「えばにし１ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板１を用いる。例文帳に追加

A substrate 1 where a growth surface is rough is used. - 特許庁

(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板１を用いる。例文帳に追加

As shown in Fig.(a), a substrate 1 is used having a growth plane having a concavo-convex surface. - 特許庁

出願人は、特許付与前であれば随時、(1)に定める主張の内容を修正することができる。例文帳に追加

The applicant may, at any time before the grant of the patent, amend the contents of the declaration referred to in paragraph (1) hereof.  - 特許庁

鼻と頬をこすりながらしばし考え、左に迂回し、慎重に慎重に、1歩ずつ足場を確かめながら歩を進めた。例文帳に追加

He reflected awhile, rubbing his nose and cheeks, then skirted to the left, stepping gingerly and testing the footing for each step.  - Jack London『火を起こす』

(i) (1)(a)に該当する申請の場合－証拠の写しを送達するための期間の延長、及び例文帳に追加

(i) in the case of an application to which paragraph (1)(a) applies -- the extension of the period for serving a copy of the evidence; and - 特許庁

透光体、例えば、紙１を走行させてその幅方向の全長にわたって照明手段２により順次透過照明する。例文帳に追加

In the method, the light transmission body, for example, a piece of paper 1 is successively transmissively illuminated over the full length of the paper 1 in the width direction by means of a lighting means 2, while the paper 1 is made to rum. - 特許庁

(1)に定める期間については，必要とされる延長の申請が(所定の手数料を添えて)請求書に記載された延長期間内に長官に提出された場合に，3月を超えない期間，長官がこれを延長することができる。例文帳に追加

The time period prescribed in paragraph (1) may be extended by the Controller by not more than three months if an application for the extension required (accompanied by the prescribed fee) is submitted to the Controller at any time within the extended period specified in the request. - 特許庁

延長具は、足場ボルト１の長さよりも長く、かつ、内部に足場ボルト１を挿入可能な筒状の延長具本体２と、足場ボルト１から延長具本体２が外れないように該延長具本体２を足場ボルト１に掛止する掛止手段３とを備える。例文帳に追加

The extender of the step bolt includes a cylindrical extender body 2 longer than the length of the step bolt 1 and allowing the step bolt 1 to be inserted thereinto, and a locking means 3 for locking the extender body 2 with the step bolt 1 so as to prevent the extender body 2 from being removed from the step bolt 1. - 特許庁

各格子の胞と頂点との双対性を利用し、頂点が属する胞が予め与えられた界面を含む場合、その頂点に値−１を与え、そうでない場合、値１を与えるという操作を全頂点に対して行う。例文帳に追加

The duality between the cell and vertex of each grid is used to perform operation for giving a value of -1 to the vertex when the cell that the vertex belongs to includes a previously given interface or a value of 1 when not for all vertexes. - 特許庁

対象面(C) の包丁差し(A) 設置部位の上方側に取り付けて安全を確保するための、横長のフード(1) を備えた包丁カバーである。例文帳に追加

The cover for the kitchen knife fitted on the top side of a setting site of the kitchen knife holder (A) of an objective face (C) and provided with a horizontal hood (1) for ensuring safety is provided. - 特許庁

この滑り止め具１に、例えば包丁３の柄４を挿入し加熱して熱収縮させることで、柄４の外周に装着される。例文帳に追加

When this grip 4 of the knife 3, for example, is inserted into the slip stopper 1 and they are heated to be thermally shrunk, the stopper 1 is mounted in the outer circumference of the grip 4. - 特許庁

基板上への窒化物薄膜の成長方法において、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板１上に＋ｃ面で成長するＧａ面２と、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板上に−ｃ面で成長するＮ面３とを形成する。例文帳に追加

In the process for growing a nitride thin film on a substrate, a Ga face 2 growing on +c face and an N face 3 growing on -c face are formed on a c face sapphire (Al_2O_3) substrate 1. - 特許庁

長官は，(1)に基づく延長の請求が当該の行為を行い又は当該の手続を取るための所定の期限又は期間の満了から1月を超えた後に行われた場合は，(1)に基づく延長を許可してはならない。例文帳に追加

The Controller shall not grant an extension under paragraph (1) if the request therefor is made more than one month after the expiry of the prescribed time or period for doing the act or taking the proceeding in question. - 特許庁

貼付板（１）の貼付面（５）に近接してウエ−ハガイド（８）…を位置させる。例文帳に追加

Wafer guides (8),... are positioned in the vicinity of a bonding surface (5) of a bonding plate 1. - 特許庁

本発明によれば、第1バスマスタが調停回路に対してバスリクエスト信号を送出し、調停回路が第1バスマスタに対してバスグラント信号を送出し、第1バスマスタがアドレスバスにアドレス信号を供給する。例文帳に追加

When a 1st bus master 210 sends a bus request signal BR-P1 out, an arbitrating circuit 250 sends a bus grant signal BG-P1 to the bus master 210 to supply an address signal to an address bus. - 特許庁

上記半導体基板１のエピタキシャル成長面が上下方向に向くように、半導体基板１を成長室３内に保持する。例文帳に追加

The semiconductor substrate 1 is held in each growth chamber 3 so as to direct the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1 upward. - 特許庁

［注 1：(1)に記載した期間又は(3)に記載した延長期間が終了した後に IRDAの受理についての期間延長を求めるときは、その申請は、法律第 224条に基づいて行わなければならない。］例文帳に追加

[Note 1: If an extension of the time for acceptance of an IRDA is sought after the end of a period mentioned in subregulation (1) or of an extended period mentioned in subregulation (3) application must be made under section 224 of the Act.] - 特許庁

支持台２３の上面には、基板１の温度を調整するためのヒータ２５ａ，２５ｂが設けられている。例文帳に追加

Heaters 25a, 25b for adjusting the temperature of the substrate 1 are installed on the upper face of the support table 23. - 特許庁

聴聞が行われる前，又は聴聞が行われないときは特許裁判所の決定がされる前に，裁判長又は裁判長によって指名された部の構成員は，可能ならば1回の聴聞又は1回の開廷期日において事件の結論を出すために必要なすべての準備をしなければならない。例文帳に追加

The presiding judge or a member of the Board appointed by him shall, before the hearing or, in the absence of a hearing, before the decision of the Patent Court, make all necessary arrangements for finally disposing of the matter, if possible in one hearing or in one session.  - 特許庁

(2) 事件に関して正当な事由があるときは，出願人は，(1)によって定められた期限内に，特許庁が定めた期間の延長を請求する権利を有する。期間延長の請求は，期限前に特許庁にしなければならない。期間延長に関する特許庁の決定は，最終的なものである。 (2003年1月29日。2003年4月1日施行－RT I 2003, 18, 106; 2004年3月10日。2004年5月1日施行－RT I 2004, 20, 141)例文帳に追加

(2) In justified cases, an applicant has the right to request the extension of a term set by the Patent Office within the time limits provided by subsection (1) of this section. The application for an extension of the term shall be filed with the Patent Office before the due date. The decision of the Patent Office regarding an extension of a term is final. (29.01.2003 entered into force 01.04.2003 - RT I 2003, 18, 106; 10.03.2004 entered into force 01.05.2004 - RT I 2004, 20, 141)  - 特許庁

本発明の視聴質測定方法は、番組を視聴している視聴者の目の動きをアイカメラ１により捉え、該アイカメラ１から得られる視線Ｉの移動状態（軌跡ＩＬ）により、番組を表示している画面に対する視聴者の注視度合いを測定することを特徴とする。例文帳に追加

The audience concentration degree measuring method catches a motion of eyes of a televiewer who is viewing and listening to a program by means of an eye camera 1, and measures a televiewer's gaze degree to a screen which shows a program according to a moving state (locus IL) of a sight line I obtained by the eye camera 1. - 特許庁

(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板１を用いる。例文帳に追加

As shown in a figure (a), a substrate 1 having a growth plane having a concavo-convex surface is used. - 特許庁

例えば、1万枚と言う大量の原稿が、スキャナ部1により自動的に読み込まれ、1枚目の原稿が読み込まれると、1万枚のラベルを内蔵しているラベル貼付部2により、ラベルが原稿の上側右余白に貼付される。例文帳に追加

For instance, when the scanner part 1 is about to read large-volume manuscripts of 10,000 sheets automatically, the first sheet of the manuscripts is read into, and a label is affixed to the upper right margin of the manuscript by the labeling part 2 that contains 10,000 sheets of label. - 特許庁

ＬＣＣ１は、用紙積載板２１、側面基準部材２３，２４、および角度調整機構を備える。例文帳に追加

An LCC 1 is provided with a paper loading plate 21, side surface reference members 23 and 24, and an angle adjusting mechanism. - 特許庁

サーバ１は、ＣＭ番組を出力するためのＣＭデータに、ＣＭ番組を視聴するユーザを特定するための属性情報を付与し、記憶している。例文帳に追加

The server 1 stores CM data for outputting a CM program by adding attribute information specifying a user watching the CM program to the data. - 特許庁

サーバ１は、ＣＭ番組を出力するためのＣＭデータにＣＭ番組を視聴するユーザを特定するための属性情報を付与し、記憶している。例文帳に追加

The server 1 stores CM data used for outputting a CM program by adding attribute information specifying a user watching the CM program to the data. - 特許庁

波長板６２１は光Ｌ１に対して（２ｍ＋１）λ／２板（ｍは整数）として作用し、光Ｌ２に対してｎλ板（ｎは整数）として作用する。例文帳に追加

A wavelength plate 621 acts on light L1 as a (2m+1)λ/2 plate (m is an integer) and acts on light L2 as an nλ plate (n is an integer). - 特許庁

そして、半導体基板１にダメージが与えられた状態で、半導体基板１に対してエピタキシャル成長処理を実施する。例文帳に追加

Epitaxial growth treatment is carried out for the semiconductor substrate 1 in a state that the damage is given to the semiconductor substrate 1. - 特許庁

成長用基板１上に配置した無機粒子２が、３−５族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板１の表面１Ａにおいて無機粒子２の無いところが成長領域１Ｂとなる。例文帳に追加

Wherein the inorganic particles 2 disposed on the substrate 1 for growing act as a mask at a growing time of a 3-5 group nitride semiconductor layer and areas where the inorganic particles 2 do not exist on the surface 1A of the substrate 1 for growing become growing areas 1B. - 特許庁

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁

中国本部（〒700-0023　岡山市北区(岡山市)駅前町二丁目2番4号　かもいビル1・2階）例文帳に追加

Chugoku Headquarters (Kamoi Bldg. 1st and 2nd Floors, 2-4, Ekimaecho 2-chome, Kita Ward, Okayama City, 700-0023)  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

慶長小判の質量は京目一両を基に複雑なやり取りの上決められた。例文帳に追加

The weight of Keicho Koban (the Japanese gold coin of oval shape minted in the Keicho era [1596 to 1615]) was determined based on 1 ryo of Kyome by taking complicated factors into consideration.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

波長変換素子２０Ａは、波長変換用基板１、波長変換用基板１の＋Ｚ面１ａに接触するように形成された第一の導電層６Ａ、および波長変換用基板１の−Ｚ面１ｂに接触するように形成された第二の導電層６Ｂを備えている。例文帳に追加

The wavelength conversion element 20A includes: the substrate 1 for wavelength conversion; a first conductive layer 6A formed so as to contact the +Z surface 1a of the substrate 1 for wavelength conversion; and a second conductive layer 6B formed so as to contact the -Z surface 1b of the substrate 1 for wavelength conversion. - 特許庁

温度が安定した後に、更に厚さ１マイクロメートルのｎ型ＧａＮバッファ層５を基板１上に成長する。例文帳に追加

After the temperature is stabilized, an n-type GaN buffer layer 5 of a 1 micrometer thickness is further grown on the substrate 1. - 特許庁

温度が安定した後に、更に厚さ１マイクロメートルのｎ型ＧａＮバッファ層５を基板１上に成長する。例文帳に追加

After the temperature is stabilized, the n-type GaN buffer layer 5, having a thickness of 1 μm, is further grown on the substrate 1. - 特許庁

基板１の表面の全面には、エピタキシャル結晶成長層２が配置されている。例文帳に追加

On the entire surface of a substrate 1, an epitaxial crystal growth layer 2 is arranged. - 特許庁

ＧａＮ基板１０は、波長が３８０ｎｍの光および波長が１５００ｎｍの光に関する吸収係数が７ｃｍ^-1以上であり、少なくとも波長が５００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光に関する吸収係数が７ｃｍ^-1未満であり、比抵抗が０．０２Ωｃｍ以下である。例文帳に追加

The GaN substrate 10 has an absorption coefficient not lower than 7 cm^-1 for light having a wavelength of 380 nm and light having a wavelength of 1,500 nm, an absorption coefficient lower than 7 cm^-1 for at least light having a wavelength not shorter than 500 nm and not longer than 780 nm, and specific resistance not higher than 0.02 Ω×cm. - 特許庁

Ａ面サファイア基板１上に、１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層を成長することによって、これにクラックが発生せず、平坦性と結晶性に優れたＣ面ＡｌＮ層が得られる。例文帳に追加

The C-surface AlN layer over 1 μm is grown on the A-surface sapphire substrate 1, so that no crack occurs thereon, thus the C-surface AlN layer being excellent in flatness and crystallinity can be obtained. - 特許庁

４　消防庁長官は、第一項の規定により調査をする市町村長等（総務大臣を除く。）から求めがあつた場合には、同項の調査をすることができる。この場合においては、前二項の規定を準用する。例文帳に追加

(4) The Commissioner of the Fire and Disaster Management Agency, at the request of a municipal mayor, etc. (excluding the Minister of Internal Affairs and Communications) who conducts an investigation pursuant to the provision of paragraph (1), may conduct an investigation set forth in said paragraph. In this case, the provisions of the preceding two paragraphs shall apply mutatis mutandis.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

(1) 手続当事者が，ある行為の履行に関して庁が定めた期間の満了前にその期間の延長を請求した場合は，庁はその期間を延長することができる。例文帳に追加

(1) On the basis of the request of the party to the proceedings on extension of the period prescribed by the Office for performing an action, submitted before the expiry of this period, the Office is entitled to extend the period. - 特許庁

タイヤ１の重量バラツキを測定し、これから判明した軽点ＬＰに対応させてタイヤ１内面にバランス調整材２を設ける。例文帳に追加

Weight dispersion of the tire 1 is measured, and a balance adjusting material 2 is disposed on the inner surface of the tire 1 in response to a light point LP determined from the measurement. - 特許庁

エアバッグは、ボディ１に取り付けるための複数の取付片１０ｃを有して膨張用ガスによって膨張する袋本体１０ｂを、備える。例文帳に追加

The air bag has a bag body 10b inflated by the inflation gas with plural installation pieces 10c for installation to the body 1. - 特許庁

(2) 聴聞を求める申請は，登録官が当該人に聴聞の機会を与える日から1月以内に行わなければならない。例文帳に追加

(2) Any application for a hearing shall be made within one month from the date on which the registrar gives such person the opportunity to be heard. - 特許庁

２光子吸収断面積が10^2ＧＭ(ただし1ＧＭ＝1×10^-50cm^4 s molecule ^-1 photon^-1)以上である２光子吸収化合物と蛍光消光剤とを含有することを特徴とする2光子吸収式光学的情報記録媒体。例文帳に追加

The two-photon absorption system optical information recording medium is characterized in that it contains a two-photon absorption compound whose two-photon absorption cross-sectional area is ≥10^2 GM (1 GM=1×10^-50 cm^4 s molecule^-1 photon^-1) and a fluorescent quenching agent. - 特許庁

ＧａＮ基板１とエピタキシャル成長層５との界面における１ｃｍ^3当りのシリコン（Ｓｉ）原子の個数は１×１０^20以下である。例文帳に追加

The number of silicon (Si) atoms per one cm^3 in the interface of the GaN substrate 1 and the epitaxial growth layer 5 is 1×10^20 or smaller. - 特許庁