「外部成長」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

外部端子電極の下地となる第１層１３を構成するめっき膜は、内部電極５および６の露出端によって与えられる導電面を起点として析出しためっき析出物が高めっき成長領域１１と低めっき成長領域１２との境界を低めっき成長領域１２側へと越えて成長することが制限された状態で成長することによって形成される。例文帳に追加

A plating film constituting a first layer 13 that serves as a base of an external terminal electrode is formed such that plating deposition deposited from a conductive surface formed by exposing end surfaces of internal electrodes 5, 6 is restricted to grow to the side of the low-growth plating region 12 beyond the border of the high-growth plating region 11 and the low-growth plating region 12. - 特許庁

これは，外部からのショックに対する彼らの強じん性を強化し，より安定的な成長を促進することを助ける。例文帳に追加

This will help strengthen their resilience to external shocks and promote more stable growth.  - 財務省

その結果、外部電極３となるめっき膜の成長の終端点を、段差１２の位置に高精度に制御することができる。例文帳に追加

As a result, a termination point of the growth of the plating film as the external electrode 3 is highly-accurately controlled in the position of the step 12. - 特許庁

このため、エピタキシャル成長工程を増やすこと無く電流阻止層を形成することができ、効率よく発光した光を外部に取り出すことができる。例文帳に追加

This enables the forming of a current blocking layer without increasing the epitaxial growth steps, and emitted lights can be taken out efficiently. - 特許庁

外部応力に伴うウィスカの成長を効果的に抑制することができるめっき膜及びその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plating film with which growth of whiskers accompanying an external stress can be effectively suppressed and a method for forming the same. - 特許庁

ポンプ内の液体を容易に外部に排出し得るようにし、液体内に含まれる気泡を大きな気泡に成長させないようにする。例文帳に追加

To easily discharge liquid in a pump to the outside and to prevent bubbles included in the liquid from growing into larger bubbles. - 特許庁

それによって、めっき工程において、段差１２の部分で外部電極３となるめっき膜の成長を実質的に停止または遅延させる。例文帳に追加

By that, in a plating process, the growth of a plating film as the external electrode 3 is substantially stopped or delayed at the part of the step 12. - 特許庁

ポンプの助けを借りて、外部水源からの水が、結晶成長炉本体を冷却するように給水管の噴霧孔を通ってくみ出される。例文帳に追加

With the aid of a pump, water from an outside water source is drawn through the spraying holes of the water pipes so as to cool the body of the crystal-growing furnace. - 特許庁

被覆層３には小室１１に通じる多数の孔３１が開けられるので、植物は被覆層３を通って外部へ成長していくことができる。例文帳に追加

Since many holes 31 communicating with the small chambers 11 are bored in the covering layer 3, the plants can be grown through the covering layer 3 to the outside. - 特許庁

赤外線放射温度計６は成長室１の外部に配置され、かつビューポート５を介して成長室１内部の基板３１の温度を測定可能である。例文帳に追加

An infrared radiation thermometer 6 is arranged outside the growth chamber 1, and the temperature of the substrate 31 located inside the growth chamber 1 can be measured through the viewport 5. - 特許庁

このとき、種結晶３０がチャンバー８０等のサセプタ５０の外部の部材に固定されていないので、種結晶３０を結晶成長に伴って自由に成長装置１の上下方向に移動させることができ、成長した結晶に加わる応力を大幅に軽減することができる。例文帳に追加

At this time, since the seed crystal 30 is not fixed to an external member of a susceptor 50 including a chamber 80 etc., the seed crystal 30 can be moved up and down freely in the growth apparatus 1 along with the crystal growth, thereby largely reducing the stress exerted on the grown crystal. - 特許庁

外部接続端子３００および第１の配線層３５０が成長して支持基板２００に接触すると、外部接続端子３００および第１の配線層３５０は支持基板２００の下面によって基板厚さ方向への成長ができなくなり、基板１００の面内で、平坦で膜厚が均一な外部接続端子３００および第１の配線層３５０を形成する。例文帳に追加

When the external connection terminal 300 and first wiring terminal 350 are grown making contact with a support substrate 200, the external connection terminal 300 and first wiring layer 350 are not grown, in the direction of the substrate thickness by a lower surface of the support substrate 200 and thus the flat external connection terminal 300 and first wiring layer 350 with a uniform film thickness are formed in a surface of a substrate 100. - 特許庁

素子を、基体上に任意方位で成長した磁性層と、基体と磁性層の間に他の層（方位変換層）を挿入して前記方位とは異なる方位で成長した磁性層とで構成し、両磁性層の間の粒界を横切る経路の電気抵抗を外部磁界により制御して検知する。例文帳に追加

The element comprises a magnetic layer grown on a basic body in an arbitrary orientation, and a magnetic layer grown in a different orientation by inserting other layer (orientation converting layer) between the basic body and the magnetic layer wherein the electric resistance of a passage traversing a grain boundary between both magnetic layers is detected under control of an external field. - 特許庁

成長容器４としては、ＳｉＣ原料が供給される本体部４１とその上部に配置される上蓋４２とを有し、該上蓋４２に上記成長容器４の外部に向けて凹んだ種収容部４２５を形成したものを用いる。例文帳に追加

The growing chamber 4 used has a main body 41 where the SiC source material is supplied, an upper lid 42 disposed on the top of the body 41, and a seed housing part 425 formed in the upper lid 42 and recessed outward the growing chamber 4 is used. - 特許庁

光の透過率の低いＧａＰ基板を利用しないで、発光層形成部を成長した後、さらに別の工程でＧａＰ層を液相成長することにより、外部への光の取出し効率を向上させ、ＧａＰ半導体を用いた緑色系の半導体発光素子の外部微分量子効率を向上させることができる半導体発光素子の製法を提供する。例文帳に追加

To realize a manufacturing method of a semiconductor light emitting element which can improve the leading-out efficiency of a light to the outside, and the external differential quantum efficiency of a green system semiconductor light emitting element using GaP semiconductor, by a method wherein, after a light emitting layer forming part is grown without using a GaP substrate of low light transmissivity, a GaP layer is subjected to liquid growth in another process. - 特許庁

成長因子を人為的に外部から併用投与したり、又は予め配合もしくは結合させて投与しなくても、単独に投与された場合に内因性の成長因子の濃度を増加させ、また抗血液凝固活性が低いため安全で有用な医薬として投与することができる成長因子誘導剤を提供する。例文帳に追加

To obtain a growth factor inducer capable of increasing the concentration of an endogenous growth factor when solely administered even without artificially administering the growth factor from the outside in combination or without previously formulating or binding the growth factor and administrable as a safe and useful medicine due to a low anticoagulant activity. - 特許庁

電極が導電性銀ペーストを印刷してなる外部電極型希ガス蛍光ランプにおいて、露出した給電部に生じる銀イオンマイグレーションの成長を抑制する構成を備えた外部電極型希ガス蛍光ランプを提供すること。例文帳に追加

To provide an external electrode rare-gas fluorescent lamp, having a structure capable of restraining growth of silver ion migration generated on an exposed power supply section, in the external electrode rare-gas fluorescent lamp where conductive silver paste is printed on an electrode. - 特許庁

積層型電子部品において、内部電極の露出端に析出しためっき析出物を成長させて外部電極を形成するにあたり、バッチ処理の適用を可能にするとともに、外部電極となるべきめっき膜の特定の箇所への能率的な形成を可能とする。例文帳に追加

To make batch processing applicable when an external electrode is formed by growing a plating deposition deposited at the exposed end of an internal electrode in a stacked electronic component, and to form an external electrode to be a plating film efficiently at a specific position. - 特許庁

その後、外部反応容器２０の本体部２１に蓋部をメタルシールで接着し、反応容器１０Ｂおよび外部反応容器２０を８００℃に加熱するとともに、反応容器１０Ｂ内に窒素ガスを供給してＧａＮ結晶を結晶成長させる。例文帳に追加

Thereafter, a lid is bonded to a body 21 of the external reaction vessel 20 with a metal seal, and the reaction vessel 10B and the external reaction vessel 20 are heated up to 800°C, and nitrogen gas is supplied into the reaction vessel 10B to thereby achieve the crystal growth of a GaN crystal. - 特許庁

外部から体３内へ供給される体３に適合するプラスチックにより、皮膚の下に、常時または一定の時間間隔で体３から出てくる無菌の感染保護スリーブ５を体３内から外部へ成長するように形成する。例文帳に追加

A sterilized infection protecting sleeve 5 going out of a body 3 all times or at fixed intervals is formed under a skin by using plastic suitable to the body 3, supplied from the outside to the body 3, so as to grow from the body 3 to the outside. - 特許庁

アフリカ大陸では、過去5年に亘り、アフリカ諸国の経済改革や良好な外部経済環境にも支えられ、年平均6％の経済成長率を記録しました。例文帳に追加

The African region recorded a growth rate of around 6.0% per annum over the past five years thanks to the economic reforms taken by the Regional Member Countries (RMCs) as well as favorable external economic conditions.  - 財務省

このニッケルめっき浴を使用して製造された積層セラミックコンデンサは、外部電極６ａ、６ｂ上に優先的にニッケル皮膜７ａ、７ｂが析出し、セラミック素体１上へのめっき成長が極力抑制される。例文帳に追加

A multilayer ceramic capacitor produced with the use of the nickel plating bath has nickel films 7a and 7b precedently deposited on external electrodes 6a and 6b, and makes a plated film minimal on a ceramic material 1. - 特許庁

エピタキシャル成長装置１は処理チャンバ２を備え、この処理チャンバ２には、排ガスを外部の排ガス処理装置７に排出するためのの排気配管８が連結されている。例文帳に追加

An epitaxial growth device 1 is equipped with a processing chamber 2, and an exhaust pipe 8 for discharging exhaust gas to an outside exhaust gas processor 7 is coupled with this processing chamber 2. - 特許庁

外部電極３〜６を形成するため、内部電極の露出端および上記導電領域をめっき析出の核としてめっき成長させることによって、めっき膜を部品本体２上に直接形成する。例文帳に追加

To form external electrodes 3-6, the plating film is directly formed on the component body 2 by plating-growing the exposed terminals of the internal electrodes and the conductive regions as a core of plating deposition. - 特許庁

殺虫性化合物および昆虫成長阻害剤を含有し、およびそれらを動物の体表に拡散させる溶媒（A）を配合した動物用外部寄生虫防除剤である。例文帳に追加

The ectoparasite control agent for animal use comprises the insecticidal compound, an insect growth inhibitor and a solvent (A) for spreading them on the animal body surface. - 特許庁

ＧａＮ系半導体薄膜の選択成長の過程において存在する、結晶の表面が平坦化していない非平面状の結晶面を利用して光を乱反射させることにより、光を外部に取り出す効率を向上させる。例文帳に追加

Use of crystal surfaces yet nonplanar in a GaN-based semiconductor film selective growth process for the irregular reflection of light improves light ejection efficiency. - 特許庁

外部から空気、水分等を補給することなく植物を成長させることが可能で、携行に便利で、観賞にも耐え得る植物栽培パックを提供する。例文帳に追加

To provide a plant cultivation pack enabling the growth of a plant without supplying air, water, etc., from external source, convenient for carry and having appreciable appearance. - 特許庁

エピタキシャル成長工程の回数を増やすことなく電流阻止層を形成でき、効率よく発光した光を外部に取り出すことができるようにする。例文帳に追加

To form a current blocking layer without increasing the number of epitaxial growth steps, and allow an emitted light to be taken out efficiently. - 特許庁

セラミック素体の表面に、直接めっきにより外部端子電極を形成する場合において、めっき膜を効率よく成長させることが可能で、生産性の高い積層セラミック電子部品、および、その製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer ceramic electronic component capable of efficiently making a plating film grow when forming an external terminal electrode on a surface of a ceramic element by direct plating and having high productivity, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

ベース・エミッタをエピタキシャル成長により形成するバイポーラトランジスタにおいて、真性ベースを薄くして遮断周波数を向上すると同時に、厚い外部ベースを形成することでベース抵抗を低減する。例文帳に追加

To reduce the base resistance of a bipolar transistor which has a base and an emitter formed by epitaxial growth, by forming a thick external base while improving a cut-off frequency by making an intrinsic base thin. - 特許庁

制御装置３７０は、空間２３の圧力Ｐｉｎと外部反応容器３００内の圧力Ｐｏｕｔとの圧力差を結晶成長装置１００が異常と判定される所定値よりも小さい値に設定する。例文帳に追加

A controlling device 370 set the pressure difference between the pressure Pin of the space 23 and the pressure Pout in the external reaction vessel 300 to a value smaller than a prescribed value which determines a crystal growth apparatus 100 to be abnormal. - 特許庁

貫通配線の先端の金属めっきが第１の導電層１１０と電気的に接続すると、この後に、第１の導電層１１０よりＣｕめっきが成長し、外部接続端子３００および第１の配線層３５０が形成される。例文帳に追加

The Cu plating is grown from a first conductive layer 110 after the metal plating on an end of the through wiring is electrically connected to a first conductive layer 110, and then an external connection terminal 300 and first wiring board 350 are formed. - 特許庁

封口体に工夫を加えることにより、Ｓｎウィスカの成長を押さえ込み、仮にＳｎウィスカが発生したとしても、外部に飛散しないようにする。例文帳に追加

To suppress the growth of Sn whiskers by devising addition to a sealing body, and to prevent the Sn whiskers from scattering to the outside, even if Sn whiskers are generated. - 特許庁

結晶成長用ルツボ１０は、上面に開口部を有し、４つの側壁４，５，６，７および底壁８とから成る四角箱型形状であり、外部の全面には連続した凹凸形状を有する。例文帳に追加

The crystal growth crucible 10 is provided on an upper surface with an opening part and formed into a square box shape consisting of four sidewalls 4, 5, 6, and 7 and a bottom wall 8, and a continuous uneven surface shape is formed on the whole surface of an external part. - 特許庁

防草構造２は、歩車道境界ブロック３０１と道路構成部４０１における、互いに対向する第１面３ａと第２面４ａとの、外部から下側に延びる間隙５からの、雑草１の成長を防止するものである。例文帳に追加

The herbicidal structure 2 is provided for preventing the growth of weeds 1 from a gap 5 extending from the outside to the lower side between a first face 3a of a walkway-roadway boundary block 301 and a second face 4a of a road structural part 401, opposing each other. - 特許庁

毛成長調節装置１は、円筒状のハウジング１０内に配された複数の発光ダイオード１１からの光をハウジング１０の保護ガラス板１２を配した一端側から外部に出力する。例文帳に追加

The hair growth controlling device 1 outputs the light coming from some light-emitting diodes 11, which are arranged in a cylindrical housing 10, from one end side mounted with a protective glass plate 12 of the housing 10 to the outside. - 特許庁

成長時には、反応ガスがリアクタチャンバー４の一方から導入され、ウエハ１の表面と平行な方向に流れた後、排気ポート６から外部に排出される。例文帳に追加

At the time of growing, a reacting gas is introduced from one side of the reactor chamber 4, flows in a direction parallel to the surface of the wafer 1, and is exhausted to outside from an exhaust port 6. - 特許庁

生物のシグナル伝達系の作用発現を統括的に制御する遺伝子を利用して、生物の成長阻害をもたらす各種外部刺激や環境ストレスに対する多様なシグナル伝達系を遮断もしくは制御する。例文帳に追加

Various signal transmission systems for various kinds of the external irritations or environmental stresses causing the growth inhibition of the organism are intercepted or controlled by utilizing a gene capable of controlling manifestation of actions of the signal transmission systems of the organism. - 特許庁

植物抽出精油と昆虫成長制御剤を有効成分として含有する溶液状外用剤からなる外部寄生虫駆除剤を動物の体表に滴下する。例文帳に追加

This method is carried out by dropping the parasiticide for ectoparasites comprising a liquid preparation for external use containing an essential oil extracted from plants and an insect growth inhibitor as active ingredients on the surfaces of the bodies of animals. - 特許庁

化学気相成長装置の反応部の外部でアルコールまたはアルコールの水溶液を自然蒸発などで気化させることにより得られるガスをこの反応部に導入することにより反応を行う。例文帳に追加

Reaction is carried out by introducing the gas obtained by evaporating the alcohol or the aqueous alcohol solution by spontaneous vaporization at the outside of the reaction zone of the chemical vapor deposition unit. - 特許庁

ビューポートの透明板に割れが生じることがあっても、有害な反応ガスが外部に流出することを防止でき、大気がチャンバ内に流入することも防止できるビューポートを備えた気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase epitaxial growth device having a view port for preventing harmful reaction gas from flowing to the outside, and for preventing atmosphere from flowing in a chamber even when any crack is generated in the transparent board of a view port. - 特許庁

更に境界から外側に向かって微小結晶粒Ｓを核として第１ラテラル成長が進行し、外部領域１０７の部分に多結晶粒Ｌ１が生成する。例文帳に追加

Furthermore, first lateral growth progresses using the micro crystal grains S as nucleus from the boundary toward the outside, and polycrystal grains L1 are generated in the external area 107. - 特許庁

チャンバに向けて基板を搬送するときに、簡易な構成で、基板の表面に付着した酸素などのチャンバ外部の気体がチャンバ内に持ち込まれるのを防止することができる結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for growing a crystal capable of preventing gases present outside a chamber such as oxygen adhered on the surface of a substrate from being brought into a chamber by a simple system when a substrate is conveyed to a chamber. - 特許庁

次に、厚さ０．５μｍ程度のＳｉＯ_２膜１５を成膜し、微細な穴以外部分（１３ｂ）上のＳｉＯ_２膜１５をエッチングし、表面が平坦になるまでＧａＮ層１８を再成長する。例文帳に追加

Next, an SiO_2 film 15 of about 0.5μm in thickness is formed to etch the SiO_2 film 15 on other portions (13b) than the minute holes and the GaN layer 18 is regrown till its surface gets flat. - 特許庁

外部環境を分析する上では、絶えず市場の成長性、競争環境の中で自社の存立基盤を見極める必要があり、その中で経営革新の方向性を検討する必要がある。例文帳に追加

When analyzing the external environment, a company must constantly carefully assess market growth potential and the underpinnings of its position in the competitive environment, and consider what direction innovation should take in that context. - 経済産業省