「After process」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

Here, the size variation quantity (%) is (|X-Y|/X)×100, where X is the length of the resin-made base material before the coating process and Y is the length of the resin-made base material after the coating process and drying process, X and Y being the lengths in the same direction.例文帳に追加

寸法変化量（％）＝（｜Ｘ−Ｙ｜／Ｘ）×１００ ・・・（Ａ）前記式（Ａ）において、Ｘは、前記塗工工程前の前記樹脂製基材の長さを示し、Ｙは、前記塗工工程および乾燥工程後の前記樹脂製基材の長さを示し、前記ＸおよびＹは共に同じ方向の長さである。 - 特許庁

This method for producing the pasty fruit flesh comprises a freezing process of rapidly freezing fruits or fruit flesh, a soaking process of soaking the frozen fruits or fruit flesh in a sugar liquid so as to bring to a prescribed sugar content, and a kneading process of kneading while mixing sugar with the fruits or fruit flesh after soaking in a pasty condition.例文帳に追加

果実または果肉を急速冷凍する冷凍工程と、冷凍された果実または果肉を所定の糖度になるまで糖液に浸漬する浸漬工程と、浸漬後の果実または果肉に砂糖を混合しながらペースト状に練り込む練り工程とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

Because the former permits the batch process for the large substrate, and the latter permits the sequential process after making the dimension suitable for the sequential process, the total manufacturing costs which are derived from the processing time, the dimension of the processing apparatus and so forth can be reduced, and the productivity can be improved.例文帳に追加

前半は大型基板による一括処理を、後半は逐次処理に適する大きさにしてから逐次処理を可能にしたので、処理時間、処理装置の大きさ等から導き出される総製造コストを下げることがで、生産性を向上させることができる。 - 特許庁

The air bleeding method is composed of a process for stopping the discharge action for the glue once after the glue is filled up to a discharge port 4a and replacing the glue in a bubble retained part 10, a process for increasing the pressure of the glue in the bubble retained part 10, and a process for replacing the glue.例文帳に追加

また、グルーを吐出口４ａまで充填した後に一旦グルーの吐出動作を停止し、その後に気泡滞留部１０のグルーを入れ替える工程と、さらに、気泡滞留部１０のグルーの圧力を上昇させる工程と、グルーを入れ替える工程などからなるエアー抜き方法とする。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises an etching process of carrying out an anisotropic etching of a silicon wafer 102 forming an etching mask by using alkali solution; and a breaking process of breaking a projection of the etching mask projecting against the opening 103 of the silicon wafer 102 so as to reside at the corner of the etching mask after the etching process.例文帳に追加

エッチングマスクを形成したシリコンウェハ１０２をアルカリ溶液を用いて異方性エッチングするエッチング工程と、エッチング工程の後に、エッチングマスクのコーナー部に位置するようにシリコンウェハの開口部１０３に対して突出するエッチングマスクの突出部を破断する破断工程と、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the solid decorative article 11a has the printing process for printing a wood grain pattern planarly modelled after a wood surface on the film 13a and the molding process wherein the film 13a printed in the printing process is inserted into the mold 41 and subjected to in-mold molding.例文帳に追加

立体加飾品１１ａの製造方法は、木材の表面を平面的に象った杢目柄をフィルム１３ａに印刷する印刷工程と、該印刷工程で印刷されたフィルム１３ａを金型４１内にインサートしてインモールド成形する成形工程とを備える。 - 特許庁

This printing method comprises a line timing signal generating process S3 wherein a start of each line of gradation data is indicated before or after the generation of the gradation data and a parallel conversion process S4 wherein the gradation data generated in a gradation data generating process S2 is converted to parallel data corresponding to the number of electrodes.例文帳に追加

階調データの生成に前後して当該階調データの各ラインの開始を示すラインタイミング信号生成工程Ｓ３と、階調データ生成工程Ｓ２で生成される階調データを前記電極の数に応じた数のパラレルデータに変換するパラレル変換工程Ｓ４とを備えている。 - 特許庁

The inspection method comprises a first process B for performing many kinds of qualitative analyses for specifying the type of agricultural chemical residing in the object to be inspected; and a second process C for performing the qualitative analysis of the amount of residue in the agricultural chemical only for the specified type of agricultural chemical after the first process B.例文帳に追加

検査対象物に残留する農薬の種類を特定する多種類の定性分析を行って、残留する農薬の種類を特定する第１工程Ｂと、その後、その特定された種類の農薬のみについて農薬残留量を定量分析する第２工程Ｃとを、有する。 - 特許庁

This manufacturing method includes a 1st heat-treatment process of heat-treating a semiconductor wafer at 1,000 to 1,200°C in a reducing atmosphere composed principally of hydrogen and a 2nd heat-treatment process of heat-treating the semiconductor wafer after the 1st process in the inactive atmosphere.例文帳に追加

水素を主成分とする還元雰囲気中で半導体ウェーハを１０００〜１２００℃熱処理する第１の熱処理工程と、この工程の後前記半導体ウェーハを不活性雰囲気中で熱処理する第２の熱処理工程とを有する半導体ウェーハの製造方法。 - 特許庁

In the regeneration process, an aqueous solution of an alkali metal salt is supplied to regenerate the cation exchange resin bed, while in the reforming process after the regeneration process the raw water is passed by setting the linear velocity for the cation exchange resin bed to 5-60 m/h without iron removal treating and acid addition treating.例文帳に追加

再生プロセスでは、アルカリ金属塩の水溶液を供給して陽イオン交換樹脂床を再生する一方で、再生プロセス後の改質プロセスでは、原水を除鉄処理及び酸添加処理することなく、陽イオン交換樹脂床に対する線速度を５〜６０ｍ／ｈに設定して通水する。 - 特許庁

This method for producing the useful substance comprises a production process for producing the useful substances from a microbial population in the marine deep water, while irradiating the collected marine deep water with light, and a recovery process for recovering the useful substance from the marine deep water after the production process.例文帳に追加

採取された海洋深層水に光を照射しながら、該海洋深層水中の微生物群集により有用物質を生成させる生成工程と、生成工程後の海洋深層水から有用物質を回収する回収工程とを含む方法により、有用物質を製造する。 - 特許庁

When an underfill resin 6b for a second process is heated and cured, the thermal expansion of the same is made larger than the thermal expansion of a first process underfill resin 6a, while contraction upon reducing the temperature and returning to a normal condition, after curing is effected so as to be larger than the contraction of the underfill resin for the first process.例文帳に追加

第２の工程のアンダーフィル樹脂６ｂを加熱硬化するときに、第１の工程のアンダーフィル樹脂６ａの熱膨張より大きく熱膨張させ、硬化後の常温状態に戻る降温復帰時の収縮を第１の工程のアンダーフィル樹脂の収縮より大きくする。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus in which a sheet conveying path for conveying a sheet after passing through a fixing device is arranged near a process cartridge, and where heat accumulated in the sheet conveying path and between the sheet conveying path and the fixing device is prevented from being transferred to the process cartridge so as to restrain the temperature rise of the process cartridge.例文帳に追加

プロセスカートリッジの付近に定着器通過後のシート搬送路が配置される画像形成装置において、シート搬送路及びシート搬送路と定着器との間に蓄積された熱がプロセスカートリッジに伝達することを防止し、プロセスカートリッジの温度上昇を抑えることを目的とする。 - 特許庁

After that, when the key switch 13 is made OFF, the on-vehicle personal computer 3 is transferred to the sleep mode, and since it turns back to the original state by performing the resume process when switch is made ON again, the starting process to read the OS for every ON operation of the key switch 13 becomes unnecessary, thereby the process is quickly started.例文帳に追加

以後、キースイッチ１３がオフされると、車載パソコン３はスリープモードに移行し、再びオンされるとレジューム処理を行なって元の状態に戻るので、キースイッチ１３のオン操作毎にＯＳを読み込む起動処理が不要となり迅速に処理が開始できる。 - 特許庁

The common rail is manufactured in (a) a plating process for applying plating 38 to at least either of a connector female screw 27 and a main body side male screw 29, (b) an assembly process for screw-fitting the main body side male screw 29 into the connector female screw 27 after plating, and (c) a heating process for heating the assembled common rail.例文帳に追加

コモンレールは、（ａ）コネクタ雌ネジ２７あるいは本体側雄ネジ２９の少なくとも一方にメッキ３８を施すメッキ工程と、（ｂ）メッキ後にコネクタ雌ネジ２７に本体側雄ネジ２９を螺合する組付け工程と、（ｃ）組付けられたコモンレールを加熱処理する加熱工程とで製造される。 - 特許庁

When occurrence of any external event other than the reception of printing instructions, such as opening/closing of the door of a stacker, an instruction to print a sample, or an interruption printing is detected, a printing process executing section 73 performs the process of the external event after the execution of the printing process stored in the printing instruction storage section 72.例文帳に追加

印刷処理実行部７３は、スタッカの扉を開閉、サンプルプリントの印刷指示、割り込み印刷の発生等の印刷指示の受信以外の外部イベントの発生を検出した場合、印刷指示格納部７２に格納されている印刷指示の実行完了後に外部イベントの処理を行う。 - 特許庁

The method of producing a glass substrate comprises a press- forming process for press-forming a heated and softened glass base material in order to obtain a glass substrate satisfying the relation: X>40Y, wherein X is the outer diameter ϕ and Y is the thickness, a process for cooling the glass substrate after press-forming, and a process for taking out the lass substrate.例文帳に追加

加熱軟化したガラス素材を加圧成形し、外径φＸと厚さＹの関係がＸ＞４０Ｙなるガラス基板を成形する加圧成形工程と、加圧成形工程の後ガラス基板を冷却する冷却工程と、ガラス基板を取り出す工程とを含むガラス基板の製造方法。 - 特許庁

The method consists of a process step of grinding and polishing the surface 2 of the die base material 1 consisting of the sintered hard alloy to a desired shape, a process step of depositing the sintered hard film 3 of a thickness 10 to 30 μm on the surface after the working and a process step of polishing the surface of the sintered hard film 3.例文帳に追加

超硬合金からなる型基材１の表面２を所望の形状に研削・研磨加工する工程と、加工後の表面に対して１０〜３０μｍの厚さの超硬膜３を成膜する工程と、超硬膜３の表面を研磨加工する工程とからなる。 - 特許庁

After etching a semiconductor substrate 36, Ar gas is supplied into a process chamber 6 to evacuate a reaction product 43 from the process chamber 6, and the dummy arm 25 and the dust collection plate 26 are then inserted into the process chamber 6 to collect the reaction product 43.例文帳に追加

半導体基板３６に対するエッチング処理が終了した後、プロセスチャンバー６内にＡｒガスを供給して、反応生成物４３をプロセスチャンバー６の外部に排気した後、ダミーアーム２５と集塵板２６とをプロセスチャンバー６の内部に挿入することにより反応生成物４３を集塵する。 - 特許庁

To provide a polishing grinding wheel for reducing a burden of machining in a post-process, and obtaining a good-quality surface property after chrome plating by eliminating generation of a striped spiral pattern (a feed mark) by a feed of the grinding wheel from a process roller surface in polishing of a gravure process copper plated roller.例文帳に追加

グラビア製版銅メッキロールの研磨において、製版ロール表面に砥石送りによるスジ状のらせん模様（送りマーク）の発生をなくすことで、後工程における加工の負担を軽減させ、クロムメッキ後に良質な表面性状が得られる研磨砥石を提供する。 - 特許庁

If there is a heating process using gases such as nitrogen in the middle of formation of the multilayer dielectric film SI (for example, a thermal nitriding process for suppressing an incubation time) in the manufacture of the non-volatile semiconductor memory device, the heating process is performed after a nitrogen stop film (41: not shown in the figure) for protecting the peripheral transistor is formed.例文帳に追加

この製造において、積層誘電体膜ＳＩの形成途中に窒素を含むガスを用いた加熱工程（例えばインキュベーション時間抑制のための熱窒化処理）がある場合に、周辺トランジスタを保護する窒素阻止膜（４１：不図示）を形成し、当該加熱工程を行う。 - 特許庁

Then, in link layers of data transmission apparatuses 1 which operate in master and normal modes, after the completion of a physical layer initialization process, a link layer initialization process is performed in response to a reset exit process performed by their respective CPUs 4, and then the data transmission apparatuses 1 start data communication using their respective physical layers and link layers.例文帳に追加

次に、マスタおよび通常モードで動作するデータ伝送装置１のリンク層は、物理層初期化処理の終了後、それぞれＣＰＵ４のリセット解除処理によってリンク層初期化処理を行い、自装置の物理層およびリンク層を用いてデータ通信を開始する。 - 特許庁

In certain embodiments, a process is executed from the virtual layer, a determination is made as to whether the process is launched before or after the insertion of the virtual sub-layer, and the inserted virtual sub-layer is selectively made visible or invisible to the process based on the determination.例文帳に追加

いくつかの実施形態において、仮想レイヤからプロセスを実行し、プロセスが仮想サブレイヤの挿入前または挿入後にプロセスが開始したか否かを決定し、この決定に基づいて挿入した仮想サブレイヤをプロセスに対して選択的に可視または不可視にする。 - 特許庁

The slump value is designated based on the correlation characteristics chart, and a water-to-cement ratio W/C of cement milk and cement addition quantity when the processed soil satisfies a target strength, and when an additive hardening process as a secondary process is not required since fluidity is provided immediately after an agitation and mixing process is determined.例文帳に追加

相関特性図をもとにスランプ値を指定して、処理土が目標強度を満足し且つ撹拌混合処理直後に流動化を呈して二次処理としての締め固め処理を必要としないたときのセメントミルクの水セメント比Ｗ／Ｃとセメント添加量を求める。 - 特許庁

The construction method comprises a process for heating the liquefied subsoil of the existing building, a process for dissolving a solidifying material which is liquefied at the application of heat and is solid at room temperature, such as paraffin, to cause the material to infiltrate the liquefied subsoil, and a process for solidifying the liquefied subsoil after cooling.例文帳に追加

既存建物の液状化する地盤を加熱する工程と、熱を加えると液体となり常温では固体となるパラフィン等の固化材料を溶解して前記液状化地盤中に浸透させる工程と、冷却を待って同液状化地盤を固化させる工程とから成る。 - 特許庁

The method includes a process of freezing a barlike body to be heated after inserting it in a liquid containing a protein, a process of removing the barlike body by heating the barlike body to melt a contact part between the frozen article and the barlike body, and a process of freeze-drying the obtained frozen article.例文帳に追加

加熱可能な棒状体をタンパク質含有液に挿入した後に凍結する工程、前記棒状体を加熱して凍結物と棒状体との接触部を融解し、前記棒状体を除去する工程、次いで、得られた凍結物を凍結乾燥する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electrolytic copper foil which is not softened in a period while being stored at ordinary temperature after the foil production process of the copper foil has been finished and before the next manufacturing process starts, or by heat treatment to be conducted at about 200 to 300°C in the next process, and maintains its high tensile-strength, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

銅箔の製箔完了時から次の製造工程に移るまでの常温保管、または次工程における２００〜３００℃程度の加熱処理によっても銅箔が軟化せず、高い抗張力を維持する電解銅箔、並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of improving the surface roughness of an upper section in a floating gate electrode by performing nitriding process after forming a floating gate and capable of simplifying the nitriding process and a dielectric film formation process in situ.例文帳に追加

フローティングゲートを形成した後、窒化工程を行ってフローティングゲート電極上部の表面荒さを改善することができ、窒化工程と誘電体膜形成工程をインサイチュで行って工程を単純化することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for welding metallic members is provided with a process in which a zone of thin metallic plates or a structural body of thin metallic plates to be welded by the lap welding, the lap fillet welding, or the butt welding is irradiated with a laser beam, and a process in which the gas metal arc welding is performed after the irradiation process.例文帳に追加

金属薄板または金属薄板構造物の重ね溶接、重ね隅肉溶接、または突き合わせ溶接予定個所にレーザーを照射する工程と、この照射工程の後にガスメタルアーク溶接を行う工程とを備えた金属部材の溶接方法。 - 特許庁

The method is composed of a first process for plasma-etching a member to be etched 17, which is arranged in the reaction chamber 11, by using SiCl_4 or BCl_3 and a second process for introducing a plasma of gas, comprising oxygen into the reaction chamber 11, after the first process.例文帳に追加

反応室１１内に配置された被エッチング部材１７に対し、ＳｉＣｌ_４ またはＢＣｌ_３ を用いてプラズマエッチング処理する第１工程と、この第１工程の後、反応室１１内に、少なくとも酸素を含むガスのプラズマを導入する第２工程とからなっている。 - 特許庁

The forming method of Cu wiring comprises a process for forming a Cu film on a wafer through plating, a process for applying anticorrosive treatment on the surface of the Cu film, and a process for annealing the Cu film after applying the anticorrosive treatment.例文帳に追加

本発明のＣｕ配線形成方法は、ウェハ上にＣｕ膜をめっきにより形成する工程と、前記めっきを行った後に、前記Ｃｕ膜の表面に防食剤処理を行う工程と、前記防食剤処理を行った後に、前記Ｃｕ膜をアニールする工程とを有する。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing method comprises at least a first process of holding a substrate W of a wafer-like semiconductor, in a warped state, on which a resin layer R1 is disposed on one surface Wa in such a manner that the whole region of the surface Wa is spherically swollen and a second process of curing the resin layer R1 after performing the first process.例文帳に追加

一面Ｗａに樹脂層Ｒ１が配された、ウエハ状の半導体からなる基板Ｗを、一面Ｗａの全域が球面状に膨出するように、反らせて保持する第一工程と、前記第一工程の後に、樹脂層Ｒ１を硬化させる第二工程と、を少なくとも有する。 - 特許庁

The method for producing a polyisocyanate comprises a contact process of reacting a polyamine with phosgene to give a reaction solution and bringing the reaction solution into contact with zeolite at 60-230°C and a heating process of heating the reaction solution at 180-230°C after the contact with the zeolite in the contact process.例文帳に追加

ポリアミンをホスゲンと反応させて得られる反応液を６０〜２３０℃でゼオライトと接触させる接触工程と、前記接触工程においてゼオライトと接触させた後の反応液を１８０〜２３０℃で加熱する加熱工程とを備える、ポリイソシアネートの製造方法。 - 特許庁

The method for producing a monocarboxylic acid includes a process A for filtering a solution containing a monocarboxylic acid through a nanofiltration membrane and recovering the monocarboxylic acid from a filtrate side and a process B for filtering a nanofiltration membrane filtrate through a reverse osmosis membrane after the process A and recovering the monocarboxylic acid from the filtrate side.例文帳に追加

モノカルボン酸含有溶液をナノ濾過膜に通じて濾過して、透過側からモノカルボン酸を回収する工程Ａ、または該工程Ａの後にさらにナノ濾過膜透過液を逆浸透膜に通じて濾過して、透過側からモノカルボン酸を回収する工程Ｂを含む、モノカルボン酸の製造方法。 - 特許庁

The dicing method of rotating the dicing blade to cut a substrate includes: a blade lowering process of lowering the dicing blade down to the substrate to cut the substrate; a cutting process of cutting the substrate while moving the dicing blade only by a predetermined distance along the scribe line after the blade lowering process; and a blade lifting process of lifting the dicing blade until it completely leaves the substrate after the cutting process.例文帳に追加

ダイシングブレードを回転させて基板を切断するダイシング方法において、前記基板に対し前記ダイシングブレードを降下させ前記基板を切削するブレード降下工程と、前記ブレード降下工程の後、前記ダイシングブレードをスクライブラインに沿って所定の距離だけ移動させながら前記基板の切削を行う切削工程と、前記切削工程の後、前記ダイシングブレードを前記基板より完全に離れるまで上昇させるブレード上昇工程と、を有することを特徴とするダイシング方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises a process of epitaxial growth of the silicon - germanium mixed crystal film, or the germanium film or a multilayer monocrystalline film thereof, on the insulation substrate or on the monocrystalline silicon thin film on the insulation film; and a process of accelerating lattice relaxation by conducting a heat treatment after the former process or in the middle of the former process.例文帳に追加

絶縁性基板或いは絶縁膜上の単結晶シリコン薄膜に、シリコンゲルマニウム混晶膜又はゲルマニウム膜或いはその多層単結晶膜を、エピタキシャル成長させる工程と、その後或いはその途中工程において熱処理によって格子緩和を促す工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor apparatus comprises a process for forming an insulating film having a relative dielectric constant of 3 or smaller on a substrate, a process for forming wiring made of Cu in the insulating film, a process for supplying reducing gas on the wiring surface, and a process for forming the barrier film on the wiring after supplying the reducing gas.例文帳に追加

基板上に３以下の比誘電率を有する絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜内にＣｕからなる配線を形成する工程と、配線表面上に還元性ガスを供給する工程と、還元性ガスを供給した後、前記配線上にバリア膜を形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the functional food containing anserine and chondroitin sulfate comprises the following process: (1) a process of pulverizing fish residue not to be utilized as fish flesh; (2) a process of degrading protein by acting a proteinase on the pulverized residue; and (3) a process of obtaining a mixture containing anserine and chondroitin sulfate by separably eliminating insoluble components and oil components after deactivating the proteinase.例文帳に追加

１）魚肉として利用されない魚体残滓を粉砕する工程、２）粉砕された残滓に、タンパク質分解酵素を作用させてタンパク質を分解する工程、及び３）タンパク質分解酵素を失活させた後、不溶解成分及び油成分を分離除去して、アンセリンとコンドロイチン硫酸を含む混合物を得る工程。 - 特許庁

The method of cleaning the filtration membrane comprises a high-temperature purified water cleaning process of cleaning a filtration membrane with purified water of 70°C or more, and an ultrapure water cleaning process of cleaning the filtration membrane with ultrapure water after the high-temperature purified water cleaning process, the high-temperature purified water cleaning process repeatedly carrying out passing water cleaning and immersion cleaning alternately.例文帳に追加

濾過膜を７０℃以上の純水で洗浄する高温純水洗浄工程と、高温純水洗浄工程後に、濾過膜を超純水で洗浄する超純水洗浄工程とを有し、高温純水洗浄工程が、通水洗浄と浸漬洗浄とを交互に繰り返し実施するものであることを特徴とする濾過膜の洗浄方法。 - 特許庁

This method for producing an aromatic monovinyl-based resin is characterized in that, in producing the aromatic monovinyl-based resin, a 3-arylbenzofuran in an amount of 0.006-0.5 wt.% based on the resin at an outlet of a final reactor is added to a polymerization solution in a polymerization process or a degasification process, after the polymerization process or before the degasification process.例文帳に追加

芳香族モノビニル系樹脂を製造するにあたり、３−アリールベンゾフラノンを、最終反応器出口の樹脂に対しその量が０．００６〜０．５重量％となるように、重合工程あるいは脱揮工程において、また重合工程後、脱揮工程前において添加することを特徴とする芳香族モノビニル系樹脂の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method of a fluoride single crystal has a melt process in which a fluoride filled in a crucible is heated in a vacuum furnace to make a fluoride melt, a carbon monoxide removing process in which carbon monoxide is removed from the fluoride melt, and a crystallization process in which the fluoride melt after carbon monoxide removing process is cooled and crystallized.例文帳に追加

ルツボに充填したフッ化物を真空炉内で加熱してフッ化物融液とする融解工程と、フッ化物融液から一酸化炭素(ＣＯ)を除去する一酸化炭素除去工程と、一酸化炭素除去工程を経たフッ化物融液を冷却して結晶化する結晶化工程と、を有する製造方法によりフッ化物単結晶を製造する。 - 特許庁

In a manufacturing method for a cathode-ray tube having a cathode activation process 2 and a knocking process 3 after an exhaust process 1, especially during the cathode activation process 2, high-frequency induction heating is applied to electrodes so as to purge gases from the electrodes, while the purged gases react on an active metal (i.e., Ba) adhering the electrodes to be inactivated.例文帳に追加

排気工程１の後に、カソード活性化工程２とノッキング工程３とを具備する陰極線管の製造方法において、特に、カソード活性化中に電極を高周波誘導加熱することにより、電極からガスを放出させ、このガスを電極に付着している活性な金属Ｂ反応させてこれを不活性化する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the synthetic quartz glass substrate for the polysilicon TFT formed by multistage polishing consisting of a lapping process and a polishing process, the end surface of the substrate is subjected to mirror surface finishing just prior to the final polishing process of the polishing process and after subjecting the substrate to etching.例文帳に追加

ラッピング工程とポリッシュ工程からなる多段研磨により形成されるポリシリコンＴＦＴ用合成石英ガラス基板の製造方法において、前記ポリッシュ工程は複数の研磨工程からなり、該ポリッシュ工程の最終の研磨工程の直前、かつ、前記基板にエッチングを施した後に前記基板の端面に鏡面加工を施す。 - 特許庁

The coating method to form the coating film on the outer circumferential surface of the rubber roller has a heating process for heating the outer circumferential surface of the robber roller with near infrared ray and a coating material sticking process for sticking the coating material on the outer circumferential surface, and direct after and/or simultaneously with the heating process, the coating material sticking process is performed.例文帳に追加

ゴムローラーの外周表面に塗膜を形成する塗工方法において、ゴムローラーの外周表面を近赤外線ヒーターによって加熱する加熱工程と、外周表面に塗料を付着させる塗料付着工程とを有し、加熱工程を行った直後に、および／または加熱工程と並行して、塗料付着工程を行う。 - 特許庁

To shorten time needed for gas draining in manufacturing a crosslinked polyethylene insulation power cable through an extrusion coating process 14 of an insulation body, a crosslinking process 16 of the insulation body, a cooling process 18 of a cable after crosslink, and a process 24 for draining methane gas remaining in the insulation body by winding the cooled cable 20 around a drum 22 and heating it.例文帳に追加

絶縁体の押出被覆工程14、絶縁体の架橋工程16、架橋後のケーブルの冷却工程18、冷却されたケーブル20をドラム22に巻き取って加熱して絶縁体中に残留するメタンガスのガス抜きを行う工程24を経て架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルを製造する場合に、ガス抜きに要する時間を短縮する。 - 特許庁