「upper process」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

In the process, a subordinate CPU 206 executes the control to execute the identification information stopping game in which the upper limit of the time to variably display identification information is 15 seconds, an example of second prescribed time, on condition that the average variation time, an example of the variable display standard time, is at least 20 seconds, an example of first prescribed time.例文帳に追加

この処理において、サブＣＰＵ２０６は、変動表示標準時間の一例である平均変動時間が第一の所定時間の一例である“２０”秒以上であることを条件に、識別情報が変動表示される時間が第二の所定時間の一例である“１５”秒を上限とする識別情報停止ゲームを実行する制御を行う。 - 特許庁

To provide a method for inexpensively producing an exercise-promoting glove having such an unprecedented new technical idea as to guide the movement of the upper limb to promote exercise through controlling bending and stretching and/or inward and outward swinging exercise without imposing so much restriction on the moved areas of finger joints and without passing through any complicated process, and to provide an exercise-promoting glove.例文帳に追加

手指関節の運動範囲をそれ程制限することなく手指関節の屈伸・内外転運動を制御することにより上肢運動を誘導し、運動を促進させるという今までにない全く新しい技術思想をもった手袋を、安価で複雑な工程を経ずして製造する方法と、運動を促進させる手袋を提供すること。 - 特許庁

In the method for sintering the porous quartz glass preform where a porous quartz glass preform 1 produced by a soot process is heated and sintered so as to be a transparent glass body, and while moving the porous quartz glass preform 1 from the lower part to the upper part of a furnace core tube 11, sintering is progressed by using a zone melting furnace 10, and the OH concentration is uniformized in the longitudinal direction.例文帳に追加

スート法により製造された多孔質石英ガラス母材１を加熱焼結し、透明ガラス体とする多孔質石英ガラス母材の焼結方法であって、帯域溶融炉１０を用いて、多孔質石英ガラス母材１を炉心管１１の下方から上方に移動させながら焼結を進め、ＯＨ濃度を長手方向に均一にする。 - 特許庁

For the same signal, data for an upper N-M bit portion are obtained by an AD conversion process at N-M bit accuracy in first processing, and data for a lower M bit portion are obtained by AD conversion processing at N bit accuracy as for 1 LSB portion at N-M bit accuracy that cannot be decomposed by resolution at the first N-M bit accuracy in second processing.例文帳に追加

同一信号について、１回目はＮ−Ｍビット精度でのＡＤ変換処理により上位Ｎ−Ｍビット分のデータを取得し、２回目は１回目のＮ−Ｍビット精度の分解能では分解できていないＮ−Ｍビット精度での１ＬＳＢ分についてＮビット精度のＡＤ変換処理により下位Ｍビット分のデータを取得する。 - 特許庁

This process comprises: using a cylindrical, vertical heater into which a gas for fluidizing powdery waste is blown through a point in the lower part; charging the powdery waste into the heater through a point in the upper part; and intermittently withdrawing the resulting treated powdery waste from the heater through a point in the lower part.例文帳に追加

上記課題は、下部から粉状廃棄物を流動させるガスを吹き込む円筒縦型加熱器を用い、該加熱器の上部から該粉状廃棄物を投入し、下部からこれを抜き出す方法において、この下部からの粉状廃棄物の抜き出しを間欠的に行うことを特徴とする粉状廃棄物の加熱処理方法によって解決される。 - 特許庁

Consequently, when no solder ball is mounted on the external terminal portion 9, bleeding from a sealing resin 5 along an upper surface of the base 2 in a process halfway during manufacture is stopped by the recessed dam of the connection portion 13 even in such a case to serve as a breakwater, thereby preventing the bleeding from covering the external terminal portion 9.例文帳に追加

これにより、外部端子部９に半田ボールを搭載しない場合において、製造途中の工程で封止樹脂５から基台２の上面に沿ってブリードが流れ出した場合でも、このブリードが接続部１３の凹型ダムによって止められて防波堤の役目をなし、ブリードが外部端子部９上に被さることを防止できる。 - 特許庁

Thus, since a certain thickness of the second insulating film 106 is left at the upper part of the drain contact plug 104 during the overetching process for forming metal wiring 116, even if an unconformable part is generated between the drain contact plug 104 and the metal wiring 116, the loss of the drain contact plug 104 caused by an SF_6 gas acting as an etching gas is prevented.例文帳に追加

したがって、金属配線１１６を形成するオーバーエッチング工程時にドレインコンタクトプラグ１０４の上部に一定の厚さの第２絶縁膜１０６が残留しているので、ドレインコンタクトプラグ１０４と金属配線１１６との間に不整合部が生じた場合でも、エッチングガスのＳＦ_６ガスでドレインコンタクトプラグ１０４が損失するのを防ぐ。 - 特許庁

In this kind of outline shape, the outline height of the upper face can be decided approximately so that a maximum value is attained when a curve bending downward from a starting point along the traveling direction of the vehicle bends upward at the point of an approximately 80% of the whole process and then the curve bends downward again toward the end point.例文帳に追加

このような輪郭形状は、近似的には、その上面の輪郭の高さを、前記車両の進行方向に沿って、始点から下向きに凸な曲線を経て、全行程の概ね８０％の位置にて上向きに凸な曲線をもって最大値をとり、再び終点に向けて下向きに凸な曲線をなすように定めることができる。 - 特許庁

In the planographic printing plate which has at least one layer of silver halide emulsion layer on an aluminum supporting body subjected to roughening treatment and anodic oxidation and which employs the silver complex diffusion transfer process, a layer containing a polymer having a functional group expressed by formula (1) or (2) is formed as an upper layer on the silver halide emulsion layer.例文帳に追加

粗面化され、陽極酸化されたアルミニウム支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版に於いて、該ハロゲン化銀乳剤層の上層に、化１あるいは化２で示される官能基を有するポリマーを含有する層を設けることによって達成された。 - 特許庁

To provide a method and a system that dehumidify a flue gas from a flue gas generating process where the flue gas is sent to a wet flue gas processor and fluid in the wet flue gas processor that is sent from an upper end to a lower end of the processor is sprayed on the flue gas in the flue gas processor.例文帳に追加

煙道ガス発生プロセスからの煙道ガスを減湿する方法及びシステムであって、煙道ガスが湿式煙道ガスプロセッサに送られ、該プロセッサの下端部から上端部に送られる該湿式煙道ガスプロセッサ内の液体が、当該湿式煙道ガスプロセッサ内の煙道ガス上に噴霧される方法及びシステムを提供することである。 - 特許庁

To provide: a development apparatus capable of performing electrostatic charge of a developer, and electrostatic charge and stable replenishment of a developer to a layer-forming portion in spite of an apparatus enabling miniaturization and provided with a longitudinally long developer housing section in the upper part of a layer-forming portion, and capable of performing satisfactory development operation; a process cartridge equipped therewith; and an image forming apparatus.例文帳に追加

現像剤の帯電、層形成部分の上部に縦長の現像剤収納部を設けた小型化が可能な装置でありながら、帯電、層形成部分への安定した現像剤の補給を行うことができ、良好な現像動作を可能とした現像装置並びにこれを備えるプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a TFT-LCD having a tapered cross section of a Mo alloy/Al alloy laminated line and having good coverage for an insulating film by using a wet etching method to process a laminated line of a molybdenum alloy upper layer and an aluminum alloy lower layer into a tapered cross section and then by using a shower type batch etching method to obtain good coverage for an insulating film.例文帳に追加

湿式エッチングを用いて、上層がモリブデン合金，下層がアルミニウム合金の積層配線の断面をテーパ状に加工し、絶縁膜のカバレッジを良好にするシャワー方式による一括エッチングで、Ｍｏ合金／Ａｌ合金積層配線の断面形状をテーパ状に加工し、良好な絶縁膜カバレッジを有するＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the process for producing a multilayer wiring board by forming a wiring layer further on a wiring layer having a circuit formed of a wiring layer and an insulating layer, holes are made in an adhesive layer of uncured or semicured thermosetting resin when the wiring layers are laminated, and the adhesive layer is cured by imparting a thermal load after the upper and lower wiring layers are connected through a metal.例文帳に追加

配線層と絶縁層とで回路形成された配線層上に、更に配線層を積層した多層配線基板の製造方法において、該配線層を積層する際に、未硬化または半硬化の熱硬化型の樹脂を接着層とし、該接着層に孔部を形成し上下の配線層を金属により層間接続した後に、熱負荷を付与し該接着層を硬化させる。 - 特許庁

In the decoding process of JPEG2000 encoded data, a detile processing section 111 corrects specific high-pass coefficients in the vicinity of tile boundary by a coefficient correction means 112 in order to suppresses tile boundary distortion produced under impact of mirroring when wavelet conversion is performed sequentially for the wavelet coefficients of each component from upper layer toward lower layer.例文帳に追加

ＪＰＥＧ２０００符号化データの復号の過程において、デタイル処理部１１１は、各コンポーネントのウェーブレット係数に対し、その上位の階層から下位の階層へ向かって順に、ウェーブレット変換の際のミラリングの影響により生じたタイル境界歪みを抑制するためにタイル境界付近の特定のハイパス係数を係数補正手段１１２によって補正する。 - 特許庁

To provide a film forming method and a film forming device, improving film thickness controllability within a range satisfying restrictions to improve process margin, in a film forming step in which it is necessary that an upper limit value and a lower limit value of the film thickness should be within a predetermined range while satisfying wet spreading restriction, in such as a gate insulator film of a TFT substrate for a liquid crystal panel.例文帳に追加

液晶パネル用ＴＦＴ基板におけるゲート絶縁膜のように、濡れ広がりの制約を満足しつつ、膜厚を上限および下限値がある所定の範囲内に収めることが必要な成膜工程において、制約条件を満足する範囲での膜厚制御性を向上させ、プロセスマージンを向上させる膜形成方法および膜形成装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, since plasma formed in an upper part of the electrode plate 12 of the exhaust electrode 11 is made uniform, effects which enable constant etching are obtained, and also since the function of an exhaust pipe 4 is integrated with a function of an electrode, thereby functioning by the one exhaust electrode 11, a volume occupied by a process chamber is reduced and efficiency of a purity chamber is enhanced.例文帳に追加

従って、排気エレクトロード１１の電極板１２の上部に形成されるプラズマが均一になって一定なエッチングを可能にする効果があるし、また排気管４の機能とエレクトロードの機能を統合して一つの排気エレクトロード１１によって機能するようにすることで工程チャンバーが占める体積が減り清浄室の効率を向上させる効果がある。 - 特許庁

In the electrolytic washing process, when an energizing current value becomes extremely large due to the erroneous feed of a detergent by a user, electrolytic washing performed with a lot of the detergent remaining on laundry and the increase of the detergent concentration of washing water, etc., since an energizing current exceeds an upper limit current value, the operation of an electrolytic device is stopped in the middle of the electrolytic washing.例文帳に追加

この電解洗い行程において、使用者によって誤って洗剤が投入され、洗濯物に洗剤分が多く残ったまま電解洗いが行われ、洗い水の洗剤濃度が高くなるなどの原因により、通電電流値が非常に大きくなった場合には、通電電流が上限電流値を超えるため、電解洗いの途中で電解装置の動作が中止される。 - 特許庁

In each developing unit 20 of a tandem-type color laser printer provided with process units 16 for each color arranged horizontally in parallel with each other, a supply roller 32 and a developing roller 33 are disposed below a toner chamber 31, and a supply roller upper-side wall portion 38 that covers the supply roller from above is provided between the toner chamber 31 and the supply roller 32.例文帳に追加

各色毎のプロセス部１６が水平方向において並列的に配置される横置きタイプのタンデム方式のカラーレーザプリンタの各現像ユニット２０において、トナー収容室３１の下方に供給ローラ３２および現像ローラ３３を配置して、トナー収容室３１と供給ローラ３２との間に、供給ローラ３２の上方を覆う供給ローラ上側壁部３８を設ける。 - 特許庁

By depositing a MgO protective film entirely on both the upper and lower ends in an orthogonal direction of a display electrode of a rectangular front substrate without depositing the MgO protective film on both ends in an extension direction of the display electrode by a deposition mask, breakage of a glass substrate by thermal stress in a deposition process can be prevented, and cost can be reduced by reducing the number of deposition masks.例文帳に追加

長方形の前面基板の表示電極の延長方向の両端部には蒸着マスクによりＭｇＯ保護膜を蒸着せず，表示電極の直交方向の上下端部にはすべて保護膜を蒸着することで，蒸着工程でのガラス基板の熱ストレスによる割れを回避でき，また，蒸着マスクの数を減らしてコストダウンをはかることができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the polymerized gel sheet is characterized in that a polymerization process of carrying out a photopolymerization reaction by irradiating a light onto the monomer solution X containing a water-soluble monomer, comprises a photopolymerization reaction while cooling the monomer solution X by the supply of a coolant onto the upper face of the flowability-decreased monomer solution X and by the gasification of the coolant.例文帳に追加

水溶性単量体を含む単量体溶液Ｘに光照射して光重合反応を行う重合工程において、流動性が低下した単量体溶液Ｘの上面に冷媒を供給し、該冷媒を気化させることで単量体溶液Ｘを冷却しながら光重合反応を行うことを特徴とする重合ゲルシートの製造方法。 - 特許庁

To provide a fluid bearing device and a lubricant filling method for the same capable of preventing the leakage of lubricant to the outside even in high-speed rotation, dispensing with wiping-out of the lubricant attached to an upper face at an opening part side of a sleeve and its neighborhood after the filling operation of the lubricant in a lubricant filling process, and free from the impairing of an oil repellent function.例文帳に追加

高速回転時でも潤滑油が外部に漏れることを防止でき、しかも、潤滑油充填工程において潤滑油の充填動作を行った後にスリーブの開口部側上面やその近傍に付着した潤滑油を拭き取らなくても済み、撥油機能も低下しない流体軸受装置および流体軸受装置の潤滑油充填方法を提供する。 - 特許庁

If current carried extremely increases due to the inletting of a detergent by mistake by a user, execution of electrolytic washing with the detergent content left on washing and increase in the electrolytic concentration of washing water in an electrolytic washing process, since the value of current carried exceeds an upper limit value of current, an electrolytic device is stopped during electrolytic washing.例文帳に追加

この電解洗い行程において、使用者によって誤って洗剤が投入され、洗濯物に洗剤分が多く残ったまま電解洗いが行われ、洗い水の電解濃度が高くなるなどの原因により、通電電流値が非常に大きくなった場合には、通電電流が上限電流値を超えるため、電解洗いの途中で電解装置の動作が中止される。 - 特許庁

The dry etching process comprises a step of disposing a semiconductor substrate where the photoresist pattern is formed on an etched membranous object in a reactor, a step of selectively depositing polymer on an upper section of the photoresist pattern by supplying the CO gas into the reactor to form a polymer layer, and a step of etching the etched membranous object with the photoresist pattern and polymer layer as the masks.例文帳に追加

乾式エッチング方法は、被エッチング膜質上にフォトレジストパターンが形成された半導体基板を反応器内に配置する段階と、反応器内にＣＯガスを供給してフォトレジストパターンの上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層を形成する段階と、フォトレジストパターン及びポリマー層をマスクとして被エッチング膜質をエッチングする段階と、を含む。 - 特許庁

A dry etcher having a lower electrode housed in a vacuum vessel for holding a wafer 10 to be processed by introducing an etching gas and applying high-frequency power to generate a discharge plasma, comprises an electrostatic chuck mechanism housed in the vacuum vessel for fixing the wafer and a cover ring 13 housed in a process chamber for covering the upper side of the periphery of the wafer or above it.例文帳に追加

真空容器内に被処理ウェハ10を保持する下部電極を収容し、エッチングガスが導入され、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するドライエッチング装置において、真空容器内に収容され、ウェハを固定するための静電チャック機構と、処理容器内に収容され、ウェハの周辺部の上面あるいは上方を覆うカバーリング13とを具備する。 - 特許庁

The photosensitive resin composition can be adjusted in gamma value (γ-value) by utilizing a novel photopolymerization initiator and lower layer curing agent, is dissolved successively from the upper layer without peeling of the patterns in spite of smaller exposure energy, can be adjusted in the film thicknesses by the exposure and is useful as color filters and a top coating material in a process for manufacturing LCDs (Liquid Crystal Displays).例文帳に追加

新たな光重合開始剤及び下層硬化剤を利用してガンマ値（γ-ｖａｌｕｅ）を調節することができ、少ない露光エネルギーでも現像後パターンの剥離がなく上層から溶解され露光量によって膜厚の調節が可能で、ＬＣＤ製造工程においてカラーフィルター及び上塗り材料として有用な感光性樹脂組成物に関するものである。 - 特許庁

Stray light which propagates the attenuation area 20b gradually leaks to a lower clad layer or an upper clad layer in a process for propagating a part corresponding to the attenuation area 20b of a core or attenuates by being converted into heat by oscillation of crystal, for example, Si crystal, etc. of materials constituting the core since the attenuation area 20b is formed as wide as possible.例文帳に追加

減衰領域２０ｂを伝播する迷光は、減衰領域２０ｂが可能な限り広く形成されているので、コアの減衰領域２０ｂに対応する部分を伝播する過程で、下クラッド層または上クラッド層に漸次漏洩するか、または、コアを構成する材料の結晶、例えばＳｉ結晶などの振動で熱に変換されることにより、減衰する。 - 特許庁

With such a structure, the lower n-type semiconductor layer 19 and the upper n-type semiconductor layer 23, which surround the group III-V compound semiconductor layer 21 on both sides of the main surface, can act as a so-called protective film to suppress hydrogen from mixing into the group III-V compound semiconductor layer 21 in various kinds of manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

このような構成により、III−Ｖ族化合物半導体層２１を主面両側で囲んでいる下部ｎ型半導体層１９および上部ｎ型半導体層２３は、半導体デバイスの種々の製造工程において水素がIII−Ｖ族化合物半導体層２１に混入することを抑制するためのいわゆる保護膜として作用することができる。 - 特許庁

To provide method and program for predicting software reliability, a computer readable recording medium recording the predicting program, and a software reliability predicting device allowing accurate planning of a test process by estimating an upper limit of an estimated value of the number of potential bugs existing in software just after starting the test and thus estimating the test period somewhat long.例文帳に追加

試験開始後間もない時点で、ソフトウェア内に存在する潜在バグ数の推定値の上限を見積もり、それに伴い試験期間を多少長めに見積もることで、試験工程の正確な計画を立てることを可能にするソフトウェア信頼性予測方法、ソフトウェア信頼性予測プログラム及び当該予測プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにソフトウェア信頼性予測装置を提供する。 - 特許庁

By forming the cross section shape of the upper surface of the inorganic pixel defining film in the curved shape having no discontinuous point, adhesion between the first electrode and an organic film layer is increased in a transfer process, transfer is made possible even with the laser beams having low energy, transfer efficiency is enhanced and moreover, the light emitting efficiency and the life of the organic electroluminescence element are increased.例文帳に追加

無機画素定義膜の上面の断面形態が不連続点のない曲線形態を持つように形成することにより、転写工程の際に第１の電極と有機膜層との密着を向上させて、低いエネルギーを持つレーザービームでも転写が可能であり、転写効率を向上させるだけではなく、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率及び寿命を向上させるといった効果がある。 - 特許庁

The exposure method includes a process that a liquid immersion area is locally formed between an upper surface of a movable moving body holding a substrate and the projection optical system, and exposing light is irradiated on the substrate through the projection optical system and the liquid forming the liquid immersion area, and by moving the substrate for the exposing light, each of a plurality of shot areas on the substrate is exposed by scanning.例文帳に追加

この露光方法は、基板を保持して移動可能な移動体の上面と投影光学系との間に局所的に液浸領域を形成し、投影光学系と液浸領域を形成する液体とを介して基板上に露光光を照射するとともに、露光光に対して基板を移動することによって、基板上の複数のショット領域のそれぞれを走査露光する露光方法である。 - 特許庁

The process for fabricating a piezoelectric actuator comprises a step for forming an insulating film 25 on a substrate 10, a step for forming a piezoelectric film 13 on the insulating film 25, a step for forming a lower electrode 31 by implanting ions selectively at least into a region of the piezoelectric film 13 becoming the lower electrode, and a step for forming an upper electrode 16 on the piezoelectric film 13 implanted with ions.例文帳に追加

基板１０上に絶縁膜２５を形成する工程と、絶縁膜２５上に圧電体膜１３を形成する工程と、圧電体膜１３の少なくとも下電極となる領域に、イオンを選択的に打ち込んで下電極３１を形成する工程と、イオンが打ち込まれた圧電体膜１３上に、上電極１６を形成する工程を含んでなる圧電アクチュエータの製造方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing equipment which can secure the uniformity of plasma density over the entire wafer to be processed by including a device which is provided in a chamber, wherein a process of manufacturing a semiconductor element by using plasma is carried out and converges the plasma by narrowing down a plasma area formed more adjacently to the processed object than the plasma area formed at the upper stage of the chamber.例文帳に追加

プラズマを用いる半導体素子の製造工程が行われるチャンバ内に設けられて、チャンバの上段に形成されるプラズマ領域よりも工程処理対象の隣接部分に形成されるプラズマ領域を狭めることによりプラズマを集束させる装置を含んで、処理対象となるウェーハの全体に亘ってプラズマ密度の均一性を確保できる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

A controller is configured such that a process for correcting an output target value VTref serving as the density target value for the toner of the developer is executed only when the detection result is not within a target range from a predetermined adhesion amount lower limit Mb less than a predetermined adhesion target value Ma to an adhesion amount upper limit value Mc greater than the adhesion amount target value Ma.例文帳に追加

そして、その検知結果が、所定の付着量目標値Ｍａよりも少ない所定の付着量下限値Ｍｂから、付着量目標値Ｍａよりも多い付着量上限値Ｍｃに至るまでの目標範囲内に収まらない場合にのみ、現像剤のトナーについての濃度目標値である出力目標値ＶＴｒｅｆを補正する処理を実施するように、制御部を構成した。 - 特許庁

The construction method of the structure comprises processes of constructing a settlement reducing pile 20 in the ground, erecting a column 40 directly above the settlement reducing pile 20 through an intermediate member 30, constructing a spread foundation 10 joined to the column 40, and constructing an upper structure (skeleton) 2 using the column 40 abreast with the process of constructing the spread foundation 10.例文帳に追加

地盤中に沈下低減杭２０を構築する工程と、この沈下低減杭２０の直上に中間部材３０を介して柱４０を立設する工程と、この柱４０に接合された直接基礎１０を構築する工程と、この直接基礎１０の構築する工程と並行して進行する、柱４０を利用して上部構造（躯体）２を構築する工程とを含む構造物の施工方法。 - 特許庁

In the crystal growth process of the semiconductor layer A, the upper face of the semiconductor layer A can be made a recess and projection shape having sufficient ruggedness to generate lateral direction growth action of the semiconductor layer B laminated thereafter, by optimizing V/III ratio of the semiconductor layer A or crystal growth temperature T_A or the like even in the case that a initial crystal growth face σ is substantially flat.例文帳に追加

半導体層Ａの結晶成長過程では、最初の結晶成長面σが殆ど平らな場合でも、上記の半導体層ＡのＶ／III 比や、或いは結晶成長温度Ｔ_A などを最適化することにより、半導体層Ａの上面を、その後積層される半導体層Ｂの横方向成長作用を発現させるのに十分な起伏のある凹凸形状にすることができる。 - 特許庁

In a process for recovering acids from acid solution of metals by evaporating and thermally decomposing an acid solution of metals and isolating acids and metal oxides in a separated state, a heating reactor 2 divided into two zones by a built-in member is used, and low temperature evaporation is carried out in the first upper zone 2a and high temperature decomposition is carried out in the second zone 8 next to the first zone.例文帳に追加

金属の酸溶解液を蒸発及び熱分解せしめ、酸と金属酸化物とに分離することにより、当該金属の酸溶解液から酸を回収するプロセスにおいて; 造り付け部材により二つのゾーンに分割された加熱反応器（２）を用い、その上側の第１ゾーン（２ａ）において、低温による蒸発を行わせ、第１ゾーンに隣接した第２ゾーン（８）において、高温による分解を行わせること、を特徴とする。 - 特許庁

The method according to the present invention includes stages of: resetting the MAC-ehs entity; delivering all reordering PDUs (protocol data units) stored in the plurality of reordering queues to a plurality of reassembly entities for performing a reassembly process to deliver complete PDUs to an upper layer entity; and discarding all PDU segments still existing in the plurality of reassembly entities.例文帳に追加

本発明による方法は、リセット要求指令を受信し、ＭＡＣ−ｅｈｓプロトコルエンティティーをリセットする段階と、前記複数のリオーダー待ち行列に保存されたすべてのリオーダーＰＤＵ（プロトコルデータユニット）を前記複数の再組み立てプロトコルエンティティーに伝送して再組み立てをし、完全なＰＤＵを上位層プロトコルエンティティーに伝送する段階と、前記複数の再組み立てプロトコルエンティティーの中で残存のＰＤＵセグメントをすべて廃棄する段階とを含む。 - 特許庁

Such a cushion material 11 can be obtained by processes of overlaying a plurality of flexible sheets for lamination with pasted positions extending in one of directions differed at a predetermined distance on the adjacent flexible sheets, cutting a laminate obtained in the lamination process in a direction orthogonal to the pasted direction and joining the strip pieces at both upper and lower ends among the cut laminated pieces for joining them with each other.例文帳に追加

このような緩衝材は、隣接する可撓性シートにおいて、所定間隔をおいて一方の方向に延びる糊付け位置を異にして、複数の可撓性シートを重ね合わせる積層工程と、この積層工程で得られた積層体を前記糊付け方向と直交する方向に切断する工程と、切断した積層片のうち上下両端部の条片を互いに接合する工程を経ることにより得ることができる。 - 特許庁

To provide an ESD element and manufacturing method of the same which can improve the problems associated with dispersion of device characteristics, efficiency of mounting to PCB, and heat-resistance, caused by forming of a transient voltage protecting layer 6 into round shape like a dome in the manufacturing method of ESD element including the process of forming a transient voltage protecting layer 6 on an upper electrode 3 on a base material 2.例文帳に追加

基材２に上電極３が形成された上部に液状の過渡電圧保護材料を付着硬化させて過渡電圧保護層６を形成する工程を含むＥＳＤ素子１の製造方法について、過渡電圧保護層６が丸くドーム状に形成されることに伴う問題点、即ち、デバイス特性のばらつきと、ＰＣＢへの実装効率と、耐衝撃性を改善できるようなＥＳＤ素子とその製造方法の提供。 - 特許庁

On the CPP structured magnetoresistive effect head, the deformation adjacent to the plane facing the medium to occur in machine polishing for a floating plane machining process can be reduced by arranging deformation preventing layers 13, 14 with a shearing modulus larger than a first ferromagnetic layer 19 and a second ferromagnetic layer 17 between a magnetoresistive effect film 50 and at least either a lower shield layer 11 or un upper shield layer 12.例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜５０と、少なくとも下部シールド層１１あるいは上部シールド層１２の何れか一方との間に、第１の強磁性層１９および第２の強磁性層１７よりも大きなずれ弾性率を有する変形防止層１３、１４を設けることにより、浮上面加工工程で機械研磨加工を行った際に発生する媒体対向面近傍における変形を低減できる。 - 特許庁

The process of forming the upper wiring layer 112 includes a step of depositing a carbon- containing TaN layer 109 on the internal side faces and bottoms of the recessed sections 106 and 107, a step of irradiating the partial surface 109b of the TaN film 9 on the bottoms of the recessed sections 106 and 107 with ions, and a step of depositing copper films 110 and 111 on the TaN film 109.例文帳に追加

上部配線層１１２を形成する工程は、絶縁膜の凹部１０６および１０７の内側壁および底面を覆う炭素含有ＴａＮ層１０９を化学的気層成長法によって堆積する工程と、ＴａＮ膜１０９の表面のうち、凹部底面上に位置する部分１０９ｂにイオンを照射する工程と、ＴａＮ膜１０９上に銅１１０および１１１を堆積する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Light metal electroslag welding process, wherein after arranging the parts to be welded together with specified gaps, inserting an electrode from below the pieces into a gap together with flux fill the makeup of which is 65-75% barium fluoride, 15-25% cryolite and 5-10% (by weight) sodium bromide and placing the vessels above and below the pieces, applying current to melt the electrode and the flux for floating up the molten metal from a slag bath, forming the molten metal bath in the upper vessel, and opening the lower vessel by the melted electrode, and allowing the slag into the said vessel, which introduces molten metal into the gap between the pieces to be welded. 例文帳に追加

溶接される部材間に所要のギャップを設けてこれらの部材を配設し、上記ギャップに電極を下から挿入するとともに、弗化バリウム65～75％、氷晶石15～25％、臭化ナトリウム５～10％（質量％）の組成よりなるフラックスを充填し、ギャップの上下に容器、を配置した後、電極に通電して電極及びフラックスを溶融し、溶融金属をスラグ浴より浮き上がらせることにより、上部の容器内に溶融金属浴を形成し、その後電極の溶融により下部の容器を開口してその中にスラグを流入させることにより上記ギャップに溶融金属を流入させることを特徴とする軽金属のエレクトロスラグ溶接法。 - 特許庁

As fairness before the law is a norm in Japan, I think that exempting from criminal prosecution the practice of lending at an interest rate higher than the upper limit under the Act Regulating the Receipt of Contributions, Receipt of Deposits and Interest Rates (Shussi Hou) in a particular geographical area only – a concept at issue here – would go against the principle of fairness before the law. Since the current regulation under the amended Act, which the media covered extensively when it was established, is a legislative step supported unanimously by all parties to address the multiple-debt problem, as I point out repeatedly, creating any exemption designed to relax its enforcement could result in its social significance being compromised. It is on those grounds that we are in the process of formulating a statement in our second reply that it would be difficult, or not acceptable, to undertake the idea. 例文帳に追加

日本国はご存じのように、法の下の公正ということがございまして、一部の地域のみ、今お話がございました出資法の上限金利を上回るような貸付けを刑罰の対象から除外することは、法の公正に反するのではないかと考えております。現行の規制は、当時、マスコミが大変大きく取り上げていただきまして、この法律は、私が何回も言っているように、全党一致で多重債務問題への対処として設けられた法律でもございますから、例外的に緩和措置を講ずることは、社会的意義を損なうのではないか。そういった理由から、対応がなかなか難しいのではないか、対応不可だということを、2次回答において示しているところでございます。 - 金融庁