「くにあき」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

いずれの利害関係当事者も、規則に定められた条件に従って、標章登録局の公告後60 日以内に、書面による標章の登録に対する理由付けした異議を特許庁に提出できる。例文帳に追加

Any interested party may submit, in writing to the Department, within 60 days from the date of publication, and according to the conditions prescribed by the Regulations, a motivated opposition to the registration of the mark.  - 特許庁

団体標章登録の放棄は，それに係わる団体の定款若しくは規約に従って，又は標章の使用規約に従って申請が行われた場合に限り，認められるものとする。例文帳に追加

Renunciation of the registration of a collective mark shall only be permitted when applied for in accordance with the social contract or statutes of the entity itself, or in accordance with the regulations for utilization.  - 特許庁

第139条 登録された標章の公示及び登録簿の閲覧 139.1庁は，規則に定める様式で規則に定める期間内に，137.2に規定する事項のすべてを複製して登録された標章を登録の順に公示する。例文帳に追加

Sec.139 Publication of Registered Marks; Inspection of Register 139.1. The Office shall publish, in the form and within the period fixed by the Regulations, the mark registered, in the order of their registration, reproducing all the particulars referred to in Subsection 137.2. - 特許庁

アキシャル電磁石及びラジアル電磁石２４ａに対して定常電流を供給することにより非線形性をもつアキシャル電磁石及びラジアル電磁石２４ａの磁気吸引力が線形近似される。例文帳に追加

By feeding a constant current to the axial electromagnets and the radial electromagnets 24a, magnetic attractive forces of the axial electromagnets and radial electromagnets 24a which have nonlinearity are linearly approximated. - 特許庁

不純物含有非晶質シリコン層２４のうちソース電極２５１とドレイン電極２５２との間に存する部分をドライエッチングして真性非晶質シリコン層２３の表面２６を露出させる。例文帳に追加

A portion existing between the source electrode 251 and the drain electrode 252 in the impurity containing amorphous silicon layer 24 is dry etched to expose the surface 26 of the intrinsic amorphous silicon layer 23. - 特許庁

（Ｅ）−２−(４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)−２−シアノ−１−（１、３、４−トリメチルピラゾール−５−イル）ビニル＝２、２-ジメチルプロピオナートの低融点晶または高融点晶。例文帳に追加

The low or high melting point crystal of (E)-2-(4-tert-butylphenyl)-2-cyano-1-(1,3,4-trimethylpyrazol-5-yl)vinyl=2,2-dimethylpropionate is obtained. - 特許庁

上記ソース電極２５１とドレイン電極２５２を形成した後、不純物含有非晶質シリコン層２４をドライエッチングする前に、不純物含有非晶質シリコン層２４の表面を酸素含有プラズマに曝す。例文帳に追加

After the source electrode 251 and the drain electrode 252 are formed, before the impurity containing amorphous silicon layer 24 is dry etched, the surface of the impurity containing amorphous silicon layer 24 is exposed to an oxygen containing plasma. - 特許庁

シリコン基板２に形成されたトレンチ内に第１の非晶質シリコン膜２６を形成し、この第１の非晶質シリコン膜２６上にシリコン酸化膜を形成する。例文帳に追加

In a trench formed in a silicon substrate 2, a first amorphous silicon film 26 is formed and then a silicon oxide film is formed on the first amorphous silicon film 26. - 特許庁

Ｎ−ビニル−２−ピロリドンを晶析により精製する方法であって、該晶析はＮ−ビニル−２−ピロリドンを主成分とし、不純物を含む母液中に安定剤を存在させて行われることを特徴とする方法。例文帳に追加

The method for purifying N-vinyl-2-pyrrolidone by crystallization comprises carrying out crystallization by making a stabilizer exist in a mother liquor composed of N-vinyl-2-pyrrolidone as a main component and containing impurities. - 特許庁

基板２０上にゲート電極２１、ゲート絶縁膜２２、活性領域として働く真性非晶質シリコン層２３、不純物含有非晶質シリコン層２４を形成する。例文帳に追加

On a substrate 20, a gate electrode 21, a gate insulation film 22, an intrinsic amorphous silicon layer 23 for working as an active region and an impurity containing amorphous silicon layer 24 are formed. - 特許庁

ｎ型単結晶シリコン基板１１の主面の外周部の所定幅を除く領域にｉ型非晶質シリコン膜２１およびｎ型非晶質シリコン膜２２が形成されている。例文帳に追加

An i-type amorphous silicon film 21 and an n-type amorphous silicon film 22 are formed on a region except a predetermined width on an outer periphery of a principal plane of an n-type monocrystalline silicon substrate 11. - 特許庁

そして、ｎ型単結晶シリコン基板１とノンドープ非晶質シリコン膜２ａとの界面の水素原子濃度（約６×１０^２１ｃｍ^−３）が、ノンドープ非晶質シリコン膜２ａ中の水素原子濃度よりも高い。例文帳に追加

The concentration of the hydrogen atom (about 6×10^21cm^-3) of an interface between the n-type single crystal silicon substrate 1 and the undoped amorphous silicon film 2a is higher than the concentration of hydrogen atom in the undoped amorphous silicon film 2a. - 特許庁

基板１上に、リンドープの非晶質ＳｉＧｅ膜２を堆積させ（ａ）、熱処理を行って非晶質ＳｉＧｅ膜２を結晶化させて、多結晶ＳｉＧｅ膜３を得る（ｂ）。例文帳に追加

A phosphorus doped amorphous SiGe film 2 is deposited (a) on a substrate 1 and crystallized by heat treatment to obtain (b) a polycrystalline SiGe film 3. - 特許庁

高密度記録において高Ｓ／Ｎを達成可能な六方晶フェライト磁性粉末および上記六方晶フェライト磁性粉末を用いた高密度記録に適した磁気記録媒体の提供。例文帳に追加

To provide a hexagonal ferrite magnetic powder achieving a high S/N in high-density recording, and to provide a magnetic recording medium which employs the hexagonal ferrite magnetic powder and is suitable for high-density recording. - 特許庁

ｎ型単結晶シリコン基板１１の主面上でｉ型非晶質シリコン膜２１およびｎ型非晶質シリコン膜２２を覆うように表面電極１２が形成されている。例文帳に追加

A surface electrode 12 is formed to cover the films 21 and 22 on the principal plane of the n-type silicon substrate 11. - 特許庁

したがって段部１４の空きスペースにケーブル１６の先端のパターン電極２１を配したので、空きスペースが有効に活用され、パターン電極２１の巾分だけコントロールパネルの巾を狭くすることができる。例文帳に追加

Accordingly a free space is effectively utilized because the pattern electrode 21 at the tip of cable 16 is arranged at the free space of the stage part 14, and a width of control panel can be made narrower by a width share of pattern electrode 21. - 特許庁

パケット信号には複数のブロックが準備され、入力装置２−１乃至２−ｎは、伝送されてきたパケット信号のブロックに空きがあるとき、空きブロックに自己の分割デジタル信号を配置する。例文帳に追加

A plurality of blocks are prepared for the packet signal, and the input devices 2-1 to 2-n arrange an own divided digital signal to an empty block when a block in a transmitted packet signal is empty. - 特許庁

大幅なコストアップを招かずに、主軸のアキシャル方向の伸びを正確に測定することができ、主軸のアキシャル方向の位置を正確に補正できるよう改良された磁気軸受装置を供給する。例文帳に追加

To provide a magnetic bearing device accurately measuring elongation in an axial direction of a main spindle and accurately correcting a position in the axial direction of the main spindle, without significant increase in cost. - 特許庁

電極パッド２６Ｂが有する空き領域には絶縁膜２５が存在し、空き領域に存在する絶縁膜２５と電極パッド２６Ｂとの貫通電極側の段差が電極パッド２６Ｂの厚さ以下である。例文帳に追加

The first insulating film 25 is present in the free region that the electrode pad 26B has, and a step, on a through-electrode side, between the first insulating film 25 being present in the free region and the electrode pad 26B is not greater than a thickness of the electrode pad 26B. - 特許庁

これによると、両チューブの接合を同種金属間で行っているので、両チューブ間での異種金属による電食の発生を防止でき、冷媒側チューブ３０の腐食による穴あきを防止できる。例文帳に追加

Owing to this, both the tubes are joined by the same kind of metal, and therefore, it is possible to prevent the occurrence of electrolytic corrosion caused by the use of different kinds of metal and to prevent a hole from being formed by corrosion of the refrigerant-side tube 30. - 特許庁

使用開始後に、主軸２等の回転軸に加わるアキシアル荷重と、このアキシアル荷重を求める為に設けたセンサユニット７の出力信号との関係を検定する方法及び装置を実現する。例文帳に追加

To provide a method and a device for testing a relationship between an axial load applied on a rotary shaft such as a main spindle 2 after the start of use and the output signal of a sensor unit 7 disposed to obtain the axial load. - 特許庁

Ｘフィードギア機構を駆動する駆動軸（２２６）がＺ移動部（２０６）を貫通し、Ｘフィードモータ（２３０）のモータ軸（２２８）からＸフィードギア機構のボールネジスピンドル（２０４）まで延在する。例文帳に追加

A drive shaft 226 that drives the X direction feeding gear mechanism penetrates the Z direction travelling part 206 and is extended from a motor shaft 228 of an X direction feeding motor 230 to a ball screw spindle 204 of the X direction feeding gear mechanism. - 特許庁

上記剪断応力は、膨張するエアーバッグ１６によって展開用ドア基盤パネル１８が押し開けられる際に展開用ドア基盤パネル１８が発生する圧力によって生ずる応力である。例文帳に追加

The shearing stress is a stress generated by pressure which a door base panel 18 for development generates at the time when the door base panel 18 for development is pushed open by the expanding air bag 16. - 特許庁

次に、形成した各セル列ＳＣ−１，ＳＣ−２，ＳＣ−３内の空き領域を検索し、検索した各セル列内の空き領域にスペーサセルまたはフィラーセル２ＴＳ−１，２ＴＳ−２，２ＴＳ−３を配置する。例文帳に追加

Next, a blank region is searched in formed cell columns SC-1, SC-2, SC-3, and spacer cells or filler cells 2TS-1, 2TS-2, 2TS-3 are arranged at the searched blank regions of the cell columns respectively. - 特許庁

エストニア共和国に居所又は所在地を有する者は，外国における実用新案の登録に関しては，当該外国の法律及び国際条約に従うものとする。例文帳に追加

Persons whose residence or seat is in the Republic of Estonia are responsible for the registration of their utility models in foreign states in accordance with the law of the foreign state and international conventions.  - 特許庁

(2) エストニア共和国に居所又は所在地を有する者は，外国における特許取得については，当該外国の法律及び国際条約に従わなければならない。例文帳に追加

(2) Persons whose residence or seat is in the Republic of Estonia are responsible for patenting their inventions in foreign states in accordance with the law of the foreign state and international conventions.  - 特許庁

２−｛３−［（Ｅ）−２−（４，６−ジメチル−ピリジン−２−イル）−ビニル］−１Ｈ−インダゾール−６−イルアミノ｝−Ｎ−｛４−ヒドロキシ−ブチ−２−ニル）ベンズアミドの多形型又は非晶質型例文帳に追加

POLYMORPHIC OR AMORPHOUS TYPE 2-{3-[(E)-2-(4,6-DIMETHYL-PYRIDIN-2-YL)-VINYL]-1H-INDAZOL-6-YLAMINO}-N-(4-HYDROXY-BUT-2-YNYL)BENZAMIDE - 特許庁

登録標章の新旧の所有者の名義，国籍及び住所 (c) 登録標章の所有者の名義及び／又は住所の変更登録の申請にかかる登録標章(の所有者)が法人である場合は，法人の名称及び当該法人が設立された国であって，その国の法律に準拠する国名例文帳に追加

The names nationality, and addresses of the old and new owners of the registered mark  - 特許庁

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜を加熱して前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、前記結晶性珪素膜にレーザー光を照射し、前記結晶性珪素膜を加熱することで良好な結晶性珪素膜を得る。例文帳に追加

An amorphous silicon film is formed on a substrate having an insulating surface, the amorphous silicon film is heated to convert the amorphous silicon film to a crystalline silicon film, the crystalline silicon film is irradiated with laser light and heated to obtain a good crystalline silicon film. - 特許庁

ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコ系薄膜３との間にｉ型非晶質シリコン薄膜２を介在させた光起電力装置において、シリコン基板１ｉ型非晶系シリコン薄膜２とが形成する界面領域にボロン原子を導入させる。例文帳に追加

In a photovoltaic device where an i-type amorphous silicon thin film 2 is provided between an n-type single crystal silicon substrate 1 and a p-type amorphous silicon based thin film 3, boron atoms are introduced to an interface region of the silicon substrate 1 and the i-type amorphous silicon thin film 2. - 特許庁

Ｎ−Ｄセレクト時に締結させるクラッチＦ／Ｃの油圧をアキュムレータ６８で過渡制御し、３−４変速に締結させるブレーキＢ／Ｂの４Ｓ／Ａ圧をアキュムレータ７４で過渡制御し、これら制御のためのアキュムレータ背圧Ｐ__ACC をコントロールバルブ６２で作る。例文帳に追加

Transient control of an oil pressure of a clutch F/C to be connected at N-D select time is performed by an accumulator 68, transient control of a pressure 4S/A of a brake B/B connecting in a speed change 3-4 is performed by an accumulator 74, and an accumulator back pressure PACC for these controls is generated in a control valve 62. - 特許庁

非晶質状態の半導体薄膜２の表面を清浄に保ち得る雰囲気中にて、非晶質状態の半導体薄膜２が結晶化する温度以上に加熱することにより、非晶質状態の半導体を結晶化させつつ、複数の半導体微粒子３を生成する。例文帳に追加

In an atmosphere in which the surface of the film 2 can be kept clean, by heating the substrate 1 to a temperature equal to or higher than that at which the film 2 is crystallized, a plurality of semiconductor fine particles 3 are produced while crystallizing the amorphous crystalline semiconductor. - 特許庁

明画像（１０４）及び暗画像（１０２）を交互に読み出すバイモーダル手法は、明フレーム又は暗フレームのいずれかをより高速に読み取ることから齎されており、明フレーム又は他の読み取り動作に先行して行なわれるＸ線照射（１１６）に追加の時間を割り当てることを可能にする。例文帳に追加

A bimodal procedure to alternately read out a light image (104) and a dark image (102)is based on reading out either a light frame or a dark frame in a higher speed to enable an additional time to be allocated to a light frame or X-ray irradiation (116) carried out ahead of other reading out motion. - 特許庁

彼らの子、孫の世代も活躍しており、七五三の子の正義（13世千五郎）・眞吾（2世七五三）・千三郎や千之丞の子のあきら、正義の子の正邦・茂、眞吾の子の宗彦（もとひこ）・逸平、あきらの子の童司がそれぞれ狂言師となって千五郎家を支えている。例文帳に追加

Their children and grandchildren are also very active and Masayoshi (the 13th Sengoro), Shingo (the 2nd Shime), and Senzaburo, sons of Shime, Akira, son of Sennojo, Masakuni and Shigeru, sons of Masayoshi, Motohiko and Ippei, sons of Shingo, and Doji, son of Akira are all supporting the Sengoro family as Kyogen performers.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

標章所有者は，書面によるライセンス契約をもって，その標章の使用を，その標章の登録に係る商品又はサービスの全部又は一部について，ブルガリア共和国領域の全部又は一部において許可することができる。例文帳に追加

The proprietor of a mark may permit the use of his mark in respect of all or some of the goods or services for which it is registered in all or part of the territory of the Republic of Bulgaria by means of a written license agreement.  - 特許庁

裁判所は，原告の請求に基づき，かつ，被告に通知することなく，次の保全措置を許可することができる: 標章所有者又は使用権者にその標章権の使用を禁止すること , 標章所有者にその標章権を処分することを禁止すること 。例文帳に追加

At the request of the claimant and without notifying the defendant, the court may allow some of the following security measures as well: enjoin the proprietor or the licensee from using the rights in the mark; enjoin the proprietor from disposing of the rights in the mark.  - 特許庁

ブルガリア共和国の自然人若しくは法人であって，ブルガリア共和国に恒久的住所若しくは現実の事業を有するものが，本法に基づいて登録された標章の所有者であるときは，その標章についての国際登録を出願することができる。例文帳に追加

Any Bulgarian natural person or legal entity with a permanent address or actual commercial activity in the Republic of Bulgaria, who is the proprietor of a mark registered under this Law, may apply for the international registration of that mark.  - 特許庁

先にフランスで登録された標章が更新されていないか又は放棄されたときは，その標章の古さが共同体標章の名目において主張されていても，その標章の失効の宣言又はその所有者の権利の取消を妨げない。例文帳に追加

When a mark that has been previously registered in France has not been renewed or has been abandoned, the fact that the oldness of this mark is claimed in the name of a Community mark does not prevent a declaration of invalidity of this mark or the revocation of the rights of its holder.  - 特許庁

第23条 (1)及び第24条にいう登録標章の保護期間の延長の申請が，標章局によって承認された場合は，法的保護は，10年間付与され，会社標章・商標に関する1961年法律第21号に基づく当該標章の保護期間の満了日に遡及して効力を有する。例文帳に追加

In case the application for extension of the protection period of a registered mark as referred to in Article 23 (1) and Article 24, is approved by the Mark Office, then legal protection shall be granted for a period of ten years, retroactively effective as of the date of the expiry of the protection of the mark concerned, based on the Law Number 21 of 1961 on Company Marks and Trade Marks.  - 特許庁

会社標章・商標に関する1961年法律第21号に基づき登録された標章であって，1993年4月1日以後標章局によってその保護期間の延長が承認されたものは，標章に関する1992年法律第19号の規定に基づきその取消を請求することができる。例文帳に追加

For marks registered based on the Law Number 21 of 1961 on Company Marks and Trade Marks, of which the extension of the protection period has been approved by the Mark Office after April 1, 1993, the cancellation thereof can be requested, based on the provisions in the Law Number 19 of 1992 on Marks.  - 特許庁

標章の登録により，標章所有者は，標章登録の対象とされている商品又はサービスと同一又は類似の商品又はサービスに関して標章所有者の同意を得ることなく次の行為を行う第三者に対して訴を提起する権利を有する。例文帳に追加

Registration of a mark shall confer on the owner thereof the right to proceed against any third party who, without his consent, performs any of the following acts in relation to goods or services identical or similar to those for which the mark has been registered: - 特許庁

(a) 標章が，標章所有者から授権された者によりペルーが当事者となっている標章に関する国際協定及び条約の規定に従って使用されている場合。標章所有者による授権が所轄当局に登録されているか否かを問わない。例文帳に追加

(a) where the mark has been used according to the provisions of the international agreements and treaties on the subject to which Peru is party by a person authorized by the owner of the mark, even where the said authorization has not been registered with the competent office; - 特許庁

本法により証明標章の所有者に与えられる権利は，政令第26017号に基づき付与された保証標章登録に準用される。保証標章登録は本法の規定による証明標章登録と同一の要件の下に更新が認められる。例文帳に追加

The rights conferred by this Law on the owners of certification marks shall be understood as being applicable to the guarantee marks granted under Decree-Law No. 26017. Guarantee mark registrations shall be renewed as certification mark registrations in accordance with the provisions of this Law. - 特許庁

(3) 団体標章の登録出願には，当該標章を管理する規約を添えるものとする。その規約には，当該標章を使用することを許可された者，当該団体の構成員の資格の条件，及び該当する場合は，濫用に対する制裁措置を含む当該標章の使用の条件を明記する。例文帳に追加

(3) An application for the registration of a collective mark shall be accompanied by rules governing the use of the mark. The rules shall specify the persons authorised to use the mark, the conditions of membership of the association and, when applicable, the conditions of the use of the mark, including any sanctions against misuse. - 特許庁

標章登録局は、決定の理由を述べた上で、すでに登録されている標章又はすでに登録出願が提出されている標章との混乱を避けるべく標章を定義し明確にするために、出願人に対して主題とする標章に必要な修正をするよう要求できることができる。例文帳に追加

The Trade Registry Department may, in a motivated decision, require the applicant to undertake the necessary modifications on the subject mark in order to define and clarify the mark so as to avoid its confusion with a mark already registered, or a mark for which a registration application has already been filed.  - 特許庁