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upper processの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1298



例文

A wafer level package process has steps of: providing a lower cover wafer 210 and an upper cover wafer 230; providing a semiconductor wafer including a plurality of MEMS devices on a substrate layer; joining the semiconductor wafer to a first surface of the lower cover wafer; and joining a second surface of the upper cover wafer to the semiconductor wafer.例文帳に追加

下カバーウェハ210および上カバーウェハ230を提供するステップと、基板層上に複数のMEMS装置を含む半導体ウェハを提供するステップと、半導体ウェハを下カバーウェハの第1表面に接合するステップと、上カバーウェハの第2表面を半導体ウェハに接合するステップと、を有する。 - 特許庁

A bobbin case 40 to be set into an inner shuttle 36 is provided with a projection 44 to be in contact with an upper thread Y, which is moved by being caught by a blade tip 34 of an outer shuttle 32 rotated outside the inner shuttle 36, in a process for pulling up the upper thread Y which disengages from the blade tip 34 by the operation of a balance.例文帳に追加

内釜36の中にセットされるボビンケース40であって、前記内釜36の外側で回転する外釜32の剣先34に捕捉されて動く上糸Yが天秤の動作により前記剣先34から外れて引き上げられる過程において、この上糸Yに接触する突起44を備えている。 - 特許庁

In the manufacturing method, the temperature T1 of a lower mold 1 and the temperature T2 of an intermediate mold 2 are set lower than the temperature T3 of an upper mold 3 in a process of injecting a norbornene resin into a cavity formed by fastening the lower mold 1 and the intermediate mold 2 and then fastening the intermediate mold 2 and the upper mold 3.例文帳に追加

このため、本発明においては、下型1および中型2を型締めして形成されたキャビティにノルボルネン系樹脂を注入し、その後中型2と上型3を型締めする工程において、下型1の温度T1および中型の温度T2を上型の温度T3よりも低く設定した。 - 特許庁

Consequently, even if an amount of sinking of an upper surface of the vertical gate electrode 19 or an upper surface of a buried insulating film 20 from a surface of the source region 21 varies in a manufacturing process, it is possible that the threshold voltage does not vary, and the impurity concentration can be reduced to easily obtain the low threshold voltage.例文帳に追加

これによって、縦型ゲート電極19の上面または埋め込み絶縁膜20の上面の、ソース領域21表面からの落ち込み量が製造工程でばらついても閾値電圧が変動しないようにでき、また不純物濃度を低減させて容易に低閾値電圧を得ることができる。 - 特許庁

例文

To provide a desulfurizing method which does not cause disturbance in the manufacturing process even when an S content in a plain steel or a low-sulfur steel has deviated from the upper limit of a target S concentration when the steel is tapped out from a converter, suppresses the increase of a manufacturing cost and can stably decrease the S content to a target upper limit or lower.例文帳に追加

転炉出鋼時に普通鋼或いは低硫鋼のS含有量が目標S濃度の上限を外れた場合、製造工程に撹乱を生ずることなく、且つ、製造コストの上昇を抑えしかも安定してこれらのS含有量を目標上限以下に低減することのできる脱硫方法を提供する。 - 特許庁


例文

The second product sensor 17 having the detection sensor 17a on the upper face side is attached to the second product falling area in the shaking separator 4 to which the second products are reduced by throwing them from the second reduction cylinder thereto on the process of the threshing operation and the detection signals are informed on the basis of the detection information of the second product accumulating on the upper face of the sensor.例文帳に追加

脱穀作業の過程で二番還元筒14から搖動選別体4上に投擲還元される二番物の落下域に、感知部17aを上面に設けた二番物検知センサ17を装着し、その上面に堆積する二番物量の検知情報に基づいて報知を行うようにした。 - 特許庁

In a process in which the molded soft board-like molding is demolded, air is injected between the upper mold of a molding and the molding, or the molding is attracted to the lower mold of the molding mold so that the adhesion of the molding can be prevented when the upper mold is lifted.例文帳に追加

成形した軟質ボード状成形体の脱型工程において、成形金型の上型と軟質ボード状成形体間に空気を注入又は軟質ボード状成形体を成形金型の下型に吸着させることによって、上型上昇の際の軟質ボード状成形体の張り付きを防止できる。 - 特許庁

The method of manufacturing the electronic device includes processes of: mounting a plurality of electronic elements 10 on an upper surface of a package 4; providing lids 2 on upper surfaces of the mounted electronic elements 10; cutting the lids 2 by dicing; and removing burrs 12 formed in the process of cutting the lids 2 by a chemical grinding method.例文帳に追加

複数の電子素子10をパッケージ4の上面に実装する工程と、実装された電子素子10の上面にリッド2を設ける工程と、リッド2をダイシングにより切断する工程と、リッド2を切断する工程で発生したバリ12を化学研磨法により除去する工程と、を有する電子デバイスの製造方法である。 - 特許庁

Process tools are arrayed and stored which splittably comprises a lower structural body 1, upper structural body 2, and middle structural body 3 for allowed attaching and detaching, with at least the lower structural body 1 and upper structural body 2, detachably connected together with a semiconductor wafer adhesively held between them.例文帳に追加

下部構造体1、上部構造体2、及び中部構造体3を取り付け取り外しが可能な分割自在に備え、これらのうち、少なくとも下部構造体1と上部構造体2とを着脱自在に連結してそれらの間に半導体ウェーハを粘着保持する処理治具を整列収納する。 - 特許庁

例文

To efficiently manufacture a thin-film circuit board which makes it possible to process the surface of an organic insulating film and remove an oxide film on the top surface of a lower thin-film electrode at the same time and has superior adhesive strength between the organic insulating film and upper thin-film electrode and superior conduction reliability between an upper thin-film electrode and the lower thin-film electrode.例文帳に追加

有機絶縁膜の表面処理と、下部薄膜電極の表面の酸化膜の除去を同時に行うことが可能で、有機絶縁膜と上部薄膜電極の密着強度及び上部薄膜電極と下部薄膜電極の導通信頼性に優れた薄膜回路基板を効率よく製造する。 - 特許庁

例文

The substrate processing method is based on cutting a solid plate substrate with a cutter equipped with a blade having a V-shaped circumference and has a process of scribing a substrate in the longitudinal or lateral direction and a process of scribing the substrate on both the upper and the lower surface.例文帳に追加

円周部がV字形形状の刃を備えるカッターにより一枚板形状の基板を分断する基板加工方法において、前記基板の縦方向又は横方向にスクライブする工程と、 前記基板の上面及び下面の両面において前記基板をスクライブする工程と、を有することを特徴とする基板加工方法。 - 特許庁

A process, in which the surface of the upper silicon region 42 of an SIMOX substrate is doped with nitrogen, and a process in which an electron beam, is applied to a region including at least a part of the region doped with nitrogen in an atmosphere containing oxigen to make an oxide film 46 containing nitrogen grow on the silicon surface are included.例文帳に追加

SIMOX基板の上部シリコン領域42の表面に窒素をドープする工程と、酸素を含む雰囲気中において窒素がドープされた領域の少なくとも一部を含む領域に電子ビームを照射し、それによってシリコン表面に窒素を含む酸化膜46を成長させる工程とを包含する。 - 特許庁

An apparatus 50 for making a silicon film in an HSG state includes a vertical reactive tube 22, a process gas feeding system 52 connected to one of upper and lower ends of the reactive tube 22 for feeding a process gas to the reactive tube 22, and a vacuum suction system 30 connected to the other end of the reactive tube 22 for reducing the pressure of the reactive tube 22.例文帳に追加

本装置50は、縦型の反応管22と、反応管の上下両端部の一方に接続され、反応管にプロセスガスを供給するプロセスガス供給系統52と、反応管の他方の端部に接続され、反応管を減圧する真空吸引系統30とを備え、シリコン膜にHSG化を施す。 - 特許庁

When switching the conveyance path to the other insertion part, and the drive of a motor by a conveyance switching mechanism for introducing a medium set on the other insertion part during a printing process of a medium set on one of the upper and lower insertion parts, the switching operation is executed after pressuring the medium in the printing process against a conveyance guide and holding the same.例文帳に追加

上下挿入部の一方の挿入部にセットされた媒体の印字処理中に、他方操入部にセットされた媒体を吸入するために、搬送切替機構により他方挿入部へ搬送路及びモータの駆動を切替える時、印字処理中の媒体を、搬送ガイドに押付け保持させてから切替える。 - 特許庁

This coating method comprises: a process for applying a first coating liquid F1 on the surface of a continuously travelling belt like flexible supporting body W in a first coater and drying the first coating liquid to form a primary layer; and a process for applying a second coating liquid F2 on the surface of the primary layer in a second coater 10 to form an upper layer.例文帳に追加

連続走行する帯状の可撓性支持体Wの表面に第1の塗布装置で第1の塗布液F1を塗布し、この第1の塗布液を乾燥させて下層を形成する工程と、下層の表面に第2の塗布装置10で第2の塗布液F2を塗布し上層を形成する工程と、を有する塗布方法。 - 特許庁

This coil inserting method includes a process of disabling a lower coil and an upper coil to compete with each other by pushing down the curved sections in a direction of leaving the axis of the stator core in a state that the coil curved sections are projecting from the end faces of the stator core in a process of pushing multiphase coils into the slots of the stator core.例文帳に追加

複相のコイルをステータコアのスロットに押し込む過程で、ステータコアの先端からコイル曲線部が出ている状態でその曲線部をステータコアの軸心から離間する方向に押し倒すことにより、下方のコイルと上方のコイルとが競合しなくなるようにする工程を含んだコイル挿入方法とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the ITO multilayer film comprises a process of forming a first ITO film on an upper part of a plastic body at a base plate temperature of 20 to 120°C with the use of an ion plating method, and a process of forming a second ITO film on the first ITO film at a base plate temperature of 150 to 250°C with the use of the ion plating method.例文帳に追加

プラスチック体上方に、イオンプレーティング法を用い、基板温度20℃〜120℃で、第1のITO膜を成膜する工程と、前記第1のITO膜上に、イオンプレーティング法を用い、基板温度150℃〜250℃で、第2のITO膜を成膜する工程とを有するITO多層膜の製造方法が提供される。 - 特許庁

To shorten the production lead time and reduce the production cost by adjusting the production plans of an upper process and a lower process on the basis of the fluctuation of production result.例文帳に追加

生産単位が異なる上工程及び下工程を含む複数の工程により生産される生産物を生産する場合に、中間生産物在庫量の抑制、及び設備の稼動率の向上を行い、生産リードタイムを短縮する生産計画調整方法、生産計画調整システム、及び記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide an efficient glass substrate regenerating device and an efficient glass substrate regenerating method for processing substrates to be regenerated, produced in the manufacturing process of a color filter substrate on the optimal alkali treatment conditions for peeling BM/RGB layers by each substrate for regeneration in a continuous regeneration process of sequentially peeling the substrates for regeneration from the upper layer part of a color filter film.例文帳に追加

カラーフィルタ基板の製造工程で発生した再生対象基板を、カラーフィルタ膜の上層部より順に剥離する連続再生プロセスにおいて、再生対象基板毎に最適なBM/RGB層剥離用アルカリ処理条件で処理する効率的なガラス基板再生装置及び再生方法を提供する。 - 特許庁

A tower type of cathode 17 is formed inside of the lower dioxide silicon film 16A, the upper dioxide silicon film 18A, and the drawer electrode 19A, and a leading end of the cathode 17 has a steep portion of 2 nm radius formed by a crystal anisotropy etching process and thermal oxide of silicon process.例文帳に追加

下部酸化シリコン膜16A、上部酸化シリコン膜18A及び引き出し電極19Aの開口部の内部には、タワー形状の陰極17が形成されており、該陰極17の先端部は結晶異方性エッチングとシリコンの熱酸化プロセスとによって形成された半径2nm以下の急峻な形状を有している。 - 特許庁

The method of treating emulsion type water-soluble cutting oil includes the process of adjusting the pH of the water-soluble cutting oil to less than five, and the process of adding polyacrylic acid as a coagulant to perform coagulation, and separates the emulsion type water-soluble cutting oil into an upper layer containing the water-soluble cutting oil and a lower layer containing surfactants.例文帳に追加

エマルション型の水溶性切削油の処理方法であって、前記水溶性切削油をpH5未満に調整する工程と、凝集剤としてポリアクリル酸を添加して凝集する工程とを有しており、切削油を含む上層と界面活性剤を含む下層に分離する処理方法。 - 特許庁

A segment management part 321 of the virtual memory management module 320 sets up a limit value which shows an upper limit of the number of pages of a real memory space allocatable to the segment concerned by segment of the process address space, while managing by segment unit whether a program which is arranged in the process address space to be executed is enciphered.例文帳に追加

仮想メモリ管理モジュール320のセグメント管理部321は、プロセスアドレス空間に配置された実行すべきプログラムが暗号化されているかをセグメント単位で管理すると共に、プロセスアドレス空間のセグメント毎に当該セグメントに割り当て可能な実メモリ空間のページ数の上限を表す制限値を設定する。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate of a semiconductor element capable of preventing degradation of an element characteristic and reliability caused by a plasm etching process; and a method for forming a gate of a semiconductor element capable of preventing a concentration phenomenon of an electric field in an upper corner part caused by a plasma etching process.例文帳に追加

プラズマのエッチング工程によって発生する素子特性および信頼性の劣化を防止することのできる半導体素子のゲート形成方法と、プラズマのエッチング工程によって発生する上部の隅部における電界の集中現象を防止することのできる半導体素子のゲート形成方法を提供すること。 - 特許庁

This method comprises a process to drop a pin 1 in horizontal attitude into a recessed part 24 of an upper face 23A of an alignment pallet 23 and a process to draw in a lower end 1a of the pin 1 into a vertical hole 25 formed at an end of bottom face of the recessed part 24 and raise the pin 1 inside the hole 25 by sucking air inside the hole 25.例文帳に追加

整列パレット23の上面23Aの凹部24にピン1を横姿勢で落とし込む工程と、凹部24の底面の片端に設けた立孔25内をエア吸引することで、立孔25内にピン1の下端1aを引き込んでピン1を立孔25内で起立させる工程とを有する。 - 特許庁

When the measurement drops below preset a lower control limit, the concentration of the dissolved oxygen is increased through an oxidation process; when the measurement rises above an upper control limit, the concentration of the dissolved oxygen is reduced through a reduction process.例文帳に追加

液体金属1中の溶解酸素濃度を、溶解酸素濃度測定センサ13の測定値と温度センサ15の測定値から演算し、その値が予め設定した管理下限以下になった時、酸化処理により溶解酸素濃度を増加させ、そして管理上限以上になった時、還元処理により溶解酸素濃度を減少させる。 - 特許庁

The crushed wasted plastic materials, crushed wasted pulp materials and a water-absorptive resin between the upper and the lower paper layers are set together and molded into an integral article with forming an embossed pattern by an embossing process or forming a rough pattern by a molding process.例文帳に追加

上部吸収性紙層部、下部吸収性紙層部並びに上部及び下部紙層部間にプラスチック廃材粉砕物、パルプ廃材粉砕物及び吸水性樹脂を含む吸水性混合層部を合わせて、エンボス加工によるエンボス凹凸模様又は成形加工による凹凸模様を施して一体に形成する。 - 特許庁

To provide a substrate sealing device for allowing the mass production of a flat fluorescent lamp by continuously performing a firing process and a sealing process in the state of holding an upper substrate and a lower substrate of the fluorescent lamp while minimizing work for supplying/pulling the substrates into/out of a heating furnace.例文帳に追加

蛍光ランプの上部基板と下部基板をホールディングした状態において焼成工程と封着工程を連続的に行うことにより、加熱炉への基板の供給及び引出し作業を最小化し、平板型蛍光ランプの大量生産が可能なようにする平板型蛍光ランプの基板封着装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus capable of suppressing temperature rise in a space between a lower surface of a pressing member and an upper surface of a substrate, by improving uniformity of in-plane temperature of the substrate, even when a high-temperature process liquid is used when the pressing member is arranged, while facing and coming into close proximity to the top surface of the substrate to process it.例文帳に追加

基板の上面に対向し近接して押付部材を配置し基板の処理を行う場合に、高温の処理液を使用するときでも、基板の面内温度の均一性を高め、押付部材の下面と基板上面とで挟まれる空間における温度の上昇を抑えることができる装置を提供する。 - 特許庁

Rust present on the outer periphery of a bearing B is descaled by implementing a process wherein a grinder 25 is rotated with the bearing B for rolling stock truck brought into contact with the upper surface of the grinder 25, and the bearing B is rotated together with the grinder 25 by its own weight; and a process wherein a substance adhered on the surface of the bearing B is removed.例文帳に追加

鉄道車両台車用ベアリングBをグラインダー25上面に接触させた状態で、グラインダー25を回転させ、ベアリングBが自重によりグラインダー25に連れ廻りさせる工程と、ベアリングBの表面に付着する付着物を除去する工程とを有することにより、ベアリングBの外周に存する錆を落とす。 - 特許庁

A half-fitting control part 34 is protrudingly installed from the housing main body 18 toward the lock arm 46, while a process guiding part 51 is installed from the lock arm 46 and the process guiding part 51 is made to run upon the upper face side of the half-fitting control part 34 at the time of ha fitting operation of both connectors 10, 20.例文帳に追加

ハウジング本体18からはロックアーム46に向かって半嵌合規制部34が突設される一方、ロックアーム46からは行程案内部51が設けられており、両コネクタ10、20の嵌合操作の際に、行程案内部51が半嵌合規制部34の上面側に乗り上げるようになっている。 - 特許庁

Moreover, in the B photoelectric charge transfer process whose execution is started after the end of B photoelectric charge storage processes, the stored electric charges by the B photoelectric charge storage process are sequentially transferred by each line and in this case, the electric charges are not transferred for an upper end non use part (N lines) at the outside of the image projection area among all lines.例文帳に追加

また、B光電荷蓄積工程終了後に実行を開始するB光電荷転送工程では、B光電荷蓄積工程による蓄積電荷を、1ライン毎に順次転送するが、このとき、全ラインのうち画像投影領域外である上端不使用部分(Nライン分)についての電荷転送を行わない。 - 特許庁

When the concentration of the dissolved oxygen drops below a preset lower control limit, the concentration of the dissolved oxygen is increased through an oxidation process; when the concentration rises above a preset upper control limit, the concentration of the dissolved oxygen is reduced through a reduction process, whereby the concentration of the oxygen dissolved in the liquid metal is controlled.例文帳に追加

そして、この溶解酸素濃度が予め設定された管理下限以下になった時、酸化処理により溶解酸素濃度を増加させ、予め設定された管理上限以上になった時、還元処理により溶解酸素濃度を減少させることにより液体金属中の溶解酸素濃度を制御する。 - 特許庁

One or plural freely swingable guide blades 4 are fitted to the upper part, or the lower part, or the central part of the polygon divided body 10 by a pivot 25 and can be freely turned to change the direction of a flow of a mixture of fluid and pulverized material to optimize a pulverizing process and a classifying process.例文帳に追加

一枚または複数枚の旋回自在の案内ブレード4がポリゴン分割体10の上部、または下部、または中央部に旋回軸25によって取り付けられ、旋回自在として、流体と粉砕物との混合物の流れの方向を変えて粉砕工程と分級工程との最適化を行う。 - 特許庁

The semiconductor device has the process (d) irradiating the amorphous silicon film 40 with pulse laser beams 50 and forming a crystallite silicon film 41 formed by crystallizing the amorphous silicon film 40 and the process (e) removing the crystallite semiconductor film 41 excepting the crystallite semiconductor film 41 on the upper side of the gate electrode 20.例文帳に追加

そして、(d)非晶質シリコン膜40にパルスレーザ光50を照射し、当該非晶質シリコン膜40を結晶化した微結晶シリコン膜41を形成する工程と、(e)ゲート電極20上側の微結晶半導体膜41以外の微結晶半導体膜41を除去する工程とを備える。 - 特許庁

During pavement removal work, the upper cap 102 is detached from the block bases 103 (lid removal process), a lower cap 106 is pressurized and detached in the state of lifting the block bases 103 to remove the weight increase material 201 from a lower surface opening LH (bottom removal process), and the block bases 103 are taken away from a paved surface.例文帳に追加

舗装撤去作業時には、ブロック基体103から上キャップ102を外し(抜蓋工程)、ブロック基体103を持ち上げた状態で下キャップ106を加圧して外して下面開口LHから増重量材201を抜き取り(抜底工程)、ブロック基体103を被舗装面から持ち去るようにした。 - 特許庁

Each time the cleansing process of a washing cycle is conducted the level of retained water increases, the level of retained water reaches the upper water level H after several times the cleansing process is conducted, and dirty washing water is discharged outside of the opening 19 of the overflow pipe 20 in a way that it is pushed out by the cleansing water collected.例文帳に追加

そして洗浄サイクルのすすぎ工程を行うたびに貯溜水位が増して行き、数度目のすすぎ工程時に洗浄水の貯溜水位は上限水位Hに達し、回収されたすすぎ水により汚れた洗浄水が押し出される形でオーバーフロー管20の開口19から外部へ排出される。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor substrate includes a process for forming a porous silicon layer 12 on an upper surface of a silicon substrate 11, and a process for supplying a mixed gas of hydrogen gas and hydrocarbon-based gas or a hydrocarbon-based gas, crystallizing and carbonizing the surface of the porous silicon layer 12, and forming a silicon carbide film 13.例文帳に追加

シリコン基板11の上面に多孔質な多孔質シリコン層12を形成する工程と、水素ガス及び炭化水素系ガスの混合ガスまたは炭化水素系ガスを供給し、多孔質シリコン層12の表面を結晶化及び炭化して炭化珪素膜13を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

The method comprises a process for coating an uneven wafer surface with a photoresist layer, to cover the undesirable characteristics in the structure of the wafer for coating to a uniform height and for obtaining the substantially flat upper surface of the photoresist layer; and a process for etching the photoresist 40, having substantially the same rate and an insulating layer 30.例文帳に追加

第1に、凸凹なウェーハ表面上にフォトレジスト層を塗布してウェーハの望ましくない構造的特徴を覆って均一な高さにコーティングし、実質的に平坦なフォトレジスト層の上部表面を得る工程と、第2に、実質的に同率にフォトレジスト40および絶縁層30をエッチングする工程と、から成る。 - 特許庁

To provide a manufacturing system for surfactant, which is capable of rapidly detecting abnormality in a process, where the volume of a treating liquid is changed with time and the upper and lower limits of the volume are set corresponding to the change.例文帳に追加

処理流体の容量が時間的に変化し、且その変化に応じて容量の上限値及び下限値を設定している工程における異常を迅速に把握できる界面活性剤の製造システムを提供する。 - 特許庁

To improve the surface evenness of projections and the pore cover efficiency of a non-porous surface by machining the inside diameter surface by a correction bar having a large number of correction grooves in an upper end portion during the sizing process.例文帳に追加

サイジング工程時、上端部に多数の矯正溝が形成された矯正棒によって内径面が表面加工されることで、無多孔面である突起の表面調度と気孔カバー効率を向上させる。 - 特許庁

A device for monitoring a wash process inside the mechanical washing apparatus comprises an upper housing part 1 and a lower housing part 2 separated by a circumferential slot 3 extending radially outward from a central cavity 4.例文帳に追加

機械洗浄装置内部の洗浄プロセスを監視する装置は、中心キャビティ4から径方向外側に延在した周方向スロット3によって分離された上側ハウジング部1および下側ハウジング部2を備える。 - 特許庁

Also, the same wiring layer as the wiring for connecting a coil 9 to a recording terminal 119 can be formed by connecting the wiring to be connected to the anti-corrosion electrode from an upper core, and the manufacturing process can be simplified.例文帳に追加

また、上部コアより防食用電極に接続される配線を接続することで、コイル9と記録端子119を接続する配線と同じ配線層で形成でき、製造工程を簡略化することができる。 - 特許庁

In this gypsum board manufacturing process, the hollowed-out holes forming insertion holes for an anchor 20 for the board are provided in right and left end parts or upper and lower end parts of the board.例文帳に追加

本出願人発明[特許文献1]特願2005-360363「ボード用アンカー」装着を前提に、石膏ボード製造工程において、該ボード用アンカー(20)挿入孔を形成する「刳り孔」をボード左右端部または上下端部に設ける。 - 特許庁

In a vibration press molding process in manufacturing an inorganic board, vacuum suction (B) is started at a stage wherein a press top force (2) is allowed to descend to a position (H0) 2-5 mm upper than its pressurizing lower limit (H).例文帳に追加

無機質板の製造における中空品の振動プレス成形の工程において、プレス上型(2)をその加圧下限(H)よりも2〜5mm上方の位置(H_0 )にまで降下させた段階で真空吸引(B)を開始する。 - 特許庁

The process execution part 14 perform logic analysis from the lowest step toward an upper step to acquire truth/false of condition branching included in the batch AP as the test object and a boundary value for acquiring value candidate information.例文帳に追加

処理実行部14は、最下位ステップから上位ステップに向けてロジック解析を行い、テスト対象のバッチAPに含まれる条件分岐の真/偽と、境界値とを取得して値候補情報を取得する。 - 特許庁

In Fig.2(d), a mold material 50 is formed on an upper surface on the structure, i.e. on the side, on which an electronic component 20 is mounted, on a metal pattern, and the electronic component 20 etc. is sealed (sealing process).例文帳に追加

図2(d)に示されるように、この構造上の上側の面、すなわち、この金属パターン上の電子部品20が搭載された側に、モールド材50を形成し、電子部品20等を封止する(封止工程)。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition with which it is possible to form a high resolution resist pattern with low line edge roughness, and which is used as an upper layer resist of a two layer resist process and a method for forming the resist pattern.例文帳に追加

低ラインエッジラフネスで、高解像度なレジストパターンを形成することが可能となり、2層レジストプロセスの上層レジストとして用いることができる感光性樹脂組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

The flexible cable 1 extending between the moving body 4 moving forward and backward between a home position and a process end and the wiring board 5 has a curved folded-back part 12, an upper extension part 13, and a lower extension part 14.例文帳に追加

ホームポジションと工程端との間で前後進する移動体4と配線基板5との間に亘る可撓ケーブル1に、湾曲形状の折返し部12と、上側延出部13と、下側延出部14とが備わっている。 - 特許庁

During the process of inflation of the airbag 14, a cover part 142 not bound by the deployment regulating member 31 and the upper half of the fold 141 are first inflated and deployed into the automobile compartment along the inner surface of the windshield.例文帳に追加

エアバッグ14が膨張する過程で、先ず展開規制部材31で拘束されていないカバー部14_2 および折畳部14_1 の上半部が膨張してフロントガラスの内面に沿って車室内に展開する。 - 特許庁

例文

To form no development defect after a resist pattern as an upper layer is formed even when the percentage content of silicon (Si) of an intermediate film is made high in a multi-layer resist process, and thereby to improve the yield.例文帳に追加

多層レジストプロセスにおいて、中間層膜のシリコン(Si)の含有率を高くした場合でも、上層のレジストパターンを形成した後の現像欠陥が発生せず、従って、歩留まりを向上できるようにする。 - 特許庁




  
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