「surface phase」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

An impedance matching coil L with a SAW (surface acoustic wave) filter and a phase circuit 13 with a microstrip line for arranging a specular phase difference between both sides in an attenuation band into a range of 90° to 270° are provided between a SAW filter 11' (first filter) equipped with a band pass filter property and a trap filter 12 (second filter).例文帳に追加

バンドパスフィルタ特性を備えたＳＡＷフィルタ１１′（第１のフィルタ）と、トラップフィルタ１２（第２のフィルタ）との間に、ＳＡＷフィルタとのインピーダンス整合用コイルＬと、減衰帯域での両者の反射位相差を９０°〜２７０°の範囲内にするマイクロストリップラインによる位相回路１３を設ける。 - 特許庁

This foreign substance detecting method comprises a step for measuring displacement oscillation generated on a measurement object surface when blowing air to the measurement object, a step for measuring a phase difference based on the measured displacement oscillation in each position of the measurement object, and a step for determining the presence/absence of the foreign substance based on the degree of the phase difference.例文帳に追加

本発明に係る異物検出方法は、被測定物に空気を吹き付けたときに被測定物表面に生ずる変位振動を測定する段階と、被測定物の各位置において測定された変位振動に基づいて位相差を求める段階と、該位相差の程度により異物の有無を判別する段階と、からなる。 - 特許庁

The above hard coating 12 is made of an austenitic- phase-containing coating, which comprises Ni, Cr, N, and the balance substantially Fe, includes an austenitic phase of 10 vol.% or more, and has a surface hardness of Hv 900 or higher; or CrN having the hardness higher than the above substrate but not higher than Hv 1,600.例文帳に追加

前記硬質皮膜１２はＮｉ、ＣｒおよびＮを含有し、残部実質的にＦｅからなり、オーステナイト相を１０ vol％以上有し、かつ表面硬度がＨｖ９００以上のオーステナイト相含有皮膜、あるいは硬度が前記基材よりも高く、かつＨｖ１６００以下であるＣｒＮによって形成されたものである。 - 特許庁

An optical path length from one of the channel optical waveguide 11 for common port to one point on the end surface of the second slab optical waveguide 15 in the channel optical waveguide 13 for branch port side is fixed regardless of the optical waveguide constituting the channel optical waveguide array 12 for phase shifter before the phase shifter is driven.例文帳に追加

共通ポート用チャネル光導波路１１の一つから、分岐ポート用チャネル光導波路１３側における第２のスラブ光導波路１５の端面上の一点までの光路長は、位相シフタの駆動前において、位相シフタ用チャネル光導波路アレイ１２を構成する光導波路によらず一定である。 - 特許庁

This ultrasonographic apparatus includes: an ultrasonic probe; a scanning means for driving the ultrasonic probe to scan a scanned surface for obtaining one ultrasonic image with two ultrasonic beams different in sound ray direction concurrently; and a phase split means for shifting the respective ultrasonic beams out of phase by 90 degrees not to interfere with each other.例文帳に追加

超音波探触子と、１つの超音波画像を得るための走査面を音線方向の異なる２本の超音波ビームで並行して走査するべく前記超音波探触子を駆動する走査手段と、互いに干渉しないように各超音波ビームの位相を９０゜異ならせる位相分割手段とを具備する。 - 特許庁

This insert has an enriched binder phase having a thickness of less than 20 μm and a surface area A which essentially does not contain the cubic carbide, and the binder phase content increases essentially monotonously along a line C essentially bisecting a cutting edge in a direction from the cutting edge to the center of the insert until it reaches the bulk composition.例文帳に追加

インサートは、厚み20μm 未満の結合相に富みかつ本質的に立方晶炭化物を含まない表面領域Ａを有し、切れ刃からインサートの中心に向かう、本質的に切れ刃を２分する線Ｃに沿って、結合相含有量は、バルクの組成に達するまで本質的に単調に増加する。 - 特許庁

It is more preferable that the center line average roughness Ra75 in the surface of the plating layer is ≤0.8 μm, and the ratio of the diffraction intensity Iζof a ζ phase to the diffraction intensity Iδ_1 of a δ1 phase in the plating layer measured using an X-ray diffraction method is ≤0.1.例文帳に追加

めっき層表面の中心線平均粗さＲａ７５が０．８μｍ以下であり、Ｘ線回折法を用いて測定されためっき層中のζ相の回折強度Ｉζとδ１相の回折強度Ｉδ_1との比であるＩζ／Ｉδ_1が０．１以下であることはより好ましい実施態様である。 - 特許庁

First, a cleaned crystal substrate 101 is heated at a specified temperature in a super high vacuum to invert the surface structure of the crystal substrate 101 to low-temperature phase of 7×7 structure from high-temperature phase of 1×1 structure, namely, to change separate state into bundled state of several steps (step 111).例文帳に追加

先ず、洗浄した結晶基板１０１に超高真空の中で所定の加熱処理を施し、結晶基板１０１の表面構造を高温相の１×１構造から低温相の７×７構造に転移させ、一本一本ばらばらの状態から数本のステップが束になった状態（ステップ１１１）へと変化させる。 - 特許庁

The oscillation circuit comprises: differential amplifiers 21 to 23 composed of an ECL line receiver; a switching circuit 3; a voltage-controlled phase shifting circuit 4a for adjusting the phase shift quantity of an input signal; a SAW (surface acoustic wave) resonator 5 having the prescribed number of resonant frequencies; and an impedance circuit (Zd) 6.例文帳に追加

発振回路は、ＥＣＬラインレシーバーにより構成される差動増幅器２１〜２３と、スイッチ回路３と、入力信号の移相量を調整する電圧制御型移相回路４ａと、所定の共振周波数を有するＳＡＷ共振子５と、インピーダンス回路（Ｚｄ）６とから構成される。 - 特許庁

In the method of producing the microwave element, the magnetic garnet single crystal film grown by a liquid phase epitaxial method is used, and the method of producing the microwave element comprises cutting a garnet single crystal substrate into chips and then growing the magnetic garnet single crystal film on the surface of the chip of the garnet single crystal substrate by a liquid phase epitaxial method.例文帳に追加

液相エピタキシャル法により育成する磁性ガーネット単結晶膜を用いたマイクロ波素子の製造方法は、ガーネット単結晶基板をチップ状に切断した後、ガーネット単結晶基板チップ表面に液相エピタキシャル法により磁性ガーネット単結晶膜を育成することを特徴とする。 - 特許庁

Accordingly, the liquid-phase refrigerant attached to the surface of the evaporation/condensation core 130 in a state of being expanded like a thin film, quickly exchanges the heat with the heat medium and is evaporated, and the remarkable impairing of the heat exchanging performance can be prevented even when the temperature difference between the heat medium and the liquid-phase refrigerant is small.例文帳に追加

したがって、蒸発／凝縮コア１３０の表面に薄膜状に拡がって付着した液相冷媒は、速やかに熱媒体と熱交換して蒸発するので、熱媒体と液相冷媒との温度差が小さいときであっても、熱交換能力が大きく低下してしまうことを抑制できる。 - 特許庁

A couple of flat surfaces 14 are formed, by cutting the outer peripheral surface of the hold part 11a at opposite positions along an axis and arranged along the long axis of the radiation part 11b, so that the primary radiator functions as a phase compensation part which compensates the propagation phase difference that the radiation 11b has.例文帳に追加

保持部１１ａの外周面の対向する位置を軸線方向に沿って平行に切欠いて一対の平坦面１４を形成し、両平坦面１４を放射部１１ｂの長軸方向に沿って配置することにより、放射部１１ｂで生じる伝播位相差を補償する位相補償部として機能させる。 - 特許庁

In the film-like amorphous alloy member formed by colliding amorphous alloy particulates in which an amorphous phase is present by ≥50% by volume fraction against the surface of a substrate at high speed, the amorphous phase is present by ≥50%, and also, the average film thickness is ≥2 μm.例文帳に追加

アモルファス相が体積分率で５０％以上存在するアモルファス合金微粒子を基板上に高速に衝突させ形成してなる膜状の合金部材であって、アモルファス相が体積分率で５０％以上存在し、かつ平均膜厚が２μm以上であることを特徴とするアモルファス合金部材である。 - 特許庁

To provide a fixing device adaptable for various paper widths, in which stable thermal fixation without thermal breakage on a heat roller surface is possible and at the same time, to realize a low-cost and reliable electrophotographic printer by reducing power deviation of each phase on three phase alternating current supply for high-speed printing.例文帳に追加

多種の用紙幅に対応し、加熱ローラ表面の熱破損の無い安定した熱定着が可能な定着装置を提供すると同時に、高速度印刷を可能とする３相交流給電における各相の電力の偏りを少なくし、安価で信頼性の高い電子写真式印刷装置を実現する。 - 特許庁

While, in the fall preventive member, a pocket engaging with the lower locking claw 20 and the upper locking claw 30 is constituted in vertical columns 210 and 240 erected on the ground by shifting a phase on a vertical column peripheral surface, and the lower locking claw 20 and the upper locking claw 30 are respectively engaged with the pocket different in the phase.例文帳に追加

一方、地上に立設した縦支柱２１０，２４０に前記下部係止爪２０と上部係止爪３０が係合するポケットを縦支柱周面上に位相をずらして構成し、前記下部係止爪２０と上部係止爪３０を、それぞれ前記位相の異なるポケットに係合した落下防止部材である。 - 特許庁

In the electrophotographic photoconductor having at least a photosensitive layer on an electroconductive support, a surface layer in the photosensitive layer contains particles in which both a phase 1 based on a polyorganosiloxane component and a phase 2 based on a silicon-free organic polymer component are exposed at the surfaces of the particles.例文帳に追加

導電性支持体上に、少なくとも、感光層を有する電子写真用感光体において、該感光層における表面層中に、ポリオルガノシロキサン成分を主とする相１とケイ素を含まない有機ポリマー成分を主とする相２との両方が粒子表面に露出している粒子を含有させる。 - 特許庁

In a surface acoustic wave element comprising an interleaved weighting IDT electrode and a grating reflector, a stimulation region where a stimulation phase of a surface acoustic wave is inverted is not included in the inside of the IDT electrode and the interleaving weighting of the IDT electrodes is differentiated horizontally with respect to a propagation direction of a surface acoustic wave.例文帳に追加

間引き重み付けＩＤＴ電極とグレーティング反射器とで構成する弾性表面波共振子であって、ＩＤＴ電極の内部に弾性表面波の励振の位相が逆相となる励振領域を含まないようにすると共に、ＩＤＴ電極の間引きの重み付けが表面波の伝搬方向に対して左右で異なるようする。 - 特許庁

The method for growing a gallium nitride crystal is a method for growing a gallium nitride crystal on the main surface of an aluminum nitride crystal by a hydride vapor phase growth process, wherein the main surface is the (0001) Al surface of aluminum nitride crystal and the growth temperature of gallium nitride crystal is higher than 1,100°C and lower than 1,400°C.例文帳に追加

本窒化ガリウム結晶の成長方法は、窒化アルミニウム結晶の主面上に、ハイドライド気相成長法により窒化ガリウム結晶を成長させる方法であって、その主面は窒化アルミニウム結晶の（０００１）Ａｌ表面であり、窒化ガリウム結晶の成長温度が１１００℃より高く１４００℃より低いことを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor light-emitting element includes a step for forming by organic vapor phase epitaxy a laminated structure of a compound semiconductor composed of a group III element and a group V element on a substrate 4 mounted on a substrate mounting part 3 provided on a surface of a tray 1 disposed above heating means, the surface being opposed to a surface facing the heating means.例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法は、加熱手段の上に配置されたトレイ１の、前記加熱手段とは反対側の表面上にある基板搭載部３に搭載された基板４上に、ＩＩＩ族元素とＶ族元素とからなる化合物半導体の積層構造を有機金属気相成長法により成長する工程を含む。 - 特許庁

In the rear-surface-electrode type semiconductor heterojunction solar battery, both the n-type and p-type semiconductors for storing collectively electrons and holes therein respectively and the current deriving electrodes connected respectively with the semiconductors are disposed in the rear surface present on the opposite side to the surface irradiated by sunlight, and the n-type and p-type semiconductors are formed by a catalytic chemistry vapor-phase depositing method.例文帳に追加

電子及びホールを収集するｎ型半導体及びｐ型半導体と、それぞれに接続されている電流取り出し電極のいずれもが、太陽光の照射面とは反対側にある裏面に設置されていると共に、前記ｎ型半導体及びｐ型半導体が触媒化学気相堆積法により形成されている。 - 特許庁

The surface of a flat homoepitaxial diamond film of low surface level density grown on a diamond (111) single-crystal substrate by a vapor-phase growing method using carbon hydride is terminated with oxygen atoms by boiling and washing processing using mixed acid, processing using oxygen plasma, or atmospheric annealing to obtain p-type surface conductive oxygen-terminated (111) diamond.例文帳に追加

ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、ｐ型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。 - 特許庁

The belt temperature control means controls the temperature of the belt 15 while the roll temperature control means controls the temperature of the peripheral surface 131, and the nip pressure control means controls the linear pressure between belt 15 and the third cooling roll 13, and therefore, the sheet having the small residual phase difference, surface roughness, and high surface smoothness is stably obtained.例文帳に追加

そのため、ロール温度制御手段が周面１３１の温度を制御しつつ、ベルト温度制御手段がベルト１５の温度を制御し、さらに、ニップ圧力制御手段がベルト１５および第三の冷却ロール１３間の線圧も制御するので、残留位相差および表面粗さが小さく、表面平滑性が高いシートが安定的に得られる。 - 特許庁

In the super hard film coated member, the surface of the base material composed of a hard metal consisting of WC of 5 to 20 μm average particle size and Co as a binding phase is coated with the super hard film composed of diamond or diamond-like carbon and a large number of irregularities are provided to the surface of the WC particles existing on the surface of the base material.例文帳に追加

平均粒径５μｍ以上２０μｍ以下のＷＣと結合相としてのＣｏとからなる超硬合金の基材表面にダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素よりなる超硬質膜が被覆され、前記基材表面に存在するＷＣ粒子の表面には多数の凹凸が形成されてなる超硬質膜被覆部材とする。 - 特許庁

Thereafter, the sapphire substrate 1 with the surface modified layer 2 formed thereon is carried into a gas phase growing device in an atmosphere containing ammonium of 20 slm, hydrogen of 30 slm and nitrogen of 50 slm, then, temperature is raised to the growing temperature (1100°C) of the GaN layer (nitride semiconductor layer) 3 to grow the GaN layer 3 on the surface of the surface modified layer 2.例文帳に追加

その後、表面改質層２を形成したサファイア基板１を、２０ｓｌｍのアンモニア、３０ｓｌｍの水素及び５０ｓｌｍの窒素を含む雰囲気にある気相成長装置内へ搬入し、ＧａＮ層（窒化物半導体層）３の成長温度（１１００℃）にまで昇温し、表面改質層２の表面にＧａＮ層３を成長させる。 - 特許庁

A positive electrode 2 of a bio-fuel cell is manufactured by contacting a solution, in which a hydrophobic electronic mediator such as ferrocene is dissolved in an organic solvent having phase separation with water, on the surface of an electrode on which an enzyme is fixed, after the enzyme is fixed on the surface of the electrode with gaps inside, and fixing the hydrophobic electronic mediator on the surface of the electrode.例文帳に追加

内部に空隙を有する電極の表面に酵素を固定化した後、この酵素を固定化した電極の表面に、フェロセンなどの疎水性の電子メディエーターを水と相分離する有機溶媒に溶解した溶液を接触させて電極の表面に疎水性の電子メディエーターを固定化することによりバイオ燃料電池の正極２を製造する。 - 特許庁

In manufacturing of a liquid crystal device 100, after forming inorganic oriented films 16, 26 by oblique deposition in an inorganic oriented film forming step, surface insulator films 17, 27 are formed on the surface side of the inorganic oriented films 16, 26 by liquid phase deposition utilizing deposition from a saturated solution in a surface insulator film forming step.例文帳に追加

液晶装置１００を製造するにあたって、無機配向膜形成工程において斜方蒸着により無機配向膜１６、２６を形成した後、表面絶縁膜形成工程では、無機配向膜１６、２６の表面側に、飽和溶液からの析出を利用した液相析出法により、表面絶縁膜１７、２７を形成する。 - 特許庁

The moving quantity of the water is calculated from the interference fringe image of the other surface of the wafer, in synchronization with respect to the measurement of the shape of one surface of the wafer using a phase shift method, and the shape of one surface of the wafer is calculated using the calculated moving quantity to ensure high measurement accuracy, even when the wafer is moved.例文帳に追加

本発明は，位相シフト法を用いてウェーハの一方の面の形状を測定するのに同期してウェーハの他方の面の干渉縞画像から移動量を計算し，求めた移動量を用いて，ウェーハの一方の面の形状を計算することによって，ウェーハに移動がある場合にも高い測定精度を確保することを図ったものである。 - 特許庁

The bulb tube and the bulb with a reflection mirror are provided with a glass bulb 1 with continuous curved surface parts, a light source 4 arranged inside the bulb 1, and a multi-layer light-interfering film 5 with vapor phase epitaxy formed on the surface of the bulb to a direction within an angle θof not more than 30° against the vertical line from the surface.例文帳に追加

連続した曲面状部を有するガラスバルブ１と、このバルブ１内に配設した光源４と、上記バルブ１表面上に気相成長方向をこの表面からの垂線に対し３０度以内の角度θで形成した多層光干渉膜５とを備えている管球およびこの管球を有する反射鏡付管球である。 - 特許庁

To provide a safe and inexpensive method of reducing the thickness of a ferroelectric film by effectively removing a secondary phase formed on its surface and further maintaining the smoothness of its surface such that an electronic device using this ferroelectric film can be operated at a low voltage.例文帳に追加

強誘電体膜の表面に形成された二次相を効果的に除去し、さらに、それを用いた電子装置が低電圧で操作可能となるように強誘電体膜の表面の滑らかさを保持しながら膜厚を低減するための安全でかつ安価な方法を提供する。 - 特許庁

The device is further provided with a surface acoustic wave filter 700 having comb-shaped electrodes 701, 202 and 203 formed along the propagation direction of the surface acoustic wave on the substrate, so as to have the balancing-unbalancing function by making the phase different from that of the filter 100.例文帳に追加

上記基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿って形成された各くし型電極部７０１、２０２、２０３を有する弾性表面波フィルタ７００を弾性表面波フィルタ１００と位相を異ならせて平衡−不平衡機能を有するように設ける。 - 特許庁

The method for the production of a surface-modified liposome comprises the preparation of a suspension of a liposome containing a drug in the inner water phase of a closed vesicle formed by a phospholipid double membrane, and the heating of the liposome suspension in the presence of a surface-modifying agent containing a hydrophilic polymer at >30°C and <50°C.例文帳に追加

リン脂質二重膜で形成される閉鎖小胞の内水相に薬物を含むリポソームの懸濁液を準備し、該リポソームの懸濁液を、親水性高分子を含む表面修飾剤の存在下、３０℃超ないし５０℃未満の温度で加熱する、表面修飾リポソームの製造方法。 - 特許庁

The method for producing the group III nitride crystal substrate involves a step to grow a group III nitride crystal 2 by a liquid phase method on the recessed and projected surface of a ground substrate 1 having at least a group III nitride crystal layer 1a on which the recessed and projected surface is formed.例文帳に追加

凹凸表面が形成されたＩＩＩ族窒化物結晶層１ａを少なくとも有する下地基板１を準備し、下地基板１の凹凸表面上に液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶２を成長させる工程を含むＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法。 - 特許庁

In the interior finishing wall structure comprising a wall panel 4 having the decorating pattern 13 on the surface and a lighting apparatus 12 mounted on a surface of the wall panel 4, the decorating pattern 13 has a color change function by which the color phase is changed depending on seeing angles.例文帳に追加

表面に装飾模様１３を有する壁パネル４と、この壁パネル４の表面側に取り付けられた照明器具１２とを備えた内装壁構造において、装飾模様１３として、見者が見る角度によって色相が変化する変色機能を有するものを採用する。 - 特許庁

A voltage of a frequency obtained through eigenvalue analysis is applied to the piezoelectric element 3 in a thickness direction, thereby producing vibrations in the piezoelectric element 3 where the vibration on a surface thereof in contact with the stator 2 is opposite in phase to the vibration on a surface thereof in contact with the base member 4.例文帳に追加

圧電素子３に、固有値解析で得られた周波数の電圧を厚さ方向に印加することにより、圧電素子３には、ステータ２が接触配置されている面の振動と、ベース部材４が接触配置されている面の振動とが逆位相となる振動が形成される。 - 特許庁

To enable appropriately setting a roll phase and ellipse ratio of the rolls of each stand, to surely prevent the hexagonal angularity of the inside surface and also prevent the generation of the twist of a tube and surface flaws of products at the time of stretch reduction with a three-roll tandem mill.例文帳に追加

３ロールタンデム圧延機による絞り圧延に際して各スタンドのロール位相及びロール楕円率を適切に設定でき、内面６角張りを確実に防止できると共に、管のねじれ及び製品外面疵の発生をも防止できる金属管の絞り圧延方法を提供する。 - 特許庁

By a method for matching a phase lock loop (PLL) used for detecting frequencies with a distance control system, using changes in vibration frequencies to changes in the distance between the probe and the surface of the sample as a voltage control oscillator, and matching them with a reference frequency, the distance between the probe and the surface of the sample is controlled.例文帳に追加

周波数検出に用いる位相同期ループ（ＰＬＬ）を距離制御系と一致させ、プローブ・試料表面の距離変化に対する振動周波数の変化を電圧制御発振器として用い、基準周波数に合わせる方法によりプローブ・試料表面の距離制御を行なう。 - 特許庁

The vapor phase epitaxial growth device comprises a reaction tube including a plurality of gas introduction sections and a plurality of gas reaction sections located below the plurality of gas introduction sections, and a susceptor which has a surface exposed to the interior of the gas reaction section of the reaction tube and mounting and fixing a substrate on the surface.例文帳に追加

実施形態の気相成長装置は、複数のガス導入部、及びこれら複数のガス導入部の下方に位置するガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。 - 特許庁

An ellipsometry microscope includes: an oblique illumination system that includes a light source, a polarizer and a phase compensator and emits an illumination light L4 obliquely to a sample surface SP; an imaging system; an analyzer 23; and an imaging element 24 for detecting an image by the imaging system on the detection surface 25.例文帳に追加

エリプソメトリー顕微鏡は、光源と偏光子と位相補償子とを備えると共に試料面ＳＰに対して照明光Ｌ４を斜めに照射する斜め照明系と、結像系と、検光子２３と、結像系による像を検出面２５で検出する撮像素子２４とを備える。 - 特許庁

The anisotropically shaped powder contains a second perovskite type compound containing at least Ca and Ti as a main phase, its developed surface is composed of the pseudo-cubic (100) plane, and also an aspect ratio (w_a/t_a) of the maximum length (w_a) of the developed surface to a thickness (t_a) is two or more.例文帳に追加

少なくともＣａ及びＴｉを含む第２のペロブスカイト型化合物を主相とし、その発達面が擬立方｛１００｝面からなり、かつ、その厚さ（ｔ_ａ）に対する前記発達面の最大長さ（ｗ_ａ）のアスペクト比（Ｗ_ａ／ｔ_ａ）が２以上である異方形状粉末。 - 特許庁

The ferrous metal sheet is formed of an α-γ transformational iron or formed by diffusing Si from a surface to an inside of an iron alloy sheet, wherein a ferrite-phase has {200} faces having an accumulation degree of at least 30% and {222} faces having an accumulation degree of at most 30%, with respect to the surface.例文帳に追加

Ｆｅ系金属板は、α−γ変態系のＦｅ又はＦｅ合金板の表面から内部へのＳｉの拡散により構成され、表面に対するフェライト相の｛２００｝面集積度が３０％以上であり、｛２２２｝面集積度が３０％以下である。 - 特許庁

The sampling method includes the steps of emitting the plasma to a surface of the analytical object housed in a closed space; producing a sample gas, by making a surface layer part thereof guide into a gas phase; and introducing the sample gas into the analyzer through an introduction means from the closed space by a gas flow.例文帳に追加

閉空間内に納められた分析対象物の表面にプラズマを放出し、その表層部を気相中に飛散させてサンプルガスとし、当該サンプルガスをガス流によって前記閉空間から導入手段を通して分析装置に導入することを特徴とする。 - 特許庁

The coating cutting tool insert for metal-machining a material, especially becoming short chip machining comprises a tungsten carbide base material having a binder phase enriched surface area, and a cutting blade is formed by crossing at least one rake face and at lest one clearance surface.例文帳に追加

特に短い切屑加工となる材料の金属加工用の被覆切削工具インサートに関し、バインダ相豊富表面区域を有するタングステン炭化物基材を含み、少なくなくとも一つのすくい面及び少なくとも一つのクリアランス面を交差させて切刃を形成する。 - 特許庁

The method for growing a nitride semiconductor crystal includes a step (S10) of preparing a substrate made of a nitride semiconductor having a surface including a region to be used and a step (S20) of growing a nitride semiconductor crystal on the substrate surface by a hydride vapor phase growth method.例文帳に追加

窒化物半導体結晶の成長方法は、使用される領域を含む表面を有し、窒化物半導体からなる基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ハイドライド気相成長法により、基板の表面上に窒化物半導体結晶を成長させる工程（Ｓ２０）とを備えている。 - 特許庁

To produce a thin film structure with a single-crystalline or epitaxial electrically conductive or semiconductive thin film having an ABO3 type perovskite phase structure on the surface and a method for producing the thin film structure, with respect to a thin film structure formed on the surface of a single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板の表面に形成される薄膜構造体であって、単結晶状またはエピタキシャル状でありＡＢＯ_3型ペロブスカイト相構造を有する導電性または半導電性の薄膜を表面に有する薄膜構造体とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A regenerating agent in a packing body becomes a solid phase when heat is emitted from a heat absorption surface of a Peltier element in an on-state through a heat radiation surface, and condenses water in air when the air passing through an air flow passage comes in contact with the packing body.例文帳に追加

包装体内の蓄冷剤はペルチェ素子のオン状態でペルチェ素子の吸熱面から放熱面を通して熱が放出されることで固相となるものであり、通風路内を通過する空気が包装体に接触した場合に空気中の水分を凝縮させる。 - 特許庁