「upper process」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The production process of a semiconductor device has the steps of generating a matrix for associating capacitance changes of a variable capacitance element with high frequency power changes of reflected waves, setting a specific value from this matrix as an initial capacitance of the variable capacitance element, and measuring the above power of reflected waves and comparing it against a predetermined upper limit.例文帳に追加

可変容量素子の容量変化と高周波電力の反射波の電力変化とを対応させたマトリックスを生成し、このマトリックスから特定の値を可変容量素子の初期容量として設定し、上記反射波の電力を計測して所定の上限値と比較する工程を備える。 - 特許庁

To provide an optical fiber drawing apparatus having a means capable of effectively sealing a clearance formed between a preform supply port at the upper portion of a heating furnace and a preform even when an outer diameter of the preform supplied to the inside of the heating furnace is changed in a process for drawing an optical fiber and to provide a method of sealing a drawing furnace.例文帳に追加

光ファイバの線引き工程において、加熱炉内に供給されるプリフォームの外径が変化した場合でも、炉上部のプリフォーム供給口とプリフォームとの間に生じる間隙を効果的にシールする手段を有する光ファイバ線引き装置及び線引き炉のシール方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure capable of an adjusting tilt of objective lenses around a principal center, and to enable tilt of objective lenses to be easily adjusted by the tilt adjusting and holding mechanism of the objective lenses without changing an assembly process of the objective lenses regardless of whether a position of a principal point center of each objective lens is upper or lower than the inferior surface of an edge of the objective lenses.例文帳に追加

対物レンズが主点中心に傾き調整できる構造とし、対物レンズの主点中心の位置が対物レンズのコバ下面の上方または下方であれ、対物レンズの傾き調整保持機構で組立工程を替えることなく容易に対物レンズの傾き調整ができること。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation film of a semiconductor element in which, since a smiling atmosphere is precluded from occurring at the edge of a tunnel oxide film formed in a semiconductor substrate and the upper corner of a trench can be formed round, the reliability of the process and electric characters of the element can be enhanced.例文帳に追加

半導体基板に形成されたトンネル酸化膜の縁部にスマイリング現象が生じることを防止するとともにトレンチの上部コーナーを丸く形成することができるため、その結工程の信頼性及び素子の電気的な特性を向上させることが可能な半導体素子の素子分離膜の形成方法。 - 特許庁

When the collet 54 comes close to an upper surface of the semiconductor chip 10 in the pickup process, electrostatic discharge is generated between the collet 54 and the grounding line 30 via an opening part 38, and neutralization charge flowing to the grounding line 30 immediately reaches the semiconductor substrate 14, thus bringing the semiconductor substrate 14 into electrostatic balance with a mount film 50.例文帳に追加

ピックアップ工程で半導体チップ10の上面にコレット54が接近すると、開口部38を介してコレット54と接地線30の間で静電気放電が生じ、接地線30に流入した中和電荷が直ちに半導体基板14に達することで、半導体基板14がマウントフィルム50と静電的に釣り合う状態となる。 - 特許庁

To make it easy to form a layered structure of an organic electronic material layer by a wet process, without causing dissolution of a lower layer by a solvent of liquid for forming an upper layer, whether an organic electronic material is made of a low molecular system organic substance or a polymer system organic substance.例文帳に追加

有機電子材料が低分子系有機物及び高分子系有機物のいずれであっても、上層を形成するための液の溶媒による下層の溶解を引き起こすことなく湿式法により有機電子材料層の積層構造を形成することが容易な電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solar cell element sealing material, together with an improved manufacturing process for a solar cell module which uses it, providing good adhesion with respect to an upper-part transparent protective material, lower-part substrate protective material, and solar cell element of a solar cell module with no use of peroxide, while transparency and heat-resistance are superior.例文帳に追加

過酸化物を使用しなくても太陽電池モジュールの上部透明保護材、下部基板保護材及び太陽電池素子に対して優れた接着性を示し、かつ、透明性、耐熱性に優れた太陽電池素子封止材料を提供すること、及びそれによる太陽電池モジュール製造工程の改善。 - 特許庁

After a first HTO film 2a is formed on the upper surface of a silicon substrate 1 by a thermal CVD method, a silicon-rich HTO film 2b having a deep trap level is formed by the thermal CVD method under the condition of decelerating the flow rate of an N_2O of process gas for forming this first HTO film 2a.例文帳に追加

シリコン基板１の上面に、熱ＣＶＤ法によって第一のＨＴＯ膜２ａを成膜した後、この第一のＨＴＯ膜２ａを成膜するプロセスガスのうちＮ２ Ｏの流量を削減した条件で熱ＣＶＤ法によって、深いトラップ準位を有するシリコンリッチＨＴＯ膜２ｂを成膜する。 - 特許庁

When sealing a plurality of semiconductor chips mounted on an upper surface of a matrix substrate 1B with a resin 14, the resin 14 is divided into a plurality of blocks by using a metal mold including a plurality of cavities, whereby a warp of the matrix substrate 1B due to shrinkage or the like of the resin 14 after a mold process is suppressed.例文帳に追加

マトリクス基板１Ｂの上面に搭載した複数の半導体チップを樹脂１４で封止する際、複数のキャビティを備えた金型を使用して樹脂１４を複数のブロックに分割することにより、モールド工程後の樹脂１４の収縮などによるマトリクス基板１Ｂの反りを抑制する。 - 特許庁

When the electric conductive pattern is printed on the insulating layer in the half hardened state, the affinity becomes still better, and when the half hardened insulating layer and the electric conductive pattern printed on its upper portion are simultaneously heat treated, since the electric conductive pattern is baked in a process in which the half hardened insulating layer is full hardened, the adhesion is improved.例文帳に追加

半硬化状態の絶縁層に導電パターンが印刷されると親熟性がさらに良くなり、また、半硬化絶縁層とその上部に印刷された導電パターンを同時に熱処理すると、半硬化絶縁層が完全硬化される過程で導電パターンは焼成されるため密着性が改善される。 - 特許庁

When the operation to reduce the speed of the set vehicle speed is performed during a lost acceleration or a resume acceleration (steps S4 to S8), αlimO which is set as the upper limit value for the acceleration of a target acceleration/deceleration speed α* in a following running control process is changed to αlimL which is smaller than αlimO (a step S10).例文帳に追加

ロスト加速中又はリジューム加速中に設定車速を減速する操作が行われたときには（ステップＳ４〜Ｓ８））、追従走行制御処理における目標加減速度α^＊ の加速度の上限値として設定されているαｌｉｍ０を、これよりも小さなαｌｉｍＬに変更する（ステップＳ１０）。 - 特許庁

A memory 100 with a wafer process package (WPP) technique applied thereto includes an interlayer film 9 formed to cover wiring M4 formed on an upper portion of a plurality of memory cells, an interlayer film 10 formed on the interlayer film 9, and a protective film 12 formed to cover the interlayer film 10.例文帳に追加

ウエハプロセスパッケージ（ＷＰＰ）技術が適用されたメモリであって、複数のメモリセルの上部に形成された配線Ｍ４を覆うように形成された層間膜９と、層間膜９上に形成された層間膜１０と、層間膜１０を覆うように形成された保護膜１２とを有してメモリ１００が構成される。 - 特許庁

In an ion implantation process, ion implantation is performed from an orientation where ions passing the upper end of the resist pattern enter the side of the resist pattern from the active region while the tilt angle from the normal direction of the substrate is larger than θ_0, and no ion implantation is performed from an orientation where the ions enter the active region.例文帳に追加

イオン注入工程において、基板法線方向からのチルト角がθ_０よりも大きく、かつレジストパターンの上端を通過したイオンが、活性領域よりもレジストパターン側に入射する方位からイオン注入を行い、かつ活性領域内に入射する方位からはイオン注入を行わない。 - 特許庁

For the manufacturing method of the cell, placing and sealing electricity generating elements 1 between laminated aluminum laminate sheet 2 of lower side and an aluminum laminate sheet of upper side 4, a process of forming concave parts 2a, on which an electricity generating element is placed on the long aluminum laminate sheet 2 of lower side at prescribed intervals, is provided.例文帳に追加

下側のアルミラミネートシート２と上側のアルミラミネートシート４とを重ね合わせた間に発電要素１を配置して密封する電池の製造方法において、長尺な下側のアルミラミネートシート２上に所定間隔ごとに、発電要素１を載置するための凹部２ａを形成する工程を備える構成とする。 - 特許庁

At the time of carrying out a reaction layer formation process by thermally press-fitting the both of them, the Au thin film 20 on the upper face of the In film 14 is crushed by the hard Ti film 18, a metallic compound is formed of the Au film 12 and the In film 14, and a reaction layer containing the fraction of the Ti film 18 is formed.例文帳に追加

両者を熱圧着することで反応層形成工程を実施すると、硬いＴｉ膜１８によりＩｎ膜１４の上面のＡｕ薄膜２０が破砕され、Ａｕ膜１２とＩｎ膜１４とが金属化合物を形成し、Ｔｉ膜１８の断片を含んだ反応層を形成する。 - 特許庁

The apparatus is for molding an optical element by conveying a set of molds 15, where an optical element material is placed between the upper mold and the lower mold, in sequence to each process stage, i. e. heating, press-molding, and cooling, where a thermocouple 26 is embedded in the plate 1 of the heating stage around the lower surface of the lower mold of the set of molds.例文帳に追加

上金型と下金型の間に光学素子素材が置かれた金型組１５を、加熱、加圧成形および、冷却の各プロセスステージへ順次搬送し光学素子を成形する成形装置であって、加熱ステージのプレート１には、金型組の下金型の下面近傍に熱電対２６が埋設されている。 - 特許庁

The working process of the ladle lining monolithic refractory is executed by fitting the vibrating plate 6 for giving the vibration and pouring the monolithic refractory 2 through the vibrating plate 6 when the monolithic refractory 2 is processed at the upper part of the core 3 used for working the lining monolithic refractory 2 formed in the ladle 1.例文帳に追加

本発明による取鍋内張り不定形耐火材施工方法は、取鍋(1)に形成する内張り不定形耐火材(2)の施工に使用する中子(3)の上部に、不定形耐火材(2)を施工する際に振動を与えるための振動板(6)を取り付けて不定形耐火材(2)を前記振動板(5)を介して流し込む方法である。 - 特許庁

In the process of field assembly of the cell of the rotor for the rotary solvent extirpation equipment having upper support beams (12) and lower support beams (14) parallel to the rotor shaft, which are held by 4 upper and lower beams, comprising in combination; First placing the part with the side walls (20) with inside and outside positioning elements (42, 44) on the upper and lower support beams by means of the upper and lower positioning elements (40). Next, by using the positioning elements on the said sidewalls, place the inside wall parts. Further, place the out side part (22), by using the outside positioning elements as a guide, on said sidewalls. 例文帳に追加

ロータ軸に複数本の半径方向に延出している上部支持ビーム(12)と下部支持ビーム(14)を有し、隣接する上下４本のビーム間にロータのセルが形成されている回転溶剤抽出装置のロータのセルアセンブリ(16)の現場組立法において、(ａ)まず、内側及び外側位置決め要素(42、44)を備える側壁部材(20)を、その上部及び下部位置決め要素(40)に合わせて上部支持ビーム及び下部支持ビームにそれぞれ位置決めし、取り付けること、(ｂ)次いで、内壁部材(18)を前記側壁部材の内側位置決め要素に合わせて、側壁部材間に取り付けること、(ｃ)更に外壁部材(22)を前記側壁部材の外側位置決め要素に合わせて側壁部材間に取り付けること、からなる回転溶剤抽出装置のロータのセル・アセンブリの現場組立法。 - 特許庁

The method of coupling metallic wires applied to an MEMS packaging process for joining the upper part of a silicon substrate 22 equipped with an MEMS element 23 and a glass wafer 24 formed with a hole 26 for coupling the metallic wires includes a step of depositing a metallic film 27 in the hole and a step of ion-milling the deposited film 27.例文帳に追加

ＭＥＭＳ素子２３が設けられたシリコン基板２２の上部と、金属配線連結のための穴２６が形成されているガラスウェハ２４とを接合するＭＥＭＳパッケージング工程に適用される金属配線を連結する方法であって、穴に金属薄膜２７を蒸着する段階及び蒸着された金属薄膜２７をイオンミーリングする段階を含む。 - 特許庁

The metallic hard polymer produced while the upper electrode is formed within an optimum temperature range of the mixed gas containing the oxygen and fluorocarbon gas is removed while characteristics of respective thin films constituting the MIM capacitor are taken into consideration to prevent the lifting phenomenon of the thin films constituting the MIM capacitor, thereby improving the yield of an MIM capacitor manufacturing process.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシターを構成する各薄膜の特性を考慮して酸素及びフッ化炭素系ガスを含む混合ガスで最適の温度範囲で上部電極を形成する間に発生された金属性ハードポリマーを除去してＭＩＭキャパシターを構成する薄膜のリフティング現象を防止し、ＭＩＭキャパシター製造工程の収率を向上させることができる。 - 特許庁

The optical element 10 has the structure obtained by successively laminating the ruthenium lower electrode 14 which is formed by a pulse laser deposition process, a thin lithium niobate film 16 which is the electro-optic effect material heteroepitaxially grown thereon and an upper electrode 20 which consists of a metallic material on the hexagonal sapphire substrate 12 having a composition of Al_2O_3.例文帳に追加

光学素子１０は、Ａｌ_２Ｏ_３の組成を有する六方晶のサファイア基板１２上に、パルスレーザデポジション法によって形成したルテニウム下部電極１４，その上にヘテロエピタキシャル形成した電気光学効果物質であるニオブ酸リチウム薄膜１６，金属材料による上部電極２０，を順に積層した構造をとっている。 - 特許庁

To provide a capacitor which is equipped with a dielectric film having a hafnium oxide and an aluminum oxide, can obtain a characteristic of a high dielectric breakdown voltage in a high voltage applied area, and can prevent a leakage current from increasing caused by the following heat treatment process after forming an upper electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化ハフニウム及び酸化アルミニウムを有する誘電膜を備えたキャパシタにおいて、高電圧印加領域で高い絶縁破壊電圧特性を得ることができ、上部電極の形成後に行われる後続する熱処理工程によりリーク電流が増加するのを防ぐことができるキャパシタ、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the vehicle assembly line assembling parts in order on a vehicle body after a painting process to complete the vehicle through a inspection, a parallel assembly line assembling parts on the vehicle body from a vehicle body bottom part and assembling parts on the vehicle body from a vehicle body upper part in parallel is included.例文帳に追加

本発明は塗装工程を終えた車体に、部品を順次車体に組付け、検査を経て完成車にする車両の組立ラインにおいて、車体底部から前記車体への部品の組付けと車体上部から前記車体への部品の組付けとを並行して行う並行組付ラインを有することを特徴とする車両の組立ラインを提供する。 - 特許庁

This vacuum-assembly device for liquid crystal display element is composed of the vacuum chamber in which the assembly process of substrates is performed, upper part stage and lower part stage which are disposed opposite with each other in the vacuum chamber, suck the respective substrates conveyed thereinto by a conveyor and assemble the respective substrates and a temperature compensating means which compensates the loss of temperature in the vacuum chamber.例文帳に追加

基板の貼り合わせ工程が行われる真空チャンバー、前記真空チャンバー内に各々対向して備えられ、搬送装置により搬入された各基板を吸着して、各基板間の貼り合わせを行う上部ステージ及び下部ステージ、前記真空チャンバー内の温度の損失を補償する温度補償手段で構成されることを特徴とする。 - 特許庁

The rotating direction of the work 24 is changed oppositely at least one time after a half or more of a predetermined grinding width is ground in the grinding process, thereby allowing the grinding so that the upper and lower surfaces of the work 24 have a substantially uniform machining distortion layer and preventing the occurrence of the camber of swell of the work 24.例文帳に追加

また、研削加工において、所定の研削代の半分以上を研削した後に、ワーク２４の回転方向を少なくとも１回、反対方向に変化させることにより、ワーク２４の上面と下面においてほぼ均一な加工歪層を有する様に研削加工をすることができ、ワーク２４の反りやうねりの発生を防止することができる。 - 特許庁

Accordingly, the CPU 23 decides the electrode position of the on end (left end), forms an inspecting window from the imaged reflected image to obtain the position of the right end electrode of an oblong electrode 15A of the upper side of the component 15, repeating as described, and finishing the rough recognition process when the end electrode position of the group 1 is decided.例文帳に追加

従って、ＣＰＵ２３は一方の端部（左端）の電極位置を決定し、電子部品１５の上辺の縦長電極１５Ａの右端電極の位置を求めるために、撮像された反射像から検査ウインドウを切り出し、以下前述したように繰り返してグループ１の端電極位置が決定したら粗認識処理を終了する。 - 特許庁

Then, an inlet valve 41 is once 100% opened in the early stage of the drying process, when a water level signal which indicates an internal pressure of the outer tub 20 beforehand established from a permitted noise level exceeds the predetermined threshold, the opening of the inlet valve 41 is reduced until it becomes equal to or below the threshold and the inlet valve opening is established as an upper limit opening.例文帳に追加

その際、乾燥工程の初期に吸気弁４１の開度を一度１００％として、許容する騒音レベルから予め設定された外槽２０の内圧を示す水位信号が所定の閾値を超える場合は、その閾値以下になるまで吸気弁４１の開度を減じて、その吸気弁開度を上限開度として設定する。 - 特許庁

The method includes: forming a plurality of protectors 10 protruding from a periphery of an objective lens 2 by hardening the liquid having a hardening property while being stayed by its viscosity on an upper face of a lens holder 1; and regulating the height of the protector 10 by pushing the protector 10 in process of formation to a regulating plate 11 when the liquid is half hardened.例文帳に追加

レンズホルダー１の上面に硬化性を有する液剤を粘度により停留させた状態で硬化させて対物レンズ２の周囲に突出する複数のプロテクタ１０を形成すると共に、前記液剤が半硬化状態になった形成途中のプロテクタ１０を規制板１１に押し当てることにより前記プロテクタ１０の高さを規制する。 - 特許庁

At a step of separating the dry film resists in the process of manufacturing a buildup wiring substrate according to a semi-additive method, an electromagnetic induction coil for enclosing a transfer portion of a buildup wiring substrate 51 is formed to ensure that an insulating-coated conductor 61 for flowing high-frequency current reciprocates for many times between cores of an upper transfer roll 71 and a lower transfer roll 72.例文帳に追加

ビルドアップ配線基板のセミアディティブ工法による製造工程における、ドライフィルムレジストを剥離する工程において、高周波電流を流すための絶縁被覆された導体６１が、上搬送ロール７１と下搬送ロール７２の芯を何度も往復するようにビルドアップ配線基板５１の搬送部を囲う電磁誘導コイルを形成する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which has high radiation sensitivity and sufficiently high resolution, excels in adhesion to a substrate, a base or an upper layer, suppresses generation of a sublimate during baking in a film forming process, ensures a large development margin, and can be suitably used for forming an interlayer insulation film or microlenses.例文帳に追加

高い感放射線感度を有し、解像度が十分に高く、基板もしくは下地または上層との密着性に優れ、膜形成工程の焼成時における昇華物の発生が抑制され、且つ現像マージンが大きく、層間絶縁膜またはマイクロレンズの形成に好適に使用できる感放射線樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a discharge feeder smoothly logging a material in an upper storage chamber, surely transporting it to a next process, and sequentially feeding a prescribed small quantity of powder and grain body, by a simple constitution, even if it is the industrial waste of an unfixed shape curled into a string or a ribbon, or formed into a mass.例文帳に追加

簡易な構成により、不定形で、紐状やリボン状にカールしていたり、塊になっている産業廃棄物等であっても、上部収容室内の物体を円滑に切り出し、確実に次工程まで輸送することができ、少量の粉粒体を連続的に少量だけ定量供給することも可能なディスチャージフィーダを提供する。 - 特許庁

The method for producing a cake with patterns comprises the following process: preparing media for projecting the patterns desired to be displayed on the cake; projecting the patterns on the surface of the cake via an optical means 30 using the prepared media; and drawing the patterns at the upper surface 33a of the cake 33 with edible material using an extruder according to the projected patterns 34.例文帳に追加

ケーキ上に表示することを希望する絵柄を投影するための媒介物を作成し、作成された媒介物を用いて光学的手段３０によりケーキ表面に前記絵柄を投影し、投影された絵柄３４に従って可食性材料を抽出用器具３８によりケーキ３３の上面３３ａに絵柄を描写する。 - 特許庁

In the construction method of the building equipped with the peripheral enclosing concrete wall, the peripheral enclosing concrete wall has a uniform cross section over the height thereof and is constructed by a plurality of concrete casting processes, and the peripheral enclosing part (1) of the concrete wall is successively made to cast concrete on the upper part of the finished part of the concrete wall by every process.例文帳に追加

周辺閉鎖コンクリ−ト壁を備える構築物を建設する方法では、周辺閉鎖コンクリ−ト壁がその高さにわたり一様な横断面を有し且つ複数のコンクリ−ト打ち行程で建造され、それぞれの行程でコンクリ−ト壁の周辺閉鎖部分（１）がコンクリ−ト壁の既に仕上げられた部分の上端に引き続いてコンクリ−ト打ちされる。 - 特許庁

This method comprises the steps of forming a plurality of conductive members (54) separated by gaps (60), forming a first dielectric layer (58) in an upper part of the plurality of conductive members thus separated by a spin-on process, thereby forming at least one air region (60) by bridging at least one gap by the first dielectric layer.例文帳に追加

この方法は、間隙（６０）によって分離された複数の導電部材（５４）を形成する工程と、分離された複数の導電部材の上方に第１誘電層（５８）をスピンオンプロセスにより形成し、同第１誘電層によって少なくとも１つの間隙を架橋して少なくとも１つのエア領域（６０）を形成する工程とを備える。 - 特許庁

In a lamination process for mixing a natural fiber with a thermoplastic resin and laminating the mixture to give a laminate, a mixed material including a natural fiber, a high-flow thermoplastic resin fiber and a low-flow thermoplastic resin fiber is scattered, the high-flow thermoplastic resin fiber is laminated on the lower side and the low-flow thermoplastic resin fiber on the upper side.例文帳に追加

そして、天然繊維と熱可塑性樹脂とを混合して積層し積層体を得る積層工程において、天然繊維と高流動熱可塑性樹脂繊維と低流動熱可塑性樹脂繊維とを含む混合材料を飛散させて、高流動熱可塑性樹脂繊維を下側に低流動熱可塑性樹脂繊維を上側に積層する。 - 特許庁

Through the heating pressurization process using a pair of heating pressurization plates 35 and 36, an insulating layer 14 is formed on a base plate 1 area around the semiconductor structure 2 attached on the base plate 1, and an upper insulating layer 15 is formed on the semiconductor structure 2 and the insulating layer 14, then a lower insulating layer 22 is formed under the base plate 1.例文帳に追加

そして、一対の加熱加圧板３５、３６を用いた加熱加圧処理により、ベース板１上に配置された半導体構成体２の周囲におけるベース板１上に絶縁層１４を形成し、半導体構成体２および絶縁層１４上に上層絶縁膜１５を形成し、ベース板１下に下層絶縁膜２２を形成する。 - 特許庁

The method, which is integrated with a Bi CMOS process and which forms the polysilicon-to-polysilicon capacitor, comprises a step in which the lower-part plate electrode of the capacitor is formed, while the gate electrode of a CMOS transistor is stuck and a step in which an upper-part SiGe plate electrode is formed, while the SiGe base region of a heterojunction bipolar transistor is grown.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳプロセスと一体化されたポリシリコン−ポリシリコン間キャパシタを形成する方法が、ＣＭＯＳトランジスタのゲート電極の付着の間に、ポリシリコン−ポリシリコン間キャパシタの下部プレート電極を形成するステップと、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのＳｉＧｅベース領域の成長の間に、上部ＳｉＧｅプレート電極を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The technology for the semiconductor element manufacturing method includes a process of forming the epitaxial layer on the upper portion of the element separating structure of the recess gate area, designing the semiconductor element of the SOI tunnel structure, thereby, reducing the ion implantation concentration in the channel area and improving characteristics of refresh of the element, tWR and LTRAS.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にリセスゲート領域の素子分離構造上部にエピタキシャル層を形成し、ＳＯＩチャンネル構造の半導体素子を設計することによりチャンネル領域にイオン注入濃度を低減させ、素子のリフレッシュ、ｔＷＲ及びＬＴＲＡＳ特性を改良することができる技術である。 - 特許庁

In a manufacturing process of this light emitting device, counter electrodes 112 are formed on upper layers of the organic function layer 113 and barrier ribs 105 by using an aluminum film formed by a deposition method, and thereafter compound layers 112x formed out of an aluminum oxide film are formed on the counter electrodes 112 by irradiating the counter electrodes 112 with oxygen plasma.例文帳に追加

発光装置の製造工程において、有機機能層１１３および隔壁１０５の上層に、蒸着法により成膜したアルミニウム膜を用いて対向電極１１２を形成した後、対向電極１１２に酸素プラズマを照射して対向電極１１２の表面にアルミニウム酸化膜からなる化合物層１１２ｘを形成する。 - 特許庁

This manufacturing method bakes, in a baking process, a sheet laminated body 140 manufactured by laminating sheet bodies 120 consisting of ceramic green sheets 103 with through grooves formed thereon, and sheet bodies 110 provided with internal electrodes 12-15 by straddling over the upper surfaces and sidewalls of the through grooves of the ceramic green sheets 103 with the through grooves formed thereon.例文帳に追加

貫通溝が形成されたセラミックグリーンシート１０３からなるシート体１２０と、貫通溝が形成されたセラミックグリーンシート１０３において上面上と貫通溝の側壁上とに跨って内部電極１２〜１５が設けられたシート体１１０とが積層されて製造されたシート積層体１４０を焼成工程において焼成する。 - 特許庁

Before forming a second layer insulation film on the upper side of a tungsten wiring, the thermal budget at a maximum temperature C of 600°C or more to be loaded in process steps after forming the tungsten wiring film is applied beforehand, to avoid forming an unstable atomic configuration in the tungsten wiring, thereby relaxing the stress of the tungsten wiring and compacting it.例文帳に追加

タングステン配線上部に第二の層間絶縁膜が成膜される前に、該タングステン配線成膜後の工程で負荷される最高温度Ｃ、すなわち６００℃以上の熱履歴をあらかじめ施すことで、タングステン配線の内部に不安定な原子配列が形成されるのを防止し、タングステン配線の応力緩和と緻密化を図る。 - 特許庁

The process for producing the molding material 30 comprises means for adhering a thermoplastic resin 15 to a sheet of unidirectionally oriented reinforcing fibers; means for integrating the sheet to which the resin 15 has been adhered by thermal melting; and means for making the cross section substantially parallelogramatic in shape and for making the upper and lower surfaces substantially flat.例文帳に追加

成形材料３０を製造する方法は、一方向に配向した強化繊維シートに熱可塑性樹脂１５を付着させる手段と、熱可塑性樹脂１５が付着した強化繊維シートを加熱溶融し一体化する手段と、断面が実質的に平行四辺形であり且つ上下の表面が実質的に平面とする手段とを講じる。 - 特許庁

An arm part 594 engages with the upper surface of an engagement part 454 of a lever drive member 442 in process of lowering the single nozzle head 300 in sucking an electronic circuit component 92 to be turned, the nozzle holder 512 is turned to a second position, and the suction nozzle 528 is set orthogonal to the electronic component 92 in the tilted chute 66.例文帳に追加

電子回路部品９２の吸着時にシングルノズルヘッド３００を下降させる途中で腕部５９４がレバー駆動部材４４２の係合部４５４の上面に係合し、回動させられ、ノズル保持体５１２が第２位置へ回動させられて吸着ノズル５２８が傾斜したシュート６６内の電子回路部品９２に直角となる。 - 特許庁

A process tank 10 in which the dampening water divided by the branch pipe 15 is allowed to stand, a concentration tank 11 which receives liquid of an upper layer from the tank 10, separates suspending ink, and returns the residual liquid to the tank 10, and a filter device 7 which filters the liquid in the tank 10 and introduces the liquid into the tank 8 are provided.例文帳に追加

分岐管１５で分岐された湿し水を静置するプロセスタンク１０と、同プロセスタンク１０内から上層の液を受入れて浮遊したインキを分離し残留液を前記プロセスタンク１０へ戻す濃縮タンク１１と、前記プロセスタンク１１の液を濾過して湿し水冷却循環タンク８へ流入させる濾過装置７を有している。 - 特許庁

These projections are located between a lower die 44 to form a cavity mating with a crest shape of the tip of the tooth part and a ring member 46 to form a cavity corresponding to the shape of the taper on the tooth part, and using an upper die, the projections are intruded to between the lower die 44 and ring member 46 to undergo a shaping process.例文帳に追加

次いで、該突起部３４を歯部１６の歯先部１８の山形形状に対応するキャビテイ部位４８を形成する下型４４と、歯部１６のテーパ面４０の形状に対応するキャビテイ部位４８を形成するリング部材４６との間にそれぞれ位置決めし、上型６０により突起部３４を下型４４およびリング部材４６に押し込み成形する。 - 特許庁