「surface channel」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

The plasma treatment is applied to the first region 20, second region 22 and channel protection film 26 using gas containing a dopant to increase an impurity concentration of a surface layer 28 of the first region 20 and second region 22.例文帳に追加

第１領域２０及び第２領域２２並びにチャネル保護膜２６に対して、ドーパントを含有するガスによるプラズマ処理を行って、第１領域２０及び第２領域２２の表層２８の不純物濃度を高める。 - 特許庁

The cooling water is agitated with these protrusions, to cause turbulence for enhanced heat-transfer performance from the wall surface of the cooling channel 4 to the cooling water, to result in lowered temperature of LDs101a-101f with temperature control.例文帳に追加

これらの突起によって冷却水を攪拌して乱流を形成させることで冷却路４の壁面から冷却水に対する熱伝達性能を高め、ＬＤ１０１ａ〜１０１ｆの温度の低減ならびに温度制御を達成する。 - 特許庁

To provide a bi-directional signal transmission device using light arranged so that transmission and reception of a signal between the optical elements corresponding to each other are performed through the same channel by adopting photodiode integrated type surface light laser as optical elements.例文帳に追加

光素子としてフォトダイオード一体型表面光レーザを採用して互いに対応する光素子間の信号の送受信が同一のチャンネルを通じてなされるようにした光を用いた両方向信号伝送装置を提供する。 - 特許庁

With insulating films 106a and 106b remaining in the channels 103a and 103b as a mask, the surface of the substrate 101 is vertically performed with an anisotropic etching so that the channel 103b comprises a deeper bottom part 103c.例文帳に追加

次に、溝１０３ａ，１０３ｂ内に残存した絶縁膜１０６ａ，１０６ｂをマスクとして基板１０１表面に垂直に異方性エッチングを行って、溝１０３ｂがさらに深い底部１０３ｃを有するようにする。 - 特許庁

This device uses ≥1 control light beam which is coupled with ≥1 previously selected area of an optical channel formed in a substrate through the top surface of a planar structure by a relatively small control window.例文帳に追加

この装置は、比較的小さい制御ウィンドウによりプレーナ構造の上表面を通して、基板中に形成された光チャネルの１個以上の予め選択された領域に結合する１つ以上の制御光ビームを使用する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which forms n-type and p-type FinFETs provided with a channel surface having a high mobility by removing the constraint on the circuit designing using a semiconductor substrate wherein two wafers are bonded together.例文帳に追加

２枚のウェーハを貼り合わせた半導体基板を用い、回路設計上の制約を抑え、高い移動度を有するチャネル面を備えたｎ型、ｐ型のＦｉｎＦＥＴを形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 22TG of a transfer transistor 22 is formed in such a manner as to extend with a gate insulating film 22z in between from a channel formed area to a portion with a photodiode 21 formed therein on the surface of a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

転送トランジスタ２２のゲート電極２２ＴＧが、基板１０１の表面において、チャネル形成領域からフォトダイオード２１が形成された部分に渡って、ゲート絶縁膜２２ｚを介して延在するように形成する。 - 特許庁

The base 12 has a plurality of electrodes 13 provided on the surface at prescribed intervals, a flow channel hole 14, and a light waveguide 15 provided along the electrode body 11, as an additional function portion having functions other than insulation.例文帳に追加

基部１２は、絶縁以外の機能を有する付加機能部として、表面に所定の間隔で設けられた複数の電極１３と、電極本体１１に沿って設けられた流路孔１４と光導波路１５とを有している。 - 特許庁

To provide a transistor including an oxide semiconductor film in which metal oxide films made of the same component as an oxide semiconductor film which serves as a channel protective film are laminated on an upper surface of the oxide semiconductor film.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の上面部に、チャネル保護膜として機能する、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜が積層されているトランジスタを提供する。 - 特許庁

The nitride-based diode 10 also includes a mesa 18 formed by partially removing the electron supply layer 14 down to the depth of the channel layer 13 and the anode electrode 16 is in contact with one side surface part 18a of the mesa 18.例文帳に追加

窒化物系ダイオード１０はさらに、電子供給層１４を、チャネル層１３に達する深さまで部分的に除去したメサ１８を備え、メサ１８の一方の側面部１８ａにアノード電極１６が接触している。 - 特許庁

The bottom of the tray member 30 is formed such that level difference from the upper surface of the metal plate 50, at an upstream end 35d of the rectifying channel forming portion 35, is larger on the front end side than on the rear end side.例文帳に追加

そして、皿部材３０の底面は、整流通路形成部３５の上流端３５ｄにおける金属プレート５０の上面を基準とした段差が、後端側よりも前端側が大きくなるように形成されている。 - 特許庁

As an alternative, hot water is supplied through a trough 5 (supplying channel) formed by a similar method to a bathtub 1 and a rock 6 of the natural mineral is placed in a manner exposed from the water surface at a position to be directly brought into collision with the hot water fallen from the trough 5.例文帳に追加

更に同様な方法で形成した樋５（供給路）を通って浴槽１内にお湯を供給すると共に、樋５から落下して直接お湯が当たる位置に該天然鉱石の岩６を水面から露出させて置く。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, together with its manufacturing method, where a thickness t2 of the oxide film at a drain part is larger than a thickness t1 of the oxide film at a channel region part by selecting a crystal plane exposed on a trench surface.例文帳に追加

トレンチ表面に露出する結晶面を選択することにより、チャネル領域部分の酸化膜の膜厚ｔ１よりもドレイン部分の酸化膜の膜厚ｔ２を厚くした半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

Two leg sections 60 are disposed on a burner section 6 constituting the can body structural section 9, and tips of the leg sections 60 are placed on a step forming member 51 formed on a surface side of the air supply flow channel forming member 11.例文帳に追加

缶体構造部９を構成するバーナ部６には２本の脚部６０が設けられており、この脚部６０の先端が給気流路形成部材１１の表面側に形成された段部形成部材５１に載置されている。 - 特許庁

At the time of forming a semiconductor layer, e.g. an InGaAs channel layer, on a GaAs substrate 1 through InAlAs buffer layers 71, 73, As on the surface of the InAlAs buffer layer 71 is substituted by another group V element.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上にＩｎＡｌＡｓバッファ層７１，７３を介してＩｎＧａＡｓチャネル層などの半導体層を形成するに際し、そのＩｎＡｌＡｓバッファ層７１の表面のＡｓを別のＶ族元素で置換する。 - 特許庁

The plurality of the vertical plates are extended from the upper surface of the lower part cooling channel plate 22 in a direction from the water-supply chamber 26 toward the pedestal side wall 13 and are provided at intervals in a direction surrounding the water-supply chamber 26.例文帳に追加

垂直板は、下部冷却チャンネル板２２の上面から立ち上がり給水チェンバー２６からペデスタル側壁１３に向かう方向に延びて給水チェンバー２６を囲む方向に互いに間隔を置いて複数設けられる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a stent the inner wall surface of which is treated so as to promote the migration of endothelial cells concerning the stent, i.e., a patency holder to be used for holding the patency of a vascular channel such as a blood vessel and a lymph vessel.例文帳に追加

ステント、すなわち、血管、リンパ管などの脈管の開口を保持するために用いる開口保持具に関し、内壁面は内皮細胞の移動が促進されるように処理されているステントの製法と装置を提供する。 - 特許庁

The first support 42 has an accommodation part 46 of a rough channel shape in a cross section formed of a back pad 44 which abuts on the back surface of the base 16, and a pair of walls 45 which abut on outer surfaces of the pair of perpendicular parts 17.例文帳に追加

第一支持部４２は、ベース部１６の後面に当接する背当部４４、及び一対の垂設部１７の外面に夫々当接する一対の壁部４５を有してなる、断面略コ字形の収容部４６を備える。 - 特許庁

The rim of the floor mat body 5 of floor mat except for a side surface section 1b side of the cab body 1 having the doorway 1c is provided with a substantially channel-shaped edge section 10 erecting upward from the rim of the floor mat body 5.例文帳に追加

さらに、フロアマットの本体５の周縁には、乗降口１ｃが形成されるキャブ本体１の側面部１ｂ側を除いて、フロアマット本体５の周縁から上方に立ち上がる略コ字状の縁部１０を設けた。 - 特許庁

The impregnant channel 6 has an end outlet 6b in the middle, in length direction, of the coil housing groove covering part 3b, and the end outlet 6b communicates with an opening on a coil winding surface of the coil housing groove covering part 3b.例文帳に追加

この含浸剤通路６は、巻線収容溝覆い部分３ｂの長手方向の中間部分に末端出口６ｂを設け、この末端出口６ｂを巻線収容溝覆い部分３ｂの巻線巻回面に開口させる。 - 特許庁

The second interlayer insulating film inclines to a surface of the substrate on the side which wraps the channel area (1a') from a slanting upper part in the peripheral are and has a refractive index lower than those of the top interlayer insulating film and the first interlayer insulating film.例文帳に追加

第２層間絶縁膜は、周縁領域においてチャネル領域（１ａ’）を斜め上方から包む側に基板の面に対して傾斜しており、上側層間絶縁膜及び第１層間絶縁膜よりも低い屈折率を持つ。 - 特許庁

Thereafter, p-type impurities are ion-implanted with the oxidized film 12 as a mask, a p+-type contact region 8 is formed on the surface layer part of a p-type channel region 6, and a p+-type region 16a is formed on the Poly-Si layer 16.例文帳に追加

この後、酸化膜１２をマスクとしてｐ型不純物をイオン注入し、ｐ型チャネル領域６の表層部にｐ^+型コンタクト領域８を形成すると共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１６にｐ^+型領域１６ａを形成する。 - 特許庁

A plurality of filling members 20, ... formed integrally with a sloped surface part 20a having a rain water flow down direction aligned with the flowing direction of the drain channel are installed in the drain channels 14, 15 continuously with each other to form a storage space 21.例文帳に追加

排水路１４，１５内には、排水路の流れ方向と一致した雨水流下方向を有する傾斜面部２０ａが一体に形成された複数の充填部材２０…が連設されて、貯留空間２１が構成されている。 - 特許庁

Since the impurity can be replaced surely at the lattice positions when the surface channel layer 5 is formed by crystallizing the amorphous layer 40 doped with the impurity, activation rate of impurities can be enhanced.例文帳に追加

このように、不純物がドーピングされたアモルファス層４０を結晶化させて表面チャネル層５を形成すれば、確実に不純物を格子位置に置換させることができるため、不純物の活性化率を向上させることができる。 - 特許庁

The distance (t) is decided so that light (L) from the gap of the reflection electrodes 11 does not reach a channel region 7a while generating multiple reflections between the source electrode 12 having high reflectance and the back surface of the reflection electrode 11.例文帳に追加

距離ｔは、反射電極１１の間隙からの光Ｌが、高反射率を有するソース配線１２と反射電極１１の裏面との間で多重反射をおこしてチャネル領域７ａに到達しないように決定される。 - 特許庁

A semiconductor thin film 15, wherein semiconductor colloidal nanodots 30 is modified with organic molecules in the surface of semiconductor nanodots, is arranged regularly in two-dimension, and is formed into a structure used for a channel between a source electrode 12 and a drain electrode 13.例文帳に追加

半導体ナノドットの表面を有機分子で修飾した半導体コロイダルナノドット３０を二次元的に規則配列させた半導体薄膜１５を、ソース電極１２−ドレイン電極１３間のチャネルに利用した構造とする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor layer 1, a MOSFET formed on a surface (100) of the semiconductor layer 1 having a channel length direction <110>, and an element isolation region surrounding the MOSFET.例文帳に追加

本発明の例に関わる半導体装置は、半導体層１と、半導体層１の（１００）面上に形成され、チャネル長方向が＜１１０＞方向となるＭＯＳＦＥＴと、ＭＯＳＦＥＴを取り囲む素子分離領域とを備える。 - 特許庁

A strip 18 of alternative material is disposed within the spiral formed channel 12 and in combination with an exposed upper surface 17 thereon forms the wrap style hand grip which is particularly suited for use as a golf club grip.例文帳に追加

別の材料から成るストリップ１８が螺旋状の溝１２の中に配置され、その上の露出された上方表面１７と一緒にゴルフクラブ用グリップとして使用するのに特に適した巻付け式のグリップを形成する。 - 特許庁

Accordingly, there can be obtained a stable characteristic that variation in the characteristic due to a surface on which the channel is formed does not appear, and the high drive-capability lateral MOS transistor having a reduced on-resistance per unit area can be provided.例文帳に追加

これにより、チャネルが形成される面による特性の変動が現れない安定した特性が得られ、単位面積当りのオン抵抗が低減された高駆動能力横型MOSトランジスタを提供することが可能となる。 - 特許庁

The channel member 41 is composed of a main body 46 which is made of a comparatively hard material, and a cover section 47 which is made of a material softer than the main body 46 and covers circumferential portions including the bottom surface of the main body 46.例文帳に追加

流路部材４１は、比較的硬質な材料で形成された本体４６と、この本体４６よりも軟質な材料で形成され、本体４６の底面を含む周面の一部を覆う被覆部４７とからなる。 - 特許庁

This auxiliary tool provides a support and a bearing on a furring installed at the indoor and outdoor sides of a building, and then cuts of a predetermined dimension are made at both ends of the longitudinal direction of the auxiliary tool having a section similar to that of a channel on the vertical surface of the auxiliary tool.例文帳に追加

建築物の屋内、屋外に設けられた天井野縁に支点と支持を持たせた補助器具で、さらに略コ字状断面の補助器具の縦面に長手方向両端に所定寸法の切り込みを設けた。 - 特許庁

To provide an air classification apparatus capable of improving the separation efficiency of lightweight matters and heavy matters by efficiently using the wind power to waste plastics or the like even in the case the cross-sectional surface area of a wind channel housing is increased.例文帳に追加

風洞ハウジングの洞断面積を増大させた場合においても、風力を廃プラスチック品等に有効に作用させて、軽量物と重量物との分離効率を向上することができる風力選別装置を提供する。 - 特許庁

A recess 3 is provided on the bottom surface of a packaging case 2, the pressure valve 4 formed by a thin section is provided at the recess 3, and at the same time a channel for discharging gas inside the electrolytic capacitor is provided from the recess 3 to the side of the packaging case 2.例文帳に追加

外装ケース２の底面に凹部３を設け、該凹部３に薄肉部よりなる圧力弁４を設けるとともに、前記凹部３から外装ケース２の側面に電解コンデンサの内部のガスを放出する溝を設けた。 - 特許庁

To provide a working method by which two-dimensional projected length Lp of the outer corner parts of shapes such as a channel, an angle and a hat steel is made small and metallic worked goods having the small two-dimensional projected length Lp and a beautiful surface.例文帳に追加

チャンネル、アングル、ハット鋼など形鋼の外角部の二次元投影長さＬｐを小さくできる金属材料の加工方法、および二次元投影長さＬｐが小さく、肌が美麗な金属加工品を提供する。 - 特許庁

The surface plasmon resonance measuring method is characterized in that the cross-sectional area of the flow channel connected to the outlet of a flow cell is 0.04 mm^2 or below and constituted so as to increase the pressure in the flow cell by pressure loss to dissolve and remove mixed bubbles.例文帳に追加

フローセルの出口に接続された流路の断面積が０．０４ｍｍ^2以下であり、圧力損失によってフローセル内の圧力を高め、混入した泡を溶解・消失させる表面プラズモン共鳴の測定方法。 - 特許庁

The SiC film 11 includes a facet forming layer 11a on its surface, a length P1 of one term of facet of the facet forming layer 11a is 100 nm or larger, and the facet-forming layer 11a is defined as a channel 16.例文帳に追加

ＳｉＣ膜１１はその表面にファセット形成層１１ａを有しており、ファセット形成層１１ａのファセットの一周期の長さＰ１は１００ｎｍ以上であり、ファセット形成層１１ａをチャネル１６としている。 - 特許庁

In the trench 6, a p-type gate layer 9 made of GaN containing a p-type impurity is buried inside the n-type channel layer 8, and a gate electrode 10 is formed on an outermost surface 15 of the p-type gate layer 9.例文帳に追加

トレンチ６において、ｎ型チャネル層８の内側には、ｐ型不純物を含むＧａＮからなるｐ型ゲート層９が埋設されており、ｐ型ゲート層９の最表面１５には、ゲート電極１０が形成されている。 - 特許庁

The p channel MIS transistor 12 includes a second gate electrode 14B, a p-type source-drain region 16f, and a second plasma reaction film 18 that covers the upper surface of the p-type source-drain region 16f and the second gate electrode 14B.例文帳に追加

ｐチャネルＭＩＳトランジスタ１２は、第２のゲート電極１４Ｂと、ｐ型ソースドレイン領域１６ｆと、第２のゲート電極１４Ｂ及びｐ型ソースドレイン領域１６ｆの上面を覆う第２のプラズマ反応膜１８とを有している。 - 特許庁

When surface treatment is performed, a treatment gas of required flow rate and concentration of hydrogen fluoride is produced using a plurality of production sections 10 and passed through the ejection channels 23, 24 and 25 at an ejection channel defining section 20 before being jetted to an article W to be treated.例文帳に追加

表面処理の実行時には、複数の生成部１０を用いて所要の流量及びフッ化水素濃度の処理ガスを生成し、噴出路画成部２０の噴出路２３，２４，２５に通して被処理物Ｗに噴き付ける。 - 特許庁

Since the ink channel is filled with the alkaline solution 7 sucked from the nozzle through capillarity, the alkaline solution does not reach the interior of a holder 2 or a member 3 having a needle and excellent wettability of ink on the inner surface thereof is not damaged.例文帳に追加

ノズルからの毛細管現象によってアルカリ溶液７を充填するため、ホールダ２や針付部材３の内部まではアルカリ溶液が到達せず、ホールダ２や針付部材３の内面の優れたインクの濡れ性を損なうことがない。 - 特許庁

Since the inner wall face of the ink channel is a hydrophilized face effected by the thin glass film or a material surface treated with a hydrophilic treatment, filling of ink and discharging of bubbles becomes easier and a highly reliable ink jet print head can be provided.例文帳に追加

インク流路の内壁面はガラス薄膜による親水化された面、もしくは親水化処理された素材表面であるので、インクの充填、気泡の排出が容易になり、信頼性の高いインクジェットプリントヘッドが得られる。 - 特許庁

A gate electrode 9 is formed on the inner wall of a trench 12, that penetrates the p-type silicon carbide channel layer 4 to the n-type silicon carbide drift layer 2 from the surface of the n-type silicon carbide source layer 5 via the gate insulation film 8.例文帳に追加

ゲート電極９は、ｎ型炭化珪素ソース層５表面から、ｐ型炭化珪素チャネル層４を貫通して、ｎ型炭化珪素ドリフト層２に達するトレンチ１２内壁にゲート絶縁膜８を介して形成される。 - 特許庁

To accurately and closely bond a top plate and an element substrate while preventing the damage or breakage of a liquid flow channel surface at a time of the alignment of both of them.例文帳に追加

天板と素子基板の位置合わせ時における液流路面等の損傷や破損を防止しかつ両者を精度良く密着接合させることができる液体噴射記録ヘッドの製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate with an SOI structure having a very thin strain relief SiGe layer with a very low transition density and with excellent flatness of its surface even if a strained Si channel structure or a strained SiGe structure is employed.例文帳に追加

歪Ｓｉチャネル又は歪ＳｉＧｅチャネル構造を採用するも、転移密度が極めて低く表面の平坦性に優れた極薄の歪緩和ＳｉＧｅ層を有するＳＯＩ構造の半導体基板を提供する。 - 特許庁

The entire area of the ink channel is covered with a protective film made of an epoxy resin high in covering performance and excellent in chemical resistance, and then a surface of the protective film is covered with an ink-philic layer made of colloidal silica excellent in ink-philic property and SiO_2.例文帳に追加

インク流路内全面に被覆性が高く耐薬品性に優れたエポキシ系樹脂を保護膜として被覆し、更に、親インク性に優れたコロイダルシリカとＳｉＯ_２からなる親インク層をその表層に設けるようにした。 - 特許庁