「thin-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(160ページ目) - Weblio英語例文検索

In the manufacturing method of the organic thin film transistor having a gate electrode, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode on a substrate; the semiconductor layer is formed by applying a semiconductor solution obtained by mixing a self-organized monomolecular material and an organic semiconductor material to a space between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

基板の上にゲート電極、半導体層、ソース電極、及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、ソース電極とドレイン電極の間に、自己組織化単分子材料と有機半導体材料を混合した半導体溶液を塗布して半導体層を成膜することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: a semiconductor layer provided with a crystalline area including a channel formation area, a source area and a drain area; a gate electrode 1205a for controlling the conductivity of the channel formation area; and the thin film transistor having a gate insulating film provided between the gate electrodes 1205a-1205d and a semiconductor layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、チャネル形成領域、ソース領域、およびドレイン領域を含む結晶質領域を備えた半導体層と、チャネル形成領域の導電性を制御するゲート電極１２０５ａと、ゲート電極１２０５ａ〜１２０５ｄと半導体層との間に設けられたゲート絶縁膜とを有する薄膜トランジスタを備えている。 - 特許庁

The thin film magnetic head includes at least an MR read head element having the upper and lower shield layers and an MR layer formed between the upper and the lower shield layers, wherein the upper shield layer appearing on an ABS has obtuse or round shapes at upper angle parts of ends in a track width direction.例文帳に追加

下部シールド層、上部シールド層並びに下部シールド層及び上部シールド層間に形成されたＭＲ層を有するＭＲ読出しヘッド素子を少なくとも含む薄膜磁気ヘッドであって、上部シールド層のＡＢＳに現れる形状が、トラック幅方向端の上側角部において鈍角形状又は丸みを帯びた形状を有する。 - 特許庁

When the laser spot is scanned freely two-dimensionally to move a smaller object 38 trapped in this laser spot, a thin wafer film formed over the TiO2 photocatalyst layer 12 acts also so a lubricant to thus allow the smaller object 38 on the TiO2 photocatalyst layer 12 to be manipulated with ease even with smaller light power of the laser light.例文帳に追加

このため、レーザスポットを２次元的に自由に走査して、レーザスポットに捕捉された微小物体３８を自在に移動させる際に、ＴｉＯ_2 光触媒層１２の表面に薄い水膜が形成され、潤滑剤として機能するため、レーザ光の光パワーが小さくても、ＴｉＯ_2 光触媒層１４上の微小物体３８は容易にマニピュレートされる。 - 特許庁

The display body 10 includes a light-transmitting layer having an interface part included in one main surface, the interface part having a plurality of one-dimensionally or two-dimensionally arrayed recesses or projections which are spaced at a center-to-center distance of 150 nm to 200 nm, and an inorganic thin film layer at least partially covering the interface part; and diffracting UV rays.例文帳に追加

本発明の表示体１０は、一次元的又は二次元的に配列した複数の凹部又は凸部が１５０ｎｍ乃至２００ｎｍの中心間距離で設けられている界面部を一方の主面が含んだ光透過層と、前記界面部の少なくとも一部を被覆した無機薄膜層とを具備し、紫外光を回折することを特徴とする。 - 特許庁

To prevent the occurrences of large defective transfer and partial transfer unevenness at the time of feeding bleached paper under the environments of high temperature and high humidity even when the phenomenon of deteriorated resistance (break-down) due to the high pressure of an intermediate transfer belt is caused in an image forming apparatus having the intermediate transfer belt whose surface layer must be thin so as to possess an elastic layer.例文帳に追加

弾性層を有するため表面層を薄くせざるをえない中間転写ベルトを持つ画像形成装置において、中間転写ベルトの高圧による抵抗低下現象（ブレークダウン）がある時にも、高温高湿環境下でのサラシ紙の通紙で発生する大きな転写不良や部分的な転写ムラを防止することを可能とする。 - 特許庁

When a prescribed AC voltage is impressed between the both electrode layers 2, 7 by a power supply part 8, ultraviolet emission is generated in the ultraviolet luminous layer 5, and this ultraviolet emission is converted into visible light emission in the fluorescent thin layers 4, 6, and the generated visible light emission is directly or, by being reflected by the upper electrode layer 7, outputted through the glass substrate 1.例文帳に追加

電源部８により両電極層２、７間に所定の交流電圧が印加されると、紫外発光層５において紫外発光が発生し、この紫外発光は蛍光薄層４、６において可視発光に変換され、生成された可視発光は直接および上部電極層７に反射されて、ガラス基板１を介し出力される。 - 特許庁

To provide a non-solvent type under-filling material, having a sufficiently close adhesion with a polyimide film together with a silicon wafer, and a mold-processing property (having a low viscosity and possibility of invasion in a relatively short time), and applicable for a flexible base substrate consisting of a thin copper layer and a polyimide film layer, and an electronic part applied with the above under-filling material.例文帳に追加

シリコンウエハ−とともにポリイミドフィルムに対する密着性が十分であり、成形加工性（低粘度、比較的短時間での侵入可能性）を有し、薄い銅層とポリイミドフィルム層とからなるフレキシブル基板に適用可能である無溶剤型のアンダ−フィル材料及びこのアンダ−フィル材を適用した電子部品を提供する。 - 特許庁

In the liquid crystal display panel having a liquid crystal 5 sealed between a TFT(thin film transistor) substrate 2 and a color filter substrate 3 and having a polarizing plate 8 laminated, a stress relieving layer 10 consisting of one of polyester, polyethylene, methylpolymethacrylate and polycarbonate is formed so that the stress relieving layer 10 relieves the stress added on the liquid crystal display panel.例文帳に追加

ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との間に液晶５が密閉され、且つ、偏光板８を積層した液晶表示パネルおいて、ポリエステル、ポリエチレン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカボネートの何れかからなる応力緩和層１０を設け、この応力緩和層１０で前記液晶表示パネルにかかる応力を緩和するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

The electromagnetic wave shielding material 1 of frequency selective transmission type is provided, at least on one side of a transparent base 2, with FSS elements 3 of thin line patterns so as to shield electromagnetic waves of a predetermined frequency, wherein a metallization layer of the FSS elements 3 is composed by forming a developed silver layer on the transparent base 2 by a photography process.例文帳に追加

透明基材２の少なくとも一方の面に、所定周波数の電磁波を遮蔽するための細線パターンからなるＦＳＳ素子３が配設された周波数選択遮蔽型の電磁波シールド材１であって、透明基材２の上に写真製法により現像銀層を生成することにより前記ＦＳＳ素子３の金属層を構成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a display device includes ultraviolet-light irradiation of at least once, and uses the thin-film transistor that includes the oxide semiconductor layer for a switching element, and in the method, heat treatment for repairing damages to the oxide semiconductor layer due to the ultraviolet-light irradiation is performed, after all the steps of ultraviolet-light irradiation are completed.例文帳に追加

少なくとも一回以上の紫外線の照射を行い、且つ酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いる、表示装置の作製方法において、全ての紫外線照射工程を終えた後で、紫外線照射による該酸化物半導体層のダメージを回復させる熱処理を行う表示装置の作製方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the multilayer substrate 400 includes: a process for of forming a junction layer 105 between substrates by bonding first and second crystal substrates 100, 200; and a process for of forming a thin part 205 by etching the first and/or second crystal substrates 100, 200 toward the junction layer 105.例文帳に追加

本発明の積層基板４００の製造方法は、第１及び第２の水晶基板１００，２００を接合し基板間に接合層１０５を形成する工程と、前記第１又は／及び第２の水晶基板１００，２００を前記接合層１０５に向かってエッチングして薄肉部２０５を形成する工程と、からなることを特徴としている。 - 特許庁

The manufacturing method for the thin film solar cell includes: a first photoelectric conversion layer forming step of laminating a first semiconductor film 3 on a substrate 1; and a second photoelectric conversion layer forming step of laminating a second semiconductor film 4 on the first semiconductor film 3, and an area where the second semiconductor film 4 is laminated is smaller than that where the first semiconductor film 3 is laminated.例文帳に追加

基板１上に第１半導体膜３を積層する第１光電変換層形成工程と、第１半導体膜３上に第２半導体膜４を積層する第２光電変換層形成工程とを含み、第２半導体膜４を積層する面積が、第１半導体膜３を積層する面積よりも小さい。 - 特許庁

The organic thin film solar cell device 10 is provided with: a substrate 1; an anode 2 and a cathode 3 formed leaving a predetermined space in a planar direction on one face of the substrate; a photoelectrically converting layer 4 formed at least between an anode and a cathode; and a sealing member 6 for sealing the anode, the cathode, and the photoelectrically converting layer.例文帳に追加

有機薄膜太陽電池素子１０は、基板１と、基板の一方面に、平面方向に所定の間隔をあけて形成された陽極２及び陰極３と、各陽極及び各陰極との間に少なくとも形成された光電変換層４と、陽極及び陰極並びに光電変換層を封止する封止部材６とが設けられている。 - 特許庁

Since a heavy metal acquisition layer composed of a crystal alteration layer is formed on the reverse-surface side of the silicon substrate through laser beams irradiation, Cu and Ni mixed principally in the reverse-surface grinding and polishing processes and heavy metal mixed in a process following the thin thickness processing can be also obtained in a reverse-surface neighborhood region.例文帳に追加

本発明によれば、レーザー光の照射によってシリコン基板の裏面側に結晶変質層からなる重金属捕獲層を形成していることから、主に裏面研削・研磨工程において混入するＣｕ、Ｎｉや薄厚加工後の次工程で混入する重金属も裏面近傍領域に捕獲することが可能となる。 - 特許庁

The light storage material layer 2 in the light storage sheet 1 having the light storage material layer 2 with a light storage material mixed into the resin binder, includes a plurality of thick-walled parts 11 having the same thickness and arranged spaced from one another, and thin-walled parts 12 located between the respective thick-walled parts 11 and having fixed thickness smaller than that of the thick-walled parts 11.例文帳に追加

樹脂バインダに蓄光材を混入した蓄光材層２を有する蓄光性シート１において、蓄光材層２が、互いに離間して配置された同一の厚さを有する複数の厚肉部１１と、各厚肉部１１の間に位置し、当該厚肉部１１より小さい一定の厚さを有する薄肉部１２とを備えた構成とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target which adopts a material containing an SiO_2 based oxide, hardly causes deterioration in an adjacent reflection layer and a recording layer, has satisfactory adhesion and achieves high speed film-deposition, and to provide a method for producing the same and to provide a thin film (especially used as a protective film) for an optical information recording medium and a method for producing the same.例文帳に追加

ＳｉＯ_２系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The plasma display panel for maintaining efficiency is obtained by forming a barrier rib after deposition of a hole injection layer so as to cover a projection or a foreign matter on an electrode before partitioning a pixel by barrier ribs, then forming a thin film so as not to generate efficiency degradation of the hole injection layer by current leak, while preventing defects due to foreign matters.例文帳に追加

隔壁で画素を区画する前に電極上の突起や異物を被覆するように正孔注入層を成膜した後隔壁を形成し、その後正孔注入層を電流リークによって効率低下を起こさないように薄膜を形成することにより、異物による欠陥を防ぎつつ、効率を維持できるディスプレイパネルを得ることが出来る。 - 特許庁

A method of manufacturing a thin film transistor comprises the steps of: forming a photoresist layer on a substrate; and selectively removing a part of the photoresist layer in a single exposure process and forming a primary photoresist pattern including a first part structure with a first width and a second part structure with a second width underlying the first part structure.例文帳に追加

前記基板の上にフォトレジスト層を形成するステップ、単一の露光プロセスで選択的に一部分のフォトレジスト層を取り除き、第一幅を有する第一部分の構造と、第二幅を有し、前記第一部分の構造の下にある第二部分の構造を含む第一フォトレジストパターンを形成するステップを含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve a problem wherein there is a possibility that a thin aluminum layer on an outermost surface of, and covering Si, a sliding part of a sliding member of a compressor constituted by a powder sintered material of aluminum containing silicon of 30 % mainly is peeled off, thereby causing seizure, in order to guarantee sufficient reliability and make the aluminum layer on the outermost surface harmless.例文帳に追加

主に３０％のシリコンを含有したアルミニウムの粉末燒結材で構成されている圧縮機の摺動部材の摺動部においては、その最表面にありＳｉを覆っている薄いアルミニウム層が剥離して焼付きに至る可能性があり、十分な信頼性を保証するために最表面のアルミニウム層の無害化が重要な課題となっている。 - 特許庁

In this case, the films 3, 4 are capable of being at least one of strontium oxide, magnesium oxide, cerium oxide, zirconium oxide, yttrium stabilized zirconium oxide, and a strontium titanate, the inorganic amorphous layer or the organic solid layer 2 are capable of being silicon oxide, and a piezoelectric or ferroelectric material, for example, is used as the thin film 5.例文帳に追加

ここで前記酸化物薄膜層３、４は酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、イットリウム安定化酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウムのうち少なくとも一つであり得、また上記無機アモルファス層又は有機固体層２は酸化シリコンであり得、また前記ペロブスカイト型酸化物薄膜５には、例えば圧電材料又は強誘電体を用いる。 - 特許庁

The method for producing a thin polarizing film includes: a step for forming a PVA-based resin layer 12 on a thermoplastic resin base material 11 to produce a laminate 10; an alignment reduction step for reducing an alignment of the PVA-based resin layer 12; and a first stretching step for stretching the laminate 10 in the first direction, in this order.例文帳に追加

本発明の薄型偏光膜の製造方法は、熱可塑性樹脂基材１１上にＰＶＡ系樹脂層１２を形成して積層体１０を作製する工程と、ＰＶＡ系樹脂層１２の配向を低下させる配向低下工程と、積層体１０を第１の方向に延伸する第１延伸工程とをこの順で含む。 - 特許庁

This dye-sensitized solar cell uses, as an electrode, a base material 17 with a metal oxide semiconductor layer formed on the surface of an aluminum layer by making fluorides of metal elements of groups IIa, IIb and IVa in the periodic table act on a base material having, on a transparent base material 11, a roughened aluminum thin film 13 having a thickness not greater than 20 μm.例文帳に追加

透明基材の上に２０μｍ以下の厚みの粗面化されたアルミニウム薄膜を有する基材に、周期律表のＩＩa、ＩＩｂ、ＩＶa族の金属元素のフッ化物を作用させることにより該アルミニウム層の表面に金属酸化物半導体層を形成した基材を電極として用いることを特徴とする色素増感型太陽電池。 - 特許庁

The forgery preventing medium is constituted by providing at least a portion of the iris type multilayered film where two or more kinds of thin films are alternately laminated with embossed parts, such as relief type hologram or hologram embossed with the minute ruggedness relating to diffraction grating and disposing a transparent protective layer on a region including the embossed parts such as the hologram so as to be positioned on the uppermost layer.例文帳に追加

二種またはそれ以上の種類の薄膜が交互に積層されてなる虹彩性多層フィルムの少なくとも一部に、レリーフ型ホログラムか回折格子に係る微小な凹凸がエンボスされてなるホログラム等エンボス部を設けると共に、当該ホログラム等エンボス部を含む領域の上には透明保護層を最上層に位置するように設ける。 - 特許庁

To provide a highly practical gas barrier film excellent in flexibility, excellent in transparency, having high gas barrier properties and reduced in the deterioration of gas barrier properties after bag making or molding processing after bonded to other material or the like, by incorporating the component of the gas barrier film layer of the gas barrier film in a vapor deposition thin film layer to bond the same.例文帳に追加

ガスバリアフイルムのガスバリア性被膜層の成分を蒸着薄膜層の中に入り込ませ結合させることにより、透明性に優れ、かつ、高いガスバリア性を有すると共に、他の材質等と貼り合わせた後の製袋加工や成形加工後もガスバリア性の劣化の少ない可撓性に優れた実用性の高いガスバリアフイルムを提供することにある。 - 特許庁

An organic thin-film transistor is provided which uses a polythienylquinoxaline derivative prepared by introducing a quinoxaline ring having a high electron affinity, namely, having an n-semiconductor properties and simultaneously exhibiting p- and n-electric properties into a polythiophene having a p-semiconductor properties and includes a substrate, a gate electrode, a gate insulation layer, an organic active layer, and a source/drain electrode.例文帳に追加

ｐ型半導体特性を有するポリチオフェンに、電子親和力の大きい、すなわちｎ型半導体特性を持つキノキサリン環を導入したｐ型とｎ型の電気的特性を同時に示すポリチエニルキノキサリン誘導を使用し、且つ、基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機活性層、及びソース／ドレイン電極を含んでなる有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

The three-dimensional plasma-based ion implantation/deposition method comprises a step for forming an ion implantation layer on the surface of the packing body 1 by ion implantation of a hydrocarbon gas and a fluorine gas in plasma and a step for forming the diamond-like carbon thin film on the ion implantation layer by ion deposition of the hydrocarbon gas and the fluorine gas in plasma.例文帳に追加

三次元プラズマイオン注入成膜法は、炭化水素ガスおよびフッ素ガスのプラズマ中でのイオン注入によりパッキン本体１の表面にイオン注入層を形成する工程と、炭化水素ガスおよびフッ素ガスのプラズマ中でのイオン成膜によりイオン注入層上にダイヤモンド・ライク・カーボン薄膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁

In a thin film transistor 10 which has a crystallized silicon film 2 with a source-drain region 2a and a channel region 2b formed on a substrate 1, a gate insulation film 3 formed on this crystallized silicon film 2 and a gate electrode 4 formed on the gate insulation film 3, an amorphous layer 5 and a crystalline layer 6 are formed in the gate electrode 4.例文帳に追加

基板１上に形成されたソース・ドレイン領域２ａ及びチャネル領域２ｂを有する結晶化シリコン膜２と、この結晶化シリコン膜２上に形成されたゲート絶縁膜３と、このゲート絶縁膜３上に形成されたゲート電極４とを備える薄膜トランジスタ１０にて、ゲート電極４に非晶質層５及び結晶質層６を設けること。 - 特許庁

To provide a thermal recording member provided with an undercoat layer between a substrate and a thermal recording layer which hardly generates thin spots, provides excellent thermal recording characteristics with a clear difference in shades of the printed part and the non-printed part, and enough suppresses the sticking of scum components such as a coloring agent on a thermal head performing thermal recording.例文帳に追加

支持体と感熱記録層との間にアンダーコート層が設けられた感熱記録部材において、かすれなどの発生が少なく、印字部と非印字部との濃淡の差が明確な優れた感熱記録特性が得られると共に、感熱記録を行うサーマルヘッドに発色剤等のかす成分が付着するのを十分に抑制できるようにする。 - 特許庁

The thin-film-transistor manufacturing method is the one wherein a semiconductor layer, a gate insulating film, a gate electrode, and a cap insulation film are disposed in this order, and further, the cap insulation film is so formed on the gate insulating film and the gate electrode as to inject impurities into the semiconductor layer via the gate insulating film and the cap insulation film.例文帳に追加

半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極及びキャップ絶縁膜をこの順に備える薄膜トランジスタの製造方法であって、上記製造方法は、ゲート絶縁膜及びゲート電極上にキャップ絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜及びキャップ絶縁膜を介して半導体層に不純物を注入する薄膜トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

In a flash memory having, for example, a single gate type memory cell consisting of a gate electrode provided through a thin electric charge trap layer on a semiconductor substrate, the device is characterized in that after data is written in the memory cell, a short pulse is applied to the memory cell so that one part of electrons is eliminated from the electric charge trap layer.例文帳に追加

半導体基板上の薄い電荷トラップ層を介して設けられたゲート電極からなる例えば単ゲート型メモリセルを有するフラッシュメモリにおいて、前記メモリセルに対してデータ書込み後、前記電荷トラップ層から電子を一部排除するよう前記メモリセルに対して短パルスを加えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。 - 特許庁

The organic electroluminescence element contains as a dopant a metal complex compound in a specific structure having a metal atom and ligand corresponding to the metal atom at the center with a compound where the luminous layer is in a specific structure as a host material in an organic electroluminescence element where a layer of or a plurality of layers of organic thin-film layers are clamped between a negative electrode and a positive electrode.例文帳に追加

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極と陽極間に一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、発光層が特定構造の化合物をホスト材料として、中心に金属原子とそれに対する配位子を有する特定構造の金属錯体化合物をドーパントとして含有する。 - 特許庁

Further, a magnetic thin film is a multilayered film comprises a Co-based amorphous alloy layer 2 having property such that the direction of magnetic field application in filming is along an easy magnetization axis and a natural oxide layer 3 of its Co-based amorphous alloy, the easy magnetization axis of the manufactured multilayered film being orthogonal to the magnetic field application direction in the formation of the multilayered film.例文帳に追加

また、成膜時における磁場印加方向が磁化容易軸となる性質をもつＣｏ系非晶質合金層２と、そのＣｏ系非晶質合金の自然酸化層３とからなる多層膜であって、作製された多層膜の磁化容易軸が、その多層膜の成膜時における磁場印加方向と直交する磁性薄膜により、上記課題を解決した。 - 特許庁

When laser beam to reproduce information recorded on the recording layer is emitted to the optical disk, part of a crystalline thin film of the material layer whose viscosity changes is softened to change the optical characteristic of the softened part, a discontinuous face of the optical constant is caused at the border face of the softened part, and a ring shaped specific region is formed in the light spot.例文帳に追加

記録層に記録された情報を再生するためのレーザー光が照射されると、粘性が変化する材料層の結晶性薄膜の一部が軟化することにより、その軟化部分の光学定数が変化し、軟化部の境界面において、光学定数の不連続面が発生し、リング状の特異領域が光スポット内に形成される。 - 特許庁

The forming method of the multi-layered mirror for the manufacture of a micro-cavity of a light emitting device comprises a process of forming the buffer layer on a transparent base plate of the light emitting device, and a process of forming the multi-layered mirror by sputtering a plurality of thin films having different refractive index from each other on the buffer layer.例文帳に追加

発光装置のマイクロキャビティ構造用の多層ミラーの形成方法であって、発光装置の透明基板上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に異なる屈折率の複数の薄膜をスパッタリングし、多層ミラーとする工程とからなることを特徴とする上記方法、及びマイクロキャビティ構造用の多層ミラー。 - 特許庁

To provide an antireflection film or sheet excellent in steel wood resistance and having a pencil hardness of 3H to 4H by controlling the elastic modulus of a hard coat layer to a specified range without varying the thickness in the production of a film or sheet having an antireflection thin film layer disposed on the surface and excellent in surface strength.例文帳に追加

反射防止薄膜層を表面に設けた表面強度に優れるフィルムもしくはシートを製造するのに、ハードコート層の膜厚を変えることなく、その弾性率を特定の範囲に制御することによって、耐スチールウール性に優れ、鉛筆硬度が３Ｈ〜４Ｈの水準を実現する反射防止フィルム若しくはシートを提供することを目的とする。 - 特許庁

The LCD panel includes a lower substrate, including a thin-film transistor (TFT) and a pixel electrode; an upper substrate, including a common electrode and facing the lower substrate; a liquid crystal layer formed in between the upper and lower substrates; and an alignment layer, formed of an inorganic substance containing silicon Si, oxygen O, and carbon C on the upper and lower substrates.例文帳に追加

本発明による液晶表示パネルは、薄膜トランジスタ及び画素電極を含む下部基板と、下部基板と向き合い共通電極を含む上部基板と、上部基板と下部基板との間に形成された液晶層と、上部及び下部基板上にシリコンＳｉ、酸素Ｏ及び炭素Ｃを含む無機物質から形成された配向膜と、を含む。 - 特許庁

In the surface protective film for the transparent conductive film which protects a surface opposite to the conductive thin film 2b of the transparent conductive film 2, a scratch resistant layer 1c at least 2H in pencil hardness according to JIS K 5400 is formed on one side of a base material film 1a, and an adhesive layer 1b is formed on the other side.例文帳に追加

透明導電性フィルム２の導電性薄膜２ｂとは反対側の表面を保護するフィルムであって、基材フィルム１ａの片面側にＪＩＳ Ｋ ５４００に準拠する鉛筆硬度が２Ｈ以上の耐擦傷性層１ｃが設けられ、且つ他面側に粘着剤層１ｂが設けられていることを特徴とする透明導電性フィルム用表面保護フィルム。 - 特許庁

To solve the conventional problem that a SiO2 film is used as a gap layer and when lapping of a recording medium facing surface is carried out and completed, the gap layer is protrude from the medium facing surface because of the lower elastic modulus of the SiO2 film and as the result the danger that a thin film magnetic head slider collides with a recording medium is increased.例文帳に追加

従来では、ギャップ層としてＳｉＯ_2膜が使用されていたが、記録媒体との対向面をラップ加工した場合、前記ＳｉＯ_2膜の弾性率が小さいために、前記ラップ加工が終了すると、前記対向面から前記ギャップ層が突き出すといった問題があり、これによって薄膜磁気ヘッドスライダが記録媒体に衝突する危険性が増す。 - 特許庁

To dispose a layer of Si3N4 on a member for planographic printing having the same quality and precision as the conventional one and to obtain an original plate which does not require development after imagewise exposure by forming a thin film layer of an Si-containing inorganic compound produced by reacting an Si-containing compound in the vapor phase on the surface of a substrate.例文帳に追加

従来と同じ材質及び精度の平版印刷用部材版上にＳｉ_3Ｎ_4の層を設けることが可能であり、像様露光された後の現像を必要とせず、異なった波長のレーザー照射により親疎水性を示す素材の層を有する平版印刷用部材、特には平版印刷用原版の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a high-hydrogen concentration layer having a concentration peak at a depth of 5 μm from the main surface of a crystalline semiconductor substrate in its depth-wise hydrogen concentration profile is formed in the substrate by implanting negative hydrogen ions into the substrate, the thin semiconductor film is peeled from the substrate at the high-hydrogen concentration layer.例文帳に追加

半導体結晶基板に対し、その主表面から水素負イオンを注入することにより、深さ方向の水素濃度プロファイルにおいて、主表面から深さ５μｍ以上の位置に濃度ピークを有する水素高濃度層を形成した後、該水素高濃度層において半導体結晶基板より半導体薄膜を剥離する - 特許庁

The thin film transistor (TFT) substrate comprises: a plastic insulation substrate; a first silicon nitride layer with a first refractive index, formed on one surface of the plastic insulation substrate; and a TFT including a second silicon nitride layer formed with a second refractive index smaller than the first refractive index.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタ基板は、プラスチック絶縁基板と；前記プラスチック絶縁基板の一面に形成されており、第１屈折率を有する第１シリコン窒化物層と；前記第１シリコン窒化物層上に形成されており、前記第１屈折率より小さい第２屈折率を有する第２シリコン窒化物層を含む薄膜トランジスタとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar cell module 100 includes: a step A of connecting one end portion of each of a plurality of thin wire electrodes 13a to a connecting electrode 14L; a step B of disposing a resin layer 15 on a blanket 63; and a step C of transferring the resin layer 15 onto a photoelectric conversion part 63.例文帳に追加

本発明の実施形態に係る太陽電池モジュール１００の製造方法は、複数本の細線電極１３ａそれぞれの一端部を接続用電極１４Ｌに接続する工程Ａと、ブランケット６３上に樹脂層１５を配置する工程Ｂと、光電変換部６３上に樹脂層１５を転写する工程Ｃとを備える。 - 特許庁

To provide a selective shield characteristic film, as well as manufacturing method thereof, of good selective shield characteristic and industrial productivity by employing a specific means wherein a conductive layer such as a metal thin layer between two film layers is irradiated with laser beam so that a slit channel is formed with no damage on both films.例文帳に追加

２つのフィルム層の層間にある金属薄層のような導電性層にレーザビームを照射して、両フィルムを損傷することなくスリット溝を形成するという特定の手段を講じることにより、良好な選択シールド性を有し、しかも工業的生産性の点でも有利である選択シールド性フィルムおよびその製造法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The organic EL display device of active matrix type has a polarizing plate 119 arranged on a display face side with the opposite side of a substrate 101 as the display face and has a flattening layer for reducing an irregularity shape corresponding to a circuit pattern of a thin film transistor, has a pixel electrode 115 and an organic EL element installed on the flattening layer.例文帳に追加

基板１０１の反対側を表示面として、表示面側に偏光板１１９を配置するとともに、薄膜トランジスタの回路パターンに対応した凹凸形状を低減するための平坦化層を有し、平坦化層の表面に画素電極１１５及び有機ＥＬ素子を設けたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置である。 - 特許庁