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thin-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9483件
This manufacturing method of a laminated ceramic capacitor using the conductive paste can manufacture, with a high yield, the laminated ceramic capacitor that can prevent drop of capacitance by the internal electrode breakage even when the internal electrode and a dielectric layer are each formed into the thin layer, is large in obtained capacitance and hardly causes a short failure.例文帳に追加
そして、この導電性ペーストを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法は、内部電極および誘電体層を薄層化した場合でも、内部電極切れによる静電容量の低下が防止でき、得られる静電容量も大きく、ショート不良が少ない積層セラミックコンデンサを歩留まり良く製造することができる。 - 特許庁
The surface protection sheet for a solar cell module is formed by laminating gas barrier sheets on the opposite surface of a light irradiation surface of a base material sheet, and as for the gas barrier sheet, at least two or more gas barrier sheets which have an inorganic oxide vapor deposition thin film layer, a resin coated layer and a polymer film are laminated.例文帳に追加
基材シートの光照射面の反対側の面に、ガスバリアシートが積層された太陽電池モジュール用表面保護シートであって、該ガスバリアシートが、無機酸化物蒸着薄膜層、樹脂コート層、高分子フィルムを有するガスバリアフィルムが少なくとも2枚以上積層された太陽電池モジュール用表面保護シート。 - 特許庁
To provide a wiring structure that the junction between diffusion barrier layers consisting of metal or compound thin layers in contact with an interlayer insulating film layer containing a low-dielectric constant organic matter, as its main component is strong and a peeling or a desorption is never generated at the interface between the interlayer insulating film layer and the diffusion barrier layers, and to provide the manufacturing method of the wiring structure.例文帳に追加
誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a display device which is not corroded with a developer in the manufacturing process so as to have stable production, and which makes a low junction resistance even when direct junction with a transparent electrode is conducted, with respect to the display device equipped with a thin film transistor, a transparent electrode layer and an aluminum alloy film layer for wiring.例文帳に追加
薄膜トランジスタと、透明電極層と、配線用のアルミニウム合金膜層とを備える表示デバイスに関し、製造工程における現像液に浸食されず、安定した生産が実現でき、透明電極との直接接合をしても低い接合抵抗を実現可能とした表示デバイスを提供する。 - 特許庁
A N-channel type thin film transistor in an inverter has a channel region, a semiconductor layer where a plurality of N-type impurity regions are set, a gate insulating film formed on the semiconductor layer, and a gate electrode formed on the gate insulating film and overlapping with at least one of the N-type impurity regions.例文帳に追加
インバータのNチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のN型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられ、かつ前記N型の不純物の少なくとも1つと重なっているゲイト電極とを有する。 - 特許庁
To provide a board for electronic components which has an electrode structure having a plating layer on a lower electrode formed by a thin film forming method, and is hard to deteriorate the lower electrodes due to a plating solution and superior in adhesion of the lower electrode to the plating layer, thereby improving the productivity.例文帳に追加
薄膜形成法により形成された下地電極上にメッキ膜が形成されている電極構造を備える電子部品用基板であって、メッキ液による下地電極の劣化が生じ難く、下地電極とメッキ膜との密着性にすぐれ、生産性を高め得る電子部品用基板を提供する。 - 特許庁
In the optical thin film, a hydrogenated carbon film mainly containing at least carbon and hydrogen is formed on a substrate and, on the hydrogenated carbon film, at least one layer of protective layer composed of any one of an oxide film, a nitride film, an oxynitride film, a fluoride film and a film mainly containing hydrogen and carbon is laminated.例文帳に追加
本発明の光学薄膜では、基板上に、少なくとも炭素と水素を主要成分として含む水素化炭素膜が形成されており、その上に、酸化膜、窒化膜、酸窒化膜、フッ化膜、または水素と炭素を主要成分として含む膜のいずれかからなる保護層が少なくとも一層以上積層されている。 - 特許庁
In the method for manufacturing the organic thin film transistor comprising a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a metal oxide source/drain electrode and an organic semiconductor layer, at least one surface of the metal oxide source/drain electrode is treated by using a self-assembled single layer film forming compound comprising a sulfonic acid group.例文帳に追加
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、金属酸化物ソース/ドレイン電極及び有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタを製造する方法であって、金属酸化物ソース/ドレイン電極の少なくとも一表面を、スルホン酸基を含有する自己組織化単層膜形成化合物で処理する。 - 特許庁
A silicon epitaxial layer for which the thickness of the periphery is smaller than a center part, is formed on a substrate and the surface of the silicon epitaxial layer is polished by using an abrasive 30, for which a flexible plate body 33 composed of a thin hard plate is adhered and laminated between a sheet-like foamed body 32 by a soft rubber-like elastic body and a polishing cloth 34.例文帳に追加
基板上に周辺部の厚さが中心部よりも薄いシリコンエピタキシャル層を形成し、軟質ゴム状弾性体によるシート状発泡体32と研磨布34との間に硬質薄板からなる可撓性板体33を接着積層した研磨部材30を用いて、前記シリコンエピタキシャル層の表面を研磨する。 - 特許庁
To provide a compound semiconductor device including a FET in which a short-channel effect is suppressed and at the same time the gradation of pinch-off characteristics caused by the conduction of a p-type impurity in an area other than a channel is suppressed, and the leakage between adjacent elements is suppressed in the FET with a high-concentration and thin-layer active layer.例文帳に追加
高濃度で薄層の能動層を有するFETにおいて、ショートチャネル効果を抑制しつつ、チャネル以外のp型不純物伝導に起因するピンチオフ特性劣化の抑制及び隣接素子間のリークの抑制を実現したFETを含む化合物半導体装置を提供すること - 特許庁
To provide a high-density printed circuit board which uses an inexpensive inter-layer insulating base material and has high adhesion secured between electroless plating and the inter-layer insulating base material and allows microwire formation using a semi-additive method, in order to make a mobile device small in size, thin in thickness, light in weight, high in definition, multiple in function or the like.例文帳に追加
モバイル機器の小型、薄型、軽量、高精細、多機能化等を実現するために、安価な層間絶縁基材を用い、無電解めっきと層間絶縁基材との高い密着性を確保し、セミアディティブ法を用いた微細配線形成が可能な高密度プリント配線基板を提供することを目的とする。 - 特許庁
The thin film coil 116 has a first conduction part 112 and a second conduction part 111, the second conduction part 111 is disposed between the lower magnetic pole layer 10 and the first conduction part 112 and the lower magnetic pole layer 10 and the first conduction part 112 come in contact with the second conduction part 111 via an insulating film 15 for separation.例文帳に追加
薄膜コイル116は、第1導体部112と、第2導体部111とを有し、下部磁極層10と第1導体部112との間に第2導体部111が配置され、かつ下部磁極層10および第1導体部112と、第2導体部111とが分離用絶縁膜15を介して接触している。 - 特許庁
An array substrate 1 which has pixel electrodes, thin film transistors, and an orientation film; and an opposite substrate 2 which has a color filter layer, opposite electrodes, and an orientation film; are formed in face to face with each other with a liquid crystal layer interposed therein, then a transfer is formed to connect the common wiring 4 on the array substrate and the opposite electrodes 6 on the opposite substrate.例文帳に追加
液晶層を挟んで、画素電極、薄膜トランジスタおよび配向膜を有するアレイ基板1と、カラーフィルタ層、対向電極および配向膜を有する対向基板2とが対向し、アレイ基板上に配置された共通配線4と対向基板上の対抗電極6とを接続するトランスファー部が形成される。 - 特許庁
A gain medium 11 is ground thin, and an anti-reflection(AR) coating layer 12 which is anti-reflective to excitation wavelength and laser oscillation wavelength is applied to one face, and a high reflection(HR) coating layer 13 which is high reflective to the both wavelength is applied to the other face, and this gain medium 11 is mounted on a heat sink 17 made of Cu for heat radiation.例文帳に追加
利得媒質11は薄く研磨し、その片面に励起波長とレーザー発振波長に対し無反射(AR)のARコーティング層12を施し、もう片面には両波長に対し高反射(HR)のHRコーティング層13を施し、これを放熱のために、Cu製のヒートシンク17にマウントする。 - 特許庁
In the liquid crystal optical element having the liquid crystal layer in a liquid crystal cell of which the upper and lower substrates are fixed with a sealing member, a construction comprising a first open portion, communicating from the liquid crystal layer to the outside gas, arranged on a portion of the liquid crystal cell, wherein the first open portion is sealed with an elastically deformable thin film, is adopted.例文帳に追加
上下基板がシール部材で固定された液晶セル内に液晶層を有する液晶光学素子において、液晶セルの一部に液晶層から外部の気体に連通する第1の開放部を設け、当該第1の開放部を弾性変形可能な薄膜で封止する構成を採用した。 - 特許庁
In the multilayer thin film capacitor, the thickness of the uppermost electrode layer 42 (hereinafter referred to as electrode layer 42b) in a central capacitance generating region b is made different from those of the uppermost electrode layers 42 (hereinafter referred to as electrode layers 42a and 42c), in the capacitance generating regions a and c on the left and right sides of the central capacitance generating region b.例文帳に追加
中央に位置する容量発生領域bの最上層の電極層42(以下、電極層42bとする)の厚みが、左右に位置する容量発生領域a,cの最上層の電極層42(以下、電極層42a,42cとする)の厚みと異なっている積層型薄膜コンデンサとする。 - 特許庁
Further, this has a structure that a hydrophilic material is formed adjacent to the transparent electrode layer 521, that a light-emitting element part formed by the electrode on the substrate and the light-emitting material layer are the EL elements, that the organic material is the light-emitting material, and that the thin film made of the organic material emits light by an applied current.例文帳に追加
また、透明電極層521に隣接して吸水性の材料を形成すること、基体上の電極および発光材料層により形成される発光の素子部分が、EL素子であり、有機材料を発光材料とし、有機材料による薄膜が印加電流によって発光する構造を有している。 - 特許庁
In this device, a toner layer restricting member 3 forming a thin toner layer on a toner carrier 2 is formed into an L shape that is bent at a bending part, this bent part is brought into contact with the toner carrier 2 or brought close to it and a free end is fixed by another end so that it is projected upstream in rotation of the toner carrier 2 against the bent part.例文帳に追加
トナー担持体2上にトナー薄層を形成するトナー層規制部材3を折り曲げ部で折れ曲がったL字形に形成し、この折り曲げ部がトナー担持体2に接触又は近接し、自由端が折り曲げ部に対してトナー担持体2の回転上流側に突出するように他の端部で固定する。 - 特許庁
Then a second resin layer 106 is so formed on the top surface of the core substrate 100 as to cover the first semiconductor chip 102 and then the second resin layer 106 and first semiconductor chip 102 are ground from the opposite side of the first semiconductor chip 102 from the circuit formation surface to thin the first semiconductor chip 102.例文帳に追加
その後、コア基板100の上面に第1の半導体チップ102を覆うように第2の樹脂層106を形成した後、第2の樹脂層106及び第1の半導体チップ102を該第1の半導体チップ102の回路形成面の反対側から研削して第1の半導体チップ102を薄くする。 - 特許庁
In display pixel elements of a color filter substrate used in the semi-transmissive type color liquid display device, a color filter layer formed on a reflection part is thin and a color filter layer formed on a transmission part is thick, and a thickness of a metallic reflective film formed on the reflection part is set to 0.2μm or more.例文帳に追加
半透過型のカラー液晶表示装置に用いられているカラーフィルタ基板の表示画素のうち、反射部の上に設けるカラーフィルタ層の膜厚を薄くし、透過部に設けられたカラーフィルタの膜厚を厚くする構成とし、反射部に形成される金属反射膜の膜厚を0.2μm以上とした。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which achieves a reduction in the parasitic resistance of transistors by adopting a silicide layer in active regions of the transistors, when the transistors are formed by using a substrate of which the semiconductor layer is thin as in an FD-SOI, while avoiding an increase in a leakage current by a relatively simple process.例文帳に追加
FD−SOIの如き半導体層の厚みが薄い基板を使用してトランジスタを形成する際に、比較的簡便なプロセスでリーク電流の増加を回避しつつ、トランジスタの活性領域にシリサイド層を導入してトランジスタ寄生抵抗の低減を実現し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In an information display body, at least some part of which has an OVD 16, by which information can be optically and mechanically readable, a reflective thin film layer 15 overlies some part or the whole surface of an OVD portion having recorded information thereon, while a transparent reflecting layer 14 overlies the remaining OVD portion except the OVD portion having the recorded information thereon.例文帳に追加
少なくとも一部に光学的に情報を機械読み取り可能なOVD16を有する情報表示体において、情報が記録されたOVD部分の一部あるいは全面に反射性薄膜層15が積層され、それ以外のOVD部分に透明性反射層14が積層されてなる。 - 特許庁
A recording head has a lower magnetic pole layers 8 (8a-8c), an upper magnetic pole layer 13, a recording gap layer 12 which is provided between the pole parts of these magnetic pole layers, and a thin film coil 10 which is disposed in an insulated state between the lower and the upper magnetic pole layers 8, 13.例文帳に追加
記録ヘッドは、下部磁極層8(8a〜8c)と、上部磁極層13と、これらの磁極層の各磁極部分の間に設けられた記録ギャップ層12と、下部磁極層8および上部磁極層13の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル10とを有している。 - 特許庁
The decorative part has a resin emblem body 4 formed by injection molding in a prescribed form, a metal thin film 5 deposited onto the front surface of the emblem body 4, a transparent resin layer 2 formed so that the emblem body 4 is positioned on the rear surface, and a colored resin layer 3 formed so that the emblem body 4 is positioned on the front surface.例文帳に追加
所定形状に射出成形された樹脂製のエンブレム本体4と、エンブレム本体4の表側に蒸着された金属薄膜5と、エンブレム本体4が裏側に位置するように形成された透明樹脂層2と、エンブレム本体4が表側に位置するように形成された着色樹脂層3とを有する。 - 特許庁
In the electronic apparatus including two or more conductive layers which are different and alternate, the thin-film transistor structure has at least any one layer from among the conductive layers is provided with a width varying portion with different widths along the longitudinal direction; and the width variation portion is formed at a non-intersecting portion with an adjacent conductive layer.例文帳に追加
層を別にして交互される二層以上の導電層を含む電子装置において、導電層のうち、少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を別にする幅変動部を備えるが、幅変動部は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ構造体。 - 特許庁
To provide an inexpensive thermal head in which a protective layer is not cracked nor stripped, service life can be prolonged by suppressing variation in the lifetime as a head, a thin protective layer can be formed, print efficiency can be enhanced and the time required for forming a film can be shortened.例文帳に追加
保護層にクラックや剥離等が発生することがなく、ヘッドとしての印字寿命のバラツキを小さく抑えて長寿命化を図ることができ、保護層の膜厚を薄く形成することができ、印字効率を向上させることができ、成膜時間を短縮させることができ、製造コストも低廉なサーマルヘッドを提供すること。 - 特許庁
In the method, raw material gas comprising organic metal gas is sprayed on a heated substrate 2-side, a metal element layer 15 is formed on a substrate 2, spraying of raw material gas is stopped in an ammonia atmosphere of 1×10^-3 to 1Pa and the nitride thin film 17 being nitride of the metal element layer 15 is formed on the substrate 2.例文帳に追加
本発明は、1×10^−3〜1Paのアンモニア雰囲気中で、有機金属ガスを含む原料ガスを、加熱した基板2側に吹き付け基板2上に金属元素層15を形成した後、原料ガスの吹付けを停止し、基板2上に金属元素層15の窒化物である窒化物薄膜17を形成する方法である。 - 特許庁
The gas-barrier film is characterized by having the substrate made of a plastic film, the vapour deposition thin-film layer which consists of an inorganic oxide which is laminated to at least one side of the substrate and a gas-barrier coated layer containing a polymer having a polysilsesquioxane and hydroxyl group.例文帳に追加
プラスチックフィルムからなる基材と、前記基材の少なくとも片面に積層された無機酸化物からなる蒸着薄膜層と、前記蒸着薄膜層上に積層された、ポリシルセスキオキサンと、水酸基を有する高分子とを含有するガスバリア性被膜層とを有することを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁
The throttle in a cavity which is required for converting a QC self-convergence mechanism into loss modulation is realized with such QC laser waveguide as; (1) a layer with large optical loss which is separated from a semiconductor material by a relatively thin dielectrics layer, or (2) a relatively long laser waveguide.例文帳に追加
QC自己収束機構を損失変調に変換するために必要とされるキャビティ内絞りは、以下のような性質を有するQCレーザー導波路によって実現される:(1)半導体材料から比較的薄い誘電体層によって隔てられた、光学的損失の大きい層、(2)比較的長いレーザー導波路。 - 特許庁
To provide a method and device for manufacturing a tube body with an elastic thin layer having a uniform thickness in an axial direction, a coating device capable of coating a tubular base with a layer forming material so that the thickness gradually decreases in a gravity direction, and a device for manufacturing a roller which manufactures a roller having the tube body arranged.例文帳に追加
軸線方向の厚さが均一な弾性薄層を備えた管体製造方法及び管体製造装置、重力方向に向かって徐々に薄くなるように管状基体に層形成材料を塗布できる塗布装置、並びに前記管体が配置されたローラを製造するローラ製造装置を提供すること。 - 特許庁
To provide an epoxy resin composition for a multilayer printed wiring board that is excellent in flow characteristics during the lamination, is excellent in the embedding property into an inner layer circuit, adhesion to a circuit substrate and surface smoothness of an outer layer circuit after the lamination, is capable of making a board thickness ultra-thin substantially without using a glass cloth and further has heat resistance and storage stability.例文帳に追加
ラミネート時のフロー特性に優れ、内層回路への埋め込み性、回路基板との接着性及びラミネート後の外層回路の平滑性に優れ、かつガラスクロスをほとんど用いず板厚を極薄にでき、さらに耐熱性と貯蔵安定性のある多層プリント配線板用エポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
The gas barrier laminated film is obtained by laminating a covering layer containing an organic compound having two or more functional groups capable of reacting with a hydroxyl group and a hydroxyl group-containing organic resin as essential components on a base material composed of a polymer resin composition, and further laminating an inorganic thin layer on it.例文帳に追加
高分子樹脂組成物からなる基材上に、2個以上の水酸基反応性官能基を含有する有機化合物と水酸基を含有する有機樹脂を必須成分とした被覆層を積層し、さらにその上に無機薄膜層を積層してなることを特徴とするガスバリア性積層フィルム。 - 特許庁
An N channel type thin-film transistor of the inverter has a channel region, a semiconductor layer provided with a plurality of impurity regions of an N type, a gate insulating film disposed on the semiconductor layer, and a gate electrode overlapping on at least one of the impurities of the N type.例文帳に追加
インバータのNチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のN型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられ、かつ前記N型の不純物の少なくとも1つと重なっているゲイト電極とを有する。 - 特許庁
To provide a storage tank of low-temperature fluid having a plurality of layers of heat insulating members interposed in a space between an inner periphery of the outer layer and an outer periphery of the inner layer and capable of enhancing an heat insulating effect by avoiding mutual adhesion of the thin heat insulating members and increasing the number of the layers.例文帳に追加
外層の内周と内層の外周との間の空間に複数層の断熱部材を介装した低温流体の貯蔵タンクで、薄肉の断熱材同士の接着を回避して層の数を増加することにより、断熱効果を上昇可能とした低温流体の貯蔵タンクを提供する。 - 特許庁
The web thin high strength wide flange shape produced by hot rolling, and composed of a flange in which the external side is formed of a hard layer with a metallic structure essentially consisting of bainite or tempered martensite, and the internal side is formed of a soft layer with a metallic structure essentially consisting of ferrite, and a web with a mixed metallic structure composed of worked ferrite and pearlite.例文帳に追加
熱間圧延で製造され、外面側がべイナイト又は焼戻しマルテンサイトを主体とする金属組織の硬質層で、内面側がフェライトを主体とする金属組織の軟質層で形成したフランジと、加工フェライト及びパーライトの混合金属組織からなるウェブとからなるウェブ薄肉高強度H形鋼である。 - 特許庁
In this case, when the thin film layer 32 and the mold releasing film 33 are removed by the etching liquid, the base material 23 remains in a state as covered by the etching-resistant layer 31.例文帳に追加
この場合、エッチング液によって薄膜層32及び離型膜33が除去されると、母材23上に耐エッチング層31が被覆された状態で残るが、薄膜層32及び離型膜33を除去するのにイオンビームを照射する必要がないので、再生原型金型に面荒れが発生するのを防止することができる。 - 特許庁
To provide a catalyst layer-electrolyte membrane stack which is excellent in mechanical strength despite a thin electrolyte membrane, in which adhesion between catalyst layer and electrolyte membrane is improved, and has high proton conductivity under a non-humidified state, and a membrane-electrode junction body and a fuel cell using the stack, and a manufacturing method of the stack.例文帳に追加
電解質膜が薄膜でありながら機械強度に優れ、触媒層と電解質膜との密着性が向上し、無加湿状態で高いプロトン伝導性を有する触媒層−電解質膜積層体、及びそれを用いた膜電極接合体と燃料電池、並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an optical information recording and reproducing apparatus capable of adequately correcting a spherical aberration generated owing to a thickness error of a cover layer without being influenced by unevenness due to sticking of a flaw, a fingerprint, and a dust etc. on the surface, when an optical recording medium having high recording density and a thin cover layer is used.例文帳に追加
高記録密度でカバー層の薄い光記録媒体を用いる場合において、カバー層の厚み誤差によって生ずる球面収差を、光記録媒体の表面のキズや、指紋、ゴミの付着等による凹凸に影響されることなく、適切に補正することができる光情報記録再生装置を提供する。 - 特許庁
This gas barrier film 1 is a single-layer plastic film or a two or more-layer plastic film of the structure that, if necessary, a thin film 4 of metallic oxide is laminated on at least one of the sides of a base material 2 with the rigidity falling within the range of 0.5 to 15 N, as a solution of the problem.例文帳に追加
単層もしくは二層以上のプラスチックフィルムが積層された積層フィルムであって、剛性が0.5N〜15Nの範囲である基材2の少なくとも一方の面に、必要に応じてプライマー層を介して金属酸化物の薄膜4を積層し、ガスバリア性フィルム1を構成することにより、課題を解決することができた。 - 特許庁
A film structure comprises two relatively thin outer layer oriented by a double wall or triple wall tube extrusion die so as to be controllable in a certain direction and one or more relatively thick inner layer oriented so as to be controllable in one or more different directions.例文帳に追加
二環状または三環状のチューブ押出ダイによって、ある方向に制御可能なように配向している2つの比較的薄い外層と、1つまたはそれ以上の異なる方向に制御可能なように配向している1つまたはそれ以上の比較的厚い内層とからなるフィルム構造体を形成する。 - 特許庁
To provide a microscopic crystal silicon thin film solar battery, which can be formed using a deposition process that can be utilized at this point of time by forming an n-type hydrogenated amorphous silicon layer on the side of the reflection electrode of the n-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer, and improved output characteristic can be exhibited.例文帳に追加
n型水素化微結晶シリコン層の反射電極側にさらにn型水素化アモルファスシリコン層を形成することによって、現時点で利用可能な堆積プロセスを使用して形成されることができる、改善された出力特性を発揮できる微結晶シリコン薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁
A thin-film transistor 80 includes: source and drain electrodes 84, 86; an active layer 88 including an oxide semiconductor; a gate electrode 82; a first insulation film 14; a second insulation film 18; and a bias electrode 81 that is provided at a side opposite to the gate electrode to the active layer and has potential fixed independently of the gate electrode.例文帳に追加
ソース・ドレイン電極84,86と、酸化物半導体を含む活性層88と、ゲート電極82と、第1の絶縁膜14と、第2の絶縁膜18と、活性層に対してゲート電極とは反対側に設けられており、該ゲート電極とは独立して電位が固定されるバイアス電極81と、を有する薄膜トランジスタ80。 - 特許庁
The electron emitting source has a lamination structure in which a lower electrode 1002, an electron emitting layer 1003, an insulating membrane 1004, and an upper electrode 1005 are laminated sequentially, and the insulating membrane 1004 and the upper electrode 1005 have numerous hole parts 1006, and the electron emitting layer 1003 is a thin film made of a carbonaceous material.例文帳に追加
下部電極1002、電子放出層1003、絶縁膜1004、上部電極1005とが順次積層した積層構造を有し、絶縁膜1004、上部電極1005は、多数の孔部1006を有し、電子放出層1003はカーボン系材料からなる薄膜であることを特徴とする。 - 特許庁
The printing original plate has a constitution made of a resin composition α with a resin-containing and removable thin film layer B stacked on a directly unevenly formable cured material layer A with laser under the condition that A and/or B contain pigment and the thickness of B is ≥0.1 μm but ≤100 μm.例文帳に追加
樹脂組成物(α)からなる、レーザーにより直接凹凸形成が可能な硬化物層(A)の上に、樹脂を含有する除去可能な薄膜層(B)が積層された構成体であって、(A)および/または(B)が顔料を含有し、(B)の厚みが0.1μm以上100μm以下である印刷原版。 - 特許庁
At the time of carrying out a reaction layer formation process by thermally press-fitting the both of them, the Au thin film 20 on the upper face of the In film 14 is crushed by the hard Ti film 18, a metallic compound is formed of the Au film 12 and the In film 14, and a reaction layer containing the fraction of the Ti film 18 is formed.例文帳に追加
両者を熱圧着することで反応層形成工程を実施すると、硬いTi膜18によりIn膜14の上面のAu薄膜20が破砕され、Au膜12とIn膜14とが金属化合物を形成し、Ti膜18の断片を含んだ反応層を形成する。 - 特許庁
To provide a tape for wafer processing for improving a pickup success ratio of a semiconductor chip in a pickup process by facilitating removal between a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer, and for preventing the break of the thin semiconductor chip when enlarging a pin push-up force or a push-up height.例文帳に追加
粘着剤層と接着剤層との間の剥離を容易にすることで、ピックアップ工程における半導体チップのピックアップ成功率を向上させるとともに、ピンの突き上げ力や突き上げ高さを大きくすることによる薄い半導体チップの破損を防止することが可能なウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁
The air data sensor assembly for acquiring data regarding the ambient air environment adjacent to the surface of an airframe travelling at air speeds below 40 knots has a flexible substrate adhesively conforming to the surface of the airframe, a conformable layer, and a relatively thin air data sensor for sensing the air pressure between the substrate and the cover layer.例文帳に追加
機体の表面に接着して適合するフレキシブル基板、コンフォーマブル層、および、基板とカバー層の間の気圧を検知するための比較的薄いエアデータセンサを有する、40ノット未満の対気速度で移動する機体の表面に隣接した外気環境に関するデータを獲得するためのエアデータセンサ・アセンブリである。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a thin film semiconductor device in which in-film fixed electric charges in a gate insulating film below a semiconductor thin film as an active layer and an interface level can be lowered without making the gate insulating film thick nor increasing process procedures, and then a bottom gate type TFT with high reliability can be obtained.例文帳に追加
活性層となる半導体薄膜の下層のゲート絶縁膜を厚膜化することなく、かつ工程手順を増加させることなく、当該ゲート絶縁膜中の膜中固定電荷および界面準位を低下させることが可能で、これにより信頼性の高いボトムゲート型TFTを得ることができる薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In this conductive paste, nickel powder 21 is coated with ceramic powder 22 adhering to surfaces of particles thereof, and its coverage factor is ≥50%; the internal electrode breakage can be thereby prevented even when it is formed into a thin layer by a sintering delay effect of the nickel powder by the ceramic powder; and a thin, flat and continuous internal electrode can be formed.例文帳に追加
ニッケル粉末21は、粒子表面に付着したセラミック粉末22により被覆され、その被覆率が50%以上である導電性ペーストであり、これにより、セラミック粉末によるニッケル粉末の焼結遅延効果により、薄層化した場合でも内部電極切れを防止することができ、薄く平坦で連続した内部電極を形成することができる。 - 特許庁
Between electrode layers 120 formed of a pair of inorganic conductive members in the shape of a thin film, an organic conductive polymer layer 130 is formed of a conductive polyaniline constituent exhibiting positive temperature resistance characteristics for gradually increasing the resistance between the electrode layers 120 each time a predetermined heat load is received in the shape of a thin film by coating.例文帳に追加
対をなす無機導電性部材にて薄膜状に形成した電極層120間に、所定の熱負荷を受ける毎に電極層120間の抵抗値を次第に高くする正の温度抵抗特性を示す導電性ポリアニリン組成物などにて薄膜状に有機導電性高分子層130を塗布などにて積層形成する。 - 特許庁
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