「surface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(979ページ目) - Weblio英語例文検索

Non-photosensitive and positive type photosensitive barrier rib material layers 13, 14 is formed on a main surface of a substrate main body 30 in order and light is applied just on a part 21 of the photosensitive barrier rib material layer 14.例文帳に追加

基板本体３０の主表面上に非感光性及びポジ型の感光性のバリアリブ材料層１３，１４を順次に形成し、感光性バリアリブ材料層１４の一部分２１にのみ光を照射する。 - 特許庁

Thereafter, ions are implanted into the cathode surface side of the N--type semiconductor substrate 45, by which an ion-implanted layer 23 which is gradually decreased in thickness as it approaches the periphery of the substrate 45 is formed (S3a).例文帳に追加

その後、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側にイオンを注入して、前記ｎ^-型半導体基板４５の外周側に近づくに連れて厚さの薄いイオン注入層２３を形成する(Ｓ３ａ)。 - 特許庁

The antenna pattern 2 can be constituted of a coil, and can also be constituted by applying fine processing such as etching and laser beam machining to a conductor film formed on the surface of the insulating layer 4.例文帳に追加

アンテナパターン２は、巻線をもって構成することもできるし、絶縁層４の表面に形成された導体膜に例えばエッチングやレーザビーム加工等の微細加工を施すことにより構成することもできる。 - 特許庁

With the use of a silicon substrate 20 having a crystal face orientation of 110 and a thickness of 500 μm, germanium Ge is ion-injected to a surface of the silicon substrate 20, whereby a layer 30a having the Ge implanted is formed.例文帳に追加

結晶面方位１１０の厚さ５００μｍのシリコン基板２０を用いて、このシリコン基板２０の表面にゲルマニウムＧｅをイオン注入することによって、Ｇｅが打ち込まれた層３０ａを形成する。 - 特許庁

A laser beam is emitted to the capacitor electrodes 71a, 72a, 73a via a dielectric layer on the surface to trim the capacitance to divide the capacitor electrodes 71a, 72a, 73a by a trimming groove 80 of a closed loop.例文帳に追加

コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａの容量をトリミングするには、表面の誘電体層を介してレーザを照射することで電極７１ａ，７２ａ，７３ａを閉ループのトリミング溝８０で分割する。 - 特許庁

The semiconductor lens 3 is provided with an infrared block layer 3c which blocks incidence of infrared rays onto the light receiving surface of the infrared detection element 1 through the base part 3b located inside the translucent window 23.例文帳に追加

また、半導体レンズ３は、透光窓２３の内側に位置するベース部３ｂを通して赤外線検出素子１の受光面へ入射しようとする赤外線を阻止する赤外線阻止部３ｃが設けられている。 - 特許庁

Since the chemical reaction consumes the OH groups and reduces the number of the OH groups to reduce the intensity of the polarity on the surface of the inorganic alignment layer 6, adsorption of the impurities under the influence of the polarity can be suppressed.例文帳に追加

この化学反応によりＯＨ基が失われて数が少なくなり、その分無機配向膜６の表面の極性が低減するため、極性の影響による不純物の吸着を抑えることができる。 - 特許庁

The conductive impurity region 3 for transferring the electric signal from the light receiving element 14 to the signal processing circuit 15 is formed from the bottom of the trench as far as the upper surface of the semiconductor growth layer 2.例文帳に追加

受光素子１４からの電気信号を信号処理回路１５へ伝送するための導電性不純物領域３は、トレンチの底部から半導体成長層２の上面まで至るように形成されている。 - 特許庁

In a dye-sublimation printer, when a plurality of images of a size smaller than a surface of an ink layer, a density of the images to be printed is determined.例文帳に追加

昇華プリンタにおいて、インク層の面よりも小さいサイズの複数枚の画面をプリントする際に、プリント対象となる画像の濃度を判定し、濃度の高い場合は、インクリボン１の各インク層面を巻き戻し方向側から使用する。 - 特許庁

In the image-forming device, an electrostatic latent image is formed on a photosensitive layer 1a formed in the surface of a photosensitive drum 1, and this latent image is developed in a developing part 4 to form a toner image.例文帳に追加

本画像形成装置では、感光体ドラム１の表面に形成された感光体層１ａに、静電潜像を形成し、この潜像を現像部４によって現像することによりトナー像を生成するものである。 - 特許庁

The structure in ceramic layer on abrasion surface side comprises at least ≥15 vol.% self- lubricating oxide particles having 0.02-3.0 mm particle diameters given as average value of short diameter and long diameter.例文帳に追加

摩擦面側のセラミックス層における組織は、短径と長径の平均値として与えられる粒径が０．０２〜３．０ｍｍの自己潤滑性酸化物粒子からなる粗大粒子を、少なくとも１５ｖｏｌ％以上含む。 - 特許庁

The thermal insulation panel is integrally molded with the thermal insulation layer by heating and foaming by a heating medium such as steam, by filling the foaming synthetic resin between the two metallic plates surface-treated by the thermoplastic synthetic resin.例文帳に追加

また、熱可塑性合成樹脂で表面処理された２枚の金属板間に、発泡性合成樹脂を充填し、水蒸気等の加熱媒体で加熱発泡させることにより断熱層と一体成形された断熱パネル。 - 特許庁

A field emission type cold-cathode 1 is provided with a cathode substrate 10, an insulating layer 94, and a gate electrode 96, and it is to emit electrons from an electron emission face S1 on the surface of the cathode substrate 10.例文帳に追加

電界放射型冷陰極１は、カソード基板１０、絶縁層９４、及びゲート電極９６を備えており、カソード基板１０表面の電子放出面Ｓ１から電子を放出させるものである。 - 特許庁

To surely prevent entering of plating liquid into a connection terminal part for plating consisting of a peripheral part of a base material metal layer formed over the entire surface of a semiconductor wafer when forming a columnar electrode by electrolytic plating.例文帳に追加

柱状電極を電解メッキにより形成するとき、半導体ウエハ上の全面に形成された下地金属層の周辺部からなるメッキ用接続端子部の部分へのメッキ液の浸入を確実に防止する。 - 特許庁

The nozzle plate 4 is produced by coating the ejection surface of a nozzle forming member 41 having the nozzle holes Nz with a water-repellent layer 42 comprising a plasma polymerization film having a siloxane bond (Si-O) as a main skeleton.例文帳に追加

ノズルプレート４は、ノズル孔Ｎｚが形成されたノズル孔形成部材４１の吐出面を撥水層４２で被覆したもので、撥水層４２はシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）を主骨格とするプラズマ重合膜からなる。 - 特許庁

After that, a plating resist 12 is formed in the inversion pattern of a wiring circuit pattern and a conductive layer 4 is formed on the surface of the copper thin film 11 exposed from the plating resist 12 by electrolytic plating.例文帳に追加

その後、銅薄膜１１の表面に、めっきレジスト１２を配線回路パターンの反転パターンで形成し、このめっきレジスト１２から露出する銅薄膜１１の表面に、電解めっきにより導体層４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which has a smaller thickness than heretofore and no threading dislocation and is provided with a stress relieving silicon germanium buffer layer having a flat surface in atomic level, and is superior in mass productivity.例文帳に追加

従来よりも膜厚が薄く、貫通転位が無く、且つ表面が原子レベルで平坦な歪緩和シリコンゲルマニウム緩衝層を有する、量産性の優れた半導体装置を製造する方法を提供する - 特許庁

By feeding hydrogen sulfide gas into a heating chamber in the course of the duration of soaking and holding at quenching temperature in a nitrogen atmosphere, a sulfurized layer is formed on the work surface and quenching is applied in such a state.例文帳に追加

窒素雰囲気中における焼入温度での均熱保持期間中に、加熱室内に硫化水素ガスを供給することによってワーク表面に浸硫層を生成させ、この状態で焼入れを施す。 - 特許庁

The acid resistant concrete product comprises a concrete formed body and a hardened layer of an acid resistant cement composition containing alumina cement, alumina cement clinker aggregate and steel making dust, which is formed on the surface of the concrete formed body.例文帳に追加

コンクリート成形体、そして該コンクリート成形体の表面に形成されたアルミナセメント、アルミナセメントクリンカ骨材、および製鋼ダストを含有する耐酸性セメント組成物の硬化層とからなる耐酸性コンクリート製品。 - 特許庁

To provide a coating material to be used for forming a coating layer on the surface of an optical semiconductor element, which can enhance color stability of light emitted from an optical semiconductor device.例文帳に追加

光半導体素子の表面上にコーティング層を形成するために用いられ、光半導体装置から発せられる光の色の安定性を高めることができる光半導体装置用コーティング材料を提供する。 - 特許庁

The multilayered extruded product thus obtained is subjected to stretch forming and heat treatment to orient and crystallize a polyethylene terephthalate molecule and the highly weatherproof resin (c) is thermally welded on the surface of the intermediate layer (b).例文帳に追加

このようにして得た多層押出成形品を延伸成形と熱処理を施すことでポリエチレンテレフタレート分子を配向、結晶化し、その後、中間層（ｂ）の表面に高耐候性樹脂（ｃ）を熱融着させる。 - 特許庁

The wafer holder consists of a chuck top having a chuck top conductor layer on its surface, and a supporter for supporting the chuck top, and has a supporting member in a gap between the chuck top and the supporter.例文帳に追加

本発明のウェハ保持体は、表面にチャックトップ導体層を有するチャックトップと、該チャックトップを支持する支持体とからなり、前記チャックトップと支持体との間の空隙部に、支持部材を有することを特徴とする。 - 特許庁

A first inorganic film 4 of, e.g. silicon oxide is formed on a surface of a silicon substrate 2, then, the silicon substrate 2 is introduced into an epitaxial growth chamber to form a silicon layer 6 by epitaxial growth.例文帳に追加

シリコン基板２の表面にたとえばシリコンの酸化物による第１の無機膜４を形成し、つづいてシリコン基板２をシリコン・エピタキシャル成長炉に導入してエピタキシャル成長によりシリコン層６を形成する。 - 特許庁

The heat insulating gas compressed by the sub-piston 24 in the bore 23 is ejected through an ejection passage 26 formed in the piston 13 to form the heat insulating layer along an inner peripheral surface of the cylinder bore 12.例文帳に追加

サブピストン２４により圧縮されボア２３内の断熱ガスを圧縮行程においてピストン１３に設けられた噴出通路２６を介して噴出し、シリンダボア１２の内周面に沿った断熱層を形成する。 - 特許庁

The polyarylene sulfide system resin composition having thermal deformation temperature less than 140°C is injection-molded at metal mold temperature of the thermal deformation temperature or less by using a metal mold, at an inner surface of which a heat insulation layer is formed.例文帳に追加

熱変形温度が１４０℃未満のポリアリーレンサルファイド系樹脂組成物を、金型内表面に断熱層が形成された金型を用い、上記熱変形温度以下の金型温度で射出成形する。 - 特許庁

In the gas sensor, heat generated by the reaction of a gas to be detected at the surface of a catalyst carried by a catalyst carrying layer is converted into a voltage by a thermoelectric conversion material, to sense the presence of the gas.例文帳に追加

検知対象となるガスが触媒担持層に担持される触媒の表面で反応することにより発生する熱を、熱電変換材料により電圧に変換し、ガスの存在を検知するガスセンサである。 - 特許庁

This zinc oxide particle has a coating layer comprising zinc silicate in an amount within the range of 0.5-50 wt.% expressed in terms of the zinc silicate (zinc orthosilicate or Zn2SiO4) based on the zinc oxide on the surface thereof.例文帳に追加

本発明による酸化亜鉛粒子は、その表面に酸化亜鉛に対してケイ酸亜鉛（オルトケイ酸亜鉛、Ｚｎ_2 ＳｉＯ_4 ）換算で0.５〜５０重量％の範囲のケイ酸亜鉛からなる被覆層を有する。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer W is produced by forming a silicon epitaxial layer 2 on the major surface 11 of a lightly doped p^- type or n^- type silicon single crystal substrate 1 having a resistivity of 0.02 Ωcm or above.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハＷは、抵抗率が０．０２Ω・ｃｍよりも高いｐ^−型又はｎ^−型の低ドープのシリコン単結晶基板１の主表面１１にシリコンエピタキシャル層２が形成されたものである。 - 特許庁

The cell culture carrier 1 is composed of a granular base material 2 and a coating layer 3 covering the surface of the base material 2 and composed of a calcium phosphate-type apatite having a deficit in a part of Ca.例文帳に追加

細胞培養担体１は、粒状の基材２と、この基材２の表面を覆うように設けられ、主として、Ｃａの一部が欠損したリン酸カルシウム系アパタイトで構成される被覆層３とを有するものである。 - 特許庁

To provide a technology to more uniformly inject driving current into an active layer having a wide area in a surface-emitting nitride semiconductor light emitting device employing a nitride semiconductor substrate or a ZnO substrate.例文帳に追加

窒化物半導体基板やＺｎＯ基板を採用する面発光型の窒化物半導体発光素子において、広い面積の活性層に、より均一に駆動電流を注入するための技術を提供する。 - 特許庁

Thereby, the entire gas contact part 16 are coated with the fluororesin powders 15, that is, a layer of the fluororesin powders 15 with excellent thin film formability, uniformity, and adhesiveness is formed on the entire surface of the gas contact part 16 made of metal.例文帳に追加

これにより、接ガス部１６の隅々までフッ素樹脂１５が塗られると同時に、金属製の接ガス部１６の全表面において、薄膜性・均一性・付着性に優れたフッ素樹脂１５の層が形成される。 - 特許庁

A micro strip line type high-frequency line 4 comprises a dielectric substrate 1, a signal conductor 2 formed on a first surface of the dielectric substrate 1, and a ground layer 3 formed inside the dielectric substrate 1.例文帳に追加

誘電体基板１と、誘電体基板１の第1の面に形成された信号導体２と、誘電体基板１の内部に形成されたグランド層３からマイクロストリップ線路型の高周波線路４を構成されている。 - 特許庁

This trading card and its dedicated card case are characterized in that the image formation print layer formed by printing the latent image composed of latent image line patterns is provided at least a part of a card base material surface.例文帳に追加

カード基材表面の少なくとも一部分に、潜像万線パターンからなる潜像画像が印刷されてなる画像形成印刷層を設けたことを特徴とするトレーディングカードおよびその専用カードケースである。 - 特許庁

To provide a process for forming a catalyst metallization layer by substitution plating without causing any pit in the copper grain boundary and without enlarging its pit when a barrier film for preventing the spread of copper is formed on the copper surface.例文帳に追加

銅表面に銅の拡散を防止すバリア膜を形成する際に、銅の結晶粒界にピットを発生させることなく、そのピットを拡大することなく、置換メッキにより触媒金属層の形成を図る。 - 特許庁

A backing film 3 made of a TiN film actually not solving oxygen in it is applied on a gas nitriding layer 2 of an outer peripheral surface of a piston ring 1, and a TiN film 4 solving oxygen in it is applied on it.例文帳に追加

ピストンリング１の外周面のガス窒化層２上に、実質的に酸素を固溶していないＴｉＮ皮膜からなる下地皮膜３を被覆し、更にその上に酸素を固溶したＴｉＮ皮膜４を被覆する。 - 特許庁

To provide a laminated film excellent in the adhesion of a photocatalyst functional layer comprising titanium oxide and a polyester film becoming a base material and developing photocatalytic function (e.g.; surface antifouling effect, antibacterial effect, hydrophilifying effect).例文帳に追加

チタン酸化物からなる光触媒機能層と基材となるポリエステルフィルムとの接着性に優れ、かつ光触媒作用（例えば、表面の防汚効果、抗菌効果、起親水化効果）を奏する積層フィルムを提供する。 - 特許庁

To reduce operating voltage of a semiconductor storage device by expanding coupling ratio, preventing problems like enlargement of element surface, decrease of cell current or less reliability due to the thin film of a dielectric layer.例文帳に追加

素子面積の増大、セル電流の減少、又は誘電層の薄膜化に起因する信頼性の低下等の問題を防止しつつ、カップリングレシオを増大させて、半導体記憶装置の動作電圧を低電圧化する。 - 特許庁

This disposable absorptive article comprises the water proofing rear face sheet and a liquid absorbable panel disposed on the upper surface thereof and has a liquid diffusing layer between the rear face sheet and the liquid absorbable panel.例文帳に追加

吸収性物品は、防水性裏面シートと、その上面に位置する吸液性パネルとからなる使い捨て吸収性物品において、前記裏面シートと前記吸液性パネルとの間に液拡散層を介在する。 - 特許庁

When the resist 3, the resin layer 2 and the substrate 1 are simultaneously dry etched in such a state, the pattern of the microlenses formed on the resist 3 is transferred to the substrate 1 and the microlens array is formed on the surface of the substrate 1.例文帳に追加

このような状態で、レジスト３と樹脂層２、基板１を同時にドライエッチングすると、レジスト３に形成されたマイクロレンズのパターンが基板１に転写され、基板１の表面にマイクロレンズアレイが形成される。 - 特許庁

This pressure-sensitive adhesive sheet 1 for masking includes a fluororesin substrate 2, and a silicone pressure sensitive adhesive layer 3 on one surface of the substrate 2, wherein the adhesive sheet 1 has a punched area in a center of itself.例文帳に追加

フッ素樹脂基材２、およびフッ素樹脂基材２の片面上にシリコーン粘着剤層３を有するマスキング用粘着シート１であって、シートの中央部に打ち抜き部を有するマスキング用粘着シート１とする。 - 特許庁

Forming the first paste layer 16 by adherence of the conductive paste film 13 in that state to the end surface 2a makes it possible to ensure a sufficient thickness of external electrodes 3 and 4 near a curved corner portion 9.例文帳に追加

そのような状態の導電性ペースト膜１３を端面２ａに付着させて第一ペースト層１６を形成することで、湾曲した角部分９付近で十分な外部電極３，４の厚みを確保する。 - 特許庁

Grains are struck against the surface of a metal 21 to form ruggedness 23, an electroless nickel plating layer 24 is formed thereon, so as to be a die, and the ruggedness of the die is transferred to a transparent resin film, thus the antiglare film is manufactured.例文帳に追加

金属２１の表面に粒子をぶつけて凹凸２３を形成し、そこに無電解ニッケルメッキ層２４を形成して金型とし、その金型の凹凸を透明樹脂フィルムに転写して、防眩フィルムを製造する。 - 特許庁

The wafer holder for wafer probers comprises a chuck top having a chuck top conducting layer on its surface and a support member for supporting the chuck top, and has a cavity in a portion between the chuck top and the support member.例文帳に追加

本発明のウェハプローバ用ウェハ保持体は、表面にチャックトップ導体層を有するチャックトップと、該チャックトップを支持する支持体とからなり、チャックトップと支持体との間の一部に空隙を有することを特徴とする。 - 特許庁

A separation region between the diode and the GTO thyristor comprises a semiconductor substrate of a first conductive type, a thin-layer region of a second conductive type formed on its main surface, and a guard ring region of a second conductive type.例文帳に追加

ダイオードとＧＴＯサイリスタとの間の分離領域が、第１導電型の半導体基板と、その主面に形成された第２導電型の薄層領域と、第２導電型のガードリング領域とを含む。 - 特許庁

This plasma resistant member has a base material 13 consisting substantially of a sintered ceramic compact and a yttrium aluminum-garnet layer 14 of ≥2 μm in thickness with which the surface of the base material 13 is melt coasted.例文帳に追加

耐プラズマ性部材の発明は、実質的にセラミックス系燒結体から成る基材１３と、前記基材１３表面に溶融被覆された厚さ２μｍ以上のイットリウムアルミニウムガーネット層１４とを有することを特徴とする。 - 特許庁