「third step」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

A second GaN semiconductor layer 300 is formed on the upper surface of the step part 140, and at the same time, a third GaN semiconductor layer 400 is formed on the SiO2 film 6 due to the growth in the crosswise direction of the second GaN semiconductor layer 300.例文帳に追加

段差部４０の上面上に第２のＧａＮ系半導体層３００が形成されるとともに、第２のＧａＮ系半導体層３００の横方向の成長により、ＳｉＯ_2 膜６上に第３のＧａＮ系半導体層４００が形成される。 - 特許庁

A step-down converter 1 repeats an operation for turning on only a switching element 5 in a first period, turning off both switching elements 5 and 6 in a second period, turning on only the switching element 6 in a third period and turning off again both the switching elements 5 and 6 in a fourth period.例文帳に追加

降圧コンバータ１は、第１の期間にスイッチング素子５のみをオンさせ、第２の期間にスイッチング素子５，６を両方ともオフさせ、第３の期間にスイッチング素子６のみをオンさせ、第４の期間にスイッチング素子５，６を再び両方ともオフさせる動作を繰り返す。 - 特許庁

In a third step S17, a corrected converted high-pressure value which is closer to an actual pressure than the present converted high-pressure value is obtained by correcting the present converted high-pressure value by the past converted high-pressure value, and the rotational frequency of the outdoor fan is determined using the corrected converted high-pressure value.例文帳に追加

ステップＳ１７では、現在の換算高圧値を過去の換算高圧値で補正することによって現在の換算高圧値よりも実際の圧力に近づけた補正換算高圧値が求められ、補正換算高圧値を用いて室外ファンの回転数が決められる。 - 特許庁

Steps 19, 21 having abutting faces are protrusively formed on an inner circumference face of a sensor housing 11, and first to third displacement sensors 16, 17, 18 being the substrate type displacement sensors are individually abutted on the abutting faces of the step parts 19, 21 and positioned in respective fixing positions Y1, Y2, Y3.例文帳に追加

センサハウジング１１の内周面に、被当接面を有する段部１９、２１を突設し、基板型変位センサである第１乃至第３変位センサ１６、１７、１８を前記段部１９、２１の被当接面に個別に当接させて各固定位置Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３に位置決めする。 - 特許庁

In the step of stacking the first layer 11, the second layer 12 and the third layer 13, the second layer 12 formed has a composition distribution comprising Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) layers with the composition ratio (x) varying along the layer thickness direction and has a thickness of 3 μm to 100 μm.例文帳に追加

第一層１１、第二層１２、第三層１３を積層する前記工程では、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層により構成され、組成ｘが層厚方向に沿って変化する組成分布を有し、厚みが３μｍ以上、１００μｍ以下の第二層１２を形成する。 - 特許庁

In the step of stacking the first layer 11, the second layer 12 and the third layer 13, the second layer 12 formed has a composition distribution comprising Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) layers with the composition ratio (x) varying along the layer thickness direction and has a thickness of 3 μm to 100 μm.例文帳に追加

第一層１１、第二層１２、第三層１３を積層する前記工程では、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層により構成され、組成ｘが層厚方向に沿って、変化する組成分布を有し、厚みが３μｍ以上、１００μｍ以下の第二層１２を形成する。 - 特許庁

In a production step, respective first contact areas 420 of a first conductor path 42 are simultaneously or sequentially cohesively connected to at least one second contact area 200 of the power semiconductor component 20 and at least one third contact area 500 of the load terminal element.例文帳に追加

製造ステップは、同時に又は順次に第１の導体パス４２のそれぞれの第１の接触領域４２０を、パワー半導体コンポーネント２０の少なくとも１つの第２の接触領域２００と、負荷端子要素の少なくとも１つの第３の接触領域５００とに接着接続する。 - 特許庁

First and second color layers 33 and 46 are formed, and openings 49 are formed in an etching step, and then, a third color layer 50 is formed so as to cover all of surfaces of the first and the second color layers 33 and 46 and fill the openings 49.例文帳に追加

第１及び第２の着色層３３，４６を形成し、さらにエッチング工程にて開口部４９を形成した後に、第１及び第２の着色層３３，４６上全体を覆うと共に、開口部４９に埋め込むようにして、第３の着色層５０を形成する。 - 特許庁

A telephone device converts a speech that the communication partner speaks into a character string (SA30), judges whether the word that the communication partner utters matches a registered keyword (SA40), and then automatically mails the results to a third person registered in the telephone device when they match each other (step SA50).例文帳に追加

電話装置において、通話相手が発言した音声が文字列に変換され（ＳＡ３０）、登録されたキーワードと通話相手が発した言葉とが合致するかが判断し（ＳＡ４０）、合致すれば、その結果が、自動的に、当該電話装置に登録された第三者にメールで通知される（ステップＳＡ５０）。 - 特許庁

In this case, a third means 22 classifies the shape signals into blocks at the boundary of the VOP (state 1), blocks on the outside of the VOP in which one of adjacent blocks in four directions of upward, downward, leftward, and rightward directions has pixels in the VOP (state 2), or blocks on the outside of the VOP other than the above-mentioned blocks (step 3).例文帳に追加

ここで、２２の第３の手段は、形状信号から、（状態１）ＶＯＰ境界のブロック、（状態２）ＶＯＰ外のブロックで隣接する上下左右の４方向の何れかがＶＯＰ内の画素を有するブロック、（状態３）上記以外のＶＯＰ外のブロック、に分類する。 - 特許庁

A server 1 of a vehicle maker is provided with a specifications select server for selecting the specifications of the commodity according to the operation of a user terminal 5, and a purchase information providing step of providing the purchasing information of a third party to the user terminal 5 concerning the commodity of the same specifications as those of the commodity whose specifications have been selected.例文帳に追加

車両メーカ側サーバ１において、ユーザ端末５の操作に応じて商品の仕様を選定する仕様選定ステップと、仕様選定された商品と同じ仕様の商品に関して、第三者の購入情報をユーザ端末５に提供する購入情報提供ステップとを備える。 - 特許庁

The third step, consistent with the proposal, requires such an issuer to exercise due diligence on the source and chain of custody of its conflict minerals and provide a Conflict Minerals Report describing its due diligence measures, among other matters.例文帳に追加

第3ステップは規則案に合わせて、こうした発行人がその有する紛争鉱物の原産地と加工・流通過程に関するデュー・ディリジェンスを実行すること、および中でも特に、デュー・ディリジェンスの措置を記述する紛争鉱物報告書をかかる発行人が提供することを義務付けている。 - 経済産業省

In a third step, voltage is impressed on the HOT electrode 22, electric discharge is generated between the HOT electrode 22 and the treating object 10, and the treating gas which becomes plasmatic by discharge is made to contact the surface 11 of the treating object 10, and the surface 11 of the treating object 10 is plasma-treated.例文帳に追加

第３のステップにおいて、ＨＯＴ電極２２に電圧を印加してＨＯＴ電極２２と被処理物１０との間２５で放電を発生させ、放電によりプラズマ化した処理ガスを被処理物１０の表面１１に接触させて、被処理物１０の表面１１をプラズマ処理する。 - 特許庁

To provide an excellent tubular hollow rack shaft having no void therein without needing any trimming before a third step by forming a straight end face after forming a rack tooth, i.e., a straight abutted portion in forming a tube when the hollow rack shaft is press-formed out of a plate.例文帳に追加

板材より中空ラック軸をプレスフォーミングした際にラック歯成形後の端面の形状すなわちチューブ成形時の突き合わせ部を直線上にし、第３工程の前にトリミングを必要としない、空隙のない良好なチューブ状の中空ラック軸を成形することを課題とする。 - 特許庁

Related tendency of the first distribution and the second distribution is determined by first processing at a third statistic processing step, decision is made by second processing whether each individual semiconductor device is consistent with the related tendency, and those not consistent with the related tendency are extracted.例文帳に追加

第３統計処理ステップの第１処理により上記第１分布と第２分布との関連傾向を統計的に求め、第２処理により個々の半導体装置について、上記関連傾向に合致するか否かを判定し、上記関連傾向から外れたものを摘出する。 - 特許庁

The opinion analytical processing method comprises a reputation information extraction step for extracting reputation information concerned with prescribed words and phrases input by a user from at least one document which is previously stored and storing the extracted reputation information in a storage device and a determination step for determining whether the extracted reputation information is reputation information evaluated by a third person or not and storing the determination result in the storage device.例文帳に追加

予め蓄積されている少なくとも１つの文書から、ユーザが入力した所定語句に関する評判情報を抽出し、記憶装置に記憶する評判情報抽出ステップと、上記抽出された上記評判情報が、第三者が評価した評判情報であるどうかを判定し、記憶装置に記憶する判定ステップとを有することを特徴とする意見分析処理方法である。 - 特許庁

The method for making a twisted carbon nanotube wire includes: a first step of drawing at least one carbon nanotube film from a carbon nanotube array, with carbon nanotubes aligned along the same direction in the carbon nanotube film; a second step of stretching the carbon nanotube film by applying the same force in reversed directions to the carbon nanotube film along the longitudinal direction of the carbon nanotube; and a third step of twisting the stretched carbon nanotube film to form a twisted carbon nanotube wire.例文帳に追加

本発明のねじれ状カーボンナノチューブワイヤの製造方法は、カーボンナノチューブアレイから少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを引き出し、該カーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブが同じ方向に沿って配列されている第一ステップと、前記カーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブの長軸方向に沿って、前記カーボンナノチューブフィルムに同じ大きさで反対方向の力を加えて、前記カーボンナノチューブフィルムを引き伸ばす第二ステップと、前記引き伸ばされたカーボンナノチューブフィルムをねじって、ねじれ状カーボンナノチューブワイヤを形成する第三ステップと、を含む。 - 特許庁

As the input step, a single ended push-pull amplifier circuit 1 provided with the collector of a first transistor 3 having collector and emitter resistors 7 and 8 and second and third transistors 4 and 5 serially connected between a power source and the ground is used while connecting a base to the collector and emitter of this first transistor 3.例文帳に追加

入力段として、コレクタ及びエミッタ抵抗７、８を有する第１トランジスタ３のコレクタ及びこの第１トランジスタ３のコレクタ及びエミッタにベースが接続され、電源と接地間に直列接続された第２トランジスタ４及び第３トランジスタ５を含むシングルエンドプッシュプル増幅回路１を使用する。 - 特許庁

In a second resetting step t2 to t3, a voltage to be applied to a second display electrode line is gradually raised to a second voltage VBYP which is higher than the first voltage VBX and the voltage to be applied to the first display electrode line is gradually raised to a third voltage VBF which is lower than the first voltage VBX.例文帳に追加

第２リセット段階ｔ２〜ｔ３では、第２ディスプレー電極ラインに印加される電圧が第１電圧Ｖ_Ｂ_Ｘより高い第２電圧Ｖ_ＢＹＰまで持続的に上昇する一方、第１ディスプレー電極ラインに印加される電圧が第１電圧Ｖ_ＢＸより低い第３電圧Ｖ_ＢＦまで持続的に上昇する。 - 特許庁

An increment of the program voltage is set to a different arbitrary value by controlling a reatationship between a resistance of the first circuit and a resistance of the third circuit to be maintained, while maintaining a start program voltage or a target program voltage at a fixed value without a change in the program step code.例文帳に追加

また、第１回路部の抵抗値と第３回路部の抵抗値との間に特定関係が維持されるように制御して、プログラムステップコードの変更なしにスタートプログラム電圧またはターゲットプログラム電圧を固定された値に維持しながらプログラム電圧の増加分を任意の値に異なるように設定することができる。 - 特許庁

In a third step, when one example sentence of a residual set in which the subset is removed from the main set is exchanged with one example sentence of the subset, it is determined whether the degree of the dispersion calculated by the first and the second evaluation values is increased or decreased, and when the degree of the dispersion is increased, the example sentences are exchanged.例文帳に追加

第３ステップでは、母集団から子集団を除いた残余集団の１個の例文と子集団の１個の例文とを交換したときに第１および第２の評価値により求められる分散の程度の増減を判断し交換によって分散の程度が大きくなる場合には例文を交換する。 - 特許庁

The method for manufacturing the aluminum matrix composite includes the third step of obtaining the aluminum matrix composite by making the molten metal of an aluminum alloy 82 penetrate among the powders 81 by placing the furnace 12 into a nitrogen gas atmosphere and heating it, wherein the nitrogen gas atmosphere is formed by directly supplying nitrogen gas from right above the crucible 25 toward the inside of the crucible.例文帳に追加

アルミニウム基複合材の製造方法は、炉１２を窒素雰囲気下にするとともに加熱することで、粉末８１にアルミニウム合金８２の溶湯を浸透させてアルミニウム基複合材を得る第３工程では、窒素雰囲気は、坩堝２５の真上から坩堝内部へ向けて直接窒素ガスを供給することで形成する。 - 特許庁

When determined in the step S104, that the size of an original is equal to that of a recording paper, and also, recording processing to be performed by a recording part is unmagnified processing, a magnification specifying part specifies as the magnification of the image, unmagnification (third magnification) to record the image read from the original with the same size as that of the original image (S105).例文帳に追加

ステップＳ１０４において、原稿および記録紙のサイズが同一であり、記録部により実行される記録処理が等倍処理であると判断される場合、倍率指定部は、原稿から読み取られた画像を同一サイズで記録する等倍率（第３倍率）を、画像の倍率として指定する（Ｓ１０５）。 - 特許庁

When an absolute value of the difference (AD0-AD2) between the output voltages is smaller than the first threshold Vtr1, it is determined that the finger or the like of the person does not touch the touch pad, and proceeding to a step S11, it is determined which of an offset in a second output voltage AD1 and an offset in the third output voltage AD2 is smaller than the other.例文帳に追加

出力電圧差（ＡＤ０−ＡＤ２）の絶対値が第１の閾値Ｖｔｒ１より小さい場合には、人の指等がタッチされなかったと判断し、ステップＳ１１に進み、第２の出力電圧ＡＤ１のオフセットと第３の出力電圧ＡＤ２のオフセットのどちらが小さいかを判断する。 - 特許庁

The game machine executes a step game wherein first drawing is performed on the basis of the detection of the entry or passing of a game ball, second drawing is made possible when a first condition is satisfied by the first drawing and third drawing is made possible when a second condition is satisfied by the second drawing further.例文帳に追加

遊技球の入賞又は通過の検出があったことに基づき第１抽選が行われ、当該第１抽選により第１条件が満たされると第２抽選が可能となり、さらに、当該第２抽選により第２条件が満たされると第３抽選が可能となるステップ遊技を実行する。 - 特許庁

For a plurality of capacitors 11a-11c, first and second switching elements 15a and 15b are connected in parallel during first period to perform charging with an input voltage Vin, and third and fourth switching elements 15c and 15d are connected in series during second period to perform step-up discharge for a load 21.例文帳に追加

複数のコンデンサ１１ａ〜１１ｃに対し、第１の期間で、第１及び第２のスイッチング素子１５ａ，１５ｂで並列接続して入力電圧Ｖｉｎによる充電を行うとともに、第２の期間で、第３及び第４のスイッチング素子１５ｃ，１５ｄで直列接続して負荷２１に対し昇圧放電を行う。 - 特許庁

The grace period means that some kinds of disclosure are merely regarded as non-prejudicial to the novelty and inventive step of the application, including some disclosure by the applicant (including inventor)and some disclosure by a third person who got knowledge of the invention-creation from the applicant or inventor by legal or illegal means. 例文帳に追加

グレースピリオドは出願人（考案者を含む）による何らかの開示、又は第三者が出願人或いは考案者から適法的な手段、又は適法でない手段で得た発明創造の何らかの開示を、当該専利出願の新規性と創造性を損ねない開示として認めているだけのことである。 - 特許庁

In this invention, the position of the gravity center 52 of the end plate excluding the lap is changed by changing the position of the step 13h of a tooth-to-tooth bottom part 13f of the swing scroll 13 in a direction along a swirl so that the gravity center of the lap relatively belongs to the third quadrant or the fourth quadrant.例文帳に追加

この発明では、旋回スクロール１３における歯間底部１３ｆの段差１３ｈの位置を渦巻きに沿った方向で変えることにより、ラップを除いた端板の重心５２位置を変え、相対的にラップの重心が上記のように第三象限または第四象限に属するようにする。 - 特許庁

The control device 31, determines that the possessor accesses the doorway from the antenna installation side if the field strength change rate e' is not larger than the first predetermined value E1' and larger than a second predetermined value E2' and the field strength e is larger than a third predetermined value E3 (Step 204, 228, 230).例文帳に追加

また、制御装置３１は、電界強度の変化率ｅ'が第１所定値Ｅ１'以下で第２所定値Ｅ２'より大きく、かつ、電界強度ｅが第３所定値Ｅ３より大きい場合には、所持者がアンテナが設置されている側から出入り口に進入すると判定する（ステップ２０４，２２８，２３０）。 - 特許庁

By this, a third-speed gear or a fourth-speed gear being speed gears at the direction change are shifted down to a second-speed gear step by the control device 31, whereby a strong engine brake is actuated to reduce speed and a reverse drive force is braked, thus enabling the quick change of the direction.例文帳に追加

これにより、制御装置３１により方向転換時の速度段である３速または４速から２速へシフトダウンされるとともにホイールローダの方向転換が行われるため、強いエンジンブレーキが作動されて減速されるとともに後進駆動力が制動されることとなり、したがって迅速な方向転換を行うことができる。 - 特許庁

An S-D plot correcting means, which is a third processing step, executes S-D conversions, estimates distortions due to the differences in the sensitivities of the fluorescent dyes by using a nonparametric smoothing method and outputs to an output device the gene expression strength data, whose distortions due to the differences in the sensitivities of the fluorescent dyes are corrected.例文帳に追加

第三処理過程であるＳ−Ｄプロットによる補正手段は、Ｓ−Ｄ変換を行い、蛍光色素の感度の違いによる歪みをノンパラメトリック平滑化法によって推定し、蛍光色素の感度の違いによる歪みを補正した遺伝子発現強度データを出力装置に出力する。 - 特許庁

In the upper face 3 in which a sole touches of a Japanese sandal with thongs 4 and 5, the face on which the second, third, fourth and fifth fingers touch is lowered from the face on which the sole touches in the range of 2-10 mm with a step 2 having an edge so that one can get exercise of foot fingers everytime when she walks with it.例文帳に追加

鼻緒４，５のある草履の足の裏が接する上面３において、第一趾を除く、第二趾、第三趾、第四趾及び第五趾のゆびの接する面を、足の裏が接する面より２ｍｍから１０ｍｍの範囲で縁のある段差２を付けて低くし、歩く度に足のゆびが運動をする構造とした。 - 特許庁

To provide a golf glove which prevents possible deviated holding of the grip thereof for in the movements from the impact moment to the follow- through for the correction of the way of holding the grip by joining adjacent portions together between the little finger insertion part, the third finger insertion part and the middle finger insertion part thereof with a step each between the finger insertion parts adjacent to each other.例文帳に追加

小指挿入部，薬指挿入部，および中指挿入部の隣接箇所を接合させるとともに、この隣接する各指挿入部間に段差を設けることによって、インパクトからフォロースルーの際に、握りがずれるのを防止し、グリップの握り方を矯正するようにしたゴルフグローブを提供することにある。 - 特許庁

The method further includes a step of forming a ferroelectric capacitor C on this second interlayer insulating film 8, forming a third interlayer insulating film 11 on the second interlayer insulating film 8 to cover this ferroelectric capacitor C, and forming via holes V1, V2 on the ferroelectric capacitor C and the local wiring 15.例文帳に追加

次に、この第２層間絶縁膜８上に強誘電体キャパシタＣを形成し、この強誘電体キャパシタＣを覆うように第２層間絶縁膜８上に第３層間絶縁膜１１を形成し、強誘電体キャパシタＣ上と、局所配線１５上にそれぞれビアホールＶ１、Ｖ２を形成する。 - 特許庁

When an external signal for instructing discharge stop, an input voltage not more than a first setting value for over discharge prevention, or an output voltage not less than a third setting value for overvoltage output prevention is detected, a control section 12 opens a switching element 4b at a step-down section 11b for stopping the discharge to a load 40.例文帳に追加

放電停止を指示する外部信号または過放電防止用の第１の設定値以下の入力電圧または過電圧出力防止用の第３の設定値以上の出力電圧のいずれかの検知時、制御部１２は、降圧部１１ｂのスイッチング素子４ｂを開放し、負荷４０への放電を停止させる。 - 特許庁

When determining reception of mail and determining reception of center setting information together with a mail main text at the reception of the mail, a control section stores the received center setting information to a second storage section and overwrites the center setting information over user setting information stored in a third storage section (step S11).例文帳に追加

制御部は、メールを受信したと判定し、メール受信時にメール本文と共にセンター設定情報を受信したと判定すると、受信したセンター設定情報を第２格納部に格納すると共に、前記センター設定情報を第３格納部に格納されているユーザ設定情報に上書きする（Ｓ１１ステップ）。 - 特許庁

A method for manufacturing the unit cell 1 for a fuel cell comprises the step of firing a laminate 2 obtained by laminating a first layer 23 yet to be fired to become the intermediate layer 13, a second layer 241 yet to be fired to become the dense electrode layer 141, and a third layer 242 yet to be fired to become the porous electrode layer 142 in this order.例文帳に追加

焼成により中間層１３になる未焼成の第１層２３と、焼成により緻密質電極１４１層になる未焼成の第２層２４１と、焼成により多孔質電極層１４２になる未焼成の第３層２４２とが、この順で積層されてなる積層体２を焼成する工程を経る。 - 特許庁

A packet communication method to be provided here includes a step of transmitting a first data packet from a first node, to a second node, transmitting a second data packet from the first node to the second node after transmission of the first data packet, and receiving a third data packet to be transmitted from the second node in the first node.例文帳に追加

本発明により提供されるパケット通信方法は、第１のノードから第２のノードに第１のデータパケットを伝送することと、第１のデータパケットの伝送後に、第１のノードから第２のノードに第２のデータパケットを伝送することと、第１のノードにおいて、第２のノードから伝送される第３のデータパケットを受信することとを含む。 - 特許庁

A power controller 20 includes: a second relay 42 disposed between a first relay 41 and a first capacitor 31, and a reactor L; a third relay 43 disposed between the reactor L of the step-up converter 23 and a diode D1; and a resistance element 33 connected in serial to the reactor L and in parallel to a transistor Tr2.例文帳に追加

電力制御装置２０は、第１リレー４１および第１コンデンサ３１とリアクトルＬとの間に配置された第２リレー４２と、昇圧コンバータ２３のリアクトルＬとダイオードＤ１との間に配置された第３リレー４３と、リアクトルＬに直列に接続されると共にトランジスタＴｒ２に並列に接続された抵抗素子３３とを備える。 - 特許庁

Then, a third special-purpose finish paint in an arbitrary color is coated on the second special-purpose finish paint by means of a roller or the trowel, or sprayed on the same by means of a gas compressor, and immediately thereafter, pattern spraying for producing a pattern on a painted portion or a sprayed portion is carried out (at a step 17).例文帳に追加

その後、下吹きと同様にして第２の専用仕上げ塗材の仕上げ吹きを行った後（ステップ１６）、第２の専用仕上げ塗材上に、任意の色の第３の専用仕上げ塗材をローラやコテで塗り付け、又は圧送機で吹き付け、その直ぐ後から塗り付けた又は吹き付けた部分に模様付けを行う模様吹きを行う（ステップ１７）。 - 特許庁

The cover 12 is constituted so as to move in a plurality of steps and a socket 61 to which a USB connector 60 can detachably be connected is provided on the case 11, so that the lens 17 is opened in a first step of opening the cover 12, and the sockets 61 are opened in second and third steps of opening the cover 12.例文帳に追加

蓋体１２を複数段階に移動可能に構成すると共に他の電子機器のＵＳＢコネクタ６０が着脱自在に接続されるソケット６１を筐体１１に設け、蓋体１２の開放時の第１段階において対物レンズ１７が開放され、開放時の第２段階又は第３段階においてソケット６１が開放されるようにする。 - 特許庁

The semiconductor substrate which has the initial thickness (first thickness) has only the element formation portion made thin to a second thickness and after a metal layer is formed on its backside, the initial peripheral part which still has the initial thickness (first thickness) of the semiconductor device is ground from the backside to a third thickness to form a peripheral portion which has a small step with the element formation portion.例文帳に追加

初期の厚み（第１の厚み）を有する半導体基板の、素子形成部のみを第２の厚みまで薄化し、その裏面に金属層を形成した後、初期の半導体基板の厚み（第１の厚み）を残した初期周辺部を裏面側から第３の厚みになるまで研削し、素子形成部との段差が少ない周辺部を形成する。 - 特許庁

On the other hand, in an erasing operation, holes induced by a tunnel current between band-band are generated in a source/drain region 22 which functions as a drain when electrons are injected into the first part (A part), and injected into the A part to electrically compensate a part of electrons injected into the A part (third charge injection step).例文帳に追加

一方、消去においては、第１局部（Ａ部）に対する電子の注入時にドレインとして機能するソース・ドレイン領域２２側で、バンド−バンド間トンネル電流に起因したホールを発生させ、これをＡ部に注入し、注入したホールによって、Ａ部に注入されている電子の少なくとも一部を電気的に相殺する（第３の電荷注入ステップ）。 - 特許庁

In the method for manufacturing the TFT array substrate provided with at least a first conductive film, an insulation layer, a semiconductor layer, a second conductive film and a third conductive film (or a reflector film) on an insulation substrate, the second conductive film, the semiconductor layer and the insulation layer are patterned with one photoengraving step and the second conductive film is over-etched.例文帳に追加

絶縁性基板上に少なくとも第１の導電膜、絶縁膜、半導体層、第２の導電膜および第３の導電膜（または反射膜）を有するＴＦＴアレイ基板の製造方法において、第２の導電膜、半導体層および絶縁膜を１回の写真製版工程でパターニングするとともに、第２の導電膜をオーバーエッチする。 - 特許庁

The operation method of phase change memory element, provided with a phase change layer and a means for applying a voltage to the phase change layer, includes a step of applying a reset voltage Vrecet to the phase change layer, wherein the reset voltage Vrecet may contain at least two pulse voltages continuously applied, for example, first to third pulse voltages V1-V3.例文帳に追加

相変化層と相変化層に電圧を印加する手段とを備える相変化メモリ素子の動作方法は、相変化層にリセット電圧Ｖｒｅｃｅｔを印加する段階を含み、リセット電圧Ｖｒｅｃｅｔは、連続印加される少なくとも２つのパルス電圧、例えば第１ないし第３パルス電圧Ｖ１〜Ｖ３を含むことができる。 - 特許庁