「加熱板」に関連した英語例文の一覧と使い方(177ページ目) - Weblio英語例文検索

チャンバ内に所望の処理により汚染された半導体基板を設置した後、この半導体基板を加熱しながら、その半導体基板にフッ化水素および水の蒸気を含む第１ガスを供給して洗浄する工程と、同一チャンバ内で半導体基板に水およびアルコールから選ばれる少なくとも１つの蒸気を含む第２ガスを供給したリンスする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor includes: a step of installing a semiconductor substrate contaminated by desired treatment in a chamber, of heating this semiconductor substrate, of supplying first gas containing the steam of hydrogen fluoride and water to the semiconductor substrate for cleaning it; and a rinsing step of supplying second gas containing at least one steam to be selected from the water and alcohol to the semiconductor substrate in the same chamber. - 特許庁

シリコン基板上に不純物層を形成し、かつガラス基板にカーボンまたはカーボンを含む光吸収層を形成し、上記不純物層と上記光吸収層を密着させ、当該ガラス基板の方向から赤外レーザ光を照射することにより、光吸収層を加熱することにより、レーザ照射された箇所のシリコン基板に上記不純物を導入することを特徴とすることにより不純物の導入を行なう。例文帳に追加

Impurity doping characterized by doping of impurity to the area of silicon substrate irradiated with laser beam is actualized by forming an impurity layer on a silicon substrate, forming a carbon film or a light absorbing layer including carbon to a glass substrate, setting the impurity layer and light absorbing layer to close contact state, and heating the light absorbing layer with irradiation of the infrared laser beam from the direction of the glass substrate. - 特許庁

フィルム１０２ａ、１０２ｂを使った複数枚の両面基板１１４ａ、１１４ｂを、途中にプリプレグ１３０及び前記プレプリグを貫通する貫通バンプ１１０を介して、加熱圧着積層し一体化することで、両面基板１１４ａ、１１４ｂの上に予め形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｂ同士を電気的に接続することができ、更に第２の配線１０６ａ、１０６ｂを前記プリプレグに埋没させることでその配線厚みを吸収することで、多層基板の薄層化のニーズに対応できる。例文帳に追加

The second wirings 106a, 106b may be buried in the prepreg to absorb their wiring thickness, thus coping with the need of thinning the multilayer board. - 特許庁

基板と、該基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法であって、前記透明導電膜にフラッシュランプを用いて光照射量が２〜２５Ｊ／ｃｍ^２であるフラッシュ光を照射して前記透明導電膜を加熱することによりアニール処理を施すことを特徴とする透明導電膜の改質方法。例文帳に追加

In the reforming method of the transparent conductive film in the substrate with the transparent conductive film equipped with the substrate and the transparent conductive film consisting of the complex oxide of zinc and tin formed on the substrate, the transparent conductive film is heated by irradiating flashlight on it with a light irradiation volume of 2 to 25 J/cm^2 with the use of a flash lamp to give annealing treatment. - 特許庁

本発明の半導体パッケージの製造法は、金属製のフレームに、半導体搭載用基板を接着し、リードフレーム上に連続して装着した半導体パッケージの製造法であって、金属製のフレームに半導体搭載用基板を接着する箇所にディスペンサで接着剤を、一定の湿度の下で滴下した後、その湿度を保ったまま乾燥し、半導体搭載用基板を重ね、加圧・加熱して積層一体化することを特徴とする。例文帳に追加

A manufacturing method of semiconductor package for bonding a substrate for mounting semiconductors on a metal frame and consecutively installing a semiconductor package on a lead frame comprises the steps of droping adhesive by a dispenser on the spot of a metal frame where the substrate for mounting semiconductor is bonded under fixed humidity, drying it sustaining the humidity, stacking the substrates for mounting semiconductor, pressurizing, heating, and unifying the laminates. - 特許庁

投入される生ゴミなどの有機物を処理するための内面抵抗板を有する円筒形の回転処理槽と、圧縮板及び掻き落とし板を保持した支持台と、生ゴミ投入口と、処理残渣受槽と、回転処理槽を駆動する手段と、生ゴミを加熱する手段と、回転処理槽への送風手段と、排気口にフィルターと脱臭手段と、回転処理槽からの排気手段と、を備えたこ生ゴミ処理機であって、回転処理槽が水平に対して傾斜を有していることが好ましく、脱臭手段が２種類以上の異なる脱臭剤を備えていることが好ましい。例文帳に追加

The rotary treatment tank is preferably inclined with respect to horizontality and the deodorizing means preferably has at least two kinds of different deodorant. - 特許庁

加熱・均熱後の鋼帯をガスジェット冷却および／またはロール冷却により冷却する連続焼鈍工程を経て冷延鋼板を製造する冷延鋼板の製造方法において、前記連続焼鈍工程の下流側で、鋼帯表面の酸化皮膜を除去するための工程と、該工程により酸化皮膜が除去された鋼帯表面に酸化皮膜を再生成させるための工程とからなる表面処理を行うことを特徴とする冷延鋼板の製造方法。例文帳に追加

Surface treatment consisting of a stage for removing an oxide film on the surface of a steel strip and a stage for reproducing an oxide film on the surface of the steel strip freed from the oxide film by the stage is performed on the downstream side in a continuous annealing process. - 特許庁

本発明によれば、処理室内の温度を検出する温度検出手段の先端と基板保持手段との間に被測温部材を設け、前記温度制御手段は前記温度検出手段によって検出された前記被測温部材の温度に基づいて前記加熱手段を制御するとしたので温度斑のある基板保持手段であっても、被測温部材が基板保持手段の温度変化を吸収するので、サセプタの回転作用による温度変化を敏感に検知しないようになり、温度制御性が向上し、短時間でウエハ処理温度までウエハを昇温することができる。例文帳に追加

The member to be temperature detected is provided between a tip of the temperature detecting means for detecting the temperature in the processing chamber and the substrate holding means, and the temperature controlling means controls the heating means on the basis of the temperature of the member to be temperature measured detected by the temperature detecting means. - 特許庁

本発明は、プリント基板のはんだ付け部に溶融はんだを接触させる前に噴流ノズルから溶融はんだを噴流させて、噴流ノズル内に付着していたはんだの酸化物やフラックスの炭化物を噴流する溶融はんだはんだで清浄にするとともに、該溶融はんだで噴流ノズルを充分に加熱しておき、その後、プリント基板に溶融はんだを付着させたままプリント基板を溶融はんだが切れない位置まで上昇させ、そこで溶融はんだをゆっくり下げて溶融はんだを切る。例文帳に追加

After that, as the molten solder adheres to the printed-circuit board, the printed-circuit board is moved up to a position for the molten solder not to be cut, then the printed-circuit board is moved down slowly, to be cut. - 特許庁

陽極が形成された第１の基板と、陰極が形成された第２の基板を、互いに電極面を対向させ、電極間に有機層を挟持するよう貼り合せ、形成する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、少なくとも一方の基板の貼り合わせ面を構成する層を、そのＴｇ温度以下の温度で加熱した後に貼り合わせることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing organic electroluminescent panels comprising steps of oppositely disposing a first substrate having an anode on it and a second substrate having a cathode on it with their electrode surfaces faced to each other and placing an organic layer between the electrodes, wherein a layer constituting a laminated surface of at least one of the substrates is bonded after heated at its Tg temperature (glass transition temperature) or lower. - 特許庁

本発明の照明装置は、超音波加工用ホーンに設けられたマトリクス状の加工ドットが押圧されることにより前記加工ドットの形状を反映した反射ドットが形成された後に加熱されて所定の曲率に湾曲され、且つねじるように曲げた導光板と、前記導光板にＬＥＤ光を入射させるＬＥＤ光源と、前記導光板を壁面に固定する固定部材とを有することを特徴とする。例文帳に追加

The lighting system is provided with a light guide plate curved at a given curvature and bent in a twisting manner by being heated while being pressed after having reflection dots formed reflecting a matrix shape of processing dots fitted to ultrasonic process horns, an LED light source for letting in LED light into the light guide plate, and a fixing member for fixing the light guide plate to a wall surface. - 特許庁

半田バンプ４を形成した配線基板５上に熱硬化性樹脂１の膜を形成し、半田バンプ４を加熱して溶融させながら配線基板５上に半導体素子２を搭載すると同時に、熱硬化性樹脂１も硬化させて半導体素子２を配線基板５上に固定することにより、電気的接続と樹脂封止を同時に行え、工程が簡素化できるだけでなく、電気的接続を半田による金属結合により得るため、経年変化による接続抵抗値変動を大幅に低減し、高信頼性の半導体装置を実現することができる。例文帳に追加

In addition, since the electrical connection is obtained by a metallic bond by soldering, the change in the connection resistance due to changeover aging can be reduced significantly and a high reliability semiconductor device can be realized. - 特許庁

本発明のアルカリ蓄電池の製造方法は、多孔性焼結基板を硝酸塩を主体とする水溶液に浸漬する浸漬工程と、この硝酸塩を主体とする水溶液に浸漬された多孔性焼結基板を加熱して乾燥する中間乾燥工程と、中間乾燥された多孔性焼結基板をアルカリ溶液中に浸漬するアルカリ浸漬工程と、アルカリ分を除去する水洗工程とからなる充填サイクルを備えている。例文帳に追加

The method of producing alkaline accumulators includes a filling cycle composed of an immersion process of immersing a porous sintered substrate in a aqueous solution mainly containing nitrate, an intermediate drying process of heating and drying the porous substrate immersed in this solution mainly containing nitrate, an alkaline immersing process of immersing the dried substrate in an alkaline solution, and a washing process for removing alkali. - 特許庁

このような本発明は、ヘアードライヤー内の電熱線を色んな鉱物質（例えば、白雲母、トルマリン、ラジウム等）が混合されてシート状で成形された板状パッドで取り囲むことで、電熱線の加熱時にその板状のパッドが遠赤外線及び陰イオンを直接的に発生させると同時に、その遠赤外線及び陰イオンがヘアードライヤーの使用期間に無関係で持続されることで、パーマや染色等で損傷された毛髪や頭皮を健康に維持させ、さらに毛髪のセッティング状態を長時間維持させることで、毛髪に艶を出すようにするヘアードライヤーの遠赤外線と陰イオン発生用パッド構造及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To directly generate far infrared rays and anions when a heating wire is heated, a sheet-like pad molded of a mixture of various minerals including muscovite, tourmaline, radium and the like is placed around the heating wire in this hair drier. - 特許庁

基板上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された少なくとも低分子発光材料からなる有機発光層を含む有機発光媒体層と、前記第一電極に対向するように形成された第二電極と、を具備した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記有機発光層はウェットプロセスで形成され、前記ウェットプロセスは前記基板を加熱しながら行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたもの。例文帳に追加

In the method of manufacturing the organic electroluminescent element provided with a first electrode formed on a substrate, an organic emission medium layer including an organic light-emitting layer made of at least low-molecule light-emitting materials formed on the first electrode, and a second electrode formed in opposition to the first electrode, the organic light-emitting layer is formed in a wet process, which is carried out as the substrate is heated. - 特許庁

鋼組織に焼戻しマルテンサイト分率が５％以上であり、残部がフェライト、ベイナイトからなり、残留オーステナイト分率が２％以下、マルテンサイトが１％未満であることを特徴とする伸びと穴拡げ性と２次加工割れ性に優れた高強度熱延鋼板と、圧延終了温度をＡｒ_3 変態点以上で圧延を行い、２００℃以下で捲取の後、再度、式（１）に示す条件にて再加熱を行うことを特徴とする伸びと穴拡げ性と２次加工割れ性に優れた高強度熱延鋼板の製造方法。例文帳に追加

The high strength hot rolled steel sheet excellent in elongation, hole expansibility and secondary working crack properties has a steel structure in which the fraction of martensite is ≥5%, and the balance ferrite and bainite, and the fraction of retained austenite is ≤2% and the fraction of martensite is <1%. - 特許庁

ホスファゼン化合物とテトラアルキルチウラムジスルフィド類とレドックス電解質とからなる電解質組成物を60℃以上で加熱してなる色素増感型太陽電池用ポリマー電解質、並びに、該ポリマー電解質と、導電性基板、該導電性基板上に配設された酸化物半導体層及び該酸化物半導体層に吸着された有機色素からなる酸化物半導体電極と、対向電極とを備える色素増感型太陽電池である。例文帳に追加

The dye-sensitized solar cell is equipped with a polymer electrolyte for the dye-sensitized solar cell obtained by heating at 60°C or higher an electrolyte composition comprising a phosphazene compound, tetraalkyl thiuram disulfides, and a redox electrolyte, an oxide semiconductor electrode comprising the polymer electrolyte, a conductive substrate, an oxide semiconductor layer formed on the conductive substrate, and an organic dye adsorbed to the oxide semiconductor layer, and a counter electrode. - 特許庁

上記課題を解決する本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板及びその一側に形成されたホール注入電極を備える無機積層体を加熱して、その無機積層体にバイアス電圧の印加処理を行う第１工程と、第１工程の後にホール注入電極の基板と反対側に有機発光層及び電子注入電極を備える積層体を形成する第２工程とを有するものである。例文帳に追加

A method for manufacturing organic EL devices comprises a first step for heating an inorganic laminated element including a substrate and a hale charging electrode formed on one side thereof, and processing the application of bias voltage on the inorganic laminated element, and a second step for forming another laminated element including an organic emissive layer and an electron injection electrode at the opposite side to the substrate of the hale charging electrode subsequent to the first step. - 特許庁

少なくともセルロースエステル樹脂と有機系添加剤を混合し、一体の成型物を得たのち、加熱溶融させることで得られる偏光板保護フィルムの製造方法において、該成型物の大きさが１ｍｍ×１ｍｍ×１ｍｍ〜２０ｍｍ×２０ｍｍ×２０ｍｍの立方体の範囲内であり、前記成型物中の前記セルロースエステル樹脂は粒子状態で含有されていることを特徴とする偏光板保護フィルムの製造方法。例文帳に追加

In a method for manufacturing a polarizing plate protective film obtained by mixing at least a cellulose ester resin and an organic additive, obtaining an integral molding, and melting it by heating, the molding is a cube having a size of 1 mm×1 mm×1 mm to 20 mm×20 mm×20 mm and the cellulose ester resin is contained in the molding in a state of particles. - 特許庁

セラミックス回路基板をろう材を介してヒートシンクに一体化してなるモジュール構造体であって、前記ヒートシンクが６３０℃、４分の加熱処理後のビッカース硬さが３０ＨＶ以上であるアルミニウム合金からなることを特徴とするモジュール構造体であり、好ましくは、セラミックス回路基板とヒートシンクとの間にＡｌを主成分とする金属層が介在してなることを特徴とする前記モジュール構造体。例文帳に追加

In the module structure formed, by integrating the ceramics circuit board into the heat sink via the brazing material, the heat sink consists of an aluminum alloy having a Vickers hardness of 30 HV or more, after being heat-treated at 630°C for four minutes, and a metal layer principally comprising an Al is preferably interposed between the ceramics circuit board and the heat sink. - 特許庁

膜材料６を真空中で加熱し、該膜材料を蒸発させる工程と、前記蒸発させた膜材料による蒸発材料に、電子源９から放出された低エネルギーの電子を付着させ、該蒸発材料を負イオン化する工程と、前記イオン化した蒸発材料を電界（１０１）によって被処理基板２に向けて加速し、該被処理基板上に該材料を蒸着させる工程とを有し、薄膜を形成する構成とする。例文帳に追加

This method for forming a thin film comprises the steps of: evaporating a film material 6 by heating it in a vacuum; negatively ionizing the evaporated material by attaching electrons with low energy emitted from an electron source 9 to the evaporated film material; and accelerating the ionized evaporated material toward a substrate 2 to be treated by using an electric field (101), to vapor-deposit the material on the substrate. - 特許庁

基板の半導体装置搭載領域に形成された接続端子と半導体装置に形成された接続端子とをバンプ電極の溶融固化によって接続する半導体装置の実装方法において、前記接続端子を除外してフラックスを付着させ、加熱により前記バンプ電極を溶融させて、基板の半導体装置搭載領域に形成された接続端子と半導体装置に形成された接続端子とを接続する。例文帳に追加

A method for packaging a semiconductor device for connecting connection terminals formed on the semiconductor device mounting region of a substrate and connection terminals formed on the semiconductor device by vitrification of bump electrodes comprises the steps of accreting flux to except for the connection terminals, and connecting the connection terminals formed on the semiconductor device mounting region of the substrate and the connection terminals formed on the semiconductor device by melting the bump electrodes by heating. - 特許庁

インクを吐出させるためのエネルギを発生する素子が設けられた記録素子基板と、前記素子の駆動信号を伝送するための電気配線部材とを具え、加熱を伴う工程を含んで製造されるインクジェット記録ヘッドにおいて、記録素子基板の電極端子と、電気配線部材のリード端子との電気接合部分が、電気配線部材等の熱膨張に起因してリード端子に作用する力によって破壊されるのを防ぐ。例文帳に追加

To protect the electric joint of an electrode terminal on a recording element substrate and the lead terminal of an electric wiring member from being broken due to thermal expansion of the electric wiring member, or the like, in an ink jet recording head comprising the recording element substrate provided with an element generating energy for ejecting ink and the electric wiring member for transmitting the driving signal of the element. - 特許庁

ガラス基板上に対となる表示電極と誘電体層を形成してなる前面側パネル１０を真空チャンバ３１内の基板ホルダー３２にセットし、真空チャンバ３１の内部を排気し、ヒータ３５にてパネル１０を加熱し、るつぼ３８内の膜材料（ＭｇＯ）にフィラメント３７より熱電子流３６を照射させてＭｇＯを蒸発させて前面側パネル１０の誘電体層上にＭｇＯ膜を成膜する。例文帳に追加

A front panel 10 having a display electrode and a dielectric layer formed in pair on a glass substrate is set on a substrate holder 32 in a vacuum chamber 31, the vacuum chamber is evacuated, a panel 10 is heated by a heater 35, and a film material (MgO) in a crucible 38, irradiated with a thermionic current 36 via a filament 37, is evaporated to form a MgO film. - 特許庁

金属リン酸塩系またはアルカリ金属ケイ酸塩系の無機系接着剤１１と無機質粒状体１２を混合して混合体を作製し、第１と第２の通気性アルミニウム板２０ａと２０ｂの間に混合体を配置して積層体を作製し、積層体に圧力を加えた状態で加熱することによって混合体を硬化させるとともに混合体に第１と第２の通気性アルミニウム板２０ａと２０ｂを固着する。例文帳に追加

The metal phosphate or an alkali metal silicate type inorganic adhesive 11 and the inorganic particles 12 are mixed to form a mixture which is, in turn, arranged between the first and second aluminum sheets 20a and 20b to manufacture a laminate and the laminate is heated under pressure not only to cure the mixture but also to fix the first and second aluminum sheets 20a and 20b to the mixture. - 特許庁

重合性樹脂組成物を注入して密閉した円筒金型１０を、その中心軸の回りに回転させながら加熱し、該重合性樹脂組成物を硬化させてパイプ状成形品を製造する回転成形法において、円筒金型１０の内部に仕切板１を着脱可能に配置した状態で前記重合性樹脂組成物を硬化させて、円筒状のパイプ本体に仕切板が一体的に設けられているパイプ状成形品を製造することを特徴とするパイプ状成形品の製造方法。例文帳に追加

In a rotational molding method for manufacturing a pipe-shaped molded product by heating a cylindrical mold 10, which is hermetically closed after a polymerizable resin composition is injected, while rotating the same around its center axis to cure the polymerizable resin composition in a state that the partition plate 1 is detachably arranged in the cylindrical mold 10 to manufacture the pipe-shaped molded product having the partition plate integrally provided to its cylindrical pipe main body. - 特許庁

銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、処理室を構成するように形成される反応管と、処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、処理室内の雰囲気を排気する排気管と、反応管を囲うように設けられた加熱部と、を具備し、反応管の基材は、ステンレス等の金属材料で形成される基板処理装置。例文帳に追加

The base material of the reaction pipe is made of a metal material, such as stainless steel. - 特許庁

配線パターンに対してアクティブ面が下向きとなるようにしてフェイスダウンの状態で電気的に接続されてなる電子部品を、前記配線パターン間に介在する絶縁部材中に埋設するとともに実装されてなる電子部品実装配線板において、加熱処理などに伴って発生する応力に起因して前記電子部品や前記絶縁部材が破壊してしまうのを防止し、前記電子部品内蔵配線板の歩留まりを向上させる。例文帳に追加

To improve a yield of an electronic component-incorporated wiring board by preventing destruction of an electronic component or an insulation member associated with stress generated by a heat treatment, etc. in the electronic component-mounted wiring board wherein the electronic component electrically connected to wiring patterns with the active face faced down is embedded and mounted in the insulation member existing between the wiring patterns. - 特許庁

本発明は、主に絶縁表面を有する基板上において、液滴吐出法によって配線材料等を直接パターニングを行うに際し、下層部とのコンタクトを形成する開口部が設けられた絶縁膜上に、液滴吐出法により導電性組成物よりなる液滴を滴下することで少なくとも前記開口部を含む位置に配線を作製し、前記配線が作製された基板に加熱処理を行うことで、前記開口部上の前記配線の表面位置とそれ以外の部分の前記配線の表面位置における高さを概略一致させ、かつ前記開口部を充填することを特徴とする。例文帳に追加

Heating the substrate on which the wiring is formed, heights in the surface positions of the wiring on the openings and the surface positions of the wiring on the other parts are approximately equalized, and the openings are filled in. - 特許庁

天板(10)の下方に設けられた燃焼室(2)の内部でガスバーナ(3)を燃焼させると共に、該ガスバーナ(3)からの燃焼排気を、前記燃焼室(2)の上端から前記天板(10)に開設されたバーナ用開口(101)を介して排出し、該排出された燃焼排気によって五徳上の鍋(9)を加熱するガスコンロに於いて、燃焼室(2)の高さを低くしてガスコンロの薄型化を可能にすると共に、燃焼室(2)の上方の五徳等にガスバーナ(3)の火炎が接触するのを防止して前記一酸化炭素の発生等を防ぐ。例文帳に追加

To thin a gas cooking stove by lowering a height of a combustion chamber 2 and to prevent the generation of carbon monoxide by preventing flames of a gas burner 3 from being kept into contact with a trivet and the like at an upper part of the combustion chamber 2. - 特許庁

感光性樹脂からなる絶縁層を、多層配線を形成するための基板上に形成し、この絶縁層を露光・現像処理に付して所定形状のホールを形成する工程、ホールが形成された上記絶縁層上に、このホール内を埋めるように硬化性樹脂を被覆形成し、加熱処理することにより上記絶縁層の表面に上記硬化性樹脂の硬化薄膜を形成する工程、上記硬化薄膜を残して上記硬化性樹脂を除去することにより、当該硬化薄膜で開口幅が減少されたビアホールを得る工程をへて多層配線板を製造する。例文帳に追加

By performing the above processes, a multilayer wiring board is manufactured. - 特許庁

化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。例文帳に追加

When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer. - 特許庁

ケイ素を含む非酸化物材料を主成分とする基板を大気中で５００℃〜１０００℃の温度で１〜５０時間加熱し、前記基板の表面に非晶質層を形成させる工程と、前記非晶質層の上に触媒金属を含む触媒層を形成する工程と、前記触媒層の金属を微粒化する工程と、前記微粒子を触媒として、カーボンナノチューブを形成することを特徴とする、カーボンナノチューブの生成方法である。例文帳に追加

The method for producing carbon nanotubes includes steps of: forming an amorphous layer on the surface of a substrate essentially comprising a nonoxide material containing silicon by heating the substrate at 500 to 1,000°C for 1 to 50 hours in air; forming a catalyst layer containing a catalyst metal on the amorphous layer; micronizing the metal in the catalyst layer into fine particles; and forming carbon nanotubes by using the fine particles as a catalyst. - 特許庁

押釦スイッチ用カバー部材３の可動接点部４に対向する基板１上の固定接点２と接触する金属部６と、該金属部６に接着するシリコーンゴム部７とからなる接点部材５であって、シリコーンゴム部７は、加熱硬化型オルガノポリシロキサン組成物１００質量部に対し、エポキシ系接着助剤１．０〜２．５質量部とエポキシ系シランカップリング剤０．５〜３．０質量部とを含む接着性シリコーンゴム組成物とする。例文帳に追加

The silicon rubber part 7 is an adhesive silicon rubber composition that contains an epoxy adhesion assistant 1.0-2.5 part by mass and an epoxy system silane coupling agent 0.5-3.0 part by mass against a heating curing type organo-polysiloxane composition 100 part by mass. - 特許庁

透光性基板と、受光面側充填材と、接続タブで電気的に接続された複数の太陽電池素子と、裏面側充填材と、裏面シートとを重ねるように順次配設し、さらに減圧下にて加熱加圧して一体化する太陽電池モジュールの製造方法であって、前記受光面側充填材と前記太陽電池素子の接続タブとの接続部分の端部との間に位置決め用スペーサー部材を配置したことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。例文帳に追加

Between the light receiving surface-side filler and the ends of the connecting portions of the solar cell elements with the connecting tabs, positioning spacer members are disposed. - 特許庁

ΙＢ族元素、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、ΙＢ族元素、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含有する塗布剤を調製する工程と、前記塗布剤を基板に塗布して塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を、機械的に圧力を加えた条件下で加熱して焼結させる加圧焼成工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。例文帳に追加

A method for producing the compound semiconductor thin film containing a group IB element, group IIIB element, and group VIB element comprises: a step for preparing an application agent containing a group IB element, group IIIB element, and group VIB element; a step for forming an application film by applying the application agent to a substrate; and a step for baking under pressure in which the application film is heated and sintered while pressure is mechanically applied. - 特許庁

基板上に少なくとも１層の磁性薄膜と保護層と潤滑層を順次有してなる磁気記録媒体に対し、媒体上にエネルギー線の濃淡を形成するマスク手段を通して該媒体にエネルギー線を照射し該磁性薄膜を局所的に加熱する工程と、該磁性薄膜に外部磁界を印加する工程とを含む磁化パターンの形成方法であって、少なくとも該媒体の磁化パターン形成領域では、該マスク手段と該媒体とのあいだに間隙を設ける磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、及びそれにより磁化パターンを形成した磁気記録媒体並びにそれを用いた磁気記録装置。例文帳に追加

The magnetic recording medium on which the magnetization pattern is formed by the magnetization pattern forming method and the magnetic recording device using it are also provided. - 特許庁

(a) 鋼板が溶融めっき浴を出た直後の10秒間の平均冷却速度が11℃／sec未満である熱履歴 (b) 溶融めっきされためっき金属が凝固した後、130〜300℃の範囲の温度Ｔ（℃）に昇温加熱され、その後、温度Ｔ（℃）から100℃までの平均冷却速度が下記(1)式に示すＣ（℃/hr）以下を満足する熱履歴、又は／及び、溶融めっきされためっき金属が凝固した後の130〜300℃の範囲の温度Ｔ（℃）から１００℃までの平均冷却速度が下記(1)式に示すＣ（℃/hr）以下を満足する熱履歴 Ｃ＝（Ｔ−１００）／２ …… (1)例文帳に追加

This plating film has a chemical conversion coating and also an undercoat film and a finish-coat film having respectively specified compositions on its surface, in the order named from the lower-layer side upward. - 特許庁

圧力制御システムを有する加熱室１、凝固調整室２２及び凝固室２或いは３０の内部で水素ガス或いは窒素ガス及びアルゴンガス或いはヘリウムガスを用いて、溶融金属中にガスを溶解して、凝固させる時に、該ガスを固相内に析出させることによって、所定の方向性ポーラス構造体を作製し、或いは連続鋳造による所定の板状及び棒状のポーラス構造体を作製する。例文帳に追加

By dissolving gas in a molten metal by the use of hydrogen gas or nitrogen gas and argon gas or helium gas in a heating chamber 1 having a pressure control system, a solidification regulation chamber 22, and a solidification chamber 2 or 30 and precipitating the gas within a solid phase, a prescribed directional porous structure is manufactured or a prescribed sheet-like or bar- shaped porous structure by continuous casting is manufactured. - 特許庁

ロータリヘッドの主軸部４ａに装着された複数の移載ヘッド５によって電子部品をピックアップして基板に実装する電子部品の実装装置において、装置起動時に発生する認識ステーション７に対する移載ヘッド５の相対位置の熱影響による変動を、インデックス機構部１１の取付座１０に装着されたヒータＨ１および主軸部４ａの固定部１２に設けられたリブカム１３に装着されたヒータＨ２を駆動して予め加熱することにより、実装動作開始前に収束させるようにした。例文帳に追加

An electronic part mounting device picks up an electronic part and mounts it on a board by means of a plurality of transfer heads 5 fixed to the spindle part 4a of a rotary board. - 特許庁

相対峙する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接続する回路接続用接着フィルムであって、前記接続フィルムが加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤、ラジカル重合性物質、及びフィルム形成性高分子を必須とし、前記接着フィルムのフレキシブル基板に対する仮固定力が４０〜１６０gｆ／ｃｍである回路接続用接着フィルム。例文帳に追加

The adhesive film for connecting the circuit, put between facing circuit electrodes and electrically connecting the electrodes in the pressed direction by the press of the facing electrodes comprises a curing agent generating a free radical by the heating of the adhesive film, a radically polymerizable material, and a film-forming polymer as essential components, and has 40-160 gf/cm temporary fixing force to a flexible substrate. - 特許庁

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。例文帳に追加

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 formed of nickel to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas. - 特許庁

Ｃ：０．００２５〜０．０１０ｍａｓｓ％、Ｎ：０．００２５〜０．０１０ｍａｓｓ％、Ｃ＋Ｎ：０．０１５ｍａｓｓ％以下、Ｓｉ：０．０１〜１．０ｍａｓｓ％、Ｍｎ：０．０１〜０．３０ｍａｓｓ％、Ｐ：０．０４ｍａｓｓ％以下、Ｓ：０．０３ｍａｓｓ％以下、Ｃｒ：８ｍａｓｓ％以上１０ｍａｓｓ％未満、Ｃｕ：０．０１〜１．０ｍａｓｓ％、Ｎｉ：０．０１〜１．０ｍａｓｓ％、Ｖ：０．０１〜０．２０ｍａｓｓ％、Ａｌ：０．０５ｍａｓｓ％以下を含有する鋼素材を、１１００〜１２８０℃の温度に加熱し、９３０℃超の温度で熱間圧延を終了し、８１０℃超の温度で巻取り、８００〜４００℃間の平均冷却速度を２℃／分以下とすることにより、引張強さが４００〜４５０ＭＰａの鋼板を得る。例文帳に追加

The steel is coiled at >810°C, and is cooled at a mean cooling rate of ≤2°C/min in the range of 800 to 400°C, so that the steel sheet having a tensile strength of 400 to 450 MPa is obtained. - 特許庁

相対峙する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接続する回路接続用接着フィルムであって、前記接続フィルムが加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤、ラジカル重合性物質、及びフィルム形成性高分子を必須とし、前記接着フィルムのフレキシブル基板に対する仮固定力が４０〜１６０gｆ／ｃｍである回路接続用接着フィルム。例文帳に追加

This adhesive film used for the circuit connection, being positioned between opposing circuit electrodes and electrically connecting the electrodes by pressurizing the opposing electrodes in pressurizing direction is provided by containing a curing agent generating free radicals by heating, a radical polymerizable material and a film-formable polymer indispensably, and having 40-160 gf/cm temporary fixing force of the adhesive film against a flexible substrate. - 特許庁

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとを加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。例文帳に追加

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas. - 特許庁