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third stepの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 821件
The above method comprises a first step to form a diffusion layer on a crystalline silicon substrate whose conductivity type is opposite to that of the diffusion layer, a second step to remove a part of the diffusion layer by etching using sodium silicate (Na_2SiO_3), and a third step to form a first electrode electrically connected to the diffusion layer and a second electrode electrically connected to the substrate.例文帳に追加
結晶系シリコン基板に逆導電型層となる拡散層を形成するステップと、この拡散層の一部を珪酸ナトリウム(Na_2SiO_3)でエッチング除去するステップと、この拡散層と電気的に接続する第1の電極及び前記基板と電気的に接続する第2の電極を形成するステップとを備える。 - 特許庁
By adopting this process, bonding of the impurities contained in the atmospheric air to the surface of the semiconductor film is prevented, and contamination (diffusion) of the impurities into the semiconductor layer during the crystallization by light irradiation, which is a fourth step that follows the third step, is also prevented.例文帳に追加
本プロセスによれば、大気中等に含まれる不純物が半導体膜表面に結合することを防ぐことができるとともに、上記第3工程に続く第4工程としての光照射による結晶化において、半導体層中に不純物が混入(拡散)することを防げる。 - 特許庁
The method includes a step of configuring a header so as to include a first tail bit, a second tail bit 240, and a third tail bit 220; and a step of configuring a plurality of bits of the end of the reserved bits in a PHY header by the first tail bit.例文帳に追加
本発明に係る予備ビットを用いたデータパケット構成方法は、ヘッダ内に、第1テールビットと、第2テールビット240、及び第3テールビット220を含んで構成されるステップと、PHYヘッダの予備ビットのうち終わり部分の複数ビットを前記第1テールビットで構成するステップと、を含む。 - 特許庁
First to third water discharge valves are controlled to open/close in the next step S4, based on the water recovery ratio η calculated in the step 2, and the dispersant is injected into the raw water by controlling the injection amount by an injection pump to get the dispersant concentration corresponding to the water recovery ratio η.例文帳に追加
次いで、ステップS4に進み、ステップS2で算出された水回収率ηに基づいて第1〜第3の排水弁を開閉制御し、さらに該水回収率ηに応じた分散剤濃度となるように注入ポンプで注入量を制御しながら原水中に分散剤を注入する。 - 特許庁
A tower ascent prevention device 1 comprises a main member 2 surrounding a main pole M, a fixing tool 3 fixed to the main pole M, a step connection member 4 which disposes a third divided piece 23 of the main member 2 without forming a step with respect to first and second divided pieces 21 and 22, and block rods 51, 52, 53, 54 and 55.例文帳に追加
昇塔防止装置1は、主柱Mを取り囲む主部材2と、主柱Mに固定される固定具3と、主部材2の第3分割片23を第1及び第2分割片21,22に対して段差をなして配置する段差連結部材4と、遮断棒51,52,53,54,55を備える。 - 特許庁
By forming a first inclined step part 28 between the first cylindrical face part 25 and the second cylindrical face part 26 and forming a second inclined step part 29 between the second cylindrical face part 26 and the third cylindrical face part 27, an intermediate material 30 that is this stepped cylindrical member is formed.例文帳に追加
又、前記第一円筒面部25と前記第二円筒面部26との間に第一傾斜段部28を、この第二円筒面部26と前記第三円筒面部27との間に第二傾斜段部29を、それぞれ形成して、段付円柱状部材である中間素材30とする。 - 特許庁
Between the contents for displaying on a display and printing, the use of the former is counted by a first counter (step S404), and the use of the latter is counted by a third counter (step S408) to individually evaluate the status of use, and accounting is performed according to the respective advertisement values.例文帳に追加
そして、ディスプレイ表示用とプリント用とでは、前者を第1のカウンタで利用状況をカウントし(ステップS404)、後者を第3のカウンタで利用状況をカウントすることにより(ステップS408)、別々に評価し、それぞれの広告価値に応じて課金できるようにしている。 - 特許庁
In a third process, a pawl member is inserted into a space between the opposite part of the second substrate and the terminal of the first substrate (a step A30), and the pawl member is moved in a direction including components of a direction vertical to an extension direction of the groove (a step A40).例文帳に追加
さらに、第三工程では、前記第二基板の前記対向部と前記第一基板の前記端子との隙間に爪部材を挿入し(ステップA30)、前記溝の延在方向に対する垂直方向の成分を含む方向に前記爪部材を移動させる(ステップA40)。 - 特許庁
At the third process flow, an inwardly facing projection part 35 is formed at a portion adjacent to the step part for closing one end of the concave groove by inserting a tip end part of the second punch 25, a diameter of which is the same as that of the large diameter hole into the larger diameter hole, for an upset plasticity deformation of the material by abutting to the step part.例文帳に追加
第3の工程では、素材の大径穴と同径の第2パンチ25の先端部を大径穴に挿入し段部に当接して素材を据え込み塑性変形させることにより、素材の段部に隣接する部分に内向き突出部35を形成して凹溝の一端を閉鎖する。 - 特許庁
In a CT non-winning, one of non-winning directions 1-7 selected by the CT direction lottery process in a step 162 performs non-winning CT direction using respective back lamps 57a-57c of first, second, and third reels 3, 4, 5 and a back lamp 65 of a fourth reel (step 126).例文帳に追加
CT不当選の場合には、ステップ162のCT演出用抽選処理で選択された不当選演出1〜7のいずれかで、第1,第2,第3リール3,4,5の各バックランプ57a〜cおよび第4リールのバックランプ65を用いて不当選用CT演出が行われる(ステップ126)。 - 特許庁
In a first step at the second analytical stage, a result obtained at the first analytical stage is set as an initial value of a new model, and an extended BLMC operation is performed in the second and third steps.例文帳に追加
解析第2段階第1ステップでは、解析第1段階で得られた結果を、新しいモデルの初期値として設定し、第2ステップ、第3ステップでExtended BLMCを行う。 - 特許庁
In the third step S3, the power consumption of the basic information in the specified period is compared with the power consumption of the facility information meeting the specified requirements in the same period to evaluate the performance deterioration.例文帳に追加
第3ステップS3では、特定期間の基本情報の消費電力量と、同時期の特定条件を満たす設備情報の消費電力量とを比較して性能劣化を評価する。 - 特許庁
In a third step, the target devices are driven by the drive signal having a voltage amplitude of the drive signal corresponding to each gradation level multiplied by a constant, and the luminance of the target device for each gradation level is measured.例文帳に追加
第3工程において、各階調に対応する駆動信号の電圧振幅を定数倍した駆動信号で注目素子を駆動して、各階調における注目素子の輝度を測定する。 - 特許庁
When pieces of data are included in the first difference data 3 and the second difference data 4, they are graphically compared with each other at a step ST5 and different data is extracted as third difference data 5.例文帳に追加
第1の相違データ3と第2の相違データ4とにデータが含まれていた場合、ステップST5において、それらを図形的に相互に比較し、相違したデータを第3の相違データ5として抽出する。 - 特許庁
An n-layer 6 is formed on the surface of a third region R3, and further, the AlSi layer 14c serving as a step 20 is formed at a distance from an AlSi layer 14b located at the outermost periphery.例文帳に追加
第3領域R3の表面にはn層6が形成され、さらに、最外周に位置するAlSi層14bから距離を隔てて、段差部20となるAlSi層14cが形成されている。 - 特許庁
At the third step, the solvent is applied onto the coating film and after 1-300 seconds have passed, the upper layer portion of the coating film is removed by rotating the substrate for 30-300 seconds at 500-5,000 (revolutions per minute) revolving speed.例文帳に追加
第3工程が、前記塗布膜上に溶剤を塗布し、1〜300秒間経過後、前記基板を回転速度500〜5000(回/分)、回転時間30〜300秒で回転することによる。 - 特許庁
Third, while the U.S. government apparently intends to call on other countries to move in step with the United States in financial regulatory reform, what is your vision of future financial regulation in Japan? 例文帳に追加
三つ目が、米国政府は、各国にこうした金融規制改革について協調を働きかける考えのようですが、日本の金融規制の将来像について長官のご見解を伺えればと - 金融庁
In the third step, the columnar spacers 8 are formed above boundaries between the color filter parts 3, 4, 5, and the columnar spacers 8 and projections 9 are formed of the same film 10 having light-shielding property.例文帳に追加
第3工程において、柱状スペーサ8をカラーフィルタ部3,4,5同士の境界の上方に形成し、かつ、柱状スペーサ8と突起9とを遮光性を有する同一の膜10から形成する。 - 特許庁
A switching driver DRV sustains a second switch S2 in off state and performs on/off control of a first switch S1 and a third switch S3 alternately so that a DC/DC converter performs step-down operation.例文帳に追加
スイッチングドライバDRVは第2スイッチS2をオフ状態に維持する一方、第1スイッチS1と第3スイッチS3とを交互にオン・オフ制御することにより、DC/DCコンバータは降圧動作を行う。 - 特許庁
The functional material 12 of the organic or the biomolecule is placed or generated, at the third step, at the cutting region 22 (gap between the electrode pair) of the carbon nanotube 10 and the cutting region 22 is bonded thereto.例文帳に追加
そして、第3ステップとしてカーボンナノチューブ10の切断部位22(電極対間の間隙)に、有機物又は生体分子の機能性材料12を配置又は生成し、切断部位22を接合する。 - 特許庁
When forming a ferroelectric film 45, in a third step, a first precursor ferroelectric film 43 is formed with an ST film or SrO_X film as a material on a first electrode 31.例文帳に追加
強誘電体膜45を形成するに当たり、第3工程では、第1電極31上にST膜またはSrO_X膜を材料とした第1前駆強誘電体膜43を形成する。 - 特許庁
In the third step, multiple projections of material W is radially press formed by enclosed die forging method to form spherical portions 4... in a designated shape, while excess material 29 is pressed away to the axial hole 26 direction.例文帳に追加
第3工程に於て、被加工材Wの複数の突肉部を径方向から押圧する閉塞鍛造により、所定形状の球状部4…に成形し、かつ、余剰肉部29を軸孔26側へ逃がす。 - 特許庁
When the bag is moved to a third step in this state, it is taken out by a handling robot 153 in a take-out and insertion means 151 and is inserted into an outer bag L held by grippers 174 in a packaging means 171.例文帳に追加
その状態で第3工程へ移動し、取出し挿入装置151のハンドリング用ロボット153で取出し、包装装置171のグリッパ174に把持されている外装袋Lの中へ挿入する。 - 特許庁
In a step S306, a CPU calculates an X-axial velocity, Y-axial velocity and a Z-axial velocity using first, second and third angular velocities that first and second angular velocity sensors detect.例文帳に追加
ステップS306において、第1及び第2の角速度センサが検出した第1、第2及び第3の角速度を用いてX軸速度、Y軸速度、及びZ軸速度をCPUが算出する。 - 特許庁
When catalyst inlet temperature estimated and operated with reaction heat taken into account reaches prescribed T2 after about 3 seconds, operation is changed over to a third step catalyst warming up control operation (lean rich control).例文帳に追加
この第2段階の触媒暖機制御運転でリーン燃焼後の排気ガス中の酸素よりも大量の酸素を触媒に送り込み触媒において急速な酸化反応を生じさせる。 - 特許庁
A step forming part 14 and a regulating stepped part 14a for applying preworking before caulking work of a tube 2 are provided on the complementarily opposing surfaces of the third forming roller 12c and the fourth forming roller 12d.例文帳に追加
そして、第3成形ローラ12c、第4成形ローラ12dの相補的に対向する面に、チューブ2のかしめ加工に先立って予加工を施すための、段差成形部14、規制段部14aを設ける。 - 特許庁
First to third parameters for displaying investment information are selected from stock information, enterprise information and evaluation information calculated on the basis of the stock information and the enterprise information (step S10).例文帳に追加
株価情報、企業情報及び、株価情報及び企業情報に基づいて算出された評価情報の中から投資情報を表示するための第1〜第3のパラメータを選択する(ステップS10)。 - 特許庁
The optical phase detection includes a step for extracting the phase difference, caused by the target between the polarized light component of the third light waves and the polarized light component of the fourth light waves.例文帳に追加
前記光学位相検出は、更には、前記第3の光波の偏光成分と、前記第4の光波の偏光成分との間の、前記ターゲットによって引き起こされた位相差を抽出するステップを含む。 - 特許庁
In the third step 100c, a platinum catalyst 20 on the electrolyte membrane 10 is heated and fixed on the electrolyte membrane 10 by a heating roller 60 to be a heating fixing means to form the electrode.例文帳に追加
第3工程100cでは、電解質膜10上の白金触媒20は加熱定着手段である加熱ローラ60によって、電解質膜10に加熱定着され、電極が形成される。 - 特許庁
The method also comprises a third step of cutting the substrate 40, the substrate 50 and the material 51 between the adjacent elements 20, and forming a plurality of the surface acoustic wave devices.例文帳に追加
第3の工程は、実装用集合基板40、封止用基板50、封止材51を、隣接する弾性表面波素子20の間において切断して、複数の弾性表面波装置を形成する。 - 特許庁
In addition, since a third flange 28 engageable with an engagement projection piece 38 is formed at the middle step part of the clearance 26, the tamper evidence band 16 after being slid can not be slid to the opening side of the mouth part 12.例文帳に追加
しかも、隙間26の中段部分には、係合突片38と係合可能な第3の鍔28が形成されているので、スライド後のタンパーエビデンスバンド16が口部12の開口側にスライドすることはない。 - 特許庁
The method of manufacturing a semiconductor device having an electrode pad to be connected to a semiconductor chip comprises the first step of forming a support structure comprising a roughed front surface, the second step of forming the electrode pad on the roughed surface of the support structure, and the third step of removing the support structure.例文帳に追加
半導体チップに接続される電極パッドを有する半導体装置の製造方法であって、表面が粗化された粗化面を含む支持構造体を形成する第1の工程と、前記支持構造体の前記粗化面上に前記電極パッドを形成する第2の工程と、前記支持構造体を除去する第3の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁
The method for manufacturing a polarized light diffractive cholesteric liquid crystal film contains the first step to form a cholesteric liquid crystal film on an alignment supporting substrate, the second step to transfer a diffraction pattern of a diffraction element substrate to the surface of the cholesteric liquid crystal film and to form a region exhibiting diffractiveness on a part of the film and the third step to release the alignment supporting substrate from the cholesteric liquid crystal film.例文帳に追加
配向支持基板上にコレステリック液晶フィルムを形成する第1工程、コレステリック液晶フィルム面に回折素子基板の回折パターンを転写し、フィルムの一部に回折能を示す領域を形成する第2工程、及びコレステリック液晶フィルムから配向支持基板を剥離する第3工程、を含む偏光回折性コレステリック液晶フィルムの製造方法である。 - 特許庁
The method for manufacturing the ZnO nanowire by using ultrasonic energy comprises: a first step of forming a Zn layer on the surface of a substrate; a second step of patterning the Zn layer; and a third step of putting the resulting substrate in a mixed solution of a Zn-containing solution with a Zn ionization solution and forming the ZnO nanowire on the Zn layer by using an ultrasonic generator.例文帳に追加
基板の表面にZn層を形成する第1段階と、Zn層をパターニングする第2段階と、基板をZnを含む溶液とZnをイオン化する溶液との混合溶液に入れ、超音波発生器を使用し、Zn層上にZnOナノワイヤを形成する第3段階とを含むことを特徴とする超音波エネルギーを利用したZnOナノワイヤの製造方法である。 - 特許庁
The manufacturing method of the laminate is equipped with a first step wherein a first metal layer 10 is coated with a solution containing a liquid crystalline polymer to form a liquid crystalline polymer layer 20, a second step wherein a second metal layer larger in thickness than the first metal layer is arranged on the liquid crystalline polymer layer to obtain a laminate, and a third step of pressing the laminate in the lamination direction.例文帳に追加
積層体の製造方法は、第1の金属層10上に、液晶ポリマーを含む溶液を塗布して、液晶ポリマー層20を形成する第1工程と、液晶ポリマー層上に、第1の金属層よりも厚さが大きい第2の金属層を配置して積層体を得る第2工程と、積層体を、積層方向にプレスする第3工程とを備える。 - 特許庁
This preparation method includes a first step S1 for dividing the semiconductor substrate into a plurality of regions, a second step S2 for generating a second impedance net model for a specified, arbitrary region, and a third step S3 for connecting the second impedance net model obtained for the entire region by a specific second connection impedance element, and for generating an optimum impedance net model.例文帳に追加
半導体基板を複数の領域に分割する第1ステップS1と、指定された任意の前記領域について、第2インピーダンス網モデルを生成する第2ステップS2と、全ての領域について求めたこの第2インピーダンス網モデルを、所定の第2接続インピーダンス要素で接続して最適化インピーダンス網モデルを生成する第3ステップS3とを含み、構成する。 - 特許庁
The organic solvent dispersion is produced by a method including: a first step of bringing layered perovskite oxide particles into contact with organic cations, exfoliating the layered structure and producing an aqueous dispersion of flaky perovskite oxide particles; a second step of extracting a solid containing the flaky perovskite oxide particles from the aqueous dispersion; and a third step of dispersing the solid in an organic solvent.例文帳に追加
層状ペロブスカイト酸化物粒子を有機カチオンと接触させ、層状構造を剥離して、薄片状ペロブスカイト酸化物粒子の水性分散体を製造する第一工程、前記水性分散体から薄片状ペロブスカイト酸化物粒子を含む固形分を抽出する第二工程、及び前記固形分を有機溶媒に分散させる第三工程を含む方法により製造する。 - 特許庁
A method for evaluating an activity of an effective microorganism in the effective microorganism coated seed includes: a first step of obtaining a seedling from the effective microorganism coated seed; a second step of measuring a gene expression level of the seedling; and a third step of evaluating the activity of the effective microorganism in the effective microorganism coated seed based on the expression level as the indicator.例文帳に追加
有効微生物コーティング種子における有効微生物の活性を評価する方法であって、有効微生物コーティング種子から幼植物を得る第一工程、前記幼植物における遺伝子の発現量を測定する第二工程、および前記発現量を指標として、有効微生物コーティング種子における有効微生物の活性を評価する第三工程、を含む方法。 - 特許庁
The life management system (100) includes: a first step (120) of evaluating the cumulative damage of one or more gas turbine components; a second step (130) of evaluating a gas-turbine unit risk and a classification probability; and a third step (140) of calculating at least one life parameter from a result evaluated by the first and second steps (120) and (130).例文帳に追加
本寿命管理システム(100)は、1以上のガスタービン部品の累積損傷を求めることを行なう第1のステップ(120)と、ガスタービンユニットのニットリスク及び分類確率を求めることを行なう第2のステップ(130)と、第1のステップ(120)及び第2のステップ(130)で求めた結果から少なくとも1つの寿命パラメータを計算することを行なう第3のステップ(140)とを含む。 - 特許庁
The method of manufacturing the chip type electronic component includes: a first step of preparing a dielectric body; a second step of forming conductive coating films on respective end surfaces of the dielectric body respectively; and a third step of forming terminal electrodes by burning conductive coating films in a state where intermediate bodies I having conductive coating films formed on dielectric bodies 10 are mounted in a box 2A.例文帳に追加
チップ型電子部品の製造方法は、誘電体素体を用意する第1工程と、誘電体素体の各端面に導電塗膜をそれぞれ形成する第2工程と、誘電体素体10に導電塗膜が形成された中間体Iを匣2Aに載置した状態で、導電塗膜を焼付処理して端子電極を形成する第3工程とを有する。 - 特許庁
This method for forming a metal oxide film with predetermined patterns on a substrate comprises: a first step of applying a liquid form matter containing a metal salt on the substrate and forming a metal salt film; a second step of providing predetermined patterns to the metal salt film; and a third step of subjecting the metal salt film to thermal oxidation treatment or predetermined plasma oxidation treatment to convert it into a metal oxide film.例文帳に追加
基材上に、所定パターンを有する金属酸化膜の形成方法等であって、基材に対して、金属塩を含有する液状物を塗布して金属塩膜を形成する第1工程と、金属塩膜に対して、所定パターンを設ける第2工程と、金属塩膜に対して、熱酸化処理または所定のプラズマ酸化処理を行い、金属酸化膜とする第3工程と、を含む。 - 特許庁
The feeding action of the rotation feeder unit 11 is adjusted by at least three continuous connecting steps, i.e., a first step of adjusting the penetration of the supported plate 2, a second step of adjusting the friction welding between the supporting plate 1 and the shaft part, and a third step of applying the axial force of the connecting element 5 to the supporting plate 1 to complete the friction welding process.例文帳に追加
回転フィーダ部11の送り動作が、被支持板2を貫通するように調整する第1の段階と、支持板1とシャフト部との摩擦溶接を調整する第2の段階と、接合要素5の軸方向の力を支持板1に加える第3の段階の少なくとも3つの連続した接合段階によって調整されて摩擦溶接プロセスを完了させる。 - 特許庁
The method of raising the energy band gap of an aluminum oxide layer includes a first step of forming an amorphous aluminum oxide layer on a bottom film, a second step of introducing hydrogen (H) or hydroxyl group (OH) into the amorphous aluminum oxide layer, and a third step of crystallizing the amorphous aluminum oxide layer with the introduced hydrogen or hydroxyl group.例文帳に追加
下部膜上に非晶質アルミニウム酸化物層を形成する第1ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層内に水素(H)または水酸基(OH)を導入する第2ステップと、水素または水酸基が導入された非晶質アルミニウム酸化物層を結晶化させる第3ステップと、を含むことを特徴とするアルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法である。 - 特許庁
The keyword display method includes a first step of listing DOM (Document Object Model) nodes according to a DOM definition, and extracting text from an HTML document of the webpage; a second step of extracting a word, which matches a word stored in a pre-registered dictionary, as a keyword from the extracted text; and a third step of changing a DOM node of the extracted keyword.例文帳に追加
前記ウェブページのHTML文書に対して、DOM(Document Object Model)の定義に基づいてDOMノードを列挙し、テキストを抽出する第1ステップと、抽出された前記テキストの中から、予め登録されている辞書に格納された単語と一致する単語を、キーワードとして抽出する第2ステップと、抽出された前記キーワードのDOMノードを変更する第3ステップとを備える。 - 特許庁
This method includes a first step to create a source code, a second step to analyze the created source code according to grammar definition of a programming language, and a third step to apply processing rules corresponding to the platform using the created source code to the analyzed source code, process the analyzed source code, and output the source code corresponding to the platform.例文帳に追加
ソースコードを生成する第1のステップと、生成されたソースコードをプログラム言語の文法定義に従って解析する解析する第2のステップと、解析済みのソースコードに対し、生成したソースコードを使用するプラットフォームに対応した加工ルールを適用し、前記解析済みのソースコードを加工し、プラットフォーム対応のソースコードを出力する第3のステップとを備える。 - 特許庁
The method of treating the high water content soil having water content of ≥70% and <500% or super high water content of ≥500% to recycle includes a first step for adjusting the specific gravity or the like of the high water content soil, a second step for dehydrating soil having adjusted specific gravity or the like and a third step for granulating the dehydrated soil.例文帳に追加
含水比が70%以上500%未満の高含水比の土または含水比が500%以上の超高含水比の土である高含水土のリサイクルのための処理方法は、前記高含水比の土の比重等を調整する第1のステップと、比重等を調整した土を脱水する第2のステップと、脱水した土に粒状化処理等を施す第3のステップとを含む。 - 特許庁
The casket is manufactured by a first step of preparing the gasket 13 by molding rubber or resin, a second step of exposing to at least one kind of gas plasma selected from gaseous hydrogen, gaseous nitrogen, gaseous oxygen, gaseous fluorine, gaseous fluoride and inactive gas, and a third step of forming the film 16 on the exposed surface of the gasket 13 by exposing to the plasma of a gaseous hydrocarbon.例文帳に追加
また、ゴムや樹脂を成形してガスケット13を作成する第1の工程と、水素ガス、窒素ガス、酸素ガス、フッ素ガス、及びフッ化物ガス、不活性ガスから選ばれた少なくとも一種のガスのプラズマに上記ガスケット13を曝す第2の工程と、炭化水素ガスのプラズマに曝すことにより上記ガスケット13の暴露面に非晶質炭素膜16を形成する第3の工程とからなる。 - 特許庁
The mode-based access control method includes: a first step of forming a security mode list representing the security setting states of devices existing in a home network; a second step of setting up one specific security mode among security modes included in the security mode list and a third step of making the devices perform their functions applied by the specific security mode by the set specific security mode.例文帳に追加
モード基盤の接近制御方法は、ホームネットワーク内に存在するデバイスに対する保安設定状態を表す保安モードリストを構成する第1ステップと、保安モードリストに含まれる保安モードのうちいずれか一つの特定保安モードを設定する第2ステップと、設定された特定保安モードによって、特定保安モードにより適用されるデバイスが機能を行う第3ステップとを含む。 - 特許庁
This programming method includes the first step of decoding a signal entered to a signal input part, the second step of activating, when a predetermined program mode is indicated as a result of the decoding, a program mode operation signal corresponding to the program mode to inactivate the signal input part, and the third step of carrying out the program mode according to the program mode operation signal.例文帳に追加
強誘電体メモリ装置のプログラム方法は、信号入力部に入力された信号をディコーディングする第1の段階、ディコーディングの結果、所定のプログラムモードを示す場合にプログラムモードに対応するプログラムモード動作信号を活性化し、信号入力部を非活性化する第2の段階、及びプログラムモード動作信号に応えてプログラムモードを行う第3の段階を含む。 - 特許庁
The manufacturing method comprises a step of forming a first film made of silicon oxide or silicon oxide nitride film on a silicon substrate, a step of forming a second film made of tetrachlosilane single molecular layer 1 in an ALD-CVD method, and a step of forming a third film made of silicon nitride single molecular layer by nitriding treatment or oxide-nitriding treatment in the ALD-CVD method.例文帳に追加
シリコン基板上にシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第1の膜を形成する工程と、ALD−CVD法によりテトラクロロシラン単分子層1層からなる第2の膜を形成する工程と、ALD−CVD法により窒化処理または酸窒化処理して窒化ケイ素単分子層1層からなる第3の膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁
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