「upper process」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the method includes a process of depositing an oxide film 26 entirely over the semiconductor substrate 21 such that the upper surface of the oxide film 26 above the groove 24 is positioned to be higher than the surface of the nitride film 23.例文帳に追加

この方法はまた、溝２４の上方における酸化膜２６の上面が窒化膜２３の表面より高い位置になるように、半導体基板２１の上方全体に酸化膜２６を堆積する工程を有する。 - 特許庁

To provide a deburring device capable of removing burrs caused on at least upper and lower surfaces of a heavy cylinder block with a simple structure by using of a rotary brush without providing any vertically inverting process.例文帳に追加

重量物であるシリンダブロックＷの少なくとも上面と下面に生じるバリを、上下反転工程を設ける必要なく、かつ、回転ブラシを利用した簡単な構造にて取り除くバリ取り装置の提供にある。 - 特許庁

The substrate chemical processing sections 31-34 supply the processing liquid to the substrate W directing the surface downward under horizontal attitude from below and process the circumferential edge part on the lower surface (surface) and upper surface (rear surface) selectively.例文帳に追加

基板薬液処理部３１〜３４は、表面を下方に向けた水平姿勢の基板Ｗに対して、下方から処理液を供給し、その下面（表面）および上面（裏面）の周縁部を選択的に処理する。 - 特許庁

To solve a problem of a complicated fabricating process and a complicated structure, involved in an optical waveguide having a long period grating on the upper face of a waveguide core.例文帳に追加

長周期グレーティングを有する導波路コアを備えた光導波路において、導波路コアの上面に長周期グレーティングを有する光導波路に伴う複雑な製造工程、複雑な構造などの問題を解決する。 - 特許庁

The capacitor in a semiconductor device can be manufactured by a simple process, wherein an aluminum nitride layer acting as an insulating layer is formed, by applying a plasma containing nitrogen on the upper part of an aluminum layer in the capacitor region.例文帳に追加

半導体素子内のキャパシタはキャパシタの領域のアルミニウム層の上部に窒素を含有したプラズマを用いて絶縁層として働く窒化アルミニウム層を形成する簡単な工程で製作することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacture in which evenness of an interlayer insulation film is improved and detailed work for an upper layer wiring is made easy to rationalize manufacturing process, in a semiconductor device containing a capacitor using a two-layer polysilicon.例文帳に追加

２層ポリシリコンを用いたキャパシタをもつ半導体装置において、層間絶縁膜の平坦性を改善し、上層配線の微細加工を容易にして製造工程を合理化した製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming the element isolation film of a semiconductor element, in which the upper and lower corners of a trench can be roundly formed without performing an etching process using polymer.例文帳に追加

本発明は、ポリマーを用いたエッチング工程を行わなくても、トレンチの上部及び下部コーナー部分を丸く形成することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

During an etching process for forming the storage electrode via the compensation member, particularly the loss of the upper part of the storage electrode can be compensated, therefore, the structural stability of the storage electrode can be prevented from deteriorating.例文帳に追加

補償部材を通じてストレージ電極を形成するエッチング工程の間、特にストレージ電極上部の損失を補償できるので、ストレージ電極の構造的安定性が低下することを防止することができる。 - 特許庁

To accurately restrict a process value such as an engine speed and a vehicle speed in an upper limit value in an internal combustion engine arranging a fuel injection valve on the respective upstream and downstream sides of a throttle valve.例文帳に追加

スロットル弁の上流側と下流側のそれぞれに燃料噴射弁が配置される内燃機関において、エンジン回転数や車速などのプロセス値が上限値において正確に制限されるようにする。 - 特許庁

At this moment, the planarization process is performed until the top electrode of the capacitor is exposed, then a conduction film for plate electrode is formed and a plate line directly contacting to the upper electrode is formed by patterning.例文帳に追加

この際、平坦化工程はキャパシタ上部電極が露出される時まで実施され、その後、プレート電極用導電膜を形成し、パターニングして上部電極に直接接触するプレートラインを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its production process for restricting ferroelectric capacitor impairment caused by hydrogen, by improving coating property of a barrier metal layer on an upper electrode of the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの上部電極に対するバリアメタル層の被覆性を改善し、水素による強誘電体キャパシタの劣化を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

After the lower electrode 106a of the capacitor is formed, a thermal oxidation process is performed so that impurity ions implanted into the lower electrode 106a of the capacitor are isolated on the upper surface of the lower electrode of the capacitor.例文帳に追加

キャパシター下部電極１０６ａが形成された後、キャパシター下部電極１０６ａに注入された不純物イオンがキャパシター下部電極の上部表面に隔離させるために熱酸化工程を遂行する。 - 特許庁

Therefore, even if the sealing resin 36 is strongly adhered to the inner wall of the upper mold 52 in a resin-sealing process, the sealing resin 36 is separated by press using the pressing means 51 arranged uniformly.例文帳に追加

従って、樹脂封止の工程に於いて封止樹脂３６が上金型５２の内壁に強固に密着したとしても、均等に配置された押圧手段５１による押圧力により封止樹脂３６が離型される。 - 特許庁

The apparatus is equipped with first and second support legs 13, 14 disposed on the process measurement surface 12; and the measurement object 15, having the flat surface to be measured 15a in its upper surface and being supported in a cross-linking form between both the support leges 13, 14.例文帳に追加

加工計測面１２上に設置される第１及び第２支持脚１３，１４と、両支持脚１３，１４間に橋架支持され、上面に被計測平面１５ａを有する被計測部材１５とを備える。 - 特許庁

When lifting the lift arm 6 up to an upper limit position from a lower limit position, the lift cylinder 11 extends, and the counter cylinder 12 is controlled so as to extend after being reduced once in its extension process.例文帳に追加

リフトアーム６を下限位置から上限位置まで上昇させる場合に、リフトシリンダ１１が伸張するとともに、その伸張過程においてカウンタシリンダ１２はいったん縮退した後伸張するように制御される。 - 特許庁

In Fig.2(e), after the mold material 50 is solidified, a rotating blade (tooth) 60 of thickness E (E>D) is pressed from upper side in Fig.2(e) to cut the mold material 50 and a part of the common lead 12 (cutting process).例文帳に追加

モールド材５０の固化後、図２（ｅ）に示されるように、回転する厚さＥ（Ｅ＞Ｄ）のブレード（歯）６０を図２中の上側から押し当て、モールド材５０と、共通リード１２の一部とを切断する（切断工程）。 - 特許庁

In the manufacturing process of a piezoelectric actuator 16A where a lower electrode film 30, a piezoelectric film 32, and an upper electrode film 34 sequentially overlie a substrate 22 having an insulating layer 26 on the surface, a plurality of upper electrode films are led out individually to the surface different from the surface where the upper electrode film is arranged and then interconnected as a common electrode.例文帳に追加

表面に絶縁層２６が形成された基板２２上に下部電極膜３０、圧電体膜３２、及び上部電極膜３４が順次積層された圧電アクチュエータ１６Ａの製造方法であって、複数の上部電極膜を上部電極膜が配置される面とは異なる面にそれぞれ個別に引き出してから互いに接続して共通電極とする圧電アクチュエータの製造方法の提供。 - 特許庁

In the structure of white light emitting diode and manufacturing process of the same, at least a red fluorescent material is provided at the bottom layer of a blue light emitting chip and at least a green fluorescent material is provided to the upper part of periphery of the blue light emitting chip.例文帳に追加

白色発光ダイオード構造及びその製造工程は、青色発光チップの底層に少なくとも赤色蛍光材を設置し、青色発光チップの周辺より上部位に少なくとも緑色蛍光材を設置する。 - 特許庁

To surely separate fabric parts from the upper face of a fabric mass one by one and to automatically feed it to the next step process even for a hardly handled fabric such as a thin fabric, a flexible fabric and a fabric formed of a piled fabric.例文帳に追加

薄い生地、柔軟な生地、あるいは起毛性生地で形成した生地などの扱いにくい生地であっても、生地塊の上面から生地パーツを１枚ずつ確実に分離して次段工程へ自動的に供給できるようにする。 - 特許庁

To prevent short-circuiting between a bit line and a capacitor contact without using a self-align contact (SAC) process for forming a hard mask film on the upper surface of the bit line and providing a sidewall by etching back a nitride film on the sidewall of the bit line.例文帳に追加

ビット線の上面にハードマスク膜を形成し、ビット線の側壁に窒化膜をエッチバックして形成したサイドウォールを設けるＳＡＣ（セルフアラインコンタクト）プロセスを用いることなくビット線と容量コンタクトとの間の短絡を防止する。 - 特許庁

A transfer arm 42 in a transfer module 16 performs transfer operation by supporting two wafers W, W in multi- stages with upper and lower pairs of tweezers 44H and 44L between the load lock module 14 and a process module 18.例文帳に追加

トランスファ・モジュール１６内の搬送アーム４２は、上下一対のピンセット４４Ｈ，４４Ｌで２枚の半導体ウエハＷ，Ｗを多段に支持してロードロック・モジュール１４とプロセス・モジュール１８との間で搬送動作を行う。 - 特許庁

Subsequently, (D) in a cooling process for cooling a formed body 25 in the molds, the press rod is raised by a slight height and then, the formed product 25 is cooled in such a state that the upper mold 21 and the formed body 25 are in a non-contact state.例文帳に追加

つづいて、（Ｄ）金型内の成型品２５を冷却する冷却工程において、プレスロッドを微少量だけ上昇させることにより、前記上型２１と前記成型品２５が非接触状態で冷却される。 - 特許庁

Thereby, from the upper part of a nearly uniform winding 25 by the first winding process W1, a winding 26 whose winding amount is more on the outside than on the inside in the radial direction of the magnetic pole teeth is executed.例文帳に追加

このことにより、第１巻線工程Ｗ１によるほぼ一様な巻線２５の上から、第２巻線工程Ｗ２によって、磁極歯の半径方向の内側よりも外側の方が巻線量の多い巻線２６がなされる。 - 特許庁

An improved compression molding process uses a separation plate 26 disposed between the upper and lower sections 22, 24 of a compression mold 20 for forming a grip with a distinct separation of multiple elastomeric materials.例文帳に追加

本発明の改善された圧縮成形プロセスは、圧縮成形型２０の上型部２２と下型部２４との間に配置される分割プレート２６を使用して、複数のエラストマー材料の明確に分割してグリップを成形する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a flexible optical waveguide, using high polymer material in cores 18a, 18b, an upper clad layer 20 and a lower clad layer 22, a process for forming the core by manufacturing casting molds 12a, 12b, 12c for the core is included.例文帳に追加

コア１８ａ,１８b、上部クラッド層２０及び下部クラッド層２２に高分子材料を用いたフレキシブル光導波路の製造方法において、コアの鋳型１２ａ，１２ｂ，１２ｃを作製してコアを形成する工程を含む。 - 特許庁

A gear 55a is rotated counterclockwise against a process cartridge 5 in a folded state, a cylindrical shape member 55 is rotated while winding a shutter 56 around it, and the shutter 56 is released from upper part of a first housing 54.例文帳に追加

フォールディング状態にあるプロセスカートリッジ５に対してギア５５ａを反時計回りに回転させ、円柱型の部材５５がその周囲にシャッター５６を巻きつけつつ回転し、シャッター５６が第一筐体５４の上方から退避する。 - 特許庁

A semiconductor wafer 1 divided into a plurality of chips 2 in a plasma etching process in a chamber 5, is carried out of the chamber 5 while a holding sheet 10 is applied on its upper surface and a protective sheet 3 is also applied on the lower surface.例文帳に追加

チャンバ５内でのプラズマエッチング処理によって複数のチップ２に個片化された半導体ウェハ１を、その上面に保持シート１０、下面に保護シート３をそれぞれ貼り付けた状態でチャンバ５から搬出するようにした。 - 特許庁

Furthermore, an opening of the upper tent is joined to the used tent, a sealed space for sealing the contaminated device, etc. is newly formed (a second sealing process, S5), and the contaminated device, etc. are dismantled in the sealed space (a second dismantlement step, S6).例文帳に追加

さらに、上側テントの開口部分を使用済テントに接合し、汚染装置等を密封する密封空間を新たに形成し（第２密封工程，Ｓ５）、この密封空間で汚染装置等を解体する（第２解体工程，Ｓ６）。 - 特許庁

In a step S12, when it is determined that the current distribution frequency N is smaller than an upper limit frequency Nmax, the process is advanced to a step S13, and a completion time when the content is distributed to each adjacent content reception terminal Nr is estimated.例文帳に追加

ステップＳ１２において、現在の配信回数Nが上限回数Nmaxよりも少ないと判定されるとステップＳ１３へ進み、隣接する各コンテンツ受信端末Nrにコンテンツを配信した際の完了時刻が推定される。 - 特許庁

In such a case, a reaction-proofing layer mainly composed of a monocrystal is formed so that the chemical reaction of the wafer and the group III nitride compound semiconductor on the upper layer caused by stress and heat can not occur in a production process.例文帳に追加

ここに主として単結晶から成る反応防止層を形成し、製造工程中に応力と熱による基板と上層のIII族窒化物系化合物半導体との化学反応を起こさないようにすることができる。 - 特許庁

To provide a hanger for skirt capable of supporting an upper end fringe part of a skirt firmly so that its shape is not lost in a distribution process and being manufactured using a paper favorable for environment.例文帳に追加

流通過程において型くずれが生じないようにスカートの上端縁部をしっかりと支持することができるとともに、環境に優しい紙を用いて製作することが可能な構成のスカート用ハンガーを提供することを課題とする。 - 特許庁

The new pipe laying method includes the abolishment method, and after the abolishment method, performs a process for bring a conduit 1a into a communication in which a new pipe 40 is shallowly buried in the upper position of the disused conduit 1a and connected thereto.例文帳に追加

新設管敷設工法は、前記廃止工法を含み、この廃止工法の後に、不使用導管１ａの上方位置に新設管４０を浅埋して導管１に接続して導管１を連通状態にする工程を行う。 - 特許庁

After a process of cooling the resin in a cavity 5 is started, the rotary valve 26 is put in the closed state and the resin solidified in the valve path 28 is discharged outside by an extruding device 32 provided in the upper part of the main body 20 of the injection nozzle.例文帳に追加

キャビティ５内の樹脂の冷却工程開始後に、回転弁２６を閉状態とし、射出ノズル本体２０の上部に配設した押出装置３２によって弁通路２８内で固化した樹脂を外部へ排出する。 - 特許庁

The upper member 12 and the lower member 11 are put together with screws 13 with the covering members 16 attached to the lower member 11, and this protects optical parts and electrical circuits in the housing from metal powder occurring in the screw-fitting process because the metal powder is not scattered in the housing but retained within the covering members 16.例文帳に追加

これにより、ネジ止めの際に発生する金属粉は、筐体の内部に散乱することなく、カバー部材１６に溜まることになり、筐体内に収納された光部品や電気回路を保護することができる。 - 特許庁

To solve a problem such that the bottom face of a work is susceptible to friction flaws as it slides to contact the upper face of die or knockout when transferring a held work toward downstream process or the like in a transfer device of a transfer press.例文帳に追加

トランスファプレスのトランスファ装置において、把持されたワークを下流工程に移送する際に、そのワークの底面が、ダイまたはノックアウトの上面に摺接して、その底面に擦疵が生じやすい問題などの解決を図る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory which prevents an occurrence of an abnormal oxidation due to an exposure of a metal layer in the upper part of a gate when an insulating film spacer is removed, and can enhance the reliability of the process.例文帳に追加

絶縁膜スペーサの除去の際にゲート上部の金属層が露出して異常酸化が発生することを防止して工程の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a continuous molding material in which a thermoplastic resin is highly infiltrated into among reinforcing fibers, the cross section is substantially parallelogramatic in shape, and the upper and lower surfaces are substantially flat and to provide a process for producing the same.例文帳に追加

強化繊維間に熱可塑性樹脂が高度に含浸され、且つ断面形状が実質的に平行四辺形であり、且つ上下の表面が実質的に平面である連続成形材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

With this constitution, an offset region and an LDD region can be easily formed by utilizing double gate film process that utilizes the upper gate film, which serves as an auxiliary film, and an undercut shape that is the characteristic of isotropic etching.例文帳に追加

かかる構成により，オフセット領域やＬＤＤ領域を，補助膜的に機能する上部ゲート膜を利用した二重ゲート膜工程と等方性エッチングの特質であるアンダーカットの形状を利用して簡便に形成できる。 - 特許庁

In the faltering process, the surface of high permittivity oxide film is dry-etched to reduce the unevenness on the interface between the upper electrode 104 and high permittivity oxide film 103, suppressing concentration of electric field due to the recessed parts of the interface.例文帳に追加

平坦化処理は、高誘電率酸化膜の表面をドライエッチングし、上部電極１０４と、高誘電率酸化膜１０３との界面の凹凸を軽減し、界面の凹部による電界集中を抑制する処理である。 - 特許庁

To provide a composition for a thermosetting silicon-containing film allowing formation of a silicon-containing film which can be used as a good dry etching mask and having good etching selectivity especially with a photoresist on an upper layer in a multilayer resist process.例文帳に追加

多層レジスト法において、良好なドライエッチングマスクとして使用できるケイ素含有膜を形成でき、特に上層のフォトレジストとのエッチング選択性が良好な熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物の提供。 - 特許庁

In a punching process, the inlets of the balloon with a prescribed size are continuously punched on an unvulcanized tube at a certain interval in a noncontact manner by a laser-punching part 506 installed on the upper part of a T-shaped die 504 of a primary extruder 502.例文帳に追加

穿孔過程では１次圧出機５０２のＴ状ダイ５０４の上部に設けられたレーザー穿孔部５０６により未加硫チューブに所定寸法のバルーン注入口を、非接触式で所定の間隔をおいて連続的に穿孔する。 - 特許庁

The immunity measurement method using a reaction vessel, and a solid phase in which an antibody or an antigen is immobilized, includes a process for performing an antigen/antibody reaction under conditions, where the lower and upper portions of the reaction vessel are heated and cooled, respectively.例文帳に追加

反応容器及び抗体又は抗原を固定化した固相を用いた免疫測定方法であって、反応容器の下部を加熱し上部を冷却する条件下で抗原抗体反応を行う工程を含むようにした。 - 特許庁

The alignment mark 40 is opened on a inter-layer insulation film in a single etching process of opening the via hole for forming a metal contact for connecting lower layer wiring to upper layer wiring.例文帳に追加

本アライメントマーク４０は、下層配線に上層配線を接続するメタルコンタクトを形成するビアホールを層間絶縁膜に開口する際に、ビアホールを開口する同じエッチング工程で層間絶縁膜に開口するアライメントマークである。 - 特許庁

To provide a plasma etching method wherein a side wall spacer shoulder part formed around a gate during a manufacturing process of a semiconductor device having an LDD structure is so removed as the upper part of gate is exposed with high dimension control precision.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有する半導体装置の製造工程中にゲート周囲に形成する側壁スペーサ肩部を、高い寸法制御精度でゲート上部が露出するように除去するプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Because the adhesion transition layer exists between the upper low-k dielectric layer and the diffusion barrier cap dielectric layer, the possibility that the layers in the interconnection structure are separated in a packaging process is reduced.例文帳に追加

上部低誘電率（low-k)誘電体層と拡散障壁キャップ誘電体層との間に接着遷移層が存在するから、パッケージング工程の間に相互接続構造体が離層する機会を低減させることが可能になる。 - 特許庁