「Flash Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, when the "power non-supply state" is shifted to the "on-state", the address corresponding to each processing is specified based on the data management table, and the processing data stored in each specified address are read from the flash memory, and stored in the RAM.例文帳に追加

そして、「電力非供給状態」から「オン状態」に移行させられると、データ管理テーブルに基づいて各々の処理に対応するアドレスを特定し、特定した各々のアドレスに記憶されている処理データをフラッシュメモリから読み出して、ＲＡＭに記憶させる。 - 特許庁

The digital camera is provided with a CPU 121, that executes the adjustment of the digital camera to set various conditions of the digital camera and a flash memory 130 that records adjustment data, with respect to the adjustment of the digital camera executed by the CPU 121.例文帳に追加

本発明にかかるデジタルカメラは、デジタルカメラの各種条件を設定するために、デジタルカメラの調整を実行するＣＰＵ１２１と、ＣＰＵ１２１により実行されるデジタルカメラの調整に関する調整データを記録するフラッシュメモリ１３０とを備える。 - 特許庁

When the images displayed on a reproducing screen are deleted (Yes in step S18, step S20), and if the flash memory does not have residual capacity required for recording the images picked up in step S12 (No in step S22), the processing returns to step S16.例文帳に追加

再生画面に表示されている画像が消去された場合（ステップＳ１８のＹｅｓ、ステップＳ２０）、フラッシュメモリにステップＳ１２において撮像された画像を記録するために必要な空き容量がない場合には（ステップＳ２２のＮｏ）、ステップＳ１６に戻る。 - 特許庁

When the dubbing is executed to a disk at the target side from a disk at the master side whereon the data are recorded, cluster addresses of the disk at the master side and the disk at the target side are recorded and held on a nonvolatile flash memory for every completion of the dubbing of one cluster during the dubbing operation.例文帳に追加

データが記録されたマスター側のディスクからターゲット側のディスクにダビングを行なう際に、ダビング期間中、１クラスターのダビングが終了するごとに、マスター側のディスクとターゲット側のディスクのクラスターアドレスを不揮発性フラッシュメモリに記録・保持させる。 - 特許庁

A CPU for controlling a barcode handy terminal (BHT) executes data transfer processing to a flash memory in the case of the existence of untransferred data on a RAM ("YES" in step S6) (step S7) when a predetermined transfer start event occurs ("YES" in step S3).例文帳に追加

バーコードハンディターミナル（ＢＨＴ）の制御を行うＣＰＵは、予め定めた転送起動イベントが発生した際に（ステップＳ３，「ＹＥＳ」）、ＲＡＭ上に未転送データが存在する場合は（ステップＳ６，「ＹＥＳ」）フラッシュメモリに対するデータ転送処理を実行する（ステップＳ７）。 - 特許庁

To provide an executing method for program verification operation, an executing method for erasing verification operation, and a detection time control circuit in which erroneous trial of program verification operation is prevented while speed of a flash memory device is not adversely affected.例文帳に追加

プログラム検証動作が誤って試行されるのを防止すると共に、フラッシュメモリデバイスの速度に悪影響を及ぼさないようにすることが可能なプログラム検証動作の実施方法、消去検証動作の実施方法、および検出時間制御回路の提供を図る。 - 特許庁

The flash memory comprises a cell array including an initialized data area in which initialized data is stored, and a status detector for determining the read data corresponding to a free cell area of the initialized data area being in a "pass" status, when an error is detected.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ装置は、初期化データが格納される初期化データ領域を含むセルアレイと、エラー検出時に、前記初期化データ領域のうち、空いているセル領域に対応する読み出しデータをパスと判定する状態検出器と、を備える。 - 特許庁

Every time a data update process including the process of replacing a block serving as the smallest unit for the deletion of data is performed, information about a reserved block address showing a block for writing update data during the next block replacement process is stored and written in the management information of the flash memory.例文帳に追加

データ消去最小単位であるブロックの交替処理を含むデータ更新処理を実行するごとに、次回のブロック交替処理において更新データを書き込むブロックを示す予約ブロックアドレスの情報を、フラッシュメモリの管理情報内に格納して書き込む。 - 特許庁

An embedded side compression part 250 compresses the new version data created by the differential application part 240 according to the compression state information input into the differential data input part 220, and stores the compressed new version data in the NAND flash memory 260.例文帳に追加

組込側圧縮部２５０は、差分適用部２４０により作成された新版データを差分データ入力部２２０に入力された圧縮状態情報に基づいて圧縮して圧縮後の新版データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２６０に格納する。 - 特許庁

A file system 231 reads difference data 12 generated by a data generator on the basis of standard version software 11A and new version software 11B to be an updating object from download data 13 stored in a flash memory 215 to a RAM 213 when activated.例文帳に追加

ファイルシステム２３１は、起動時に、フラッシュメモリ２１５に記憶されているダウンロードデータ１３から、データ生成装置により基準バージョンソフトウェア１１Ａと更新する対象となる新バージョンソフトウェア１１Ｂに基づいて生成された差分データ１２をRAM２１３に読み込む。 - 特許庁

When the optical disk recording device is failed and the recording itself is interrupted for example, the IFO file is computed based on the control information read from the flash memory 12 after the interruption, the IFO file and the video file are restored and reconstituted.例文帳に追加

仮に、光ディスク記録装置が破綻して記録自体が中断した場合、その後にフラッシュメモリ１２から読み出した管理情報を基にＩＦＯファイルを算出することができ、これによりＩＦＯファイルと映像ファイルを復帰再構成して、復帰させることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can manufacture the semiconductor device including a flash memory, a capacitor requested to have a high breakdown voltage property even when having low precision, and a capacitor requested to have high precision even when having a low breakdown property, through a relatively small number of processes.例文帳に追加

フラッシュメモリと、精度が低くても高耐圧性が要求されるキャパシタと、耐圧性が低くても高精度が要求されるキャパシタとを備えた半導体装置を比較的少ない工程で製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a flash memory cell 1A consisting of an FET transistor with a floating gate 20 on a semiconductor on-insulator substrate comprising a thin film of semiconductor material separated from a base substrate 5 by an insulating BOX layer, the transistor having, in the thin film, a channel 4.例文帳に追加

絶縁ＢＯＸ層によってベース基板５から分離された半導体材料からなる薄膜を備えた半導体・オン・インシュレータ基板上の、フローティングゲート２０を備え薄膜内にチャネル４を有するＦＥＴトランジスタからなるフラッシュメモリセル１Ａに関する。 - 特許庁

At authentication, a user connects the connector 25 to a USB connector 21 of the personal computer 12, and then a CPU 13 of the personal computer 12 reads the device driver in the flash memory 23 into a RAM 15 and accesses the hardware lock 22 using the read driver for authentication.例文帳に追加

認証時において、ユーザがコネクタ２５をパーソナルコンピュータ１２のＵＳＢコネクタ２１に接続すると、パーソナルコンピュータ１２のＣＰＵ１３がフラッシュメモリ２３内のデバイスドライバをＲＡＭ１５に読み込み、読み込んだドライバを使用してハードウエアロック２２にアクセスし、認証を行う。 - 特許庁

To provide a writing device that restores corrupted data stored in a block including a cluster in which data are written when a power failure or the like occurs, in writing data into a NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリに対するデータの書き込みにおいて、電源遮断等の障害に起因してデータが書き込まれるクラスタを含むブロックに格納されている他のデータが破壊された場合であってもこれを復旧することができる、書き込み装置を提供すること。 - 特許庁

A flash memory 116 stores circuit configuration data of the sub-board IF 126 by kind of the sub-board 150 (accordingly, a print engine), and the sub-board IF 126 is configured according to circuit configuration data corresponding to a sub-board kind set in a dip switch 119.例文帳に追加

フラッシュメモリ１１６には、サブ基板１５０（ひいてはプリントエンジン）の種類ごとにサブ基板ＩＦ１２６の回路構成データが記憶され、ディップスイッチ１１９に設定されたサブ基板種類に応じた回路構成データに従ってサブ基板ＩＦ１２６が構成される。 - 特許庁

When the access to the flash memory 3 is a write access, a CPU 7 exchanges the physical address corresponding to the logical address related with the write access in the buffer 5 for the logical/physical conversion table with one physical address in the buffer 6 for the free physical address table.例文帳に追加

ＣＰＵ７は、フラッシュメモリ３へのアクセスがライトアクセスのときについては、論理物理変換テーブル用バッファ５内の当該ライトアクセスに係る論理アドレスに対応する物理アドレスと空き物理アドレステーブル用バッファ６内の一の物理アドレスとを交換する。 - 特許庁

Scratch pattern data is stored previously in a flash ROM 40, when a user operates a scratch button, the main system controller 36 reads out selected pattern data, commands to the DSP signal processing part 44, and reads out data from the memory 46 with the selected scratch pattern.例文帳に追加

フラッシュＲＯＭ４０には予めスクラッチパターンデータが記憶され、ユーザがスクラッチボタンを操作すると、メインシステムコントローラ３６は選択されたパターンデータを読み出してＤＳＰ信号処理部４４に指令し、選択されたスクラッチパターンでデータをメモリ４６から読み出す。 - 特許庁

To provide a technology for suppressing data change and data loss, and suppressing throughput which is required for the suppression even without providing exclusive storage capacity for preventing the data change in an EEPROM such as a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリなどのＥＥＰＲＯＭにおいて、データ変化を防止する専用の記憶容量を設けなくても、データ変化及びデータ消失の抑制を可能とし、かつ、それに必要な処理能力を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

In FA equipment 11 comprising a camera 21 for taking a picture of an imaging target, the camera 21 has a CPU 23, a RAM 25, and a flash memory 26, and various signals are transmitted/received between the camera 21 and a CPU 12 of the FA equipment control device 11.例文帳に追加

撮像対象物を撮像するカメラ２１を備えたＦＡ機器１１において、カメラ２１には、ＣＰＵ２３とＲＡＭ２５とフラッシュメモリ２６を搭載し、該カメラ２１とＦＡ機器制御装置１１のＣＰＵ１２との間で各種信号を送受信するように構成する。 - 特許庁

The image processing apparatus reads compressed data in the unit of blocks each comprising 8×8 pixels from a flash ROM 30 for storing compressed data of an output image and applies expansion processing to the data, applies resolution conversion (reduction) in the unit of the block and stores the reduced output image to a work memory 16.例文帳に追加

出力画像の圧縮データを記憶するフラッシュＲＯＭ３０から８×８画素のブロック単位の圧縮データを読み出して伸張処理し、これをブロック単位で解像度変換（縮小）して出力画像の縮小画像をワークメモリ１６に保存する。 - 特許庁

In the case that the Generic data are dissident, the download request means 34 requests the OMC1 to download a program stored in a program library 9 whose Generic is coincident through the setting code, and a flash memory 22 writes the downloaded program for restart under the new program.例文帳に追加

Genericが不一致の場合、ダウンロード要求手段３４はＯＭＣ１に設定コードを添えてプログラムライブラリ９に格納されたGenericの一致するプログラムのダウンロードを要求し、ダウンロードされたプログラムをフラッシュメモリ２２に書き込んで新しいプログラムでの再起動を行う。 - 特許庁

Thus, even when the control program stored in the flash memory 61 is damaged, and the image formation apparatus 1 is not started, the extended substrate 80a can be easily exchanged with the extended substrate 80a in which a normal control program is stored, and the down-time of the equipment can be reduced.例文帳に追加

これにより、フラッシュメモリ６１に格納された制御プログラムが破損して画像形成装置１が起動しなくなった場合であっても、正常な制御プログラムが格納された増設基板８０ａに容易に交換でき、機器のダウンタイムを低減できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing it, and more specifically, a flash memory device and a method of manufacturing it, in which, even if time passes once it data are inputted, that state is maintained and electrical input and output of the data are made possible.例文帳に追加

本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、より詳細には一度データを入力すると時間が経ってもその状態を保持し、電気的にデータの入力と出力が可能なフラッシュメモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When a roll paper 13 is set on the thermal printer 10 and the power is turned on, with the rotation of the roll paper 13, the bar code 15 of a winding core 14 is read by a bar code sensor 17, the manufacturing date of the thermal recording paper 12 is stored in a flash memory 21.例文帳に追加

ロール紙１３を感熱プリンタ１０にセットして電源を投入すると、ロール紙１３の回転に伴い、巻芯１４のバーコード１５がバーコードセンサ１７によって読み取られ、感熱記録紙１２の製造年月日がフラッシュメモリ２１に記憶される。 - 特許庁

A microcomputer for control selects a program in the flash ROM in accordance with the type of audio data of a loaded disk by analyzing the contents of the disk and introduces the program corresponding to the data to a built-in memory for a program of a digital signal processor.例文帳に追加

ディスクの内容を分析することによって、制御用マイコンが、装着されたディスクのオーディオデータの種類に応じてフラシュＲＯＭ内のプログラムを選択して、データに対応するプログラムをデジタルシグナルプロセサのプログラム用内蔵メモリに導入するように構成しておく。 - 特許庁

When the authentication processing part 105 discriminates that the data stored in the flash memory chip 13 relative to a request from the second computer are permitted to be transmitted to the second computer, a radio communication control part 103 transmits the data to the second computer.例文帳に追加

無線通信制御部１０３は、第二のコンピュータからの要求に係る、フラッシュメモリチップ１３に記憶されているデータを、その第二のコンピュータに送信してもよいと認証処理部１０５によって判別された場合に、その第二のコンピュータに送信する。 - 特許庁

When contents of a specified page of a flash memory 1 is rewritten, before command data indicating that the whole contents of a specified page is rewritten or only an arbitrary bite is rewritten is supplied to a command decoder 9, command data indicating an erasing time of a specified page is supplied.例文帳に追加

フラッシュメモリ１の指定ページの内容を書き換える場合、コマンドデコーダ９に対し、指定ページの全内容を書き換えるか、任意バイトのみを書き換えるかを表すコマンドデータ 〜 を供給する前に、指定ページの消去時間を表すコマンドデータ を供給する。 - 特許庁

This provides a method for manufacturing the semiconductor device having the logic and the flash memory more microscopic than a level of 0.18 μm capable of easily and accurately manufacturing the groove element separation, and this provides the semiconductor device.例文帳に追加

従って、０．１８μｍレベルよりも微細なロジックとＦｌａｓｈメモリを混載した半導体装置において、溝型素子分離の製造を容易な方法で高精度に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することができる。 - 特許庁

When contents of a specified page of a flash memory 1 is rewritten, before command data indicating that the whole contents of a specified page is rewritten or only an arbitrary bite is rewritten is supplied to a command decoder 9, command data representing a program time of a specified page is supplied.例文帳に追加

フラッシュメモリ１の指定ページの内容を書き換える場合、コマンドデコーダ９に対し、指定ページの全内容を書き換えるか、任意バイトのみを書き換えるかを表すコマンドデータ 〜 を供給する前に、指定ページのプログラム時間を表すコマンドデータ を供給する。 - 特許庁

To solve the problem of the conventional mobile navigator rewriting programs in flash memory or DRAM and hence needing the program loading again, when restarting pre-rewritten programs, which takes labor of reloading navigator programs, after the loaded programs end.例文帳に追加

従来の車載用ナビゲーション装置は、フラッシュメモリ又はＤＲＡＭのプログラムの書換えを行っているので、書換え前のプログラムを再度動作させる場合は、再度プログラムロードが必要となり、ロードしたプログラムを終了した後、再度ナビプログラムをロードするという手間を要する。 - 特許庁

Thus, decoding to the destroyed part is not performed, and even when a storage medium having possibility that part of it is destroyed, such as an EEPROM, a flash memory or the like, is used as the decoder, any probability that the address is turned into an error can be sharply reduced.例文帳に追加

これにより、破壊した部分へのデコードが行われず、デコーダとして、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ等のその一部が破壊する可能性のある記憶媒体を用いた場合においても、アドレスがエラーとなる確率を著しく減少させることができる。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device such as a flash memory is constructed in such a manner that when a power cut-off has occurred during writing or erasing operation, a rewriting operation is executed to change a threshold voltage in the reverse direction by interrupting ongoing operation.例文帳に追加

フラッシュメモリのような不揮発性半導体記憶装置において、書込みまたは消去動作中に電源遮断が発生した場合には、実行中の動作を中断してしきい値電圧を逆方向へ変化させる書戻し処理を行なうように構成した。 - 特許庁

Then, whether or not the data stored in the RAM 4 are referred to not less than the prescribed number of times is judged, and when the data have been referred to not less than the prescribed number of times, the data are written again in the flash memory 5, and otherwise, the data are erased from the RAM 4.例文帳に追加

ＲＡＭ４に記憶したデータが、所定の回数以上参照されたかどうか判別し、所定の回数以上参照された時、データをフラッシュメモリ５に再び書込み、所定の回数以上参照されていない時、データをＲＡＭ４から消去する。 - 特許庁

The information storage server 30 compares the guide information in the guide information DB 34 with the update date and time of the guide information in the flash memory 20 and transmits the latest guide information to the portable telephone set 10 when the guide information in the guide information DB 34 is newer.例文帳に追加

情報蓄積サーバ３０は、ガイド情報ＤＢ３４内のガイド情報とフラッシュメモリ２０内のガイド情報の更新日時を比較し、ガイド情報ＤＢ３４内のガイド情報の方が新しい場合に最新のガイド情報を携帯電話機１０に送信する。 - 特許庁

Guide image data stored in an ROM 2 and/or a flash memory 4 is then read out and a screen guiding outside the range and a screen guiding the receiving condition of all physical channels registered on the channel list 12 are displayed on a display section 25.例文帳に追加

次いで、ＲＯＭ２及び／又はフラッシュメモリ４に記憶されている案内画像データを読み出し、表示部２５上に圏外である旨の案内画面及びチャンネルリスト１２に登録されている全ての物理チャンネルに関する受信状態を案内する画面を表示する。 - 特許庁

A CPU 101 discriminates the kinds of the data which the transmitter-receiver 106 has received, and based on a result of the discrimination, the performance data for storage are written in a flash memory 104 and stored therein, and the performance data for play-back are transferred to a sound system 105 and played back.例文帳に追加

ＣＰＵ１０１は、送受信装置１０６が受信したデータの種類を判別し、その判別結果に従い、保存用の演奏データはフラッシュメモリ１０４に書き込んで保存し、再生用の演奏データはサウンドシステム１０５に送出して再生する。 - 特許庁

The guaranteed frequency of the rewriting of the nonvolatile ROM is set so as to be sufficiently larger than the flash memory, (that is, about 10 billion times) so that the rewriting of the physical address of the address management AT on the nonvolatile RAM 101 can be prevented from being problematic in the guaranteed frequency of rewriting.例文帳に追加

不揮発性ＲＡＭの書き換え保証回数はフラッシュメモリよりも十分多い（約１００億回）ので、不揮発性ＲＡＭ１０１上でのアドレス管理情報ＡＴの物理アドレスの書き換えは、書き換え保証回数では問題にはならない。 - 特許庁

A host computer (6), in detecting a request for file transfer between a flash memory (303) and the host computer (6) published by a predetermined operation of the indication tool (4), receives an input of data for authentication by the indication tool (4), and transmits the received data for authentication to the indication tool (4).例文帳に追加

ホストコンピュータ(6)は、指示具(4)の所定の操作によって発行されるフラッシュメモリ(303)−ホストコンピュータ(6)間におけるファイル転送の要求を検出すると、指示具(4)による認証用データの入力を受け付け、受信した認証用データを指示具(4)に送信する。 - 特許庁

To provide a flash memory in which the number of erasure unit blocks to be batch-erased can be selected and controlled easily though constitution is comparatively simple, the number of selection of erasure unit blocks can be changed easily as necessary, and which can be realized comparatively inexpensively.例文帳に追加

比較的簡易な構成でありながら、一括消去の対象となる消去単位ブロックの数を容易に選択制御でき、必要に応じて消去単位ブロックの選択数を容易に変更でき、比較的安価に実現可能なフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

The start time is reduced by loading the lens information(2), at the start, before reading the main program which includes the file control program from the flash memory and initializing the zoom lens (4) depending on it, and loading the main program and starting (5), (6) at the same time.例文帳に追加

起動時に、フラッシュメモリからファイル管理用プログラムが含まれるメインプログラムを読み出す以前にレンズ情報をロードし（２）、それに基づくズームレンズの初期化と同時に（４）、メインプログラムのロードと起動とを並行して行い（５，６）起動時間の短縮化を図る。 - 特許庁

Further, when receiving the request of management information from a management PC 30a (S150), the multifunction machine acquires the first management information and transmits the acquired first management information and the second management information stored in the flash memory 13 to the management PC 30a.例文帳に追加

また、管理ＰＣ３０ａから、管理情報の要求を受信すると（Ｓ１５０）、管理ＰＣ３０ａに対して、第一管理情報を取得し、この取得した第一管理情報およびフラッシュメモリ１３に記憶された第二管理情報を送信する（Ｓ１６０）。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of improving the reliability of the element by preventing source/drain selection transistors from being exposed when forming source/drain contacts and preventing a short circuit when subsequently forming plugs.例文帳に追加

ソース／ドレインコンタクトの形成に当たり、ソース／ドレイン選択トランジスタが露出することを防止して後続するプラグの形成時に短絡現象を防止することができ、素子の信頼性を向上させることが可能イなフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

O_3-TEOS films are buried as insulating films filling the gaps between the adjacent word lines of the flash memory and, particularly, O_3-TEOS films 109 having base dependency are seamlessly buried in the gaps between the adjacent word lines on bit lines.例文帳に追加

フラッシュメモリの隣接ワードライン間を埋め込む絶縁膜としてＯ_３−ＴＥＯＳ膜が埋め込まれており、特にビットライン上の隣接ワードライン間が下地依存性を有するＯ_３−ＴＥＯＳ膜１０９によってシームレスに埋め込まれていることを特徴としている。 - 特許庁

That is, without designing again from its initial process all the layouts of the terminal disposals of the chip to be an object, the respective pad portions 31 can be so provided arbitrarily that their positions become the shortest ones to respective input/output terminals 21 of a flash memory chip 2.例文帳に追加

つまり、対象となるチップの端子配置に対して最初の工程からの全レイアウトの設計をやり直すことなく、フラッシュメモリチップ２の各入出力端子２１に対して最短位置となるように、各パッド部３１を任意に配置することが可能となる。 - 特許庁