Flash Memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4423件
In a digital camera where a CCD sensor 14 image-picks up an object, converts it into digital image data and records the digital image data in a memory card 10, plural pieces of shutter sound data are stored in a flash ROM 2 and a CPU 1 selectively uses them.例文帳に追加
CCDセンサ14により被写体を撮像してデジタル画像データに変換し、このデジタル画像データをメモリカード10に記録するデジタルカメラにおいて、フラッシュROM2に複数のシャッタ音データを格納し、それらをCPU1が選択的に使用する。 - 特許庁
Unique identification information in a manufacturing process is added to ASIC required to realize a function required as the card reader and a program and management information associated with the identification information of the ASIC are stored in the flash memory of the microcomputer.例文帳に追加
カードリーダとして要求される機能を実現するために必要なASICに、製造過程において固有の識別情報を付加し、マイコンのフラッシュメモリにプログラムと前記ASICの識別情報に関連付けられた管理情報を格納する。 - 特許庁
To provide a highly reliable flash memory and a fabricating method thereof by substantially eliminating the level difference of the upper end face between circuit elements, without lowering the reliability of a gate insulation film and forming a metallization readily and surely.例文帳に追加
ゲート絶縁膜の信頼性を低下させることなく、回路素子の上端面間の高低差を実質的に無くし、金属配線を容易かつ確実に形成することにより、高い信頼性を有するフラッシュメモリおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of flash memory element, capable of sufficiently decreasing the critical dimension of the active region, increasing the surface area of the floating gate, realizing uniform and flat floating gate, and suppressing the production of moats.例文帳に追加
活性領域の臨界寸法を十分減らすこと、フローティングゲートの表面積を増加させること、均一で平坦なフローティングゲートを実現すること、及びモウト発生を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
An inside of the flash memory 1 is divided into sectors which are units of writing and erasing of file data, files written in the sectors are assigned with numbers, tables 5 and 6 that manage the files are provided, and the files are written to other sectors as new data when the written files are rewritten.例文帳に追加
フラッシュメモリ1内部を、ファイルデータの書き込み消去単位であるセクタに分け、各セクタに書き込んだファイルに番号を付し、これを管理するテーブル5、6を備え、すでに書いたファイルの書換え時にも新たなデータとして別のセクタに書き込む。 - 特許庁
When the digital camera is in a standby state, the image data in the RAM of the digital camera are compared with the image data in the flash memory of the SD card, and when they are dissident, the digital camera again transmits the image data to the SD card to make the SD card to record the image data (S114).例文帳に追加
デジタルカメラが待機状態のとき、デジタルカメラのRAMの画像データと、SDカードのフラッシュメモリの画像データを比較し、不一致の場合、再度、デジタルカメラからSDカードへ画像データを伝送し、SDカードへ記録させる(S114)。 - 特許庁
Whether or not writing/reading logical addresses are matched with the addresses stored in the logical address storage parts is determined in reading/writing data, and when those addresses are matched, data are read from the buffer corresponding to the logical address storage part, and the data are written through the buffer in a flash memory.例文帳に追加
データを読み書きする際に論理アドレス格納部の論理アドレスと一致するかどうかを判別し、一致する場合には論理アドレス格納部に対応する場合からデータを読み、又はそのバッファを介してフラッシュメモリにデータを書込む。 - 特許庁
A flash memory 300 is a data readable/writable nonvolatile storage area and it stores a frame image 310 as image data read by an image sensor 70, a first exposure set value 320, a second exposure set value 330, and an optimal exposure value 350.例文帳に追加
フラッシュメモリ300は、データの読み書きが可能な不揮発性の記憶領域であり、イメージセンサ70に読み取られた画像データであるフレーム画像310、第1露光設定値320、第2露光設定値330及び最適露光値350を記憶する。 - 特許庁
The NAND flash memory device includes a main block for storing main data, a security block for storing security data, and a redundancy block for replacing a failed block when a failure occurs in the main block or the security block.例文帳に追加
本発明によるNANDフラッシュメモリ装置は、メインデータを貯蔵するメインブロックと、保安データを貯蔵する保安ブロックと、前記メインブロックまたは保安ブロックにフェイルが発生した時にフェイルになったブロックを取り替えるためのリダンダンシーブロックとを含む。 - 特許庁
The inside of the flash memory 1 is divided into sectors which are writing and elimination units of file data, the files written in each sector are numbered, tables 5, 6 are provided for managing the files and writes the files in other sector as a new piece of data even in rewriting the already written file.例文帳に追加
フラッシュメモリ1内部を、ファイルデータの書き込み消去単位であるセクタに分け、各セクタに書き込んだファイルに番号を付し、これを管理するテーブル5、6を備え、すでに書いたファイルの書換え時にも新たなデータとして別のセクタに書き込む。 - 特許庁
The change in the scale factor is received with the graph displayed on the LCD (S104), and the image data are compressed by using the quantization characteristic value decided by the changed scale factor to generate encoded image data, and the encoded image data are stored in a flash memory (S105).例文帳に追加
グラフをLCDに表示した状態でスケールファクタの変更を受け付け(S104)、変更されたスケールファクタによって決まる量子化特性値を用いて画像データを圧縮して符号化画像データを生成しフラッシュメモリに格納する(S105)。 - 特許庁
Then, the post-view is finished after a predetermined time (e.g. few seconds) without recording the picked-up image in the flash memory 58 (pseudo imaging: step S18), and the display of the liquid crystal monitor 28 is switched to a through image display and the processing returns to the step S12.例文帳に追加
そして、撮像された画像をフラッシュメモリ58に記録せずに、所定時間(例えば、数秒)経過後にポストビューを終了させ(擬似撮像:ステップS18)、液晶モニタ28の表示をスルー画表示に切り替えてステップS12の処理に戻る。 - 特許庁
Furthermore, the information recording and reproducing device is provided with a flash memory drive section that serves as a cache or the like and has a considerably high speed of a transfer rate, and covers non-access time such as starting, loading, time when an optical disk is replaced with other one so as to realize recording and reproducing without any interruption.例文帳に追加
また、キャッシュ等の役割を果たす、転送レートが非常に高速なフラッシュメモリドライブ部を備え、光ディスク入れ替えに伴う起動(ロード)時間などのアクセス不能時間をカバーして、記録再生を途切らせることなく実現する。 - 特許庁
To provide an erasing method of a NAND flash memory device capable of preventing the leakage current of a high voltage transistor by applying a negative voltage to the well of the high voltage transistor used as an X decoder, and correcting an eraser disturbance failure.例文帳に追加
Xデコーダとして用いられる高電圧トランジスタのウェルに負の電圧を印加して高電圧トランジスタの漏れ電流を防止し、イレイザディスターバンスフェールを改善することが可能なNANDフラッシュメモリ素子の消去方法を提供する。 - 特許庁
Even when a lens is changed, noise data synchronizing with the lens, the noise data having been stored in a flash memory 142 in advance, is used for calculation to reduce the driving sound generated from the lens, during voice recording of collected sound data obtained by a microphone 180.例文帳に追加
レンズ交換された場合でも、そのレンズにあわせたノイズデータをフラッシュメモリ142に格納しておき、マイクロホン180による集音データの音声記録時に、そのレンズから発せられる駆動音を前記ノイズデータにて低減するように演算を行う。 - 特許庁
When a radar detecting part 3 detects radio waves transmitted from a prescribed speed regulating device, a processing control part 5 generates regulatory records for normalizing a new regulatory block, and updates regulatory information stored in a flash memory 7 based on the regulatory records.例文帳に追加
レーダ探知部3が所定の速度取締装置から発せられた電波を検出すると、処理制御部5は、新たな取締区域を規定する取締レコードを生成し、この取締レコードによりフラッシュメモリ7に記憶された取締情報を更新する。 - 特許庁
To provide a method for performing plasma etching on tungsten silicide on polysilicon, the method being useful particularly for manufacturing flash memory requiring the long over etching time of micro loading and having both of a dense area and an isolation (iso) area.例文帳に追加
マイクロローディングによる長時間のオーバーエッチングを要する、緊密に密集した領域と隙間のある(iso)領域との両方を有するフラッシュメモリを製造するのに特に有用な、ポリシリコン上の珪化タングステンをプラズマエッチングする方法を提供する。 - 特許庁
A writing signal WS is outputted to a flash memory 3 when the signal WM is generated by the hardware setting circuit 5 and the signal SS is generated by the sequence recognizing means 12 by a writing signal generating circuit 6A.例文帳に追加
書き込み信号発生回路6Aは、ハードウェア設定回路5により信号WMが発生されかつシーケンス認識手段12により信号SSが発生されているときに、書き込み信号WSをフラッシュメモリ3に対して出力する。 - 特許庁
When a residual storage capacity becomes lower than a prescribed threshold while recording contents in a flash memory 25, a CPU 11 of a camcorder 100 divides the recorded contents into prescribed transfer units (blocks) and successively transfers the respective blocks to a PVR 200.例文帳に追加
カムコーダ100のCPU11は、フラッシュメモリ25へのコンテンツの記録中に、残り記憶容量が所定の閾値を下回った場合、記録されたコンテンツを所定の転送単位(ブロック)に分割し、各ブロックを順次PVR200へ転送する。 - 特許庁
To provide a mobile terminal which can subdivide and refresh a program area of a DRAM, reduce current consumption in a standby state by performing data loading from a flash memory to a DRAM if needed, and extend an available standby period.例文帳に追加
DRAMのプログラム領域を細分化してリフレッシュし、必要に応じてフラッシュメモリからDRAMへのデータロードを行うことにより、待ち受け状態での消費電流を低減し、待ち受け可能時間を延ばすことができる携帯端末を提供する。 - 特許庁
In the case of initializing an one-chip microcomputer, the state of an RS type flip flop(FF) 21 is judged, and only when the FF 21 is reset, the step-up operation of a booster circuit 17 and the data rewriting operation of a flash memory 1 are started.例文帳に追加
1チップマイクロコンピュータを初期化する際にRS型フリップフロップ21の状態を判別し、RS型フリップフロップ21がリセットされている場合のみ、昇圧回路17の昇圧動作と、フラッシュメモリ1のデータ書き換え動作に移行する構成とした。 - 特許庁
The lens information peculiar to the optical system is stored in advance in a predetermined area different from the control area in a flash memory which stores the file control program and has an area controlled by this file control program.例文帳に追加
光学系に固有のレンズ情報を、ファイル管理用プログラムが記憶されるとともに、そのファイル管理用プログラムにより管理される管理領域を有するフラッシュメモリにおける、管理領域とは異なる所定領域に予め記憶させておく。 - 特許庁
To provide a gate forming method of a flash memory element for preventing excessive oxidation and restricting ONO (Oxide-Nitride-Oxide) smiling, by carrying out nitrogen thermal process and RTO process, and reducing sheet resistance of a tungsten silicide film after a gate is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板上にゲートを形成した後、窒素熱処理とRTO工程を行ってタングステンシリサイド膜のシート抵抗を減少させ、過度な酸化を防止するうえ、ONO(Oxide-Nitride-Oxide)スマイリングを抑えるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁
Plural-byte data are correctively received to the latch circuit, and the configuration data are output from the latch circuit to the FPGA by byte, thereby allowing the use of a low-cost memory having a long access time such as the flash ROM.例文帳に追加
また、複数バイトのデータを一括してラッチ回路に取り込み、このラッチ回路からバイト単位でFPGAにコンフィギュレーションデータを出力するようにしたので、フラッシュROMのようなアクセス時間が長くかつ安価なメモリを使用することができる。 - 特許庁
When a shutter button is depressed by a photographer, during photography under an irradiation angle variable consecutive photographing mode, first, photographing is performed, while setting the irradiation angle of a flash light emitting device to a tele-side and a resultant image (image signal) is stored in an internal memory (ST2, ST5, ST6).例文帳に追加
照射角度可変連続撮影モードでの撮影であるとき、シャッター釦が撮影者により押された場合、まず、閃光発光装置の照射角度をテレ側にして撮影し、得られた画像(画像信号)を内部メモリに記憶する(ST2,ST5,ST6)。 - 特許庁
To provide a circuit for clamping a word-line voltage which can generate a pumping voltage of a potential being stable even for variation of power source voltage in a process in which power source voltage is pumped for not only a flash memory cell but an element driven by a high voltage.例文帳に追加
フラッシュメモリセルだけでなく、高電圧によって駆動される素子のために電源電圧をポンピングする過程において電源電圧の変化にも安定した電位のポンピング電圧を発生させ得るワードライン電圧クランピング回路を提供すること。 - 特許庁
An inside of the flash memory 1 is divided into sectors which are units of writing and erasing file data, files written in the sectors are assigned with numbers, tables 5 and 6 that manage the files are provided, and the files are written to other sectors as new data when the written files are rewritten.例文帳に追加
フラッシュメモリ1内部を、ファイルデータの書き込み消去単位であるセクタに分け、各セクタに書き込んだファイルに番号を付し、これを管理するテーブル5、6を備え、すでに書いたファイルの書換え時にも新たなデータとして別のセクタに書き込む。 - 特許庁
In this case, a physical address corresponding to a logical address among plural physical addresses in a flash memory 3 is registered in a buffer 5 for a logical/physical conversion table, and the other physical addresses are registered in a buffer 6 for dead physical address table.例文帳に追加
論理物理変換テーブル用バッファ5は、フラッシュメモリ3の複数の物理アドレスのうち、論理アドレスに対応する物理アドレスを論理物理変換テーブル用バッファ5に登録しておき、それ以外を、空き物理アドレステーブル用バッファ6に登録しておく。 - 特許庁
Writing and erasing errors to a data written block and data erased block, respectively, are detected in a symbol unit in order of the physical block number by using firmware and the errors are totaled to calculate an SER (Symbol Error Rate) of the flash memory.例文帳に追加
ファームウエアによって、物理ブロック番号順に、データ書込済のブロックに対してはその書込みエラーを、データ消去済ブロックに対してはその消去エラーを、それぞれシンボル単位で検出し、それらを総計して当該フラッシュメモリのSER(Symbol Error Rate)を算出する。 - 特許庁
When power supply is resumed after it is cut off (T1 or T2), the reproduction control information stored in the flash memory and the predetermined state information are read, and the optical disk in the middle of recording is restored to a recordable state.例文帳に追加
そして電源供給の遮断(T1またはT2)後に該供給が再開されたとき、フラッシュメモリに格納された再生制御情報および所定の状態情報を読み出し、記録途中の光学式ディスクを記録可能な状態に復帰させる。 - 特許庁
To prevent a restart of stationary processing corresponding to turning-on of an electric power source switch from being delayed excessively, while writing a backup data in to the utmost, in an electronic controller of writing the backup data into a flash memory during self-shut processing.例文帳に追加
セルフシャット処理中にバックアップデータをフラッシュメモリに書き込む電子制御装置において、バックアップデータの書き込みを極力行わせつつ、電源スイッチのオンに対応する定常処理の再開が過剰に遅延されてしまうことを防止する。 - 特許庁
An image apparatus includes a controller 22 for inhibiting recording with respect to the image to be the object in a flash memory 29, according to a detected result by detecting the difference in the image immediately prior to and the image immediately after, which are adjacent with respect to the image to be the object.例文帳に追加
対象となる画像に対して時間的に隣接した直前の画像及び直後の画像とのそれぞれ差異を検出し、その検出結果により対象となる画像のフラッシュメモリ29への記録を禁止する制御部22を備える。 - 特許庁
To provide an optical disk reproducing device in which device keys being different respectively for each device can be written when the device key is written or rewritten in a flash memory, and the device key is not leaked to a third person except a user.例文帳に追加
デバイスキーのフラッシュメモリへの書き込み、または書き換えを行うとき、装置毎にそれぞれ異なったデバイスキーを書き込めるようにし、またデバイスキーがユーザ以外の第三者に漏れないようにすることができる光ディスク再生装置を提供する。 - 特許庁
If the information about a substitute program related to the information of the selected designated program is included in the plurality of items of program information stored in the flash memory 12, the controller 14 outputs screen information representing the information about the substitute program to the display 2.例文帳に追加
コントローラ14は、選択された指定番組情報に関連する代替番組情報が、フラッシュメモリ12に記憶された複数の番組情報に含まれる場合、この代替番組情報を示す画面情報を表示装置2に出力する。 - 特許庁
To provide a microcomputer circuit which can prevent a program from being in an infeasible state even with troubles in the initial processing by solving problem that, if any troubles occur in the initial processing to transfer an application program to a RAM from a flash memory in the initial processing of the program, all subsequent programs are not executed and the operation is stopped.例文帳に追加
従来技術では、プログラムのイニシャル処理において、アプリケーションプログラムをフラッシュメモリからRAMへ転送するイニシャル処理に障害が発生すると、以降の全てのプログラムは実行されず、動作がストップしてしまう。 - 特許庁
The image reproduction apparatus includes: a flash memory 48 for recording an image while adding time information at the image recording time thereto; and a control section 42 for sorting images recorded in the memory 48 for each date based on the added time information and displaying a listing of the images on a display section 18 as a calendar image while limiting the number of images sorted for each date to one image.例文帳に追加
画像にその記録時の時間情報を付加して記録するフラッシュメモリ48と、このメモリ48に記録された画像を付加されている時間情報に基づいて日付毎に分類分けし、分類分けした日付毎の画像を1日1枚に制限して表示部18でカレンダ画像として一覧表示する制御部42とを備える。 - 特許庁
The NOR flash memory device has a plurality of active regions 110 extending straight in parallel with a predetermined direction on a substrate; and a plurality of memory cells formed on the active regions, each of which is determined by a contact between a wordline chosen from a plurality of wordlines 130 and a bit line chosen from a plurality of bit lines 330.例文帳に追加
基板上で所定方向に沿って直線状に平行に延びている複数の活性領域と、活性領域上に形成され、複数のワードラインのうち選択される1本のワードラインと複数本のビットラインのうち選択される1本のビットラインとの接点によって各々決定される複数のメモリセルを備えるNOR型フラッシュメモリ素子である。 - 特許庁
When writing data, the storage controller SC generates an protection code 604 which can specify an address of a writing destination page, splits data on the cache memory CM managed in first data length so that the written data and the protection code 604 are combined to become the second data length, and writes it in the flash memory chip MEM in a second data length unit.例文帳に追加
ストレージコントローラSCは、データ書き込み時に、書き込み先ページのアドレスを特定可能な保護コード604を生成し、書き込みデータと保護コード604とを合わせて第二のデータ長となるように第一のデータ長単位で管理されているキャッシュメモリCM上のデータを分割し、第二のデータ長単位でフラッシュメモリ・チップMEMに書き込む。 - 特許庁
An information processor 10 includes: a flash memory 25 for storing a program code and a first error correction code for correcting the reading error of the program code; an RAM 26 for storing the program code and the first correction code read from the memory 25; and a CPU 21 for executing a program code stored in the RAM 26.例文帳に追加
情報処理装置10は、プログラムコードとこのプログラムコードの読み出し誤りを訂正するための第1の誤り訂正符号とを記憶するフラッシュメモリ25と、このメモリ25から読み出されたプログラムコード及び第1の誤り訂正符号を記憶するRAM26と、このRAM26に記憶されたプログラムコードを実行するCPU21とを備えている。 - 特許庁
A NOR type flash memory 1 is provided with bit lines BL to which a plurality of nonvolatile memory cells MC1 to MC4 in which data can be re-written electrically are connected, a voltage detection type sense amplifier VSA provided corresponding to the bit lines BL, and a selection transistor SQ provided between connection paths of the bit lines BL and the voltage detection type sense amplifier VSA.例文帳に追加
NOR型フラッシュメモリ1は、電気的にデータの書き換えが可能な複数の不揮発性のメモリセルMC1ないしMC4が接続されたビット線BLと、ビット線BLに対応して備えられる電圧検出型センスアンプVSAと、ビット線BLと電圧検出型センスアンプVSAとの接続経路間に備えられる選択トランジスタSQとを備える。 - 特許庁
This storage device constituted of a main recording medium (hard disk drive or the like), and the nonvolatile memory (flash memory or the like) used as the cache of the main recording medium, is provided with a block control part for dividing a cache area into a fixed area and a nonfixed area depending on fixation of the data and for changing dynamically blocks allocated to the respective areas.例文帳に追加
主記録媒体(ハードディスクドライブ等)、及び主記録媒体のキャッシュとして使われる不揮発性メモリ(フラッシュメモリなど)より構成される保存装置において、キャッシュ領域をデータの固定如何によって固定領域及び非固定領域に分け、これら各領域に割当てるブロックを動的に変更する、ブロック管理部を備える。 - 特許庁
In this memory system using a nonvolatile semiconductor storage device such as a flash memory having a plurality of banks (BANK0 to BANK3), one block is selected from the head of each bank so as to be grouped while any block including defective bits is avoided, and addresses are successively assigned to each group of blocks from the head so that an inter-bank block chain can be configured.例文帳に追加
複数のバンク(BANK0〜BANK3)を有するフラッシュメモリのような不揮発性半導体記憶装置を用いたメモリシステムにおいて、各バンクの先頭から不良ビットを含むブロックを回避しつつ1ブロックずつ選択してグループ化させて、各ブロックのグループに先頭から順次アドレスを割り当ててバンク間ブロックチェーンを構成するようにした。 - 特許庁
An image reproduction apparatus comprises: a flash memory 48 for recording an image while adding time information at recording time of the images to the images; and a control section 42 for sorting the images recorded in the memory 48 for each date based on the added time information and displaying a listing of the images on a display section 18 as a calendar image while limiting images sorted for each date to one image per day.例文帳に追加
画像にその記録時の時間情報を付加して記録するフラッシュメモリ48と、このメモリ48に記録された画像を付加されている時間情報に基づいて日付毎に分類分けし、分類分けした日付毎の画像を1日1枚に制限して表示部18でカレンダ画像として一覧表示する制御部42とを備える。 - 特許庁
The apparatus equipped with a flash memory (FROM) 2 for booting writes a program in a low speed memory device such as an HDD or an SD card, saves a history read from the HDD or the SD card for subsequent start time, and at starting on and after the next time, high-speed start is performed by reading the program directly from the saved history without going through a file system.例文帳に追加
ブート用のフラッシュメモリ(FROM)2を備え、プログラムをHDD又はSDカード等の低速なメモリデバイスに書き込み、その後の起動時にHDD又はSDカードからの読み込み履歴を保存し、次回以降の起動時には、ファイルシステムを経由せず、保存された履歴から直接プログラムを読み込むことで高速起動を行う。 - 特許庁
A SD-PHS memory combo card 1 as the device for enhancing the functions of the wireless modem comprising a SDIO controller 10, a flash memory 20, a PHS controller 30, a PHS antenna module 40, is a multi-function card with a storage function for storing data in a host equipment, and a wireless modem function for transmitting/receiving data by connecting to a public telephone line.例文帳に追加
無線モデム機能拡張装置であるSD−PHSメモリーコンボカード1は、SDIOコントローラー10、フラッシュメモリー20、PHSコントローラー30、PHSアンテナモジュール40を有しており、ホスト機器にデータを記憶するストレージ機能と、公衆電話回線に接続することによりデータの送受信を行う無線モデム機能とを有するマルチファンクションカードとする。 - 特許庁
In an NAND type flash memory 1, respective control electrodes of a first selection transistor 22 of a plurality of memory cell units 20 adjoining in the extending direction of a data line 50 are united to form a first selection signal line 71, and respective control electrodes of a second selection transistor 23 are united to form a second selection signal line 72.例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリ1において、データ線50の延在方向に隣接する複数個のメモリセルユニット20の第1の選択トランジスタ22の各々の制御電極を一体化し第1の選択信号線71を構成し、第2の選択トランジスタ23の各々の制御電極を一体化し第2の選択信号線72を構成する。 - 特許庁
A flash memory (500) has three layer structure (512) consisting of quick thermal oxide, germanium (Ge) nanocrystal (510) in silicon dioxide (SiO_2), and sputtered SiO_2 cap (516) and measurements of capacity vs voltage (C-V) shows memory hysteresis due to a Ge nanocrystal (510) in the central layer of the three layer structure (512).例文帳に追加
フラッシュメモリ(500)は、急速熱酸化物と、二酸化シリコン(SiO_2)におけるゲルマニウム(Ge)ナノ結晶(510)と、スパッタリングされたSiO_2キャップ(516)とからなる3層構造(512)を有し、容量対電圧(C−V)測定値により3層構造(512)の中央層のGeナノ結晶(510)によるメモリヒステリシスを有することで示される。 - 特許庁
This method for manufacturing an NAND flash memory element includes a step for providing a semiconductor substrate where a drain select transistor DSL, a source select transistor SSL, and memory cell transistors connected in series between them are formed; and a step for forming an oxide film in the surface of the semiconductor substrate at both sides of the gate of the source select transistor.例文帳に追加
ドレイン選択トランジスタDSL、ソース選択トランジスタSSLおよびこれらの間に直列に連結されたメモリセルトランジスタが形成された半導体基板を提供する段階と、前記ソース選択トランジスタのゲート両側の半導体基板の表面内に酸化膜を形成する段階とを含む、NANDフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
When a USB flash memory 34 in which a network setting file is stored exists on a data path connected through a USB port 26, and a memory 34 is connected through a USB hub 30 where its own device is connected as a host to the data path, a print server 10 is connected through a radio LAN board 22 to the network based on the network setting file stored in the memory 34.例文帳に追加
プリントサーバ10は、USBポート26を介して接続されたデータ経路上にネットワーク設定ファイルが保存されたUSBフラッシュメモリ34が存在するとき、自分自身がホストとなるように接続されたUSBハブ30を介してそのメモリ34がデータ経路に接続されている場合にはそのメモリ34に保存されているネットワーク設定ファイルに基づいてプリントサーバ10が無線LANボード22を介してネットワークに接続されるように設定する。 - 特許庁
The CPU 110 includes a playlist generating section 111 which generates the playlist based on the music titles which identify music stored in the flash memory 144, and the instructions input from the main control unit 120, a playlist output control section 112 which performs processing for outputting data of the generated list to the outside, and a write control section 114 which writes the list data in a memory card 182 inserted in the memory card drive section 180.例文帳に追加
CPU110は、フラッシュメモリ144に格納されている楽曲を識別する楽曲名と、メイン操作部120から入力される指示とに基づいてプレイリストを生成するプレイリスト生成部111と、生成されたリストデータを外部に出力するための処理を行なうプレイリスト出力制御部112と、メモリカード駆動部180に装着されているメモリカード182にリストデータを書き込む書込制御部114とを含む。 - 特許庁
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