「upper process」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

Two-stage self-aligned contact etching process of different conditions for etching processes is performed, and a contact hole bottom is etched completely, by making the loss of the upper section of the insulating membrane spacer minimized.例文帳に追加

本発明は食刻工程の条件が異なる２つの段階の自己整合的なコンタクト食刻工程を行ない、絶縁膜スペーサ上部の損失を最少化させてコンタクトホール底部を完全に食刻した。 - 特許庁

In the process of calculating the advance correction value, calculation of the advance correction value is started when time elapsed after the engine speed has fallen within a range between a lower limit threshold and an upper limit threshold reaches a prescribed time threshold value.例文帳に追加

進角補正値を算出する工程では、エンジン速度が下限閾値と上限閾値との間の範囲となってから経過した時間が所定の時間閾値に達したとき前記進角補正値の算出を開始する。 - 特許庁

To solve the problem that a process to form a thin film is unnecessarily required in a laminated photoelectric conversion device for forming a metallic thin film or a silicide film between an upper unit cell and a lower unit cell, thereby causing deterioration in the productivity of the photoelectric conversion device.例文帳に追加

積層型の光電変換装置において、上層ユニットセルと下層ユニットセルの間に金属薄膜若しくはシリサイド膜等を形成するためには、その薄膜を形成する工程が余計に必要になる。 - 特許庁

Further, the manufacturing process of the element substrate comprises: a step of forming the pixel electrode as the lower electrode; a step of forming an FFS insulation film; and a subsequent step (S26) of forming second CHs on parts corresponding to the electrode wiring lines which correspond to the upper electrode.例文帳に追加

そして下部電極である画素電極が形成され、ＦＦＳ絶縁膜が形成された後、上部電極に対応する電極配線に対応する箇所に第２ＣＨが形成される（Ｓ２６）。 - 特許庁

After a resist layer thicker than a step is formed on an upper surface of the substrate based on the layers 14a, 16a, this resist layer is thinned by a sheet type ashing or etching process, so that resist layers 20A, 20B are left behind.例文帳に追加

基板上面に層１４ａ，１６ａに基づく段差より厚くレジスト層を形成した後、このレジスト層を枚葉式のアッシングまたはエッチング処理により薄くしてレジスト層２０Ａ，２０Ｂを残存させる。 - 特許庁

In a first process, a mother laminate 112 on which a plurality of laminates 12 are disposed in a matrix shape, and cut marks 20 are provided on the upper surface of the mother laminate 112 is manufactured.例文帳に追加

第１の工程において、複数の積層体１２がマトリクス状に配列されてなるマザー積層体１１２であって、上面上においてカットマーク２０が設けられているマザー積層体１１２を作製する。 - 特許庁

In a preparation process, an electrode 14 and an insulating film 16 are formed on a substrate 10, and the insulating film 16 on the upper part of the electrode 14 where a bump is to be formed is cut so as to expose the electrode 14 from an aperture (Fig.1(A)).例文帳に追加

準備工程で基材１０の上に電極１４と絶縁膜１６を形成し、バンプを形成する電極１４上部の絶縁膜１６を切り取り、開口部から電極１４を露出させる（図１（Ａ））。 - 特許庁

Since the height of the SiO_2 protruding part 14 agrees with the total thickness of the dielectric film 18 and the upper electrode film 20, the lower electrode film 16 is exposed from the SiO_2 protruding part 14 by a CMP process.例文帳に追加

ＳｉＯ_２凸部１４の高さが、誘電体膜１８及び上部電極膜２０の合計の厚さと一致しているため、ＣＭＰプロセスにより、ＳｉＯ_２凸部１４上に下部電極膜１６が露出するようになる。 - 特許庁

Here, the time when the network is congested is, for example, the time when the amount of data sent from the subscriber router 403 possibly exceeds the upper-limit value of the amount of data that the subscriber accommodating router 401 can process.例文帳に追加

ここでいうネットワークが混み合ったときとは、例えば、加入者ルータ４０３から送られるデータのデータ量が、加入者収容ルータ４０１の処理できるデータ量の上限値を超えるおそれが生じたときである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a damascene gate or a replaced gate, wherein the uneven gate pattern density is small, and in a CMP process of exposing the upper surface of a dummy gate, dishing does not occur.例文帳に追加

ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲートパターン密度の偏りを小さくし、ダミーゲートの上面を露出させるＣＭＰ工程において、ディッシングが発生しないようにする。 - 特許庁

In a process of successively upwardly superposing a plurality of unit rails 12 for constituting the guide rail 8, the upper stage unit rail 12 is suspended to a crane 17 via a load gauge 25 or a spring member 26.例文帳に追加

ガイドレール８を構成する複数の単位レール１２を上方に順次重ねていく過程において、上段の単位レール１２をクレーン１７に対して、荷重計２５又はバネ部材２６を介して吊下げている。 - 特許庁

A removing process step of removing the lower clad layer and the upper clad layer to the form of belts 50 and 51 from the top of the substrate 1 along a position cut in the fourth step during the third step and the fourth step.例文帳に追加

第３の工程と第４の工程との間に、第４の工程で切断される位置に沿って、下部クラッド層および上部クラッド層を基板１上から帯５０，５１状に除去する除去工程を行う。 - 特許庁

To provide a thin film processing method and a manufacturing method for a thin film magnetic head by which a target and an address under a non-transparent film can be referred to even when the non-transparent film is formed at an upper layer in a thin film wafer process.例文帳に追加

薄膜ウエハ工程において上層に不透明膜を形成した場合にもその下のターゲット及びアドレスを参照可能となる薄膜処理方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

A projecting part projecting upward/downward is formed by the bulging process at lease at one end of a pipe by inserting a pipe material into a die for molding and applying the hydraulic pressure to the die, and a through hole is bored on the upper and lower faces of the projecting part.例文帳に追加

パイプ素材を成形用金型内に入れ、油圧をかけることにより少なくともパイプの一端部に上下に突出する突部を形成するバルジ加工を行い、該突部の上下面に貫通孔を穿設する。 - 特許庁

An adhesive solution is applied to the upper surface of a mold release film 1 comprising a polyethylene terephthalate film using a roll-to-roll process and the coated film is passed through a drying oven 500 set to 60-150°C to form an adhesive layer 2.例文帳に追加

ロールトゥロール工程を用いてポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型フィルム１上に接着剤溶液を塗布し、６０℃〜１５０℃に設定された乾燥炉５００を通過させ、接着剤層２を形成する。 - 特許庁

In the following process, the steel beams 2 of the upper floor are placed in the beam placing recessed parts 15 of the constructed column form 10, and a blocking material 4 for blocking the periphery of a concrete placing space used as a joint part between the steel beam 2 and column is disposed.例文帳に追加

次の過程で、施工された柱型枠１０の梁載置凹部１５に上階床の鉄骨梁２を載置し、この鉄骨梁２と柱との接合部となるコンクリート打設空間の周囲を塞ぐ塞ぎ材４を配置する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can avoid a short circuit between each electric wiring in an upper layer electric wiring, even when a part of top of a FSG film is exposed by dispersion of a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程のばらつきによってＦＳＧ膜の上面の一部が露出した場合であっても、上層配線層における配線間のショートの発生を回避し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

The source/drain electrode layer 15 includes an electrode layer 15a and an upper metal layer 15b so that the electrode layer 15a is prevented from being damaged when an inter-pixel insulating film 17 is patterned and formed in the subsequent process.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極層１５が、電極層１５ａと上部金属層１５ｂとを有することにより、その後の工程で、画素間絶縁膜１７をパターニング形成する際、電極層１５ａが損傷を受けずに済む。 - 特許庁

A ceramic porous sheet 3 is used as a spacer in a process where a zirconia green sheet 2 is calcined, the end faces of the ceramic porous sheet 3 having a lower porosity than at a middle part on the upper surface thereof.例文帳に追加

セラミック多孔質シート３はジルコニアグリーンシート２を焼成する工程でスペーサーとして用いられ、当該多孔質シート３の端面が、上表面の中央部よりも気孔率が低いことを特徴とする。 - 特許庁

In this removing process, a pure water liquid film D is formed on the wafer W in the static state, and the upper layer portion of the resist pattern size shrinking agent B is dissolved by the pure water liquid film D.例文帳に追加

この除去工程では、先ずウェハＷを静止した状態でウェハＷ上に純水の液膜Ｄを形成して、純水の液膜Ｄによりレジストパターン寸法縮小剤Ｂの上層部分を溶解する。 - 特許庁

A slit 4b is intermittently formed on a welding line Lw of an upper plating steel plate by a laser beam as a preliminary process, when laser-welding through the welding line Lw of overlapped plating steel plates 4 and 5.例文帳に追加

重ね合わせためっき鋼板４，５の溶接線Ｌｗ上をレーザ溶接する際の前工程として、上側のめっき鋼板４の溶接線Ｌｗ上に、レーザ光を用いてスリット４ｂを断続的に形成する。 - 特許庁

Then, the hole is filled with a conductive film 96 which is substantially on the same level with the upper surface of the lower electrode seed layer and formed through an electroplating process in which the lower electrode seed layer is used.例文帳に追加

次いで、ホール内部を、下部電極用シード層の上部表面と実質的に同一なレベル上の導電膜９６を下部電極用シード層を用いた電気メッキ工程を行って形成することにより充填する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element capable of forming an upper layer organic film containing an electron transportable polymer on a lower layer organic film without impairing the lower layer organic film even if a wet process is used.例文帳に追加

湿式法を用いても、下層有機膜を損傷することなく下層有機膜の上に、電子輸送性高分子を含む上層有機膜を形成することが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device forming an upper layer bump on a lower layer bump without a grinding process, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は上記問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は研削工程を経ることなく下層バンプ上に上層バンプを形成できる半導体素子及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a resist upper layer antireflection film which achieves a high antireflection effect, can be removed simultaneously with development of a resist to ensure high process easiness, and does not cause mixing with the resist so that resist profile is not varied.例文帳に追加

高い反射防止効果を達成し、かつレジストの現像と共に除去可能でプロセス簡便性が高く、レジストとミキシングを起こさずにレジストの形状を変化させないレジスト上層反射防止膜を提供する。 - 特許庁

To provide a zipper tape with a cut tape, with which a packaging bag can be torn at a predetermined position easily when the bag is torn to be opened at an upper part of the zipper tape and a manufacturing process for it and the packaging bag with the zipper tape.例文帳に追加

チャックテープ上部を切り裂いて開封する際に、包装袋を所定の位置で容易に切ることができるカットテープ付きチャックテープとその製造方法、およびチャックテープ付き包装袋を提供すること。 - 特許庁

In the mold releasing process, an inspection mechanism for inspecting whether the lens molded article 46 is stuck to an upper mold or not and a claw moving mechanism 53 for moving a couple of oppositely disposed claws 51, 52 in a horizontal direction are arranged.例文帳に追加

離型工程には、上型にレンズ成形品４６が付着しているか否かを検査する検査機構と、対向配置された一対の爪５１，５２を水平方向に移動する爪移動機構５３とが配されている。 - 特許庁

In a case of performing a process of coating the glass substrate G with chemical including a solvent, a rate of diffusion of the solvent to an upper part is decreased by the cleaned air supplied toward the substantially horizontal direction.例文帳に追加

またガラス基板Ｇに溶剤を含んだ薬液を塗布する工程が行われた場合には、ほぼ水平方向に向けて供給した清浄空気によって上部に溶剤が拡散する割合を減少する。 - 特許庁

To improve the productivity in arrangement process without increasing the number of equipments in a heading machine equipped with position adjusting functions of the upper and lower parts, the left and the right, and the front and the back of plural punches.例文帳に追加

複数のパンチの上下、左右及び前後の位置調整機能が備えられた圧造成形機において、いたずらに備品の個数を増加させることなく、段取り替え時の作業性の向上を図ることを課題とする。 - 特許庁

By detecting only the contact to the entry prevention gear 8 arranged at the upper direction and avoiding the entry to the entry inhibited area, a process leading from detection to halt is simplified, and entry prevention can be realized without fail.例文帳に追加

上方に配置された進入防止具８との接触のみを検出して、進入不可領域への進入を回避するので、検出から停止までのプロセスが単純であり、確実に進入防止を実現できる。 - 特許庁

The lower resist layer 103 is composed of a resist material, which is not resolved by developer employed in a next process and which is provided with an ashing speed higher than that of the resist material constituting the upper resist layer 104.例文帳に追加

下層レジスト層１０３は、次工程で用いられる現像液には溶解しないレジスト材料であって、アッシング速度が上層レジスト層１０４を構成するレジスト材料のそれよりも速いレジスト材料でなる。 - 特許庁

The prescribed number of coins C are changed in the path downward along an inner wall surface 2A of a base side plate 5 from an upper guide face 2C in the process where the normal coins are made to respectively pass through a coin ejection slot 2B of a coin ejecting part 2.例文帳に追加

所定個数の正規コインＣは、それぞれコイン排出部２のコイン排出口２Ｂを通過する過程で上部ガイド面２Ｃによりベース側板５の内壁面２Ａに沿って下方に方向転換される。 - 特許庁

To facilitate raising of a flatness of each projection rib on an upper face of a platen without complicating a process of manufacturing a component and enlarging a region dedicated for a discharge support even when the recorder is equipped with the discharge support.例文帳に追加

排出サポートを備えていても、部品製作の工程を複雑にすることなく、排出サポートが専有する領域を大きくとらずに、プラテン上面の各凸リブ部の平面度を出すのを容易とする。 - 特許庁

To form a capacitor device whole insulating film of a metal oxide film is covered with an upper electrode formed of a metal nitride film by simplifying the manufacturing process, improving the accuracy of working and preventing degradation of device characteristics.例文帳に追加

金属酸化膜からなる容量絶縁膜が金属窒化膜からなる上部電極で覆われた容量素子を、工程を簡略化するとともに加工精度を向上し、かつ素子特性の劣化を防止して作製する。 - 特許庁

In a process in which hydraulic pressure water is introduced from the lower side of the generator body, and the hydraulic pressure water is blown from the upper part of the power generating device, hydraulic pressure is regulated by a compression cover-cum-turbine 5, so that the efficient hydraulic power generating device is provided.例文帳に追加

装置本体の下方より、水圧水を取り入れ、装置上部より水圧水をブロ—させる過程において、圧縮蓋兼タ—ビン５で水圧調整をし、効率の良い水圧発電装置を提供する。 - 特許庁

A fuel injection valve 10 is set so that a part of the outline of the fuel injection (an upper end of the injection outline) at the time of stratified operation for injecting the fuel in a compression process (under the back pressure) reaches near an ignition plug 9.例文帳に追加

燃料噴射弁１０を、圧縮行程（背圧下）にて燃料を噴射する成層運転時の燃料噴霧の外形の一部（噴霧外形上端）が点火プラグ９近傍に届くように設定する。 - 特許庁

A load device (such as a measuring test head) can be lifted or lowered by winding a transmission rope at the upper edge of a first (fixed) pulley and the lower edge of a second (moving) pulley by using a double-process principle.例文帳に追加

倍行程原理を利用し、伝動ロープを第一（定）滑車の上縁及び第二（動）滑車の下縁に巻回することにより、荷重装置（例えば、測定試験ヘッド）を上昇・下降させることが可能となる。 - 特許庁

At a first process, an FPC 11 and an FPC 15 are vertically laid one upon the other so as to make the upper surface of a conduction part 13 of the FPC 11 contact with the lower surface of a conduction part 17 of the FPC 15.例文帳に追加

第一工程では、ＦＰＣ１１の導体部１３の表面にＦＰＣ１５の導体部１７の裏面が接触するように、ＦＰＣ１１及び１５同士が上下方向に重ね合わせられて配置される。 - 特許庁

Since cleaning of a wafer upper part which is conventionally difficult can be effectively carried out and a post process is enabled to be omitted, the time and the cost which are required for manufacturing the wafer can be reduced.例文帳に追加

これにより、従来困難であったウェーハ上部の洗浄を効率的に行うことができ、後工程を省略することが可能となるため、ウェーハの製造にかかる時間とコストを低減させることが出来る。 - 特許庁

To extract the pile while repeating the process where an upper part of the existing pile 1 is cut short and removed when the existing pile is slightly pulled up is preferable since it facilitates a work in a narrow place.例文帳に追加

なお、既設杭を少し引き上げた段階で、それの上部を短く切断して撤去する工程を繰り返しながら、杭引抜きを行うことは狭隘な場所における作業を容易にするため好ましい。 - 特許庁

The capacitor 10 is embedded in the resin interlayer insulating layer 81 by covering the capacitor 10 and the resin interlayer insulating layer 81 in the cured state with the upper layer side resin interlayer insulating layer, in the built-in process.例文帳に追加

内蔵工程では、コンデンサ１０上及び硬化状態の樹脂層間絶縁層８１上に上層側の樹脂層間絶縁層を被覆することにより、コンデンサ１０を樹脂層間絶縁層８１内に埋め込む。 - 特許庁

The laminated patterns 3 of the eaves structure are obtd. by executing patterning by the process of preventing the contact of the substrate surface with the water or the aq. soln. after successively depositing a lower layer resist 2 and an upper layer resist 4 on the substrate 1 having the large ruggedness.例文帳に追加

凹凸の大きい基板１に下層レジスト２、上層レジスト４を順次成膜した後、基板表面が水あるいは水溶液に接触しないプロセスによりパターニングして庇構造の積層パターン３を得る。 - 特許庁

The intermediate transfer belt 12 is reversely rotated temporarily (for less than a second to several seconds) in such a state that a blade 72 abuts thereon in predetermined timing except during image forming process, whereby the upper surface of the blade 72 is temporarily refreshed.例文帳に追加

画像形成プロセス中を除く所定のタイミングで、ブレード７２が当接した状態で中間転写ベルト１２を一時（１秒未満〜数秒程度）逆転させ、ブレード７２上面を一旦リフレッシュさせている。 - 特許庁

The process gas through the inlet openings 14a is fed through a gas introducing part 16a and spouted all over an upper face of a wafer 13 through a plurality of spouting holes 17 at the gas introducing part 16a.例文帳に追加

吸気口１４ａを介して送り込まれたプロセスガスは、ガス導入部１６ａを通り、このガス導入部１６ａに設けられた複数の噴射口１７からウェハ１３の上面全体に噴射される。 - 特許庁

To reduce unevenness of gate pattern density in a semiconductor device having a damascence-type or replacement-type gate and to prevent dishing from occurring in a CMP process for making an upper face of a dummy gate exposed.例文帳に追加

ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲートパターン密度の偏りを小さくし、ダミーゲートの上面を露出させるＣＭＰ工程において、ディッシングが発生しないようにする。 - 特許庁