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upper processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1298件
To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element capable of stably manufacturing the organic electroluminescent element with high performance without deterioration of performance of the element obtained even after a certain period of time elapses before forming upper layer after forming luminescent layer, in a manufacturing process.例文帳に追加
製造プロセスにおいて、発光層形成後、上層形成までに一定以上の時間が経過してしまった場合にも、得られる素子の性能低下を招くことがなく、安定的に高性能な有機電界発光素子を製造することができる有機電界発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
A laser oscillator 30 is supported in front of a holder 5, a brush 35 is provided on the cutting blade main body 8, and chips stuck to an irradiation part 30a of the laser oscillator 30 is swept out by the brush 35 in a process wherein the cutting blade main body 8 is moved from an upper limit position to a lower limit position.例文帳に追加
ホルダ5の前面にレーザー発振器30を支持し、切断刃物本体8にブラシ35を設け、ブラシ35により切断刃物本体8を上限位置から下限位置へ移動する過程で、レーザー発振器30の照射部30aに付着した切屑を掃き取る。 - 特許庁
To provide a coated small machine screw, or the like, markedly reduced in coating cost by fully automating the process for coating the nearly entire upper half of a small machine screw, or the like, which does not include its top face and its irregularities with a powdery or particulate material such as polyethylene which causes the least polluting to the environment and to provide a coater therefor.例文帳に追加
小物ビス等の上面又はその凹凸部分を除く上半身全体を、ポリエチレン等、環境汚染の最も少ない粉末又は微粒子の素材を用いた被覆工程を、高速全自動化したことにより、著しく被覆コストが低下した製品及びその装置。 - 特許庁
A connecting hole 47 is formed first of all with a second insulating film 43 of about 50 nm left therein, in the process to form, to an interlayer insulating film, the connecting hole 47 for connecting the upper and lower wirings to hold the interlayer insulating film with a first insulating film 42 and a second insulating film 43.例文帳に追加
第1の絶縁膜42と第2の絶縁膜43とよりなる層間絶縁膜を挟んだ上下の配線を接続する接続孔47を層間絶縁膜に形成する過程で、まず、第2の絶縁膜43を50nm程度残して接続孔47を形成する。 - 特許庁
Meanwhile, a 3D-LUT with a higher upper limit value in the image data after the color conversion process is selected (step S8), when the area in which the number of pixels with the total of pixel values that are the threshold value T1 and more is the threshold H1 or more is not present (NO in step S5, YES in step S7).例文帳に追加
一方、画素値の合計が閾値T1以上の画素の数が閾値H1以上である領域が存在しない場合には(ステップS5;NO、ステップS7;YES)、色変換処理後の画像データの上限値がより高い3D−LUTを選択する(ステップS8)。 - 特許庁
Since the upper electrode 16 of the humidity detection part 10 and the output part 19 can be electrically connected through the bump 20s formed on the substrate 11 according to the humidity sensor 1, the output part 19 can be formed on the same substrate 11 by a semiconductor process.例文帳に追加
本発明に係る湿度センサ1によれば、湿度検出部10の上部電極16と出力部19とを、基板11上に形成されたバンプ20sを介して電気的に接続することができるので、出力部19を半導体プロセスにより同一基板上に形成することができる。 - 特許庁
A steel plate is subjected to a stamping process to punch screw holes 424, female screw holes 425, and through-holes 426 on the steel plate in a pattern corresponding to such a shape of the plate that an attaching face 421, a lower face attaching piece 422, and an upper face attaching piece 423 are extended on one plane in the same direction.例文帳に追加
鋼板をプレス加工にて、ねじ孔424、雌ねじ孔425および貫通孔426を打ち抜くとともに同方向で取付面部421、下面取付片部422および上面取付片部423が一平面に展開された形状に対応する形状で打ち抜く。 - 特許庁
In a final stage of manufacturing process, the magnetic body thin-film 13 and bridge 18 are attracted by a magnetic force from outside using, for example, an electromagnet 20, so that the end part of the weight part 2 opposite to the deflection part 3 is tilted to the upper cap 5 side to rupture the bridge 18, making the weight part 2 freely swingable.例文帳に追加
そして、製造工程の最終段階で、例えば電磁石20を用いて磁性体薄膜17やブリッジ18を外部から磁力で吸引し、重り部2における撓み部3と反対側の端部を上部キャップ5側に傾けてブリッジ18を破断し、重り部2を揺動自在とする。 - 特許庁
In addition, when it is during guide of the route (S115: YES), when it is determined that a direction indicator is operated by a driver (S140: YES), and when it is determined that a vehicle passes through a guide point (S135: YES), the "upper and lower switching process" is executed.例文帳に追加
なお、経路案内中である場合(S115:YES)、運転者によって方向指示器の操作がなされたと判断した場合(S140:YES)、および車両が案内ポイントを通過したと判断した場合にも(S135:YES)、上述の「上下表示切り替え処理」を実行する。 - 特許庁
In a process for forming a semiconductor thin film 13 having the same element as a burial substrate 11 at the upper portion of a porous layer 12 after forming the porous layer 12 on the substrate 11, the semiconductor thin film 13 is formed in a chemically active hydrogen atmosphere.例文帳に追加
基板11に多孔質層12を形成後、多孔質層12の上部を埋め基板11と同じ元素を有する半導体薄膜13を形成する工程において、半導体薄膜13の形成が化学的に活性な水素雰囲気中で行われることを特徴とする。 - 特許庁
To reduce the fraction defective and to improve the productivity by the reduction in the fraction defective, by automatically making a tool with a semiconductor packet placed therein rotatable, simplifying the working process of the upper side and the lower side of the semiconductor package in a position-changing device, used in the semiconductor package working system.例文帳に追加
半導体パッケージ加工システムに用いられる位置変更装置において、半導体パッケージの安置されているジグを自動に回転可能にし、半導体パッケージの上側と下側の加工工程が単純化し、不良率の減少とこれによる生産性の向上を図る。 - 特許庁
In a process step of spin coating of an organic planarization film 16, the upper limit value of the number of revolutions is specified to L×ω/2η<160, when the number of revolutions during drying and spinning right after coating is defined as ω, the opposite angle length of the substrate as L and the viscosity of the organic planarization film 16 as η.例文帳に追加
有機系平坦化膜16を回転コートする工程において、コーティング直後の乾燥スピン時の回転数ωを、基板の対角長をL、有機系平坦化膜16の粘性をηとした場合、回転数の上限値をL×ω/2η<160 にする。 - 特許庁
To provide an ink-jet recording apparatus capable of efficiently collecting an ink remaining in a recovery mechanism to a pump mechanism and preventing leakage of an ink so as to prevent pollution of the apparatus even in the case an upper unit should be opened due to paper jamming process, or the like, and a recovery method for an ink-jet recording apparatus.例文帳に追加
用紙ジャムの処理等で上部ユニットを開けなくてはならない場合でも、回復機構に残ったインクを効率よく、ポンプ機構に回収することができる、インク漏れを防ぎ、装置を汚すことのない、インクジェット記録装置およびインクジェット記録装置の回復方法を提供する。 - 特許庁
The piezoelectric element is obtained by forming a piezoelectric precursor film containing an organic metal compound on the lower electrode 31, repeating a process for executing hydrothermal treatment to it for a plurality of times, and laminating the upper electrode on the plurality of piezoelectric films formed as a result of them.例文帳に追加
この圧電体素子は、前記下部電極32上に有機金属化合物を含む圧電体前駆体膜を成膜し、これに水熱処理を行う工程を複数回実行し、これによって形成された複数層の圧電体膜上に前記上部電極を積層させることによって得られる。 - 特許庁
To provide a firing method for preventing the crack due to the thermal stress caused by a temperature difference in the central part, outer peripheral part and/or upper and lower parts of a honeycomb structure in a warm-up process in firing the large-sized honeycomb structure of an external diameter ≥150 mm and length ≥150 mm.例文帳に追加
外径150mm以上、長さ150mm以上の大型ハニカム構造体を焼成するにあたり、昇温過程での、ハニカム構造体の中心部、外周部及び/または上下部の温度差から発生する熱応力による割れを防止しできる、焼成方法を提供する。 - 特許庁
The third insulating film (150) is formed to be used as a top oxide film of a dielectric film between the floating gate and the control gate of a NAND flash device, and in a production process of a capacitor, as an interlayer insulating film between the lower electrode of the capacitor and the upper electrode of the capacitor, preferably formed of an HTO oxide layer.例文帳に追加
第3の絶縁膜(150)は、NANDフラッシュ素子のフローティングゲートとコントロールゲートとの間の誘電体膜の上部酸化膜、キャパシタ製造工程ではキャパシタの下部電極とキャパシタの上部電極との間の層間絶縁膜として用いるために形成され、望ましくはHTO酸化膜で形成する。 - 特許庁
An adhesive film consisting of titanium nitride (TiN) is formed in a contact hole where an upper electrode of the ferroelectric capacitor is exposed after thermal treatment is performed on it in an oxidation atmosphere, and the contact hole is filled by depositing a W layer with the CVD process while using the TiN film as a hydrogen barrier.例文帳に追加
強誘電体キャパシタの上部電極を露出するコンタクトホールに、酸化雰囲気での熱処理の後、TiNよりなる密着膜を形成し、かかるTiN密着膜を水素バリアとして使いながら、W層をCVD法により堆積し、コンタクトホールを充填する。 - 特許庁
In the first time solder paste printing process, a quantity of the solder paste 311 to be printed on the electrode 111 in an opening 213 of a mask 211 for printing laid on top of the substrate 100 is such that, when the paste becomes a molten solder 312, it is brought into contact with the upper surface 113 of the electrode.例文帳に追加
1回目のハンダペーストの印刷工程で、基板100に重ねた印刷用マスク211の開口213における電極111上に印刷するハンダペースト311の量を、溶融ハンダ312となったときに電極上面113に接触する量とする。 - 特許庁
The management device 1 decides a division number V for task division based on a total number of parallel processing T when making the arithmetic processing devices perform the conversion process, an upper limit on a number of pages of the page data 5 to be included in one task 81 and the number of pages of the page data 5 included in an output job 8.例文帳に追加
管理装置1が、変換処理を行わせる際の並行処理総数Tと、1個のタスク81に含ませるページデータ5のページ数の上限と、出力ジョブ8に含まれるページデータのページ数とに基づいて、タスク分割する際の分割数Vを決定する。 - 特許庁
In a denture implanting process S57, dentures are successively implanted in the solder bank in such a state that the dental tooth form tray holding the jaw impression member and the solder bank is mounted on the articulator and the dentures for the upper jaw and the dentures for the lower jaw are successively adjusted using the articulator so as to be properly bitten each other.例文帳に追加
S57は、人工歯植設工程で、顎印象部材とロウ堤とを保持した歯科用歯型トレイを、咬合器に装着した状態で、ロウ堤に人工歯を順次植設し、咬合器を用い、上顎用人工歯と下顎用人工歯とが、適切な咬み合わせとなるよう、順次調整を行う。 - 特許庁
Otherwise, a wafer support bracket 12 for thermal process comprises at least one concentric protruding flat support 21 on its upper surface, and a notch part 32 which is cut radially, with a plate-like reinforcing structure 33 formed vertical to the plate surface at the end part of the notch part 32.例文帳に追加
あるいは、熱処理用ウェーハ支持具12は、上面に少なくとも1つの同心円状の凸状平面支持部21と、径方向に切り欠いた切欠部32と、切欠部32の端部に板面に垂直方向に板状補強構造33を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁
In the manufacturing method of the magnetoresistive effect device, a coating layer removed in a subsequent process is previously formed on the protection layer 26, and an oxidized layer formed by naturally oxidizing a part of the upper side of the coating layer and the coating layer are removed before the electrode layers 6 are formed by etching.例文帳に追加
磁気抵抗効果装置の製造方法では、予め、保護層26の上に、後の工程で除去される被覆層を形成しておき、電極層6を形成する前に、被覆層の上面側の一部が自然酸化されて形成された酸化層および被覆層をエッチングによって除去する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which comprises a capacity element having a high reliability and a method of manufacturing the semiconductor device by preventing a capacity insulating film from deteriorating in electric characteristics in the process of forming a contact hole by means of dry etching for connecting an upper electrode with an electric wiring.例文帳に追加
上部電極と電極配線を接続するためのドライエッチングによるコンタクト孔形成における容量絶縁膜の電気的特性劣化を防止することにより、高い信頼性を有する容量素子を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Accordingly, the layer similar to the SiC film formed on the surface of the SiN film 8 can be removed in the etching process of the second BPSG film 9 as the upper layer and the SiN film 8 and the first BPSG film 7 as the lower layer thereof can be etched without any residue.例文帳に追加
これにより、上層の第2のBPSG膜9のエッチング工程でSiN膜8の表面部に形成されたSiC膜類似層を除去することが可能になり、SiN膜8およびその下層の第1のBPSG膜7を残渣なくエッチングすることが可能になった。 - 特許庁
The process for treating the hydrocarbon feed gas stream comprises bringing the feed gas stream into contact with a multi-section caustic tower, wherein bottom sections employ a recirculating caustic solution to remove the CO_2 and H_2S down to low single digits parts per million concentration and upper sections employ a stronger caustic solution on an once through basis to produce a mercaptan-depleted gas stream.例文帳に追加
ボトム区画で、CO_2およびH_2Sを数ppmの濃度まで除去するために再循環苛性溶液を用い、上部区画で、メルカプタンが激減したガス流を生成させるためにワンススルーでより強い苛性溶液を用いる多区画苛性塔に、フィードガス流を接触させる。 - 特許庁
To provide a resist underlayer film material of a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer that prevents wiggling in substrate etching and prevents a poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist, to provide a process for forming the resist underlayer film, and to provide a patterning process and a fullerene derivative.例文帳に追加
本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。 - 特許庁
The manufacturing method of the piezoelectric element includes processes of forming a lower electrode 20 above a base 10; forming the dielectric layer by carrying out a pair of a first process of forming a laminar portion 311a above the lower electrode 20 and a second process of making the laminar portion 311a thin by chemical polishing once or a plurality of times; and forming an upper electrode above the dielectric layer.例文帳に追加
本発明にかかる圧電素子の製造方法は、基体10の上方に下部電極20を形成する工程と、下部電極20の上方に層状部311aを形成する第1工程、および、層状部311aを化学的機械研磨により薄くする第2工程の組を1または複数回行い、誘電体層を形成する工程と、誘電体層の上方に上部電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁
The method of manufacturing semiconductor devices includes a process for forming the compound oxide film containing rare earths that contains rare-earth elements, metal elements that are not rare earths, and O at an upper portion of semiconductor substrates, and an etching process for alternately performing etching by acid without containing fluorine and etching by a solution containing fluorine for dissolving oxides of other metal elements to the compound oxide film containing rare earths a plurality of times.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に、希土類元素と、希土類でない他の金属元素と、Oとを含む希土類含有複合酸化物膜を形成する工程と、希土類含有複合酸化物膜に対し、フッ素を含まない酸によるエッチングと、他の金属元素の酸化物を溶解するフッ素含有溶液によるエッチングとを、交互に複数回行なうエッチング工程とを有する。 - 特許庁
The manufacturing method of the cast for manufacturing the microchannel substrate having metal projections for forming microchannels, each of which has a width of 1 mm or below and a height of 1 mm or below, on a metal substrate comprises a process for forming microchannel-like projections on the metal substrate and a process for grinding the upper surface parts of the microchannel-like projections using a minute rotary body.例文帳に追加
金属基板上に巾1mm以下、高さ1mm以下のマイクロチャネル形成用の金属突起部を有するマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法であって、金属基板上にマクロチャネル状突起部を形成する工程、及びマクロチャネル状突起部の上面部を微小な回転体を用いて研磨する工程、を有することを特徴とするマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。 - 特許庁
At least one of the upper and lower 50 and 51 is formed in a shape to hold the image forming process unit when changing the image forming process units.例文帳に追加
他の画像形成プロセスユニットと分離可能に結合した状態において画像形成装置に着脱可能に装着される画像形成プロセスユニットを梱包する梱包容器であって、互いに分割可能に設けられ画像形成プロセスユニットを包み込む下パット50及び上パット51を有し、前記上下のパット50,51のうち少なくとも一方のパットは、画像形成プロセスユニットの交換時に該画像形成プロセスユニットを保持するための形状を為していることを特徴とする。 - 特許庁
When etching a monocrystalline silicon layer 101 through a photoresist layer 102 formed on the upper part of the monocrystalline silicon layer 101 and patterned in a prescribed pattern by processing gas plasma, a protection film forming process for forming a protection film 103 on a side wall part of the photoresist layer 102 by using gas containing carbon, e.g., CF gas plasma, is performed before starting a plasma etching process for etching the monocrystalline silicon layer 101.例文帳に追加
単結晶シリコン層101を、単結晶シリコン層101の上部に形成され所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト層102を介して処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、単結晶シリコン層101のエッチングを行うプラズマエッチング工程を開始する前に、カーボンを含んだガス例えばCF系ガスのプラズマを用いてフォトレジスト層102の側壁部に保護膜103を形成する保護膜形成工程を行う。 - 特許庁
The method to mass produce the communicating tubes A by a transfer press apparatus comprises a flat face forming process to form a semi flat face 2 by crushing an exposed section of the tube which is sideways housed in a press die at the state its upper side section is exposed and a piercing process to pierce inserting hole 1 groups for inserting ends of the flat tubes.例文帳に追加
連通管Aを、トランスファープレス装置を使って量産する方法であって、その上側部分を露出させた状態でプレス型内に横向きに収めたパイプの、露出部分を押し潰して準平坦面2を形成させる平坦面形成工程と、準平坦面2を露出させた状態でプレス型内に収めたパイプの準平坦面分に、扁平チューブの末端を挿し込ませる為の挿込孔1群を穿設する穿孔工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
The upper control unit 10 comprises a signal receiving circuit 13 for receiving signals from a signal output circuit 22 and a reset signal output circuit 12 for outputting a reset signal to the play process circuit 21 for resetting the processes when the signal received by the signal receiving circuit 13 is stopped.例文帳に追加
上位制御装置10は、信号出力回路22から出力される信号を受信する信号受信回路13と、信号受信回路13に入力される信号が途絶えたときに遊技処理回路21の処理をリセットするリセット信号を出力するリセット信号出力回路12とを有する。 - 特許庁
In this structure, the rear of the second semiconductor chip 15 is subjected to thinning process according to grinding, and the upper surface of the ball electrode 16 is also ground so that the rear of the second semiconductor chip 15 and the surface of the ball electrode 16 are nearly in the same plane to be able to improve reliability.例文帳に追加
この構造により、第2の半導体チップ15の裏面は研削により薄厚加工されているとともに、ボール電極16の上部表面も研削され、第2の半導体チップ15の裏面とボール電極16の表面とが略同一面に構成されているため、信頼性を向上させることができる。 - 特許庁
Because the capacitive element upper electrode has a sufficient film thickness, a capacitive element can be manufactured which inhibits penetration of a contact and characteristic deterioration such as increase in voltage dependency associated with high resistivity, and can share a process with a high resistance element necessary for an analog circuit and has a sufficient function.例文帳に追加
容量素子の上部電極が十分な膜厚を持つので、コンタクトの突き抜けや、高抵抗化に伴う電圧依存性の増加などの特性劣化が防止され、アナログ回路に必要な高抵抗素子とプロセスを共通化することが可能であり、かつ、十分な機能を有する容量素子を製造することができる。 - 特許庁
The element for evaluation of the physical resistance in the package process of a semiconductor device is equipped with a substrate 1, an interconnection film 3 prepared on the substrate 1, and an insulation film 2 whose elastic modulus is 15 GPa or less prepared in the lower layer and/or the upper layer of the interconnection film 3.例文帳に追加
半導体デバイスのパッケージプロセスにおける物理的耐性の評価の為に用いられる素子であって、 基板1と、 前記基板1上に設けられた配線膜3と、 前記配線膜3の下層側および/または上層側に設けられた弾性率が15GPa以下の絶縁膜2とを具備する。 - 特許庁
To provide a specific shaped reed for sealed type batteries which can obtain excellent output characteristics because low resistance welding connections can be done surely when connecting an upper collecting plate to a cap, and to provide sealed type batteries using the reed and a method of manufacturing batteries in which a specific welding process is adopted.例文帳に追加
上部集電板と蓋とを接続するに際して、確実に低抵抗な溶接を可能とし、低抵抗で出力特性に優れた密閉形電池を得るための特定の形状の密閉形電池用リード、そのリードを用いた密閉形電池及び特定の溶接工程を採用したその電池の製造方法を提供する。 - 特許庁
A process cartridge 40 includes a toner container 48 disposed below a feed roller 44 and having an opening 482 in an upper part thereof, and an agitator 46 provided to be rotatably supported within the toner container 48 and to make slide contact with an inner surface 481 of the toner container 48 by rotation, and carrying toner T upward.例文帳に追加
プロセスカートリッジ40は、供給ローラ44の下方に配置され、上部に開口部482を有するトナー容器48と、トナー容器48の内部に回転可能に支持され、回転によりトナー容器48の内面481に摺接するように設けられるとともに、上方にトナーTを搬送するアジテータ46とを備えている。 - 特許庁
A method of manufacturing a monolithic ceramic electronic component is provided with a process for forming a thick conductor, consisting of a plurality of coil conductor layers 12 and a plurality of coil conductor layers 14 by transferring the coil conductor layers 12 and 14, supported on a carrier film a plurality of times on the upper surface or the lower surface of a ceramic green sheet 13b.例文帳に追加
セラミックグリーンシート13bの上面または下面に、キャリアフィルム上に支持されたコイル導体層12,14を複数回転写することにより、複数のコイル導体層12及び複数のコイル導体層14からなる厚みの厚い導体を形成する工程を備えた積層セラミック電子部品の製造方法。 - 特許庁
A crimping process comprises: a step of relatively descending the moving plate 11 against the work 9; a step of oscillating the punch 2; a step of pressing the pointed head contact portion of the punch 2 to a processed portion of the work 9; and a step of giving processing force toward the processed portion of the work from a slanted upper side to a slanted lower side.例文帳に追加
移動プレート11をワーク9に対して相対的に下降させると共にパンチ2を揺動させて,パンチ2の先端当接部をワーク9の被加工部に押し当て,被加工部に対して,斜め上方から斜め下方に向けた加工力を付与してかしめ加工を行うよう構成されている。 - 特許庁
To allow a vehicle to automatically travel in accordance with a traveling environment in a process for allowing the vehicle to arrive at a prescribed position at target time by generating a vehicle speed pattern on the basis of an upper limit speed pattern corresponding to the traveling environment.例文帳に追加
本発明は、車両の自動走行制御方法および自動走行制御装置に関し、走行環境に対応した上限速度パターンに基づいて車両の速度パターンを生成することにより、車両を、所定位置に目標時刻に到達させる過程で走行環境に従って走行させることを目的とする。 - 特許庁
A mask blank has a thin film for forming a pattern on a light transmitting substrate, wherein the thin film comprises an upper layer made of a material containing Cr and oxygen and a lower layer made of a material that contains Ta or its compound and can be etched by a dry etching process that uses a fluorine-based gas.例文帳に追加
透光性基板上にパターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクにおいて、薄膜は、Crと酸素を含む材料で形成されている上層と、Taまたはその化合物を含み、且つ、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されている下層とからなる。 - 特許庁
To obtain a uniform seal area by adjusting pressure distribution between an upper processing tool and a lower processing tool in a seal process by a simple method at a seal station to seal a cover sheet on a carrier sheet to close hermetically, in particular, one fixed in a thermoforming machine.例文帳に追加
カバーシートをキャリアシート上に密封をなすように接合(シール)するシールステーションにおいて、特には熱成形機械中に取り付けられるものにおいて、シンプルな方式により、シール工程における上部加工具と下部加工具との間の圧力の分布を調節して、均一なシール領域を得ることができるようにする。 - 特許庁
To provide an image forming apparatus using a process cartridge which can be loaded in/unloaded from the image forming apparatus, where a transfer upper guide for regulating the entrance angle of a transfer material to a photoreceptor is made to approach to the surface of the photoreceptor and the entrance of the transfer material to the photoreceptor is made stable, thereby keeping image quality.例文帳に追加
画像形成装置に着脱可能なプロセスカートリッジを用いる装置において、転写材の感光体への侵入角度を規制する転写上ガイドを感光体表面へ近づけることができ、転写材の感光体への侵入を安定させることで、画像品位を保った画像形成装置を提供することである。 - 特許庁
Finally, nitrogen gas, heated by a gas-heating mechanism 52, is supplied onto both the surfaces Wa and Wb of the wafer W from upper and lower through holes 63 and 13, at the same time, the wafer W is rotated at high speed by a wafer-rotating section 10, and the rinse liquid on the surface of the wafer W is shaken off for drying (a drying process).例文帳に追加
最後に、上貫通孔63および下貫通孔13からガス加熱機構52で加熱された窒素ガスがウエハWの両面Wa,Wbに供給されると同時に、ウエハ回転部10によってウエハWがさらに高速回転され、ウエハW表面のリンス液が振り切り乾燥させられる(乾燥工程)。 - 特許庁
About an interesting area wherein the user's taste is hardly decided, by using the keyword included in an upper hierarchy, the number of the keyword vectors included in the user profile is reduced, and a load in a matching process between the profiles executed by a recommendation system or digital contents distribution service can be reduced.例文帳に追加
ユーザの嗜好を判定しにくい興味領域に関しては、上位階層に含まれるキーワードを利用することで、ユーザプロファイルに含むキーワードベクトル数の削減を行うことにつながり、レコメンドシステムやデジタルコンテンツ配信サービスにより行われるプロファイル間のマッチング処理における負荷を削減することが可能となる。 - 特許庁
This method of generating at least one pattern on the upper surface of a support body 1 made of a substance showing first thermal conductivity includes a process of arranging a mask 7 made of a substance which shows second thermal conductivity and including at least one hole part 8 having a shape corresponding to the shape of the pattern.例文帳に追加
第1熱伝導率を示す物質から作られる支持体1の上面上に少なくとも1つのパターンを作成する方法は、第2熱伝導率を示し、且つ、パターンの形状に対応する形状を有する少なくとも1つの孔部8を含む物質から作られるマスク7を配置する工程を含む。 - 特許庁
In the channel protective film forming process, light is emitted from the lower surface side of a transparent substrate and the upper surface side of the mask sheet, thereby developing a positive photoresist of a part superposed on the light-shielding part for the protective film and a gate electrode and a part superposed on the light-shielding part for the terminal and the input terminal to remain.例文帳に追加
チャネル保護膜形成工程では、透明基板の下面側及びマスクシートの上面側からそれぞれ光を照射して保護膜用遮光部及びゲート電極に重ねられた部分と端子用遮光部及び入力端子に重ねられた部分とのポジ型フォトレジストを現像し残存させる。 - 特許庁
In the last half of a drying process, a compressor of a heat pump is stopped, air in a space from the upper surface of an outer drum to a casing is sucked into an air flow path, part or whole of air discharged from the outer tub through water sealing of a drain trap, is exhausted through an exhaust hose, and power consumption is reduced.例文帳に追加
乾燥工程の後半にヒートポンプの圧縮機を停止して外槽上面から筐体との空間の空気を送風路に吸込み、排水トラップの水封じを破って外槽から排出される空気の全部または一部を排水ホースを経由して排出することにより消費電力量が削減できる。 - 特許庁
A process (a) shows a preceding stage in which a divided plunger 9 and the divided sub-upper mold 10 are connected mechanically to each other, and the thermosetting resin 6 is pressurized/packed into the mold in which a stator winding 4 and a stator core 5 are arranged in a concave state different from a form to form a mold motor finally.例文帳に追加
工程(a)は分割されたプランジャー9と分割された副上金型10が機械的に連結され、最終的にモールドモータを形成する形状とは異なった凹状の形態で、固定子巻線4と固定子鉄芯5が設置された金型の内に熱硬化性樹脂6を加圧・充填する前段階を示している。 - 特許庁
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