substrate 2 under a first gas atmosphere containing at least hydrogen gas, a second heating step for heating the GaN single crystal substrate 2 under a second gas atmosphere containing at least ammonia, and an epitaxial growth step for forming a nitride compound semiconductor layer 3 on the GaN single crystal substrate 2.例文帳に追加

本発明による化合物半導体の製造方法は、少なくとも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第１加熱工程と、少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第２加熱工程と、ＧａＮ単結晶基板２上に窒化物系化合物半導体層３を形成するエピタキシャル成長工程とを含む。 - 特許庁

The single crystal Si substrate 10 and a quartz substrate 20 having carbon concentration of 100 ppm or above are stuck and an external impact is applied to the vicinity of the ion implantation damage layer 11 thus exfoliating an Si crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together.例文帳に追加

この単結晶Ｓｉ基板１０と炭素濃度１００ｐｐｍ以上を含有する石英基板２０を貼り合わせ、イオン注入ダメージ層１１近傍に外部衝撃を付与することで、貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁

The horizontal position multi layer automatic welding which connects thick plates 1, 2 by single bevel groove welding in site welding, is characterized in that packing material 5 for welding which is previously fitted in the groove of backing plates 3, 4 with grooves, is arranged at the backside of the single bevel groove welding of thick plates 1, 2.例文帳に追加

現地施工により厚板１，２をレ型開先溶接により接続する横向き多積層自動溶接において、溝または開先を施した裏当板３，４の溝または開先部に予め溶接用パッキング材５を装着して、厚板１，２のレ型開先溶接の裏側に配設した横向き多層自動溶接。 - 特許庁

When the thin film semiconductor layer is epitaxially grown on the compound semiconductor single crystal substrate, the compound semiconductor single crystal substrate which has such accuracy of the substrate off angle that variations in entrapped impurity concentrations fall within prescribed acceptable values is used, and thus the sheet resistance values fall within a prescribed range.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板上に薄膜半導体層をエピタキシャル成長させる際に、化合物半導体単結晶基板として、基板オフ角度の精度が不純物取り込み濃度のばらつきが所定の許容値内に収まる範囲内のものを用い、これによりシート抵抗値を所要の範囲内に収めるようにした。 - 特許庁

By applying shock from outside after the bonding process, Si-Si bonds inside the ion implanted layer 11 are cut to automatically peel off a single crystal silicon thin film along the crystal plane at a position corresponding to the predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface of the single crystal Si substrate 10.例文帳に追加

このような接合工程の後、外部から衝撃を加えることでイオン注入層１１内でのＳｉ−Ｓｉ結合を切り、単結晶Ｓｉ基板１０の表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に相当する位置の結晶面に沿って単結晶シリコン薄膜を機械的に剥離する。 - 特許庁

In the hole transporting material, when photo-irradiating a single film element in which merely single layer of the hole transporting material is formed between both electrodes, a voltage ratio in a current-voltage characteristics after 300 hours (voltage value after 300 hours/initial voltage value) is 1.0 or less.例文帳に追加

前記正孔輸送性材料は、両電極間に前記正孔輸送性材料の単層のみを形成してなる単膜素子に光照射して３００時間経過した場合の電流−電圧特性における電圧比（３００時間経過後の電圧値／初期電圧値）が１．０以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A holding block C and a holding block D are fixed on the track block B and on the track block A, respectively, while deviating the side face of the holding block D to the opposite side face of the track block B in the cross direction, to form a tunnel supply track 124 inside for transferring parts R in single line and in single layer in the longitudinal direction.例文帳に追加

更に、トラックブロックＢ上には抑えブロックＣ、トラックブロックＡ上には抑えブロックＤを、対向する抑えブロックＤの側面の位置とトラックブロックＢの側面の位置を幅方向にずらせて固定し、部品Ｒを長さ方向に単列、単層で移送するトンネル状の供給トラック１２４を内部に形成させる。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device has a substrate 1 made of silicon, an insulating film 2 formed on the substrate 1, a single crystal thin film 3 formed on the insulating film 2, and a semiconductor laminate 30 formed on the single crystal thin film 3 and including an MQW active layer 7 made of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体発光装置は、シリコンからなる基板１と、該基板１の上に形成された絶縁膜２と、該絶縁膜２の上に形成された単結晶薄膜３と、該単結晶薄膜３の上に形成され、窒化物半導体からなるＭＱＷ活性層７を含む半導体積層体３０とを有している。 - 特許庁

This single particle pattern laminated membrane is manufactured by developing a fine particle-containing liquid or the like on the support having the surface on which the hydrophilic graft polymer chain is present patternwise and two-dimensionally flocculating the fine particles while controlling the developing thickness of the fine particle-containing liquid or the like to form the single particle layer.例文帳に追加

このような単粒子パターン積層薄膜は、微粒子含有液体等を親水性グラフトポリマー鎖がパターン状に存在する表面を有する支持体上に展開し、該微粒子含有液体等の展開厚みを制御しつつ微粒子を２次元凝集させ、単粒子層を形成させることにより製造しうる。 - 特許庁

As for this solid polymer fuel cell, a front face or one part of a laminate laminating a plurality of single cells which make a film-electrode conjugate having a catalyst layer and a hydrogen ion conductive polymer film pinched and held by two sheets of separators for the single cells having gas circulation channels is covered with the heat-insulating parts.例文帳に追加

本発明の固体高分子型燃料電池は、ガス流通溝を有する２枚の単セル用セパレータに、触媒層と水素イオン伝導性高分子膜とを有する膜−電極接合体を挟持させた単セルを複数個積層した積層体の前面または一部を断熱性部品により被覆したことを特徴とする。 - 特許庁

As a result, thermal stress due to the difference of coefficients of thermal expansion between a retaining substrate 500 and the single crystal silicon layers 230 is relieved by the trenches 260 so that a single crystal silicon layer of high quality is obtained wherein dislocation and cracks are not developed even if thermal treatment, an oxidation process, etc., which are used for improving sticking intensity are performed.例文帳に追加

その結果、支持基板５００と単結晶シリコン層２３０の熱膨張係数の差に由来する熱応力が溝２６０で緩和されるため、貼り合わせ強度向上させるための熱処理や酸化工程などを行っても、転位やクラックのない高品位な単結晶シリコン層を得られる。 - 特許庁

For the cushion material, soft tuft to be tuft filaments 14 whose total fineness is ≥500dtex and which is constituted of many fibers whose single yarn fineness is <50dtex and hard tuft to be tuft threads 15 whose single fiber fineness is ≥500dtex are planted on a base layer 11a to be a flexible base material.例文帳に追加

単糸繊度５０ｄｔｅｘ未満の多数の繊維によって構成される総繊度５００ｄｔｅｘ以上の立毛糸条１４に成る軟質立毛と、単糸繊度５００ｄｔｅｘ以上の立毛線条１５に成る硬質立毛を、可撓性基材に成る基層１１ａに植設してクッション材とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the forming die includes steps of: making the forming die (51) of a single crystal material and forming a transfer pattern (29) by etching on the surface (20A) of the forming die (51); and converting the proximity (22A) of the surface including the surface (20A) into a hardened layer (22) comprising a compound of the element constituting the single material.例文帳に追加

また、成形型（５１）を単結晶材で形成し、成形型（５１）の表面（２０Ａ）にエッチングで転写形状（２９）を形成する工程と、表面（２０Ａ）を含むその近傍（２２Ａ）を単結晶材を構成する元素の化合物からなる硬化層部（２２）にする工程とを有する成形型の製造方法とした。 - 特許庁

In the information recording medium having an adhesively laminated structure wherein two information recording single plates 2 and 3 having center holes 2a and 3a, respectively, are concentrically stuck to each other via an adhesive layer 5, fibrous or cloth reinforcing materials 4 and 4a are disposed at the peripheral part of the center holes 2a and 3a between the two information recording single plates 2 and 3.例文帳に追加

センター孔２ａ，３ａを有する２枚の情報記録単板２，３を接着層５を介して同心に貼り合わせた密着貼り合わせ構造の情報記録媒体において、２枚の情報記録単板２，３の間のセンター孔２ａ，３ａの周囲に、繊維状又は布状の補強材４，４ａを介在させた。 - 特許庁

Thereafter, an emitter opening 114 is formed in an insulating layer 112 positioned on the single-crystal structure 111a and the damaged part of the single-crystal structure 111a positioned in the opening 114 is removed by thermally oxidizing the upper part of the structure 111a, and removing an oxide film 115 by wet etching.例文帳に追加

単結晶構造部１１１ａ上に位置する絶縁膜１１２に、エミッタ開口部１１４を形成し、エミッタ開口部１１４内に位置する単結晶構造部１１１ａの上部を熱酸化して酸化膜１１５をウェットエッチングを行なうことによって除去することで単結晶構造部１１１ａのダメージを取り除く。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon carbide single crystal substrate includes a process (A) of preparing a silicon carbide single crystal substrate which has first and second principal surfaces and conductivity, the work-affecting layer being provided on at least one of the first and second principal surfaces; and a process (B) of removing at least a part of the work-affecting layer through electrolytic etching.例文帳に追加

本発明の炭化珪素単結晶基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、導電性を有する炭化珪素単結晶基板であって、前記第１および前記第２の主面のうち、少なくとも一方に加工変質層を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程（Ａ）と、前記加工変質層の少なくとも一部を電解エッチングによって除去する工程（Ｂ）とを包含する。 - 特許庁

The method for producing laminate includes a process of heating the sapphire substrate at a temperature of 1,350 to 1,750°C in an atmosphere of a mixed gas of nitrogen-source gas having a nitrogen atom and hydrogen gas to form the aluminum nitride single crystal layer on the surface of the sapphire substrate, wherein, by adjusting conditions, the laminate having a gap on the interface between the sapphire substrate and the aluminum nitride single crystal layer can be produced.例文帳に追加

窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 - 特許庁

To provide a method of forming a porous layer on a silicon single crystal substrate by an electrolytic oxidation method wherein only the plane orientation (111) of a silicon single crystal substrate is left on the surface to flaten the surface of the porous layer, and a part of the plane orientation (111) is selectively etched, and a triangular hole with an appropriately controlled etching hole and hole density is formed.例文帳に追加

電解酸化法によってシリコン単結晶基板上に多孔質層を形成する際、該多孔質層の表面が平坦化するようシリコン単結晶基板の（１１１）面方位のみを表面に残し、かつ、該（１１１）面方位の一部を選択的にエッチングでき、エッチング孔径及び孔密度等、適切に制御された三角柱状孔を生成し、多孔質層を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

A process where an III-V compound semiconductor layer comprising at least nitrogen and arsenic as group V elements is crystal-grown on a single crystal substrate is comprised, which comprises a process where a nitrogen material is supplied on the single crystal substrate so that the nitrogen material at least interacts with an aluminum on the crystal growth surface of the compound semiconductor layer.例文帳に追加

単結晶基板上に、Ｖ族元素として少なくとも窒素および砒素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を結晶成長させる工程を包含し、該化合物半導体層を結晶成長させる工程が、窒素原料がアルミニウムと、少なくとも該化合物半導体層の結晶成長表面で相互作用するように、該単結晶基板上に窒素原料を供給する工程を包含する。 - 特許庁

The IDT electrode is formed by laminated films containing a substrate layer composed of titanium nitride or titanium laminated on the single crystal piezoelectric substrate one by one and an Al layer, and the single crystal piezoelectric substrate is a lithium tantalate substrate with 46° or more rotation Y-X propagation.例文帳に追加

単結晶圧電基板の表面にＩＤＴ電極を備えかつ金属バンプを介してベース基板上にＦＣＢ実装されたＳＡＷ素子を１以上含むＳＡＷ装置で、ＩＤＴ電極は、単結晶圧電基板上に順次積層した窒化チタン又はチタンからなる下地層とＡｌ層とを含む積層膜により形成されかつ、単結晶圧電基板は４６°以上の回転Ｙ‐Ｘ伝搬タンタル酸リチウム基板である。 - 特許庁

Either of positive and negative electrode terminals protruded outside a multi-layer film from one single cell constituting the laminated battery and the other of the positive and the negative terminals protruded outside the multi-layer film from the adjacent single cell in a lamination direction are arranged in opposition and jointed together, with the joint part protruded from an opening 10 filled with an elastic material formed at the lid body 6.例文帳に追加

積層電池４を構成する一の単電池から多層膜の外に突出した正負極端子のいずれか一方の端子と、積層方向で隣接する単電池から多層膜の外に突出した正負極端子のいずれか他方の端子とが対向するよう配置されて接合されており、該接合部分が、蓋体６に形成された開口部１０から突出しており、開口部１０には弾性シール材が充填されている。 - 特許庁

In a semiconductor device, a nitride semiconductor layer containing a light emitting part and expressed by Al_xGa_1-xN (where 0≤x<1) is formed on one main surface of a single crystalline conductive substrate 10 of a hexagonal structure, one electrode 17 is formed on the nitride semiconductor layer, and the other electrode 18 is formed on the other main surface of the single crystalline substrate 10.例文帳に追加

六方晶構造を有しかつ導電性を有する単結晶基板１０の一主面上に、発光部を含みＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（ただし、０≦ｘ＜１）であらわされる窒化物半導体層を形成してなるとともに、この窒化物半導体層上に一方電極１７を形成してなり、かつ単結晶基板１０の他主面上に他方電極１８を形成してなる半導体装置とする。 - 特許庁

In a heat ray reflecting film for a window consisting of a transparent heat ray reflecting film wherein a metal membrane layer is laminated on at least the single surface of a thermoplastic resin film, the hard coat layer laminated to one surface thereof and an acrylic self-adhesive layer laminated to the other surface thereof, the hard coat layer contains 20 - below 80 weight% of inorganic particles.例文帳に追加

熱可塑性樹脂フィルムの少なくとも片面に金属薄膜層を積層した透明な熱線反射フィルムと、その一方に積層されたハードコート層および他方の面に積層されたアクリル系粘着剤層とからなる窓貼用熱線反射フィルムにおいて、該ハードコート層が、その重量を基準として、無機微粒子を２０重量％以上８０重量％未満含有することを特徴とする窓貼用熱線反射フィルム。 - 特許庁

In the blank for a halftone phase shifting mask obtained by disposing a translucent film layer comprising a single layer film or a multilayer film whose transmittance and phase after transmission are controlled on a transparent substrate, the principal constituent elements contained in at least one layer of the translucent film layer except oxygen and nitrogen are two metal elements, one of the metal elements is aluminum and the other is a transition metal.例文帳に追加

透明基板上に、透過率および透過した後の位相が制御される単層膜もしくは多層膜からなる半透明膜層が設けられてなるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、前記半透明膜層の少なくとも１層に含まれる、酸素、窒素以外の主要構成元素が２種類の金属元素であり、その一方がアルミニウムであり、他方が遷移金属であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクを提供する。 - 特許庁

This felt 10 for papermaking consists of a substrate 20 and a bat layer 30 made as one unit with the substrate 20, and the substrate 20 consists of the woven fabric of which MD directional yarns 22 and CMD directional yarns 24 are constituted by both single yarns.例文帳に追加

抄紙用フェルト１０は、基体２０と、基体２０に一体化されたバット層３０からなり、基体２０は、ＭＤ方向糸２２及びＣＭＤ方向糸２４がともに単糸のみで構成された織布からなる。 - 特許庁

A fine resist aperture pattern is formed of single layer EB resist on a semiconductor substrate, a first metal thin film is formed on the entire surface, and second resist is applied to form an aperture pattern at the umbrella part of a T-type gate.例文帳に追加

半導体基板に単層EBレジストにより微細なレジスト開口パターンを形成し、全面に第１の金属薄膜を形成し、更に第２のレジストを塗布し、Ｔ型ゲートの傘の部分の開口パターンを形成。 - 特許庁

In this method for forming a coupled substrate, ions of a semiconductor material are implanted into a depth selected by a wafer on the surface of a wafer 15 of a single crystal semiconductor material, and an amorphous layer of the semiconductor material is formed at a position adjacent to the surface.例文帳に追加

単結晶半導体材料のウエハ１５表面に、そのウエハの選択された深さへ半導体材料のイオンを注入させ、表面に隣接した位置に、半導体材料のアモルファス層を形成させる。 - 特許庁

A grinding material 2 is distributed in an inclined manner in the thickness direction in a sheet base material 3 of a single layer formed of an elastic material, and the grinding material is closer to a grinding sheet 1 exposed to a surface on the side of high distribution density.例文帳に追加

弾性体からなる単一層のシート基材３中に研磨材２が厚み方向に傾斜分布し、且つ分布密度の高い側では該研磨材が表面に露出してなる研磨シート１による。 - 特許庁

This laminated film and a single layer film having unevenness with average roughness of 1.0 μm or more provided to both surfaces thereof are superposed one upon another and subjected to high frequency welding at a required place to obtain a film product such as a pass case.例文帳に追加

また、この積層フィルムと両面に平均粗さ１．０μｍ以上の凹凸を設けた単層フィルムとを重ね合わせ所要箇所を高周波溶着して製造したパスケース等のフィルム製品である。 - 特許庁

In the process of growing a carbon-doped silicon single crystal by the CZ (Czochralski) method from a silicon melt to which carbon is added, a quartz crucible having an aluminum low concentration layer with aluminum concentration of ≤0.1 ppm on the inner surface is used.例文帳に追加

炭素が添加されたシリコン溶融液からＣＺ法により炭素ドープシリコン単結晶を育成するに際し、内表面側にアルミニウム濃度が０．１ｐｐｍ以下のアルミニウム低濃度層を有する石英ルツボを用いる。 - 特許庁

In this case, the P-conductive type columns PC1-PC4 and the N-conductive type columns NC1-NC4 are formed of single crystal silicon and are isolated electrically from diffusion layers having conductivity except the column layer 10.例文帳に追加

そして、Ｐ導電型コラムＰＣ１〜ＰＣ４及びＮ導電型コラムＮＣ１〜ＮＣ４は、単結晶シリコンにて形成されており、コラム層１０以外の導電性を有する拡散層と電気的に絶縁されている。 - 特許庁