「thin-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(150ページ目) - Weblio英語例文検索

The thin part TP3 is cut and removed with small cutting resistance, so that the upper layer W3, which is the optical element and other components, can be prevented from peeling off and a defective article is not generated.例文帳に追加

この際、肉薄部ＴＰ３を少ない切削抵抗で切断し除去することができるので、上側の層Ｗ３すなわち光学素子その他の部品が剥離して不良品が生じることを防止できる。 - 特許庁

When an insulation film 17 is formed following to formation of the capacitor structure 16, level difference of the insulation film 17 is relaxed at the end of an array of the transfer gate 12 and a resist layer formed thereon does not become thin.例文帳に追加

上記キャパシタ構造１６を形成後に絶縁膜１７を形成すると、トランスファゲート１２配列端部上の絶縁膜１７の段差は緩和され、その上に形成されるレジスト層は薄くなる箇所がなくなる。 - 特許庁

A method of forming a bismuth-containing oxide thin film by utilizing atomic layer deposition which includes the use of an organic bismuth compound having at least one silylamide ligand as the source material of a bismuth oxide.例文帳に追加

酸化ビスマスの原料物質として、少なくとも１個のシリルアミド配位子を有する有機ビスマス化合物を使用することを含む、原子層堆積によりビスマス含有酸化物薄膜を作製するための方法。 - 特許庁

To form a metal gettering layer by rubbing particulates into the ground surface of a thinned semiconductor wafer in order to manufacture a highly reliable semiconductor device even if a semiconductor chip is made thin.例文帳に追加

半導体チップの厚さを薄くした場合でも、信頼性の高い半導体装置を製造するために、薄厚化した半導体ウェーハ研削面へ微粒子を擦り込むことにより、金属ゲッタリング層を形成する。 - 特許庁

The reason for such construction may probably have been caused by the inevitable thin layer of earth covering the section between Tofukuji Station and Shichijo Station going underground (from aboveground), which made the construction of a two-level underground structure impossible. 例文帳に追加

このような構造になった理由は、おそらく東福寺駅-七条駅間で地上線から地下線に切り替わるために土かぶりを浅くせざるを得ず、地下2層分の施設が造れないためだと思われる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

LAMINATE, PRODUCTION PROCESS OF POLYMER-METAL COMPOSITE AND ULTRAVIOLET ABSORBING FILM, INFRARED ABSORBING FILM, PHOTO-MASK, ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING FILM, CONDUCTIVE MATERIAL, PRINTED WIRING BOARD AND THIN LAYER TRANSISTOR OBTAINED BY THE PROCESS例文帳に追加

積層体、ポリマー−金属複合材料の作製方法及びそれにより得られた紫外光吸収フィルム、赤外光吸収フィルム、フォトマスク、電磁波シールドフィルム、導電性材料、プリント配線板及び薄層トランジスタ。 - 特許庁

At this point, at least either the platinum thin film 6 or the titanium layer 4 is formed in a sputtering mixed gas of argon and oxygen, and an annealing treatment is carried out in the air at a temperature of 1,000°C.例文帳に追加

その際、白金薄膜６の形成及びチタン層４の形成のうちの少なくとも一方をアルゴンガス中に酸素ガスを混合したスパッタリングガス中で行い、アニールを大気中で温度１０００℃の条件下で行う。 - 特許庁

After the second substrate 1 with two ion implantation layers 4 and 6 formed together is joined with a first substrate 7, a joint silicon single crystal thin film 5 is peeled off from the second substrate 1 by using the ion implantation layer 4 for peeling.例文帳に追加

そして、それら２つのイオン注入層４，６が形成された第二基板１を第一基板７に結合した後、第二基板１から結合シリコン単結晶薄膜５を剥離用イオン注入層４にて剥離する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer wiring board capable of readily forming a thin-film pattern which is superior in uniformity as a mask for forming a wiring layer, even if there are multilayer wiring board warpages or irregularities.例文帳に追加

多層配線板の反りや凹凸が生じても、配線層を形成するためのマスクとして均一性に優れた薄膜のパターンを簡易に形成することができる多層配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

When toner scattered from the developing unit 111K touches the developing roller of the developing unit 111Y, it is restricted by the toner thin layer forming means of the developing unit 111Y and prevented from being transferred to the image carrier.例文帳に追加

現像ユニット１１１Ｋから飛散したトナーが現像ユニット１１１Ｙの現像ローラに接した場合、当該トナーは現像ユニット１１１Ｙのトナー薄層形成手段に拘束され、像担持体に転写されない。 - 特許庁

The organic thin film transistor with an organic semiconductor layer consists principally of a polymer having repeating units shown by general formula (I).例文帳に追加

有機半導体層１を具備する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層が、下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する重合体を主成分とするものであることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

With a substrate in a non-heated state, an amorphous SBT thin film 104 consisting of strontium (Sr), bismuth (Bi), tantalum (Ta), and oxygen (O) is deposited on a platinum layer 103 by ECR sputtering.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法により、基板加熱をしない状態で、ストロンチウム（Ｓｒ）とビスマス（Ｂｉ）とタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）とからなる非晶質状態のＳＢＴ薄膜１０４が、プラチナ層１０３の上に堆積された状態とする。 - 特許庁

Another way of establishing the same purpose is to arrange the pixel electrode and the drain electrode of a thin film transistor on a same layer to eliminate the contact hole.例文帳に追加

上記コンタクトホールを画素電極外に配置し、かつその部分を絶縁性の壁で覆う構成もしくは、画素電極と薄膜トランジスタのドレイン電極を同一レイヤーに配置して上記コンタクトホールをなくした構造にする。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element allowing an electrolytic solution constituting an electrolyte layer to be colorless and transparent, or to be sufficient thin color without impairing photoelectric conversion characteristics too much, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

光電変換特性をあまり低下させずに電解質層を構成する電解液の無色透明化あるいは十分な弱着色化が可能な光電変換素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulating resin layer 27 on which ruggedness is formed on a TFT element 24 and a signal wiring pattern, and a pixel electrode 29 and an EC thin film 30 of metal with a high reflectivity are laminated on it.例文帳に追加

ＴＦＴ素子２４および信号配線パターン上に、凹凸が形成された絶縁性樹脂層２７を形成し、その上に反射率の高いメタルの画素電極２９とＥＣ薄膜３０とを積層する。 - 特許庁

To provide a thin-film semiconductor epitaxial substrate and its manufacturing method by which an influence of the carrier concentration of a subcollector layer on a current amplification factor can be prevented and a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

サブコレクタ層のキャリア濃度による電流増幅率への影響を抑え、信頼性の高い半導体デバイスの製作を可能にする薄膜半導体エピタキシャル基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The compound represented by general formula (I'), the organic thin film made of the compound and the organic electroluminescence element in which at least one organic compound layer sandwiched between a pair of electrodes contains the compound are provided.例文帳に追加

一般式（Ｉ’）で表される化合物、この化合物からなる有機薄膜、及び一対の電極に挟持された有機化合物層の少なくとも一層が、上記化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film semiconductor substrate comprising an epitaxial layer using single crystal silicon or polycrystal silicon, at a low cost with less cracking.例文帳に追加

単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いたエピタキシャル層を有する薄膜半導体基板を、割れを少なく低コストで製造することができる薄膜半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and a device for radioactive decontamination which make it possible to remove an oxide film well even if it is composed mainly of nickel ferrite with an extremely thin or no chromium film layer.例文帳に追加

クロム皮膜層が極めて薄いとか全く存在しないといったニッケルフェライト主体の酸化皮膜であっても、これを良好に除去できる放射能除染方法および放射能除染装置を提供すること。 - 特許庁

Among an MR thin film 7, a bias layer 8 and a lead electrode 15 constituting a lead structure, the lead electrode 15 is formed by laminating first and second lead electrode layers 9 and 10.例文帳に追加

リード構造体１６を構成するＭＲ薄膜７、バイアス層８、及びリード電極１５のうち、リード電極１５を、第１のリード電極層９及び第２のリード電極層１０によって積層して形成する。 - 特許庁

Furthermore, degradation of tungsten electrodes 11a, 11a, i.e. thinning of the electrodes, caused by evaporation of boron can be reduced because the inner protective layer 18 on the peripheral portion CP has a comparatively thin form.例文帳に追加

また、周辺部ＣＰ上での内側保護層１８が比較的薄い形状であるため、ホウ素が蒸発してタングステン製の電極１１ａ，１１ａを劣化させること、すなわち当該電極が細ることを抑制できる。 - 特許庁

To provide an electronic component having high electrostatic capacitance and a high breakdown voltage even when an internal electrode layer is made thin and multi-layered, and having a suppressed dielectric loss (tanδ).例文帳に追加

内部電極層を薄層化および多層化した場合であっても、高い静電容量および破壊電圧を得ることができ、しかも、誘電損失（ｔａｎδ）を抑制することができる電子部品を提供すること。 - 特許庁

A bipolar transistor of polysilicon emitter structure has a polysilicon region 8 doped with impurities, and an emitter region 30 having a thin film layer 30 containing carbon at an interface with the polysilicon region 8.例文帳に追加

多結晶シリコンエミッタ構造のバイポーラトランジスタであって、不純物をドープされた多結晶シリコン領域８と、多結晶シリコン領域８との界面に炭素含有薄膜層３０を有するエミッタ領域３０を具備する。 - 特許庁

To accurately measure insulation resistance of each element even when insulation resistance is measured simultaneously for a plurality of elements when a thin film magnetic head in which a substrate and a shield layer are connected is manufactured.例文帳に追加

基板とシールド層を接続した薄膜磁気ヘッドを製造する際に、複数の素子に対して同時に絶縁抵抗を測定する場合であっても、各素子の絶縁抵抗を正確に測定できるようにする。 - 特許庁

To stably carry out a uniform a wet-etching for a silver or silver alloy thin film layer by suppressing the occurrence of etch residual dross in a silver or silver alloy and suppressing the occurrence of side etching caused by over etching.例文帳に追加

銀又は銀合金薄膜層のウエットエッチングに当たり、銀又は銀合金のエッチング残渣の発生を抑制すると共に、オーバーエッチングによるサイドエチングの発生を抑制し、均一なエッチングを安定して行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate grinding machine that performs constant-speed grinding processing and constant-pressure grinding processing in a series of operations, makes a processed alteration layer thin, and improves processing efficiency.例文帳に追加

一定速度での研削加工と一定圧力での研削加工を一連の動作で行うことを可能とし、加工変質層を薄くし、かつ加工能率の向上を図った半導体基板研削機を提供する。 - 特許庁

To provide a developing device in which a toner thin layer can steadily be formed on the surface of a developing roller and image deterioration can be prevented and to provide an image forming apparatus with the developing device.例文帳に追加

現像ローラの表面にトナー薄層を安定して形成させることができるとともに、画像の劣化を防止することができる現像装置、およびこれを備えた画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The thin film transistor element for liquid crystal displays includes a gate electrode formed on a transparent insulating substrate, a gate insulating film formed with glass composite, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置用薄膜トランジスター素子は、透明絶縁基板上に形成されたゲート電極、ガラス組成物で形成されたゲート絶縁膜、半導体層及びソース電極とドレーン電極を含む。 - 特許庁

The extremely thin tatami mat 1 is provided with a removable adhesive layer 13 on the back surface of the tatami mat.例文帳に追加

芯材１１と畳表１２とからなる厚さ３．５〜８．５ｍｍの極薄畳１であって、畳の裏面に再剥離可能な粘着層１３を有することを特徴とする極薄畳１によって上記の課題を解決する。 - 特許庁

To provide a plasma display panel (PDP) filter, more specifically a multi-layer thin film structure of the PDP filter capable of enhancing a refractive index and light transmittance and improving productivity of production plants.例文帳に追加

本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）フィルタに関し、より詳しくは、屈折率及び光透過率を高め、生産設備の生産性を向上させることができるＰＤＰフィルタの多層薄膜構造を提供する。 - 特許庁

The thin-film transistor manufactured by the method employs an oxide semiconductor as a semiconductor active layer, thereby realizing electron mobility which is higher than that of conventional organic semiconductors formed on a flexible substrate.例文帳に追加

本発明方法で製造される薄膜トランジスタは、半導体活性層として酸化物半導体を用いることで、従来フレキシブル基板上に形成されてきた有機半導体より高い電子移動度を実現する。 - 特許庁

The device includes a relatively thick passivation layer 20 to reduce traps caused by device processing, and thin passivation layers 16, 18 below a gate terminal 38 to reduce the gate current leakage.例文帳に追加

該デバイスは、デバイスの加工に起因するトラップを減少させるため比較的厚い不動態化層２０と、ゲート電流の漏れを減少させるためゲート端子３８の下方の薄い不動態化層１６、１８とを含む。 - 特許庁

To provide an optical device to which a light controlling mirror layer containing hydrides of rare earth metals such as a magnesium-nickel system alloy thin film is applied and which has a simple structure, satisfactory accuracy and excellent reliability of operation.例文帳に追加

マグネシウム・ニッケル系合金薄膜などの希土類金属の水素化物を含む調光ミラー層を適用し、構造が簡単で、精度が良く、動作の信頼性に優れるなどの特徴を有する光デバイスを提供する。 - 特許庁

The present invention relates to a piezoelectric thin film resonator including a piezoelectric resonant stack 14 comprising a piezoelectric layer 2, an upper electrode 12 and a lower electrode 10, a gap 4 formed thereunder, and a substrate 8 supporting the piezoelectric resonant stack.例文帳に追加

圧電層２と上部電極１２及び下部電極１０とを有する圧電共振スタック１４と、その下に形成された空隙４と、圧電共振スタックを支持する基板８とを含んでなる薄膜圧電共振器。 - 特許庁

An adhesion solution containing curable amine compounds and curable epoxy compounds are applied to a dielectric material and then dried, and a thin metal layer is electrolessly plated on the dielectric material.例文帳に追加

硬化性アミン化合物と硬化性エポキシ化合物とを含む接着剤溶液が誘電体材料に適用され、次いでこの溶液を乾燥させ、この誘電体材料上に金属薄層を無電解めっきする。 - 特許庁

To provide a method of forming quantum thin lines of various sizes on a single semiconductor substrate by growing an epitaxial layer in triangular structure having a variety of sizes on the semiconductor substrate by using a selective epitaxial growing method.例文帳に追加

選択的エピタキシャル成長法を利用して、半導体基板に多様な大きさを有する三角形構造のエピタキシャル層を成長させることで、単一半導体基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for easily and efficiently forming a semiconductor chip made into a thin layer, where a trench is formed, from a wafer, and the semiconductor device manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

ウエハーから、薄層化されかつトレンチが形成された半導体チップ を容易に効率よく形成する半導体デバイスの製造方法、及びこの製造方法によ り製造された半導体デバイスを提供すること。 - 特許庁

It has been confirmed that the oxide thin-film transistor 1 having a low drive voltage can be obtained by adopting PVP (polyvinyl phenol) higher in permittivity than the amorphous perfluoro resin as the material of the non-fluoro organic resin layer 51.例文帳に追加

また、非フッ素系有機樹脂層５１の材質として、アモルファスパーフルオロ樹脂よりも誘電率の高いＰＶＰを採用したことにより、駆動電圧の低い酸化物薄膜トランジスタ１が得られることが確認された。 - 特許庁

The organic thin film transistor element has a channel of organic semiconductor coupling a source electrode with a drain electrode while touching a gate insulation layer wherein the channel consists of two or more organic semiconductor layers having no compatibility.例文帳に追加

ゲート絶縁層に接して、ソース電極とドレイン電極を連結する有機半導体からなるチャネルが、互いに相溶性を有さない２以上の有機半導体層で構成される有機薄膜トランジスタ素子。 - 特許庁

The stain-resistant optical thin film is produced by subjecting the surface of a film containing at least a silicon oxide and a silane coupling agent to hydrophilic treatment and further applying a coating layer containing a fluorine-containing silane compound on the treated surface.例文帳に追加

少なくとも珪素酸化物及びシランカップリング剤を含む膜の表面に親水化処理を行い、その上にフッ素含有シラン化合物を含む塗布層を設けてなることを特徴とする防汚性光学薄膜。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck that can highly flatten a dielectric layer and reduce temperature dependency, can restrain the occurrence of particles and gas, and is extremely thin and less expensive, and to provide a manufacturing method of the electrostatic chuck.例文帳に追加

誘電体層の高い平坦性と温度依存性の低減化とを図ることができると共に、パーティクルやガスの発生を抑えるができ、しかも超薄型で低コストな静電チャック及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Composite mirror systems include a wideband thin film interference stack having a plurality of microlayers and an optically thick layer having a refractive index greater than that of air but less than the smallest refractive index of the stack.例文帳に追加

複合ミラーシステムは、複数のミクロ層と、を有するワイドバンドの薄いフィルム干渉スタックと、大気の屈折率より大きいがスタックの最小屈折率より小さい屈折率を有する光学的に厚い層とを含む。 - 特許庁

The thin film electrode 302 is arranged to be opposed to the intermediate transfer belt 21, and the electron acceleration layer 303 contains metal particulates having high anti-oxidant power and insulation particulates larger in size than the metal particulates.例文帳に追加

薄膜電極３０２は、中間転写ベルト２１と対向して配置され、電子加速層３０３は、抗酸化力が高い金属微粒子と、金属微粒子の大きさより大きい絶縁体の微粒子とを含んでいる。 - 特許庁

To suppress sufficiently the bleedout of an impurity of a cyclic dimethylsiloxane oligomer from the thin protection layer which is obtained by film-forming a photosensitive siloxane polyimide resin composition on a printed wiring board and by patterning and curing.例文帳に追加

感光性シロキサンポリイミド樹脂組成物をプリント配線板上に成膜し、パターニングし、硬化させて得た薄い保護層から、不純物である環状ジメチルシロキサンオリゴマーがブリードアウトすることを十分に抑制できるようにする。 - 特許庁

After pasting a weak rice glue on the printing block, it is placed on the paper, pressure is applied, and the printing block is then removed, a thin layer of the dye from the pattern of the printing block is peeled off and a negative-like refined pattern with fine shading appears. 例文帳に追加

次に版木に薄い米糊を塗って、紙の上に載せて押しつけてから、版木を取ると版木の紋様の部分の染料が薄くはがし取られ、微妙な濃淡のあるネガ状の風雅な紋様が現れる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス