「Flash Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(83ページ目) - Weblio英語例文検索

Preferred interfaces include commercially available flash memory slots of various types, Universal Serial Bus (USB) interfaces in digital image systems configured to have USB host capabilities, and those conforming to the IEEE 1394 ('Fire Wire') standards.例文帳に追加

好適なインタフェースは、様々なタイプの市販されているフラッシュ・メモリ・スロット、ＵＳＢホスト・ケイパビリティを有するように構成されたデジタル画像システムのユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）インタフェース、及びＩＥＥＥ１３９４（“Ｆｉｒｅ Ｗｉｒｅ”）規格に準拠しているものを含む。 - 特許庁

To provide a method of forming a transistor of a NAND flash memory element by which the performance of the transistor in a cell region and a peripheral region is improved by defining an active width wider than a real STI pitch by forming a step STI profile using a spacer.例文帳に追加

スペーサを用いたステップＳＴＩプロファイルを形成して実際ＳＴＩピッチより広いアクティブ幅を確保することにより、セル領域と周辺領域のトランジスタ性能を向上させるＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のトランジスタ形成方法を提供する。 - 特許庁

A system control circuit 36 checks a difference between the recording date and time of the precedingly recorded retrieved image and the recording start date and time this time and writes the compressed retrieved image by the retrieved image compression circuit 30 to a flash memory 32 with the time code.例文帳に追加

システム制御回路３６は、前回、記録された検索画の記録日時と今回の記録開始日時との差を調べ、その差が所定値以上のときに、検索画圧縮回路３０による圧縮検索画をフラッシュメモリ３２にタイムコードと共に書き込む。 - 特許庁

A photoresist film 80 is formed on semiconductor substrates 10, 20 and patterned, in order to expose a source line region 85 in a flash memory array region 90 and a polysilicon film region 40 in CMOS circuit regions 100, 110.例文帳に追加

半導体基板１０、２０上にホトレジスト膜８０を形成し、フラッシュ・メモリ・アレイ領域９０内のソース線領域８５及びＣＭＯＳ回路領域１００、１１０内の多結晶シリコン膜領域４０を露出するためにホトレジスト層８０にパターニングを施す。 - 特許庁

To provide a vending machine control information rewriting system with which a control program can be easily rewritten at a low cost by using a flash ROM for a control program storage memory of a vending machine and sales managing information can be efficiently investigated at a low cost.例文帳に追加

自動販売機の制御プログラム記憶メモリに、フラッシュＲＯＭを用い、その制御プログラムを簡便かつ低コストで書き換えできると共に、低コストで効率よく販売管理情報を調査できる自動販売機制御情報書換システムを提供する。 - 特許庁

In the information recording/reproducing device, when a caption registering process is started, an OSD display for editing is carried out, and when reproduction is temporarily stopped in a scene selecting operation when the title to be edited is reproduced, scene information including an elapsed time of a temporarily stopped reproduction is stored in a flash memory (S5).例文帳に追加

字幕を登録する処理が開始されると、編集用のＯＳＤ表示を行い、編集するタイトルを再生させているときにシーン選択操作で再生が一時停止されると、一時停止再生経過時間を含むシーン情報をフラッシュメモリに格納する。 - 特許庁

When it is discriminated that the device information corresponding to the type identification information is stored in the first or second device information storage means, the device information is acquired and set in an interface means for accessing the flash memory.例文帳に追加

第１又は第２のデバイス情報記憶手段に、当該品種識別情報に対応するデバイス情報が格納されていると判別した場合、当該デバイス情報を取得し、当該デバイス情報を前記フラッシュメモリにアクセスするためのインターフェース手段に設定する。 - 特許庁

The programming of data is executed by the write units which are less than blocks as erasure units, and not less than pages as program units in the flash type EEPROM memories, and the conversion table of a logical address and a physical address by the write units is stored in the ferroelectric memory.例文帳に追加

上記フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭメモリには、イレーズ単位であるブロックより小さく、プログラム単位であるページ以上のライト単位でデータのプログラムを行い、上記強誘電体メモリには、上記ライト単位の論理アドレスと物理アドレスの変換テーブルを記憶する。 - 特許庁

DRAM devices and SRAM devices have a NAND interface system (interface system in which the same pin is commonly used for an address and data) so as to be coupled directly to a bus (address/data bus and control bus) of a NAND flash memory device connected to a microprocessor.例文帳に追加

本発明によると、DRAM装置及びSRAM装置はマイクロプロセッサーに連結されたNAND型フラッシュメモリ装置のバス（アドレス/データバス及び制御バス）に直接連結されるようにNANDインターフェイス方式（同一のピンがアドレス及びデータに共通に使用されるインターフェイス方式）を有する。 - 特許庁

Even if the digital copying machines 10a-10f store no operation section display language data in the 2nd language in their flash memory, by having them request the other digital copying machines 10a-10f storing the operation section display language data on request in their flash memories and receive the operation section display language data to use a language switching function, operability of the users is enhanced.例文帳に追加

したがって、第２言語の操作部表示言語データがフラッシュメモリに格納されていないデジタル複写装置１０ａ〜１０ｆであっても、要求される操作部表示言語データをフラッシュメモリに格納しているデジタル複写装置１０ａ〜１０ｆに言語データの転送要求を行って、操作部表示言語データを受け取ることで、言語切換機能を使用することができ、ユーザの操作性を向上させることができる。 - 特許庁

In the writing apparatus of a nonvolatile semiconductor memory apparatus for writing data to a flash memory 11 and moreover, verifying written data and rewriting data not correctly written, a write signal-generating means 51 is set for comparing write data of an address where the data is written and verified data and selectively rewriting data to be written.例文帳に追加

フラッシュメモリ１１にデータを書込むと共に、書込んだデータをベリファイし、その結果正しく書込まれないデータを再び書込むための不揮発性半導体記憶装置の書込み装置において、データを書込んだアドレスの書込みデータとベリファイしたデータとを比較し、再書込みするデータのみを選択的に書込む書込信号の生成手段５１を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In an 8-valued NAND type multivalued flash memory designed to execute the multivalued parallel write with the bit line voltage set according to write data, a pulse-like word line voltage is applied to a word line to write while the pulsewidth of an effective word line voltage corresponding to the time taken for substantially writing data in memory cells to be written is controlled according to the write data.例文帳に追加

書き込みデータに応じてビット線電圧を設定し、多値並列書き込みを行うようにした８値のＮＡＮＤ型多値フラッシュメモリにおいて、ワード線にパルス状のワード線電圧を印加して書き込みを行い、この際、書き込み対象のメモリセルに実質的にデータの書き込みがなされる時間に対応する実効的なワード線電圧のパルス幅を書き込みデータに応じて制御する。 - 特許庁

On receipt of a grade designation signal for designating a grade from a set unit 11, a controller 3 of a semiconductor memory unit 1 executes logic block assignment processing so that the data write processing and the data read processing can be executed in parallel to a flash memory chip CP of which the number corresponds to a grade designated by the received grade designation signal.例文帳に追加

この半導体記憶装置１のコントローラ３は、設定装置１１からグレードを指定するためのグレード指定信号を受信すると、当該受信したグレード指定信号により指定されたグレードに対応する個数のフラッシュメモリチップＣＰに対してデータ書込処理及びデータ読出処理を並列的に実行し得るように論理ブロック割当処理を実行するようにした。 - 特許庁

When an interrupt occurs during the automatic writing or automatic erasure, a microcomputer with a built-in nonvolatile semiconductor memory temporarily stops automatic writing or automatic erasure by using a microcomputer interrupt request signal as an input from the outside equipment which controls the automatic writing and automatic erasure processing of the flash memory, and automatically performs an operation that receives interrupt processing.例文帳に追加

フラッシュメモリの自動書き込み、自動消去処理を制御する外部からの入力としてマイコンの割り込み要求信号を用いることにより、自動書き込みや自動消去中に割り込みが発生すると自動書き込み、自動消去を一時中断し、割り込み処理を受け付けるといった作業を自動で行うことができる不揮発性半導体メモリ内蔵のマイクロコンピュータを提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory device capable of improving the operation performance of a memory cell in which a nitride film is first deposited on a semiconductor substrate or a polysilicon film and then an oxide film is formed under the nitride film by an oxidization process using an anneal process, so that a tunnel oxide film or an ONO1 oxide film having a thin thickness and a good film quality can be formed.例文帳に追加

半導体基板またはポリシリコン膜の上に窒化膜をまず蒸着した後、アニール工程を用いた酸化工程によって窒化膜の下方に酸化膜を形成することにより、さらに薄くて優れた膜質を有するトンネル酸化膜またはＯＮＯ１酸化膜を形成してメモリセルの動作性能を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

In a method for erasing information stored in a flash memory element, erasure is performed, in a state in which a ground potential is applied to a source and first voltage Vd is applied to a drain, by a hot hole injecting method in which bias voltage Vg is applied to a gate stepwise from high voltage to low voltage.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ素子における記憶情報の消去方法は、ソースに接地電位を印加しドレインに第１電圧(Vd)を印加した状態で、ゲートに高電圧から低電圧に段階的なバイアス電圧(Vg)を印加することによるホットホール注入方法によって消去を行なう。 - 特許庁

Subsequently, in response to an instruction at a location on a map displayed on a display device 60, the information processing device sets a route from the current position to the point of the instruction, and calculates the required time of the route, based on the required time stored in the RAM or the flash memory (S12-S16).例文帳に追加

その後、表示装置６０に表示されている地図上における地点の指示を受けると、現在位置から指示を受け付けた地点までの経路を設定し、その経路における所要時間をＲＡＭやフラッシュメモリに保存されている所要時間を用いて算出する（Ｓ１２〜Ｓ１６）。 - 特許庁

The sheet processing apparatus attachable to/detachable from an image forming apparatus is configured such that a flash memory provided to the sheet processing is divided into rewritable areas and rewrite disabled areas, and electric communication between the sheet processing apparatus and the image forming apparatus is executed in the rewrite disabled areas.例文帳に追加

本発明に係るシート処理装置の構成は、画像形成装置に着脱可能なシート処理装置において、シート処理装置に設けられたフラッシュメモリを書換え可能領域と書換え不可領域に分割し、画像形成装置との電気的通信を書換え不可領域で実行する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device capable of preventing a smiling phenomenon on an ONO layer and a bird's beak phenomenon on a tunnel oxide film, controlling increase of a surface resistance of a control gate, and increasing productivity by shortening the whole processing time.例文帳に追加

ＯＮＯ層のスマイリング現象及びトンネル酸化膜のバーズビーク現象を防止することができ、コントロールゲートの面抵抗の増加を抑制することができるうえ、全体時間時間を短縮して生産性を向上させることができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a write access to data required for booting the system is generated (S1, S2), a portion corresponding to the data to be accessed in an HDD is updated (S3) and data with the updated result reflected therein are copied to a flash memory (high-speed storage medium) (S5, S7).例文帳に追加

起動対象のシステムの起動時に必要なデータへの書き込みアクセスがあったときに（Ｓ１，Ｓ２）、ＨＤＤ上で当該アクセス対象のデータに該当する部分を更新するとともに（Ｓ３）、その更新結果を反映したデータをフラッシュメモリ（より高速の記憶媒体）にコピーする（Ｓ５，Ｓ７）。 - 特許庁

The control part 60 calculates the download amount of musical data, calculates the rate of the musical data to a total data amount concerning the download amount and displays a picture in a LCD 54 by picture data which is stored in the flash memory 64 in a state corresponding to the calculated rate.例文帳に追加

制御部６０は、音楽データのダウンロード量を算定し、このダウンロード量についての当該音楽データの総データ量に対する割合を算出し、算出した割合に応じた態様で、フラッシュメモリ６４に格納されている画像データによる画像をＬＣＤ５４に表示する。 - 特許庁

Based on a dictionary file constituted of a large number of words stored in a flash memory, words are extracted from a program title and program contents of broadcast program information that the EPG has, and in which broadcast program information each word is used for is extracted and index data are generated.例文帳に追加

フラッシュメモリに記憶された多数の単語から構成される辞書ファイルを元に、ＥＰＧが有する放送番組情報の番組タイトル及び番組内容から単語を抽出し、単語毎にどの放送番組情報で用いられているのかを抽出し、索引データを作成する。 - 特許庁

When receiving the logical address from a host system, micro processor 121 copies the corresponding LTPb 152-i located in the flash memory 15, stores it in the region 142 if no corresponding LTPb 152-i exists on RAM 14, and replaces the content of the region 142 with the corresponding LTPb 152-i.例文帳に追加

マイクロプロセッサ１２１はホストシステムから論理アドレスが与えられると、対応するＬＴＰｂ１５２-iがＲＡＭ１４上に存在しないなら、当該ＬＴＰｂ１５２-iをフラッシュメモリ１５から領域１４２にコピーして、この領域１４２の内容を当該ＬＴＰｂ１５２-iに置き換える。 - 特許庁

In the on-vehicle electronic control device 1, when the user instructs update of the data such as the point registration while an engine is stopped, immediately after that, the data stored in an SRAM6 at that time, namely updated data is copied and stored in a flash memory 7.例文帳に追加

車載電子制御装置１において、エンジンが停止状態にあるときにユーザが例えば地点登録などのデータを更新する指示を行うと、その直後に、その時点でＳＲＡＭ６に保存されているデータ、つまり、更新されたデータをフラッシュメモリ７にコピーして保存させる。 - 特許庁

To provide a high voltage transistor of a flash memory which can obtain an uniform and constant saturation current independent of the number of contact holes, in a source/drain junction of a DDD structure which is made up of a high concentration impurity region and a low concentration impurity region surrounding it.例文帳に追加

高濃度不純物領域とこれを取り囲む低濃度不純物領域とからなるＤＤＤ構造のソース／ドレイン接合部においてコンタクトホールの個数と関係なく均一且つ一定の飽和電流を得ることが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a non-volatile memory device capable of effectively embodying an NOR flash cell array composed using a 2-beat sidewall floating gate element having self-convergence characteristics, where a threshold voltage converges to a fixed value in erasing.例文帳に追加

本発明はイレイズの時しきい電圧が決まった値打ちに収斂する特性を枝は自体に収斂する２ビートサイドワル・フローティングゲート素子を使って構成したＮＯＲフラッシュセルアレイを効果的に具現することができる不揮発性メモリー素子の製造方法に関するのである。 - 特許庁

An image data memory area 8a in a compact flash (R) 8 stores in advance image data to be attached to fax-received image data corresponding to information to particularize attached data and a composite data registration table 8b stores in advance conditions for the composition.例文帳に追加

ファクシミリ受信した画像データに付加すべき画像データを、付加データを特定する情報に対応してコンパクトフラッシュ（登録商標）８内の画像データメモリ領域８ａに予め格納するとともに、合成するときの条件を合成データ登録テーブル８ｂに予め格納しておく。 - 特許庁

To allow the increase in inversion leakage or the like to be suppressed in an HV transistor while suppressing the occurrence of crystal defects in an LV transistor, in a NAND flash memory having an LV transistor region and an HV transistor region in a peripheral circuit part.例文帳に追加

本発明は、周辺回路部にＬＶ系トランジスタ領域とＨＶ系トランジスタ領域とを有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、ＬＶ系トランジスタでの結晶欠陥の発生を抑制しつつ、ＨＶ系トランジスタでの反転リークなどの増加を抑制できるようにする。 - 特許庁

A CPU 15 allows an image processing section 6 to generate a basic image from the photographed image, to select a removable recording medium 7 or an auxiliary recording section 14-22 of an image recording section 14-2 in a flash memory 14 and to record the basic image in the selected medium.例文帳に追加

ＣＰＵ１５は、画像処理部６に撮影画像から基本画像を作成させる一方で、着脱記録媒体７とフラッシュメモリ１４内の画像記録部１４−２における補助記録部１４−２２とのいずれか一方を選択し、選択されたものに基本画像を記録させる。 - 特許庁

To provide a stream data transfer control mechanism capable of efficiently transmitting/receiving stream data to/from a recording means in consumer or industrial digital equipment equipped with the recording means such as an HDD, a semiconductor flash memory, or the like, and capable of simplifying its equipment configuration.例文帳に追加

ＨＤＤや半導体フラッシュメモリ等の記録手段を備える民生及び産業用デジタル機器において、そのような記録手段に対してストリームデータを効率よく送受信し、機器構成の簡素化が可能なストリームデータ転送制御機構を提供することを目的とする - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device capable of supplying a voltage higher than a voltage supplied from the outside by a low power consumption to semiconductor circuits of a flash memory or the like, and also arranged so that the voltage supplied to the semiconductor circuit does not fluctuate even though the operating condition is changed over.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の半導体回路に対して、外部から供給される電圧よりも高電圧の電圧を低消費電力で供給でき、かつ、動作状態が切り替わっても半導体回路に供給される電圧が変動しないようにした半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

When first access instruction information is applied from a host system 4, first operation instruction information for accessing an area including a first access area based on the first access instruction information and an area following the first access area is applied to the flash memory module 2.例文帳に追加

ホストシステム４から第１のアクセス指示情報が与えられたときに、第１のアクセス指示情報に基づく第１のアクセス領域と、該第１のアクセス領域に後続する領域とを含む領域にアクセスするための第１の動作指示情報をフラッシュメモリモジュール２に与える。 - 特許庁

When a deletion command and an address are issued from a host system 300 and it is detected that the address designates a boot block, the boot block flash memory control circuit 303 outputs the address of the boot block and a deletion command for deleting a plurality of boot blocks.例文帳に追加

ブートブロックフラッシュメモリ制御回路３０３は、ホストシステム３００から消去コマンドおよびアドレスが発行されたときに、そのアドレスがブートブロックを指定していることを検出すると、複数のブートブロックの消去を行うためにブートブロックのアドレスおよび消去コマンドを出力する。 - 特許庁

The address of each image server 17 is stored in a flash memory 5 in an image forming device 1, the image forming device 1 is connected to the image server 17 by using the address every fixed time, downloads image data registered in the image server after the previous connection like this and stores the image data as an image database.例文帳に追加

画像形成装置１にフラッシュメモリ５には、各画像サーバ１７のアドレスが保管されており、一定の時間毎に、このアドレスを用いて画像サーバ１７に接続し、前回のかかる接続以降に画像サーバ１７に登録された画像データをダウンロードし、画像データベースとして保管する。 - 特許庁

When a power source of the camera 1 is turned on, the control part 8 decides whether to perform the image blur correction by using the control parameter already recorded in the flash memory or newly calculating the control parameter, and performs the image blur correction by using the control parameter based on a result of decision.例文帳に追加

そして、制御部８は、カメラ１の電源オン時に、既にフラッシュッメモリに記録されている制御パラメータを使用して像振れの補正を行うか、新たに制御パラメータを算出して像振れの補正を行うかを判定し、判定結果に基づく制御パラメータを使用して像振れの補正を行う。 - 特許庁

A control unit 10 of the DSC 1 obtains a current position from a GPS module 26 at imaging time, reads out the INDEX 30 corresponding to the current position from the flash memory 11, and automatically performs the camera setting by the setting values described in the INDEX 30.例文帳に追加

そして撮影時に、ＤＳＣ１の制御部１０が、ＧＰＳモジュール２６から現在位置を得、この現在位置に対応するＩＮＤＥＸ３０をフラッシュメモリ１１から読み出し、そのＩＮＤＥＸ３０に記された設定値で自動的にカメラ設定を行うようにした。 - 特許庁

This NAND flash memory device includes a cell array connected to a plurality of bitlines, a page buffer for storing data to be programmed in the cell array, and a bitline setup circuit for successively setting up the plurality of bitlines with a specified unit in accordance with the data stored in the page buffer.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は複数個のビットラインに連結されるセルアレイと、前記セルアレイにプログラムされるデータを貯蔵するページバッファと、前記ページバッファに貯蔵されたデータに応じて複数個のビットラインを一定の単位で順にセットアップするビットラインセットアップ回路とを含む。 - 特許庁

A desired embroidery pattern is selected from among plural kinds of the embroidery patterns (S3), and when the pattern data of the embroidery pattern are read (S8), the subtractive color display data are prepared by executing the subtractive color processing (S17) and the subtractive color display data are stored in a flash memory (S18).例文帳に追加

複数種類の刺繍模様から所望の刺繍模様を選択され（Ｓ３）、その刺繍模様の模様データが読込まれると（Ｓ８）、その刺繍模様のカラー表示データに減色処理を施して減色表示データが作成され（Ｓ１７）、その減色表示データがフラッシュメモリ２５に記憶される（Ｓ１８）。 - 特許庁

A main CPU 27 instructs the image processing CPU 252 to execute processing of detecting and deleting defective data, where all of the start mark, image data and the end mark are not in existence, among video recording data stored in the flash memory before stopping supply of power to the video recording block.例文帳に追加

メインＣＰＵ２７は、録画ブロックへの電源供給を停止する前に、画像処理ＣＰＵ２５２に対して、フラッシュメモリに保存された録画データの中からスタートマーク、画像データ及びエンドマークのそろっていない不良データを検出して消去する処理の実行を指示する。 - 特許庁

A method of programming a NAND flash memory includes the steps of applying a program voltage to a selected word line; applying a pass voltage to an non-selected word line; and recovering the selected word line and the non-selected word line to a ground voltage, after lowering the selected word line to the pass voltage.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリのプログラム方法は、選択ワードラインにプログラム電圧を印加し、非選択ワードラインにパス電圧を印加するステップと、選択ワードラインをパス電圧に低下させた後、選択ワードライン及び非選択ワードラインを接地電圧に復旧するステップと、を含む。 - 特許庁

In the case of initializing an one-chip microcomputer, specific data are previously stored in a specific address of a RAM 6, and after checking that the contents of the specific address of the RAM 6 having a volatile characteristic coincide with contents obtained at the time of initialization, operation for rewriting the data of a flash memory 1 is started.例文帳に追加

１チップマイクロコンピュータを初期化する際にＲＡＭ６の特定番地に特定データを予め格納し、揮発特性を有するＲＡＭ６の特定番地の内容が初期化時点の内容と同一であることを確認してから、フラッシュメモリ１のデータ書き換え動作に移行する構成とした。 - 特許庁

To prevent breakdowns of an insulating film between stacked gates and a gate insulating film of a transistor in an NAND cell, even if an etching residue of a polysilicon film for forming a floating gate is generated in the column direction along a projection side face of an STI region at an end in the row direction of a cell array of an NAND type flash memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリのセルアレイの行方向端におけるSTI 領域の突出側面に沿って列方向に浮遊ゲート形成用ポリシリコン膜のエッチング残りが発生しても、NANDセル内のトランジスタの積層ゲート間絶縁膜およびゲート絶縁膜の破壊を防止する。 - 特許庁

A flash memory 14 stores correcting data tables relating not only a strobing reflector light distribution characteristic, but also a photographing-lens vignetting characteristic, a camera-to-subject distance light distribution characteristic, a focal length light distribution characteristic, respective light distribution characteristics of respective twin strobes, and a positional characteristic of the optical axis of the photographing lens and an imaging device.例文帳に追加

フラッシュメモリ１４にはストロボ笠の配光特性のみでなく、撮影レンズ周辺光量落ち特性、被写体距離配光特性、焦点距離配光特性、ツインストロボの各配光特性、撮影レンズ光軸と撮像素子位置特性に係わる補正用データテーブルが格納されている。 - 特許庁

In the case that power supply from a dry cell 61 is temporarily stopped and the supply is restarted, the time information T stored in the flash memory 80 is supplied to the RTC 87 and the updating of the time information T is newly started with the supplied time information T as the reference.例文帳に追加

乾電池６１からの電力供給が一旦停止し、再び供給が開始された場合、フラッシュメモリ８０に記憶されている時刻情報Ｔが、RTC８７に供給され、その供給された時刻情報Ｔを基準として新たに時刻情報Ｔの更新が開始される。 - 特許庁

In reading the page data, the circuit 31 extracts the defective-number information added to the page data read from the flash memory 3 from the page data, refers to the defective-number information, and extracts dummy data inserted in the page data by the number indicated by the defective-number information.例文帳に追加

ページデータの読出の際には、フラッシュメモリ３から読み出されるページデータに付加されている欠陥数情報を当該ページデータから抜き取ると共に、この欠陥数情報を参照し、当該欠陥数情報に示される数だけ当該ページデータの中に挿入されているダミーデータを抜き取る。 - 特許庁