「thin-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(154ページ目) - Weblio英語例文検索

A zinc oxide nano thin film layer 5 which generates local near-field optical action by overlying light-transmissive multilayer thin film layers 4, 6 generates the local near-field optical action on a light-transmissive substrate 2 having the pit spot 1 by the action of condensing beams, is mutually worked and coupled with the pit spot 1 on the light-transmissive substrate 2.例文帳に追加

ピットスポット１を有する透光基板２上に、透光の多層薄膜層４，６を覆って、局部近接場光学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層５が、ビームを集光する作用により、局部の近接場光学作用を発生して、近接場距離内で、透光基板２上のピットスポット１アと互いに作用やカップリングする。 - 特許庁

The capacitor 52 has an upper electrode 50 and a lower electrode 46 which are made of platium group elements, a dielectric thin film 48 which is formed between the upper and lower electrodes, and a buffer layer 47 which is made of group 3, group 4, or group 13 metal oxide between the lower electrode and dielectric thin film.例文帳に追加

白金族元素よりなる上部電極５０及び下部電極４６と、前記上部電極と下部電極との間に形成された誘電体薄膜４８と、前記下部電極と誘電体薄膜との間に形成され、３族、４族または１３族の金属酸化物よりなるバッファ層４７とを備えることを特徴とするキャパシタ５２。 - 特許庁

Disclosed are an ink containing nanoparticles for formation of a thin film of a solar cell and its preparation method, a CIGS thin film solar cell having at least one light absorption layer formed by coating or printing the ink containing nanoparticles on a rear electrode, and a process for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ナノ粒子を含有する太陽電池の薄膜組成用インクとその製造方法、及び前記ナノ粒子を含有するインクを背面電極上に塗布又は印刷して形成した光吸収層を少なくとも１つ以上包含するＣＩＧＳ薄膜型太陽電池とその製造方法によって本発明の課題を解決する。 - 特許庁

The three-dimensional integrated circuit device 10 has a structure in which a plurality of single crystal or semi-single crystal thin-film semiconductor layers 13, 16 are formed on the glass substrate 11 via an interlayer insulating layer 14, and active elements Tr21, Tr22 are formed on one or more layers of the thin-film semiconductor layers 13, 16.例文帳に追加

ガラス基板１１上に、単結晶もしくは準単結晶の薄膜半導体層１３，１６が、層間絶縁層１４を介して複数層積層形成され、複数層の薄膜半導体層１３，１６のうち１層以上に能動素子Ｔｒ２１，Ｔｒ２２が形成されている３次元集積回路装置１０を構成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of forming a tentative calcination film with foaming and cracks restrained, and efficiently manufacturing a high-Ic oxide superconducting thin film, even if a thickness of the tentative calcination film per layer is thick, in manufacturing the oxide superconducting thin film with the use of an FF-MOD method advantageous in cost.例文帳に追加

コスト的に有利なＦＦ−ＭＯＤ法を用いて酸化物超電導薄膜を製造するに際して、１層当たりの仮焼膜の厚さが厚い場合でも、発泡やクラックの発生が抑制された仮焼膜を形成することができ、効率的に、高Ｉｃの酸化物超電導薄膜を製造することが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

By employing a fluoride (one of CaF_2, BaF_2 and MgF_2) as a buffer layer on a diamond single-crystal substrate or an epitaxial thin film, an excellent ferroelectric PZT thin film having remnant polarization charge (68 μC/cm^2) twice as much as that of a conventional one while keeping a coercive electric field at the same value (33 kV/cm) is provided.例文帳に追加

ダイヤモンド単結晶基板またはエピタキシャル薄膜上にフッ化物（ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＭｇＦ_２の内一つ）を緩衝層として用いることにより、抗電界を同じ大きさ（３３ｋＶ／ｃｍ）に保ちながら、従来の２倍の残留分極電荷（６８μＣ／ｃｍ^２）を持つ優れた強誘電性のＰＺＴ薄膜を提供する。 - 特許庁

A transfer source substrate is provided with the substrate 100, a plurality of thin film circuits 102 of transfer objects formed on the substrate through a peeling layer 101, inspection circuits 11 to 13 which are formed on the substrate and inspect a circuit operation, and wiring connecting the respective thin film circuits 102 and the inspection circuits 11 to 13.例文帳に追加

本発明の転写元基板は、基板１００と、この基板上に剥離層１０１を介して形成された転写対象となる複数の薄膜回路１０２と、上記基板上に形成された、回路動作を検査する検査回路１１〜１３と、各薄膜回路１０２と上記検査回路１１〜１３とを接続する配線と、を備える。 - 特許庁

In this case, upper layer connection wiring 49, 52, 55 and 58 for connecting the bottom gate electrode 9, source/drain electrodes 10 and top gate electrode 8 of the thin-film transistor 3 to the source/drain electrodes of the thin-film transistors 21 and 22 which are connected to conductive layers 35 and 36 are provided on the interlayer insulating film 40 covering the top gate electrode 8.例文帳に追加

この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極に接続される導電体層３５、３６とを接続するための上層接続配線４９、５２、５５、５８は、トップゲート電極８を覆う層間絶縁膜４０上に設けられている。 - 特許庁

The thin laminated polyimide film is constituted by forming a nonmetal thin film layer by dry plating on a polyimide film used as a base material which is composed of a polyimide having at least a biphenyltetracarboxylic acid residue as a residue of an aromatic tetracarboxylic acid and a phenylenediamine residue as a residue of an aromatic diamine, and characterized in that a degree of curling after heat treatment at 300°C is 10% or below.例文帳に追加

ポリイミドが少なくとも芳香族テトラカルボン酸類の残基としてビフェニルテトラカルボン酸残基、芳香族ジアミン類の残基としてフェニレンジアミン残基を有し、かつフィルムの３００℃熱処理後のカール度が１０％以下であるポリイミドフィルムを基材として使用し、その上に乾式めっきで非金属の薄膜層を形成した薄膜積層ポリイミドフィルム。 - 特許庁

In the thin belt of the amorphous alloy in which a heat-resistant resin layer is formed on one side or both sides, by using the thin belt in which the water absorption rate of the heat-resistant resin is 0.1 wt.% or below, the good laminate in which no blister is produced on its surface can be produced.例文帳に追加

片面または両面に耐熱樹脂層が形成された非晶質合金薄帯において、該耐熱樹脂の吸水率が０．１重量％以下であることを特徴とする非晶質合金薄帯を用いることにより、積層体を製造するに際して積層体の表面に膨れが生じることなく、良好な積層体を製造することができる。 - 特許庁

To easily and suitably match impedance by simplifying the constitution of a connection part of a high-frequency coaxial connector by forming a projection part of a reference potential layer at a position corresponding to a signal thin line in a recess part around a through hole formed in a surface on the opposite side from a surface where a signal thin line functioning as a microstrip line is formed.例文帳に追加

マイクロストリップラインとして機能する信号細線が形成された面の反対側の面に形成されたスルーホール周囲の逃げ部における信号細線と対応する部位に、基準電位層の凸部を形成することによって、高周波同軸コネクタの接続部を簡単な構成とし、インピーダンスを容易に、かつ、適切に整合させることができるようにする。 - 特許庁

A thin ink film 23 is formed on the outer circumferential surface of the rotator 10 and when the thin ink film 23 arrives at the position of the counter electrode array and the pin electrode on the basic material 11 arrives at a position facing the counter electrode 42, a high frequency field is applied between the conductive layer 14 and a selected counter electrode 42 in response to an image signal.例文帳に追加

回転体１０の外周面にインク薄膜２３を形成し、そのインク薄膜２３が対向電極アレイの位置に到達し、基材１１上のピン電極が対向電極４２と対向する位置に到達したとき、画像信号に応じて導電層１４と対向電極４２の選択されたものとの間に高周波電界を印加する。 - 特許庁

In the process for producing a semiconductor substrate by epitaxially growing an SiGe epitaxial layer containing Ge at a set concentration and a silicon thin film sequentially on an SOI substrate and then performing heat treatment a plurality of times at a specified temperature in an oxidizing atmosphere, a silicon thin film is formed after the oxide film is removed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に設定した濃度のＧｅを含むＳｉＧｅエピタキシャル層とシリコン薄膜とを順次エピタキシャル成長を形成し、次に酸化雰囲気下で所定の温度と時間で熱処理を複数回行なった基板において、酸化膜を除去した後にシリコン薄膜を形成したことを特徴とする半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

In a process for manufacturing a semiconductor device 9 by bonding a reinforcing member 14a to a thin semiconductor element 1a, the reinforcing material for the semiconductor device used as a material of the reinforcing member 14a is composed of a thin planar main plate, and an adhesive layer 4b of resin adhesive material having a low elastic modulus formed on one side of the main plate.例文帳に追加

薄型の半導体素子１ａに補強部材１４ａを接合して成る半導体装置９の製造工程において補強部材１４ａの素材として用いられる半導体装置用の補強材を、薄板形状の主板とこの主板の一方側の面に形成され低弾性係数の樹脂接着材より成る接着層４ｂとで構成する。 - 特許庁

Since the thin films 122a and 124a containing nitrogen are formed at the light shielding film 120, the stress generated by the thermal strain at the time of the annealing treatment is absorbed by the thin films 122a and 124a containing nitrogen and therefore the generation of the cracks in the insulating film and semiconductor layer with the light shielding film 120 as the initiation point can be prevented.例文帳に追加

遮光膜１２０に窒素を含有する薄膜１２２ａ，１２４ａを形成したので、アニール処理の際の熱歪みによって発生する応力が窒素を含有する薄膜１２２ａ，１２４ａにて吸収されるので、遮光膜１２０を起点とする絶縁膜や半導体層に対するクラックの発生を防止することができる。 - 特許庁

The original substrate for transfer is equipped with a substrate 100, a plurality of thin film circuits 102 which are made to be an object for transfer formed on the substrate through an exfoliation layer 101, inspection circuits 11-13 to inspect the circuit operation formed on the substrate, interconnections to connect each thin film circuit 102, and the inspection circuits 11-13.例文帳に追加

本発明の転写元基板は、基板１００と、この基板上に剥離層１０１を介して形成された転写対象となる複数の薄膜回路１０２と、上記基板上に形成された、回路動作を検査する検査回路１１〜１３と、各薄膜回路１０２と上記検査回路１１〜１３とを接続する配線と、を備える。 - 特許庁

The transparent electricity conductive thin film is constituted of laminating a hardening substance layer which consists of hardened resin as a main composition ingredient on a transparent plastic film base material, and the transparent electricity conductive film in this order, wherein, the above transparent electricity conductive thin film has penetrating holes, and the average shortest distance of the penetrating holes is 0.2 to 3.0 μm.例文帳に追加

透明プラスチックフィルム基材上に、硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層、及び透明導電性薄膜をこの順に積層した透明導電性フィルムであって、前記透明導電性薄膜は貫通孔を有し、該貫通孔の平均最短距離が０．２〜３．０μmであることを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁

The capacitor layer 12 includes lower electrodes 15A and 15B formed on the magnetic substrate 11, a thin dielectric film 16 covering the approximately entire surface of the substrate 11 including surfaces of the electrodes 15A and 15B, and upper electrodes 17A and 17B oppositely placed to the lower electrodes 15A and 15B of the capacitor via the thin dielectric film 16.例文帳に追加

キャパシタ層１２は、磁性基板１１上に形成された下部電極１５Ａ、１５Ｂと、下部電極１５Ａ、１５Ｂの表面を含む磁性基板１１の略全面を覆う誘電体薄膜１６と、誘電体薄膜１６を介してキャパシタ下部電極１５Ａ、１５Ｂと対向配置された上部電極１７Ａ、１７Ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents occurrence of a decrease in ON/OFF ratio of a thin film transistor and variance in ON current even when a metal oxide semiconductor layer is used for a channel region of the thin film transistor, and to provide the semiconductor device, an electrooptical device with the semiconductor device, and electronic equipment with the electrooptical device.例文帳に追加

金属酸化物半導体層を薄膜トランジスターのチャネル領域として使用した場合でも薄膜トランジスターのオン／オフ比の低下やオン電流のばらつきが発生しない半導体装置の製造方法、半導体装置、該半導体装置を備えた電気光学装置、および該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

When the second metal thin film 32 is formed, oxygen gas or nitrogen gas is introduced into a sputtering atmosphere, and a metal target 61 is sputtered while increasing the introduction amount, whereby the content of oxygen or nitrogen of the second metal thin film 32 is increased toward the front surface, and wear resistance of the surface of the lower electrode layer 30 is improved.例文帳に追加

第二の金属薄膜３２を成膜する際には、スパッタリング雰囲気中に酸素ガス又は窒素ガスを導入し、導入量を増大しながら金属ターゲット６１をスパッタリングするので、第二の金属薄膜３２は表面側程酸素又は窒素の含有量が多くなり、下部電極層３０の表面の耐摩耗性が高くなる。 - 特許庁

The powder or fine particles of the polyolefin resin comprising a nitrogen-containing foaming agent and a foaming auxiliary directly or a low foamed thin sheet subjected to heat molding beforehand is laminated on a metallic substrate like a steel plate heated at a high temperature and further, a polyolefin resin powder or a previously heat-molded thin sheet is laminated on the polyolefin layer comprising the foaming agent.例文帳に追加

窒素系発泡剤および発泡助剤を配合したポリオレフィン樹脂の粉末または細粒を直接あるいは予め加熱成型した低発泡薄板を、高温に加熱した鉄板等の金属基材に積層し、さらに発泡剤を配合したポリオレフィン層の上にポリオレフィン樹脂の粉末または予め加熱成型した薄板を積層する。 - 特許庁

Alternatively, the method comprises forming a thin oxide film (e.g. an intermediate layer 2) and comprises the step of previously heat-treating the oriented metallic substrate 1 in a reducing atmosphere and the step of heat-treating the oriented metallic substrate just before the formation of a thin oxide film in a reducing atmosphere.例文帳に追加

また、配向金属基板１上に酸化物薄膜（たとえば中間層２）を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、予め配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程、および酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程を有する酸化物薄膜の製造方法。 - 特許庁

Although in the reflection film 23b of the information base 21b, reading laser beam wavelength reflects light quantity sufficient for reading, a thin metal film (thin silver film) such as allowing light sufficient to recognize display on a display layer 25 with bare eyes to transmit is used for light of a wavelength region which is shorter than the reading laser beam wavelength and can be observed with bare eyes.例文帳に追加

情報基盤２１ｂの反射膜２３ｂは、読み取りレーザー光の波長は読み取りに充分な光量を反射するが、読み取りレーザー光の波長より短くて裸視で見える波長領域の光については、裸視で表示層２５の表示を認識するのに充分な光が透過するような金属薄膜（銀の薄膜）をもって構成する。 - 特許庁

To provide a new organic thin film in which a nanometer functional material dispersion structure is built and fixed in a polymer and to provide an optical recording medium which enables recording and reproduction at recording density beyond a diffraction limit of a pickup lens unattainable by a conventional optical disk by applying this organic thin film to a recording layer of the optical recording medium.例文帳に追加

ナノメータサイズの機能性材料分散構造がポリマー中に構築され固定化された新規な有機薄膜の提供、及び、この有機薄膜を光記録媒体の記録層に応用することにより、従来の光ディスクでは実現不可能な、ピックアップレンズの回折限界を超えた記録密度で記録再生可能な光記録媒体の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an optical disk, by which a light transmission layer which is thin and has uniform thickness can be formed and a large capacity optical disk can be easily manufactured by using a film and UV curing resin, in a manufacturing method for obtaining a medium wherein a light transmitting part of an optical information medium is made thin and recording density can be heightened.例文帳に追加

光情報媒体の光透過部分を薄型化し高記録密度化が可能な媒体を得る製造方法において、フィルムと紫外線硬化樹脂を使用することにより、均一な厚さの薄い光透過層を形成することができ、大容量の光ディスクを容易に製造することが可能な光ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

This invention relates to the method of manufacturing the TAB tape provided with an insulating tape and a circuit pattern formed on the insulating tape, including the processes of: forming a sputter thin film only in a formation schedule region of the circuit pattern on the insulating tape; and forming an electric plating layer on the sputter thin film formed on the insulating tape to form the circuit pattern.例文帳に追加

絶縁性テープと、絶縁性テープ上に形成された回路パターンと、を有するＴＡＢテープの製造方法であって、絶縁性テープ上における回路パターンの形成予定領域のみにスパッタ薄膜を形成する工程と、絶縁性テープ上に形成されたスパッタ薄膜上に電気めっき層を形成して回路パターンを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

A thin film magnetic head is provided with a first and a second magnetic layers 8 and 14 each including a magnetic pole part and magnetically connected with each other at a position apart from a medium facing surface ABS, a gap layer 9 provided between the magnetic layers 8 and 14 and a thin film coil 10, a part of which is provided between the magnetic layers 8 and 14.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、それぞれ磁極部分を含むと共に、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置において磁気的に連結された第１の磁性層８および第２の磁性層１４と、磁性層８，１４の間に設けられたギャップ層９と、一部が磁性層８，１４の間に設けられた薄膜コイル１０とを備えている。 - 特許庁

In the etching method where a silver or silver alloy thin film present on the surface of a substrate is subjected to etching with an etching liquid, the etching liquid in which the concentration of silver ions is 0.005 to 1 wt.% is filled into an etching liquid feeding apparatus, and the etching liquid is brought into contact with the surface of the substrate having the silver or silver alloy thin film layer.例文帳に追加

基板表面に存在する銀又は銀合金薄膜層をエッチング液によりエッチングする方法であって、銀イオン濃度が０．００５〜１重量％のエッチング液を、エッチング槽又はエッチング液供給装置に充填し、該エッチング液を、銀又は銀合金薄膜層を有する基板表面に接触させるエッチング方法。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head that causes no deterioration of insulation property between the lead against a magnetoresistance element and the upper/lower shield, even if a shield gap layer is made thinner for the purpose of improving the thermal asperity of the magnetoresistance effect type thin film magnetic head, and than also reduces the resistance of the lead so as to accurately read a minute reproducing signal.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

The laminate for a flexible circuit board can be obtained in such a way that a polyimide precursor resin in a solution is applied onto an ultra-thin metal foil with carriers and heat treatment is executed to form a multilayer laminate in which a polyimide insulating layer having a thickness of 3-7 μm is formed on the ultra-thin metal foil, and then, the carriers are peeled from the multilayer laminate.例文帳に追加

このフレキシブル回路基板用積層体は、キャリア付極薄金属箔上にポリイミド前駆体樹脂を溶液状態で塗布し、熱処理することにより前記極薄金属箔上に厚さ３〜７μｍの範囲のポリイミド絶縁層を形成した多層積層体とし、次いで、前記多層積層体から前記キャリアを剥離することにより得られる。 - 特許庁

The silicon substrate is tilted so that the side surface opposite to the former points upward, a converged ion beam is radiated to the upward pointing side surface from the perpendicular direction to cut it into a thin-film-like thin piece including the fault place, thereby preparing the flat TEM sample including the fault place from the semiconductor integrated circuit having the wiring layer on its surface.例文帳に追加

そして、前記側面とは反対側の側面が上を向くようにシリコン基板を傾け、上を向いた側面に対し垂直方向から収束イオンビームを照射して不良箇所を含む薄膜状の薄片に切り出すことにより、表面に配線層が形成された半導体集積回路から不良箇所を含む平面ＴＥＭサンプルを作製する。 - 特許庁

A thin film transistor substrate has a substrate 110; a first region 100 in which a plurality of thin film transistors being located; a wire unit 700 located on the substrate 110 and separated from the first region 100; and a conductive layer 420 located on the substrate 110 between the first region 100 and the wire unit 700.例文帳に追加

基板１１０と、複数個の薄膜トランジスタが配置された基板上の第１領域１００と、第１領域１００から離隔されて基板１１０上に配置された配線部７００と、第１領域１００と配線部７００との間の基板１１０上に配置された導電層４２０と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ基板である。 - 特許庁

An oxide superconductor thin film pattern 20 is formed through a CeO2 buffer layer on a sapphire substrate 10 having a step 11 formed such that the step 11 traverses specified regions of a square thin film pattern 22 having an opening 23 at the center, and step type Josephson junction 26, 27 are formed at the regions where the step 11 traverses.例文帳に追加

段差部１１を有するサファイア基板１０上にＣｅＯ_2バッファ層を介して酸化物超電導薄膜からなる超電導薄膜パターン２０を形成し、中心部分に開口部２３を有する正方形状の薄膜パターン２２の所定の部位を段差部１１が横断するように段差部１１及び薄膜パターン２０を構成する。 - 特許庁

Silicon-containing material gas and hydrogen gas are fed between a board and a ladden-shaped electrode, and a high-frequency power of 10 to 300 MHz is applied to generate a plasma, by which a silicon thin film is formed on the board through a plasma CVD method using the generated plasma, and the silicon thin film is used as a photoelectric conversion layer.例文帳に追加

基板とラダー状の電極との間にシリコンを含む原料ガスおよび水素ガスを供給するとともに周波数が１０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の高周波を印加することにより生成されるプラズマを利用するプラズマＣＶＤ法を用いて基板上に製膜されたシリコン系薄膜を光電変換層として有する。 - 特許庁

The resin film 5 may be an olefin film, the single plate 4 may be laminated with a thin plate 41 and/or sliced in a direction intersecting the laminated surface, the adhesive layer 3 may be composed of a thermosetting resin, and/or the single plate 4 may be dyed with the same color as that of the thin plate 41.例文帳に追加

また、樹脂フィルム５は、オレフィンフィルムであることとしたり、単板４は、薄板４１を積層し、積層面と交差する方向にスライスしたものである構成としたり、接着剤層３は、熱硬化性樹脂によって形成されていることとしたり、単板４は、薄板４１を同一色で染色したものを使用する構成とすることもできる。 - 特許庁

A film for producing a printed wiring board, which forms a metal thin wire by reduction reaction of metal ions, is provided with, on a substrate, : a functional layer containing a metal source which can be removed after exposure-heating; and a catalyst or a catalyst precursor required for formation of the metal thin wire.例文帳に追加

金属イオンの還元反応により金属細線を形成するプリント配線板作製用フィルムであって、基板上に露光・加熱後に除去し得る金属供給源と当該金属細線の形成に必要な触媒ないし触媒前駆体とを含有する機能性層を有することを特徴とするプリント配線板作製用フィルム。 - 特許庁

Of the anode for the lithium secondary battery equipped with a thin film 12 containing silicon on a collector 11, a hydrophobic layer 13 is formed on the thin film 12 containing silicon, and is preferred to be formed of at least a kind selected from a disilazane compound, silan compound, siloxane compound, and siloxysilane compound.例文帳に追加

集電体１１上にシリコンを含む薄膜１２を備えたリチウム二次電池用負極であり、シリコンを含む薄膜１２の上に疎水化層１３が形成されていることを特徴としており、疎水化層１３は、好ましくは、ジシラザン化合物、シラン化合物、シロキサン化合物及びシロキシシラン化合物から選ばれる少なくとも１種によって形成されている。 - 特許庁

The cooling drum for the twin-roll type thin strip continuous casting has a cover layer in which the slurry with fine MgO powder with the grain size of 10-50 μm suspended by 20-80 vol.% to 100 pts.wt. of the solvent is applied to an outer surface of the cooling drum in a thin strip continuous casting apparatus using the cooling drum.例文帳に追加

冷却ドラムを用いた薄帯連続鋳造装置において、前記冷却ドラム外表面に粒子径１０μｍ〜５００μｍの微細ＭｇＯ微粉末を溶媒１００重量部に対し２０〜８０ｖｏｌ％懸濁したスラリーを塗布した被覆層を有することを特徴とする双ロール式薄帯連続鋳造用冷却ドラム。 - 特許庁

The thin laminated polyimide film is constituted by forming a nonmetal thin film layer by dry plating on a polyimide film used as a base material, which is composed of polyimide having at least pyromellitic acid residue as a residue of an aromatic tetracarboxylic acid and a diaminodiphenyl ether residue as a residue of an aromatic diamine, and characterized in that a degree of curling after heat treatment at 300°C is 10% or below.例文帳に追加

ポリイミドが少なくとも芳香族テトラカルボン酸類の残基としてピロメリット酸残基、芳香族ジアミン類の残基としてジアミノジフェニルエーテル残基を有し、かつフィルムの３００℃熱処理後のカール度が１０％以下であるポリイミドフィルムを基材として使用し、その上に乾式めっきで非金属の薄膜層を形成した薄膜積層ポリイミドフィルム。 - 特許庁

On the occasion of manufacturing the laminate 1 by a process wherein the resin layer 2 having the particulates dispersed in the organic-solvent- soluble type binder resin and the thin film 3 of silicon oxide are laminated on the surface of a substrate directly or with another thin film interlaid, an anionic polymer dispersant not being neutralized by a base is used for dispersion of the particulates into the binder resin.例文帳に追加

支持体表面に、微粒子を有機溶媒可溶型バインダー樹脂に分散した樹脂層２と酸化珪素系薄膜３とを直接又は他の薄膜を介して積層して積層体１を製造するにあたって、微粒子のバインダー樹脂への分散に塩基で中和されていないアニオン性高分子分散剤を用いる。 - 特許庁

In the antireflection film, formed by laminating one or more layers of metal oxide thin films on a base material film, at least one metal oxide thin-film layer formed by bringing a gaseous component, composed of a metal compound having hydrolyzability into reaction with the moisture vapor generated from the base material film is used.例文帳に追加

基材フィルム上に１層以上の金属酸化物薄膜が積層されてなる反射防止フィルムにおいて、金属酸化物薄膜層のうち少なくとも１層に、加水分解性を有する金属化合物からなるガス成分を、基材フィルムから発生する水蒸気と反応させることにより形成された金属酸化物薄膜層を用いる。 - 特許庁

To provide an accumulation device such as en electric double layer capacitor using a polarizable electrode, which controls the carbon concentration distribution of a polarizable electrode by using carbon nano thin film materials for controlling film thickness, specific surface density, bulk density and orientational property, improves a thin hole use rate, and also controls the absorptivity of electrolytic medium ion and electrolyte.例文帳に追加

分極性電極を用いた、たとえば電気２重層キャパシタ等の蓄電デバイスにおいて、膜厚、比表面密度、嵩密度、配向性等を制御したカーボンナノ薄膜材料を用い、分極性電極のカーボン濃度分布を制御でき、細孔利用率を向上させ、電解質の媒質イオンおよび電解液の吸収性が制御可能な蓄電デバイスを得る。 - 特許庁

The outer peripheral face of the annular thin steel pipe is coated with polyurethane elastomer of hardness of JIS-A80-95 as a first resin, adhered to the steel pipe in a state of a comparatively thick and uniform layer, and an outer peripheral face of the first resin is coated with a non-adhesive polyurethane elastomer as a second resin in a state of comparatively thin and striped in the extruding direction.例文帳に追加

円形断面の薄肉鋼管の外周面に、第一樹脂として、硬度ＪＩＳ−Ａ８０〜９５のポリウレタンエラストマーが、比較的厚く均一な層状に接着して被覆され、第一樹脂の外周面に、第二樹脂として、非粘着性のポリウレタンエラストマーが、比較的薄く、押し出し方向への筋状に被覆された２層被覆構造である。 - 特許庁

A block copolymer thin film 703 comprising a block copolymer (di-block copolymer) comprised of for example, two types of a block chain A and a block chain B is formed on a neutral layer 801 to which a guide pattern 702 is formed.例文帳に追加

ガイドパターン７０２が形成された中性層８０１上に、例えば２種類のブロック鎖Ａ及びブロック鎖Ｂから構成されたブロック共重合体（ジブロック共重合体）よりなるブロック共重合体薄膜７０３を形成する。 - 特許庁

As shown in Fig. (c), consequently, only the left slant of the shape 2a is seen in continuity when the product 1 is seen from the direction A and therefore it is seen in an interference color corresponding to the thin film layer 4 of the larger thickness of the titanium oxide.例文帳に追加

この結果、（ｃ）に示されるように、Ａ方向から見た場合には山形２ａの左斜面だけを連続的に見ることになるので、色変わり加飾製品１は厚い酸化チタンの薄膜層４に応じた干渉色に見える。 - 特許庁