「upper process」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide down-sizing of a device and simplification of a manufacturing process by continuously film-forming with an identical mask in formation of total five layers from a lower electrode current collector layer to an upper electrode current collector layer in the manufacturing process of a thin film solid lithium secondary battery.例文帳に追加

薄膜固体リチウム二次電池製造工程中の、下部電極集電体層から上部電極集電体層までの計５層の形成において、同一マスクで連続的に成膜することにより、装置の小型化及び製造工程の簡素化を提供する。 - 特許庁

Additionally, in a printing process, a printing part 505 installed on the upper stage of the laser-punching part prints the cutting positions on the unvulcanized tube at a certain interval from the inlet of the balloon in the noncontact manner, during punching in the laser-punching process.例文帳に追加

また、印刷過程ではレーザー穿孔部の上段に配設された印刷部５０５によりレーザー穿孔過程における穿孔と同時に、バルーン注入口から一定間隔をおいて離間した所の未加硫チューブに非接触式でチューブの切断位置を印刷する。 - 特許庁

The heat exchange pipe 10 is manufactured by connecting the connecting metallic pipe 5 with the capillary tube 4 under utilization of connection with brazing, adhesion with an adhesive agent, connection with eutectic, either a fitting process for press rolling an upper end of the groove or a fit insertion process, or a heat shrinkage tube.例文帳に追加

熱交換パイプ１０は、ロウ付けによる接合、接着剤による接着、共晶による接合、溝上端を圧延する嵌合法若しくは嵌挿法、又は熱収縮性チューブを利用して、連結金属管５とキャピラリーチューブ４とを接合させて製造する。 - 特許庁

The method for manufacturing the easily openable can lid 1 is characterized by comprising the process of applying the crushing process by pushing from the upper part on a part of an outer-lance of the ring tab 7 after fixing the ring tab 7 on the panel 3 or at the same time when fixing it.例文帳に追加

本発明のイージーオープン缶蓋１の製造方法は、リングタブ７をパネル３に固着する工程の後又は固着する工程と同時に、リングタブ７のアウターランスの一部に上方から押しつぶし加工を施す工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

The upper layer of the thin film is etched by a dry etching process by using a chlorine-based gas that substantially does not contain oxygen, and subsequently the lower layer of the thin film and the substrate are etched together by a dry etching process using a fluorine-based gas to obtain a mold for imprint.例文帳に追加

薄膜の上層を、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工し、続いて薄膜の下層及び基板を、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理により一度にエッチング加工することによりインプリント用モールドを得る。 - 特許庁

This folding method includes: a first process for vertically folding at least one of the upper portion 12a and the lower portion 12b of a developing and inflating part 12 into the developing and inflating part 12; and a second process for cactus-folding the developing and inflating part 12 in the vehicle longitudinal direction.例文帳に追加

展開膨張部１２の上部１２ａと下部１２ｂの少なくとも一方を上下方向に展開膨張部１２の内側に折り込む第１の工程と、展開膨張部１２を車両前後方向にカクタス折りする第２の工程と、を有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the fluorescent film structure comprises a process of preparing a substrate having inner spaces separated by barrier ribs, a process of forming sacrifice layers on the barrier ribs and the inner spaces, and flattening an upper face of the substrate, a process of forming phosphors on the sacrifice layers, and a process of removing the sacrifice layers and making the phosphor deposit on the inner spaces.例文帳に追加

隔壁によって区分される内部空間を有する基板を備える段階と、前記隔壁及び前記内部空間上に犠牲層を形成し、前記基板上面を平坦化する段階と、前記犠牲層上に蛍光体を形成する段階と、前記犠牲層を除去し、前記蛍光体を前記内部空間に位置させる段階と、を含むことを特徴とする蛍光膜構造体の製造方法。 - 特許庁

A method has a first process that forms a plurality of lower electrodes 3 on a semiconductor substrate (Si substrate 1), a second process that independently forms a tantalum oxide film 5 with an amorphous state in each of the lower electrodes 3, a third process that crystallizes the tantalum oxide film 5 by heat treatment, and a fourth process that forms an upper electrode 12 on the crystallized tantalum oxide film.例文帳に追加

半導体基板（Ｓｉ基板１）上に複数の下部電極３を形成する第１の工程と、これら下部電極３のそれぞれに個別にアモルファス状態の酸化タンタル膜５を形成する第２の工程と、この酸化タンタル膜５を熱処理によって結晶化させる第３の工程と、この結晶化された酸化タンタル膜上に上部電極１２を形成する第４の工程とを有する。 - 特許庁

This reconstruction control method for controlling a reconstruction operation of the stored data in a data storage device having a redundant storage area for processed data includes a process for reading a maximum value of a logical address accessed after initialization, and a process for executing the reconstruction process using the maximum value of the logical address as an upper limit when executing the reconstruction process of the stored data accompanying with replacement of a failure portion.例文帳に追加

処理データの冗長記憶領域を有するデータ記憶装置における記憶データの再構築動作を制御する再構築制御方法として、初期化後にアクセスされた論理アドレスの最大値を読み出す処理と、障害部位の交換に伴う記憶データの再構築処理の実行時、論理アドレスの最大値を上限として再構築処理を実行する処理とを有するものを提案する。 - 特許庁

In the washing machine with dryer equipped with a washing tub with upper opening which is arranged in an outer box 1 and a warm air supplying means that supplies the washing tub with warm air from upper side via upper opening during drying process, the difference of temperature of the warm air discharged from the warm air supplying means with ambient temperature is set not to exceed 60 K (Kelvin).例文帳に追加

外箱１内に上面を開口した洗濯槽を配設し、乾燥行程時に前記洗濯槽内に上面の開口を介して上方から温風を供給する温風供給手段を備えた洗濯乾燥機において、前記温風供給手段から吐出される温風温度を、周囲温度との差が６０Ｋ（ケルビン）を越えないように設定した。 - 特許庁

The injection process has a procedure of performing the injection by pointing the injection hole 29 of the nozzle 27 to a connection pipe 11 or to a domestic drain pipe 13 and having them go down respectively to an upper part of the connection pipe 11 or to the upper part of the domestic drain pipe 13, whereby rainwater infiltration from the upper parts of the pipes can be prevented.例文帳に追加

注入工程がノズル２７の注入孔２９を、取付管１１の方向へ向けて、あるいは宅内排水管１３の方向へ向けて、取付管１１の上部、あるいは前記宅内排水管１３の上部まで降下させて注入する手順を有することで、これら上部からの雨水の浸入を防止できる。 - 特許庁

Dielectric characteristics in the ferroelectric layer positioned between the upper electrode and the lower electrode can be greatly improved by applying metal oxide such as strontium ruthenium oxide onto the upper electrode and/or the lower electrode, thereby enabling the system to solve the particle problem in a process generating during the formation of the upper/lower electrodes.例文帳に追加

ストロンチウムルテニウム酸化物などの金属酸化物を上部電極及び／又は下部電極に適用することで、上部と下部電極との間に位置する強誘電体層の誘電特性を大きく改善することができ、上部電極及び下部電極を形成する間に発生する工程上のパーティクル問題を解決することができる。 - 特許庁

Because the oxidation preventing film 5 is formed between the lower-layer electrode 3a and the upper layer electrode 6a together with the interlayer dielectric film 4, the interlayer dielectric film 4 is prevented from oxidizing in an overlapped portion between the upper electrode 6a and the lower-layer electrode 3a, in the process which oxidizes the upper-layer electrode 6a to form the interlayer dielectric film 7.例文帳に追加

下層電極３ａと上層電極６ａとの間に層間絶縁膜４と共に酸化防止膜５が形成されるため、上層電極６ａを酸化して層間絶縁膜７を形成する工程において、上層電極６ａと下層電極３ａとの間のオーバーラップ部で層間絶縁膜４が酸化されることを防止することができる。 - 特許庁

When winning a big win determination process based on ball entering in an upper operation-start hole 68 and a lower operation-start hole, a large winning hole 72 is opened/closed to execute the big win game.例文帳に追加

上始動口６８、下始動口７０への入球に基づく大当り判定処理に当選すると、大入賞口７２が開閉作動されて大当り遊技が実行される。 - 特許庁

In the forging press process, an inclined face W1 is formed on the upper face of a work W by operating a punch 10 for forging press to a boring part THx of an inclined work W.例文帳に追加

鍛圧工程では、傾斜したワークＷにおける孔の形成予定部分ＴＨｘに対し、鍛圧用パンチ１０を作動させて、ワークＷの上面に傾斜面Ｗ１を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing apparatus 10, a plurality of silicon substrates 20 are mounted on a stepped wafer port 18, and the process gas is fed from a gas feeder tube 24 toward the upper part of a reactive tube 12.例文帳に追加

製造装置１０は、棚段状のウエハポート１８に複数のシリコン基板２０が配置され、プロセスガス供給管２４から反応管１２の上方に向けてプロセスガスが供給される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device that prevents a thin tunnel oxide film from being formed at the upper corner of a trench during device separation film formation to which the STI process applies.例文帳に追加

ＳＴＩ工程を適用する素子分離膜の形成に関し、トレンチの上部コーナー部位でトンネル酸化膜が薄く形成される現象を防いだフラッシュメモリ素子製造方法の提供。 - 特許庁

To prevent a liquid crystal from spreading over the gap between an edge of a liquid crystal display panel and the upper face of a liquid crystal furnishing tray in a process to inject a liquid crystal into the liquid crystal display panel.例文帳に追加

液晶表示パネルに液晶を注入する工程において、液晶表示パネルの１つのエッジと、液晶供給トレイの上面との隙間に、液晶が拡がるのを抑制する。 - 特許庁

A first recess 41 which is cone-shaped over the entire circumference is formed on an upper surface of the floor 4 within a range including a part where a lower-end part of an inner peripheral surface of the process tube 1 is positioned.例文帳に追加

フロア４の上面におけるプロセスチューブ１の内周面の下端部が位置する部分を含む範囲内に、全周にわたってすり鉢状の第１の凹部４１を形成した。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetic sensor element, which prevents potential differences between a substrate, a lower shield layer, a magnetoresistive element, and an upper shield layer in the manufacturing process, and provide a magnetic sensor element.例文帳に追加

製造過程において基板と下部シールド層、磁気抵抗素子、上部シールド層間での電位差の発生を防止した磁気検出素子及びその製造方法、磁気ヘッドを得る。 - 特許庁

Embedded casings 11, 12 are then inserted in the guide casing 10 pressed in to excavate in a preceding process, while ensuring an installation space of lining plates at the upper part of the guide casing 10.例文帳に追加

次に、前工程で圧入掘削したガイドケーシング１０内に、当該ガイドケーシング１０の上部に覆工板の設置スペースを確保して埋設ケーシング１１、１２を挿入する。 - 特許庁

When the application process is finished, the solvent gas in the casing 17a is exhausted through an upper exhaust port 81 but the supply of the high-concentration solvent gas into the casing 17a continues.例文帳に追加

塗布工程が終了すると，ケーシング１７ａ内には，高濃度の溶剤気体が供給され続け，ケーシング１７ａ内の溶剤気体は，上方排気口８１から排気される。 - 特許庁

To propose a manufacturing method of a multi-layer optical recording medium capable of implementing an exfoliation process without giving folds to an upper layer substrate and damages to an information recording face.例文帳に追加

上層基板に折れ曲がりや情報記録面に損傷を与えることなく剥離工程を行うことができる多層光学記録媒体の製造方法を提案することを目的とする。 - 特許庁

After that, a contaminated device to be dismantled next, etc. are placed on the spread used tent (a placement process, S3), the top surface and the side of the contaminated device, etc. are covered with an upper tent (a covering step S4).例文帳に追加

その後、拡げた使用済テントの上に、次に解体される汚染装置等を載せ（載置工程，Ｓ３）、上側テントによって、汚染装置等の上面及び側面を覆う（被覆工程，Ｓ４）。 - 特許庁

A region for exposing the semiconductor wafer at gate spacer etching process is made to be non-crystallized, so that a gate poly-oxide film 240 can be formed thick on the upper part of the semiconductor wafer in the region.例文帳に追加

ゲートスペーサエッチング工程時に半導体基板が露出される部位を非晶質化させることによって、その部分の半導体基板上部にゲートポリ酸化膜２４０を厚く形成する。 - 特許庁

This order enables manufacture of the packages, without additional patterning process or additional substrate for adhering solder balls in the direction of the upper surface of the semiconductor chip.例文帳に追加

このような順序変更を通じて、半導体チップの上面方向にソルダーボールを付着するための別途のパターニング工程や別途の基板を利用せずにパッケージが製造できる。 - 特許庁

Even when the device 16 moves to a retreat position, the sheet 51 moves while contacting with the upper surface of the housing 31a of the process cartridge, So that the toner is prevented from being leaked from the gap.例文帳に追加

クリーニング装置１６が退避位置に移動しても、防塵シート５１がプロセスカートリッジ３１の筐体３１ａ上面に接しつつ移動するので、隙間からトナーが漏れ出るのを防止できる。 - 特許庁

From a surface of an insulating film (High-k film) 32 of a Ge substrate 31 for which the insulating film 32 is laminated on an upper surface, plasma of process gas containing oxygen-atom-containing gas is radiated.例文帳に追加

上面に絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）３２が積層されたＧｅ基板３１の絶縁膜３２の表面から、酸素原子含有ガスを含む処理ガスのプラズマを照射する。 - 特許庁

Physical vapor deposited film(PVD) process generally generates liner/barrier layers (110 and 214) or a seed layer (112) having a thick overhung part (111) at the upper corner of a trench (108), a via (106) or a contact (212).例文帳に追加

物理気相堆積膜（ＰＶＤ）プロセスは、一般にトレンチ（108）、ビア（106）、またはコンタクト（212）の上部コーナに厚いオーバハング部分（111）を有するライナー／バリア層（110,214）またはシード層（112）を生じる。 - 特許庁

To provide, on an impeller divided into upper and lower members and having a magnet installed between both the members, a joint structure capable of surely adhering both the members by a simple manufacturing process.例文帳に追加

上下部材に分割され両部材間に磁石が装着された構造のインペラに、簡潔な製造工程により両部材を確実に接着可能な接合構造を設ける。 - 特許庁

To provide a tire curing apparatus capable, in the postcure process, of improving the (different) progress of vulcanization degree of a tire due to the temperature difference of the upper and lower parts and enhancing quality, and to provide a curing method.例文帳に追加

後加硫工程において上下の温度差によるタイヤ加硫度の進行度合いを改善し、品質を向上することが可能なタイヤ加硫装置及び加硫方法を提供する。 - 特許庁

As for a working process, at first the upper die 10 and the lower die 17 move down while grasping a rod stock 4 thereby, then horizontal press working starts, and vertical press working starts afterwards.例文帳に追加

プレス加工方法はまず上型１０と下型１７とで棒材４をつかみながら下降し、次ぎに水平方向のプレス加工を開始し、その後垂直方向のプレス加工を開始する。 - 特許庁

In the process for forming the upper layer, the application of the second coating liquid is started after the coating starting part F1S of the primary layer is passed through the second coater 10.例文帳に追加

上層を形成する工程において、可撓性支持体Ｗの、下層の塗布開始部分Ｆ１Ｓが第２の塗布装置１０を通過した後に第２の塗布液の塗布を開始させる。 - 特許庁

The stripping-off process is continuously performed from a position to another position with a tool moved from the upper part to the lower part taking a suitable attitude while matching to any height position of the gas cut-off burr.例文帳に追加

剥ぎ取り過程は、個所から個所に相次いで、ガス切断ばりのあらゆる高さ位置に適合して、適当な姿勢で上方から下方に動く工具によって絶えず行われる。 - 特許庁

In this method, the metal plate segment Wa to be bent which is protruded from the metal plate W is fixed in the state that the segment Wa is protruded from between an upper die 21 and a lower die 22 in a first holding process.例文帳に追加

第１挟み過程で、板材Ｗから突出した曲げるべき板材片Ｗａを上型２１と下型２２との間から突出させた状態で固定する。 - 特許庁

The support plate segregates the process chamber into an upper region and a lower region 66, 68, with purge gas being introduced through the lower tube into the lower region to prevent unwanted deposition therein.例文帳に追加

支持プレートは、プロセスチャンバを上部領域及び下部領域６６、６８に区分けし、パージガスが下部管を通って下部領域に導入され、そこでの不要な成長を防止する。 - 特許庁

In this sputtering process, the flow rate of gaseous oxygen is set to be smaller than the upper limit at which a state where metal Ti is exposed to the surface of the target is regularly held.例文帳に追加

このスパッタ法において、酸素ガスの流量は、ターゲットの表面に金属Ｔｉが露出した状態が定常的に保持される上限の流量よりも少ない流量とすればよい。 - 特許庁

The support plate segregates the process chamber into an upper region and a lower region 66, 68, with a purge gas being introduced through a lower tube into the lower region to prevent an unwanted deposition therein.例文帳に追加

支持プレートは、プロセスチャンバを上部領域及び下部領域６６、６８に区分けし、パージガスが下部管を通って下部領域に導入され、そこでの不要な成長を防止する。 - 特許庁

In the early stage of the second etching process, the initial groove mask 54 covers a portion of the upper surface of the bottom formation layer 42 in a region where the second portion is scheduled to be formed.例文帳に追加

第２のエッチング工程の当初は、第２の部分が形成される予定の領域における底部形成層４２の上面の一部が初期溝マスク５４によって覆われている。 - 特許庁

A queue number acquiring unit 12 acquires a command queuing number, that is the upper limit of the number of process-waiting instructions that can be stored in each of storages that make up a virtual disk, for each storage.例文帳に追加

キュー数取得部１２は、仮想ディスクを構成するストレージのそれぞれが格納できる処理待ちの命令の数の上限値であるコマンドキューイング数をストレージ毎にそれぞれ取得する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing wiring, which dispenses with a photo-lithography process when connecting between patterns of an upper layer and lower layer, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、上層と下層のパターンを接続するに際し、フォトリソグラフィ工程が不必要な配線の作製方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and this semiconductor device for improving the accuracy of the positioning of a lower layer pattern with an upper layer pattern in a photolithography process.例文帳に追加

ホトリソグラフィ工程において、下層パターンと上層パターンとの位置合わせの精度の向上を図ることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a compact exchanging system in which upper and lower press dies are exchanged in accordance with change in the type of workpiece, in a hemming device for performing hemming process on an automobile door panel, for example.例文帳に追加

例えば自動車用ドアパネルをヘミング加工するヘミング装置において、ワークの種類の変更に合わせて上下のプレス型を交換する、コンパクトな交換システムを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma display panel capable of improving the contrast of a display image by reducing reflection light at the upper face of a barrier rib without adding a new manufacturing process.例文帳に追加

新たな製造工程を追加することなく、隔壁の上部面における反射光を低減して表示画像のコントラストを改善することができるプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

The lower end of the gas introduction tube 184 is inserted in the support hole 185 of the manifold 18, and the upper end thereof is supported by the gas introduction tube support 162 of the process tube 16.例文帳に追加

ガス導入管１８４は、その下端部がマニホールド１８の支持穴１８５に挿入され、その上端部がプロセスチューブ１６のガス導入管支持部１６２によって支持される。 - 特許庁