「Interface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

If the response shows OK, a transfer destination message including information such as line type and an IP address/port number of an interface unit of the transfer destination is transmitted from the requester side to the responder side.例文帳に追加

ＯＫ応答であれば、要求側から回線種別、および移動先のインタフェース部のＩＰアドレス／ポート番号などの情報を含む移動先通知メッセージが応答側に通知される。 - 特許庁

To provide a game for giving a virtual action to a mobile body object moving in a game space by utilizing the user interface of a portable terminal having a touch panel-type display unit.例文帳に追加

タッチパネル式の表示部を備える携帯端末のユーザーインターフェイスを活かして、ゲーム空間内を移動する移動体オブジェクトに仮想的に作用を与えることができるゲームを実現する。 - 特許庁

To provide a step index type optical waveguide capable of being produced readily, without roughening an interface between a core and a clad and a method of producing the same.例文帳に追加

コアとクラッドとの界面に荒れを生じさせることなく、かつ容易に作製しうるステップインデックス型光導波路およびその作製方法を提供することを主な目的とする。 - 特許庁

To provide a maneuverable user interface for switching a display from a quick review display to an image pickup standby state display in an image pickup device having an image display part of a touch panel type.例文帳に追加

タッチパネル式の画像表示部を有する撮像装置において、クイックレビュー表示から撮像待機状態に表示を切り替えるための、操作しやすいユーザインタフェースを提供する。 - 特許庁

To provide a digital-type protection/control device capable of immediately starting intercommunication with an external human interface device even when an IP address required for IP communication becomes unclear.例文帳に追加

ＩＰ通信に必要なＩＰアドレスが不明となった場合でも、外部ヒューマンインタフェース装置との間で相互通信を即時に開始することのできるディジタル形保護／制御装置を提供する - 特許庁

The control modules 7, 8, 9 are constituted so that they can be combined like a modular type and connected through an interface unit to an integrated bus controlling the control modules 7, 8, 9.例文帳に追加

制御モジュール７、８、９は、モジュラー式に組み合わせ可能に、且つ、制御モジュール７、８、９を制御する統合バスでインターフェイス・ユニットを介して接続可能となるよう構成される。 - 特許庁

By such a common interface system, DRAM devices, SRAM devices, NAND flash memory devices, and NOR type flash memory devices are controlled by only one memory controller independently (or individually).例文帳に追加

このような共通インターフェイス方式によると、DRAM装置、SRAM装置、NAND型フラッシュメモリ装置、そしてNOR型フラッシュメモリ装置は、ただ一つのメモリコントローラによって独立的に（又は個別的に）制御される。 - 特許庁

To determine whether peeling occurs to an interface between a sealing resin and a circuit board of a resin-sealed type semiconductor device even if the peeling is not large enough to break a signal terminal of a semiconductor chip.例文帳に追加

樹脂封止型半導体装置において、封止樹脂−回路基板間の界面の剥離が、半導体チップの信号端子を断線しない剥離であっても、剥離の有無を判定する。 - 特許庁

This winding-type electric double layer capacitor is formed on the interface between a polarization electrode and electrolyte, and has a winding core at the center section of a winding element.例文帳に追加

分極性電極と電解液との界面で形成される巻回型電気二重層キャパシタであって、巻回素子の中心部に巻芯を設けた巻回型電気二重層キャパシタとする。 - 特許庁

The personalization interface means sends the personalization data to the personalizing means specified by the characteristic data about the type of the personalizing means, to issue a data carrier.例文帳に追加

前記パーソナル化インターフェース手段は、更に、パーソナル化手段のタイプに関する前記特性データにより指定された前記パーソナル化手段に、前記パーソナル化データを送り、データ担体を発行する。 - 特許庁

At the photographic print store where a film scanning machine 1, a silver salt type color printer 3, a digital data input machine 4, etc., are arranged, an album making terminal machine 10 is connected through an interface section 21.例文帳に追加

フィルムスキャナ機１、銀塩方式のカラープリンタ３、デジタルデータ入力機４等が配置された写真プリント店において、インターフェース部２１を介してアルバム作成端末機１０を接続する。 - 特許庁

To provide a dynamic type semiconductor memory device being refresh-controlled, or not which has an interface having interchangeability with a static random access memory and can perform stably internal operation.例文帳に追加

スタティック・ランダム・アクセス・メモリと互換性を有するインターフェイスを有しかつ安定に内部動作を行なうことのできるリフレッシュ制御フリーのダイナミック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a print controller and a color control method and a program for enabling even a printing device having a monochrome-type interface to perform printout with a desired color image.例文帳に追加

モノクロ式のインターフェースを持つ印刷装置でも所望のカラーイメージで印刷出力をできるようにした印刷制御装置およびカラー制御方法およびプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a design support system enabling a user having no expert knowledge to easily perform design of a network system in consideration of a type of a connection interface of a port.例文帳に追加

専門知識を有しないユーザであってもポートの接続インターフェースの種類を意識したネットワークシステムの設計を容易に行うことができる設計支援システムを提供する。 - 特許庁

A GUI (graphical user interface) screen for encouraging setting of a method name as an identification name of a source file and a thread type classified by difference of action during execution is displayed on the display of a computer.例文帳に追加

ソースファイルの識別名となるメソッド名と、実行時の動作の違いによって区別されたスレッドタイプとの設定を促すＧＵＩ画面をコンピュータのディスプレイに表示させる。 - 特許庁

To make it possible to know whether or not an API (Application Program Interface) is usable for an application program in each type of a printer controller before executing the API, and to allow mounting according to a use situation of the API.例文帳に追加

アプリケーションプログラムでは、ＡＰＩを実行する前に、プリンタコントローラの機種ごとに利用可能かどうかを知ることができ、ＡＰＩの利用状況に応じた実装を可能とする。 - 特許庁

To provide a user interface controller capable of displaying a relation between both a communication party and a content in a list in order to select the communication party and the content in a content sharing type communication system.例文帳に追加

コンテンツ共有型コミュニケーションシステムにおける、通話相手とコンテンツの選択を行うために、両者の関係を一覧表示することのできるユーザインターフェース制御装置を提供する。 - 特許庁

To improve a man-machine interface in information communication by separating unneeded noise information from needed two-dimensional coordinates information in a touch panel type coordinate inputting/detecting device.例文帳に追加

タッチパネル方式の座標入力／検出装置において、必要な２次元座標情報から不要なノイズ情報を分離し、情報伝達におけるマンマシンインターフェースを向上させる。 - 特許庁

To prevent generation of plasma damage in a gate recess region and reduce interface level density, regarding a recess oxidation type field effect compound semiconductor device and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートリセス領域におけるプラズマダメージの発生を防止し、界面準位密度を低減する。 - 特許庁

To provide a method capable of removing selectively an amorphous oxide produced on the surface of an insulating oxide thin film without affecting on a barrier layer for interface reforming type bonding.例文帳に追加

界面改質型接合のバリア層に影響を与えることなく、絶縁性酸化物薄膜の表面に生成したアモルファス酸化物を選択的に除去できる方法を提供する。 - 特許庁

The source program automatic generation device 100 generates an event-driven type program by inputting events of an application having a graphical user interface and the correspondence to the events.例文帳に追加

本発明のソースプログラム自動生成装置１００は、グラフィカル・ユーザ・インターフェイスを有するアプリケーションにおけるイベントと前記イベントへの対応を入力としてイベントドリブン型のプログラムを作成する。 - 特許庁

To improve characteristics of an electrostatic voltage resistance etc., by inserting an intermediate layer between n-type nitride semiconductor layers and reducing threading dislocation generated on an interface between a sapphire substrate and GaN.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層間に中間層を挿入し、サファイア基板とＧａＮとの界面で発生する貫通転位を減少させ、耐静電圧の向上等の特性を改善すること。 - 特許庁

The vicinity of the interface of a first and a second nitride semiconductor layers is constituted such that it may possess p-type conductivity comprising the first p-type nitride semiconductor layer obtained with crystal growth on the substrate, and p-type nitride semiconductor layer 2 consisting of another crystal growth on the first nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に結晶成長で得られる第１のｐ型窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層上に別の結晶成長からなるｐ型窒化物半導体層２とを有しており、第１と第２の窒化物半導体層の界面近傍がｐ型の導電性を有するようにする。 - 特許庁

For a line number and a data format type selected during operation of the line interface apparatus, test data is communicated through a path for processing signals of the selected data format type and a non-selected line number and normality of the apparatus is tested for the selected line number and data format type during operation.例文帳に追加

回線インタフェース装置の運用中の選択された回線番号とデータフォーマット種類に対し、選択された運用中の回線番号とデータフォーマット種類に対し、選択データフォーマット種類と非選択回線番号の信号を処理する経路に試験データを疎通させ装置の正常性試験を行う。 - 特許庁

The communication control device for controlling an interface with a card type memory (5) initializes the card type memory (5) when reset processing of a first condition (e.g., power supply reset) is performed, and does not initialize the card type memory (5) when reset processing of a second condition (e.g., energy-saving reset) is performed.例文帳に追加

カード型メモリ（５）との間のインターフェイスを制御する通信制御装置であって、第１の条件のリセット処理（例えば、電源リセット）が行われた場合には、カード型メモリ（５）の初期化を行い、第２の条件のリセット処理（例えば、省エネリセット）が行われた場合には、カード型メモリ（５）の初期化を行わないことを特徴とする。 - 特許庁

To secure improved reliability by securing low resistance in a p-type semiconductor layer that becomes a channel, suppressing a collapse phenomenon, and stabilizing operation at high temperature, by controlling the amount of dopant impurities in the p-type semiconductor layer for composing a field effect transistor, and the interface level density between a p-type layer and a gate insulating film.例文帳に追加

電界効果トランジスタを構成するｐ型半導体層内のドーパント不純物量やｐ型層とゲート絶縁膜間の界面準位密度を制御することにより、チャネルとなるｐ型半導体層の低抵抗を確保しつつ、コラプス現象を抑制し、更に高温での動作を安定化し、良好な信頼性を確保する。 - 特許庁

This metal wiring 14 is provided at its end above the pn junction portion so as to coat the pn junction portion (an interface between the p^--type well layer 12c and the n^+-type semiconductor region 12d) exposed to the light incident surface of the semiconductor substrate 12 (p^--type well layer 12c), and exhibits a lattice shape.例文帳に追加

この金属配線１４は、その端部が半導体基板１２（Ｐ−型ウエル層１２ｃ）の光入射面に露出するｐｎ接合部分（Ｐ−型ウエル層１２ｃとＮ＋型半導体領域１２ｄとの界面）を覆うように当該ｐｎ接合部分の上方に設けられており、格子形状を呈している。 - 特許庁

The insulating gate type semiconductor device comprises an N- base layer 1, a P-type base layer 2, a trench 3 so formed as to penetrate the P-type base layer 2 before reaching a depth D from the interface against the N- base layer 1, and a gate electrode 4 embedded in the trench 3 via a gate insulating film.例文帳に追加

本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、Ｎ^-ベース層１と、Ｐ型ベース層２と、このＰ型ベース層２を貫通した後さらにＮ^-ベース層１との界面から深さＤに達するように形成されたトレンチ３と、このトレンチ３の内部に、ゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極４を具備する。 - 特許庁

When communicated with the IC card via the noncontact type interface (I/F) ('YES' in step B7), a control part of the card reader turns off a contact type electric power source part (step B8), and opens each switch in a circuit-breaking part (step B9) to break electric connection in an output part of the contact type I/F.例文帳に追加

カードリーダの制御部は、非接触式インターフェイス（Ｉ／Ｆ）を介してＩＣカードとの間で通信を行なう場合は（ステップＢ７，「ＹＥＳ」）、接点式電源部をＯＦＦさせると共に（ステップＢ８）回路遮断部における各スイッチを開離させて（ステップＢ９）接点式Ｉ／Ｆの入出力部における電気的接続を遮断する。 - 特許庁

In this way, a heavily-doped p-type semiconductor layer is formed near the regrowth interface, thus preventing P from coming off the semiconductor 18 which contains P or a dopant from reevaporating from a p-type GaAlAs second light guide layer 16 and p-type GaAlAs second cladding layer 17, located under the semiconductor layer 18 at regrowth.例文帳に追加

こうして、再成長界面付近に高ドープのｐ型半導体層が形成され、上記再成長時に、上記Ｐを含む半導体層１８からＰが抜けたり、半導体層１８の下にあるｐ型ＧaＡlＡs第２光ガイド層１６およびｐ型ＧaＡlＡs第２クラッド層１７からドーパントが再蒸発するのを防止する。 - 特許庁

The nitride semiconductor lamination structure part 4 includes sequentially laminated an n^--type GaN layer 5 and an n^+-type AlGaN layer 6 having a different lattice constant from that of the n^--type GaN layer 5 with its parallel face 7 and faces parallel to a +c axial side inclination face 8 and an -c axial side inclination face 9 as a lamination interface 15.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部４は、その平行面７、＋ｃ軸側傾斜面８および−ｃ軸側傾斜面９に平行な面を積層界面１５として順に積層されたｎ^−型ＧａＮ層５およびｎ^−型ＧａＮ層５と格子定数の異なるｎ^＋型ＡｌＧａＮ層６を備えている。 - 特許庁

Since a channel is formed in the n-type channel layer located beneath the p-type channel layer touching a gate oxide film 7 and a current can be fed thereto when a PN junction is formed in the surface channel layer 5, a channel can be formed regardless of the roughness or residual defect of the interface (MOS interface) between the gate oxide film 7 and the surface channel layer 5.例文帳に追加

このように、表面チャネル層５にＰＮ接合を形成することにより、ゲート酸化膜７と接するｐ型チャネル層の下部に位置するｎ型チャネル層にチャネルを形成して電流を流すことができるため、ゲート酸化膜７と表面チャネル層５との界面（ＭＯＳ界面）のラフネス又は残留欠陥とは関係なく、チャネルを形成することができる。 - 特許庁

In the field effect transistor of a top gate type or a bottom gate type which has a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer on the surface of a substrate, an interface between the gate insulating layer and the organic semiconductor layer exists at a gate electrode side from an interface at the gate insulating layer, the source electrode, and the drain electrode.例文帳に追加

基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有するトップゲート型あるいはボトムゲート型の電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。 - 特許庁

This combination card comprises an IC chip 1 having a contact type interface and a non-contact type interface; a wiring board 2 having the IC chip 1 mounted thereon, a winding coil 4 connected to the input and output terminal of the IC chip 1 through the wiring pattern formed on the wiring board 2, and a card base 6 having a rectangular plane form for supporting each loading part.例文帳に追加

接触式のインタフェース及び非接触式のインタフェースを有するＩＣチップ１と、当該ＩＣチップ１が実装された配線基板２と、当該配線基板２に形成された配線パターンを介してＩＣチップ１の入出力端子に接続された巻線コイル４と、これらの各搭載部品を担持する平面形状が長方形のカード基体５とをもってコンビカードを構成する。 - 特許庁

A digital cache transfer control part 100 transfers the value accumulated in the contact type IC card to a non-contact type IC chip 20 within its own machine through a card interface 10 according to the request from a user through a key input part 30.例文帳に追加

電子マネー転送制御部１００は、キー入力部３０を通じた利用者からの要求に応じ、カードインターフェイス１０を通じて、接触型ＩＣカードに蓄積されるバリューを、自機内の非接触型ＩＣチップ２０に転送するようにしたものである。 - 特許庁

In response to designation of a paper setting via the user interface of a printer driver 203, a print setting generation unit 204 determines whether the designated paper setting corresponds to a paper type relating to back side paper based on paper type setting information obtained from a printer 150.例文帳に追加

印刷設定作成部２０４は、プリンタドライバ２０３のユーザインタフェースにより用紙設定の指定がされると、該指定された用紙設定が裏紙に該当する用紙種類に対応するかプリンタ１５０から取得した用紙種類設定情報に基づいて判定する。 - 特許庁

The p-type clad layer of a GaN semiconductor laser is constituted of two or more semiconductor layers having different band gaps and, in addition, the part of the p-type clad layer near the active layer-side interface of the layer is constituted of a semiconductor layer having a larger band gap than the other part has.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体レーザのｐ型クラッド層を互いにバンドギャップの異なる２以上の半導体層により構成し、かつ、ｐ型クラッド層の活性層側の界面近傍の部分を他の部分に比べてバンドギャップの大きい半導体層により構成する。 - 特許庁

The current flowing between the active layer 6 including an pn junction interface and the n-type GaAs substrate 1 is suppressed by making the conductivity type of an underlying heterobarrier layer 5 same as that of a part abutting on the underlying heterobarrier layer 5 of the active layer 6.例文帳に追加

さらに、下ヘテロ障壁層５の導電型を活性層６の下ヘテロ障壁層５に接する部分の導電型と同一にしてｐｎ接合界面を含む活性層６とｎ型ＧａＡｓ基板１との間に流れる電流を抑えるようにした。 - 特許庁

A pn junction is formed in the gate electrode region generated by two dimensional electron gas generated in the interface between the undope AlGaN layer 604 and the undope GaN layer 603, and by the first p-type AlGaN layer 605 and the second p-type AlGaN layer 607.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層６０４とアンドープＧａＮ層６０３との界面で発生する２次元電子ガスと第１のｐ型ＡｌＧａＮ層６０５および第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成される。 - 特許庁

When a bias voltage is applied to the electrode layer 105 in the positive direction, a band on an interface between the p-type semiconductor layer 103 and the insulating layer 104 is distorted, so as to make the bottom of the band equal to or lower than Fermi energy on the p-type semiconductor layer 103 side and to form a population inversion layer.例文帳に追加

電極層１０５に正の方向にバイアス電圧を印加すると、ｐ型半導体層１０３と絶縁層１０４との界面のバンドが歪み、ｐ型半導体層１０３の側でバンドの底がフェルミエネルギー以下となり反転分布層が形成される。 - 特許庁

A pen type pointing device which is connected to a computer having a graphical user interface tactily reproduces how windows 31, 32, and 33 overlap on a display screen 30 as shown by (a) by vibrating a vibrating device mounted on the pen type pointing device.例文帳に追加

グラフィカルユーザインターフェイスを有するコンピュータに接続されるペン型ポインティング装置で、（ａ）に示すような表示画面３０上の複数のウインドウ３１，３２，３３の重なり具合を、ペン型ポインティング装置に搭載する振動装置を振動させて、触覚的に再現する。 - 特許庁

The web service's WSDL file restricts the type of information that you can send to the web service, and it restricts the type of information you receive in return.However, the WSDL file lays no restrictions on how you pass the information it needs, nor on what the user interface consists of.例文帳に追加

Web サービスの WSDL ファイルは、Web サービスに送信できる情報の種類を制限するとともに、逆に受け取る情報の種類も制限します。 ただし、WSDL ファイルは、必要となる情報を送信する方法や、ユーザーインタフェースを構成する内容には制限を設けません。 - NetBeans

By this the structure, an influence of a positive electric charge in the thermal oxide film 6 is weakened and an extension of a depletion layer into the N-type semiconductor layer 2 at the interface with the thermal oxide film 6 is secured.例文帳に追加

係る構成を採ることにより熱酸化膜６中の正電荷による影響を弱め熱酸化膜６との界面におけるＮ−型半導体層２への空乏層の拡がりを確保する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a group III nitride based compound semiconductor laser in which the ohmic characteristics of an electrode are improved by suppressing damage on the interface between a p-electrode and a p-type contact layer, and residue of mask material.例文帳に追加

ｐ電極とｐ型コンタクト層との界面のダメージ、マスク材料の残存を抑制して、電極のオーミック特性を改善したIII族窒化物系化合物半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

As to the assignment of an image to be printed, the number of prints, and a printing type including assignment of the size, the assignments are carried out by using various kinds of switches of the digital camera and a user interface at an LCD display unit.例文帳に追加

それ以外の、プリント対象の画像の指定、プリント枚数、サイズの指定等を含むプリントタイプなどは、デジタルカメラのもつ各種スイッチと、ＬＣＤ表示部のユーザインターフェースとにより行わせる。 - 特許庁