「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(128ページ目) - Weblio英語例文検索

The safety system 48 has a reactor core isolation cooling system (RCIC), a low-pressure core flooder system (LPFL) with a heat exchanger for a residual heat removal system (RHR) and an emergency diesel generator (DG) for driving a flooder pump for LPFL.例文帳に追加

安全系４８は原子炉隔離時冷却系（ＲＣＩＣ）、残留熱除去系（ＲＨＲ）の熱交換器を有する低圧炉心注水系（ＬＰＦＬ）及びＬＰＦＬの注水ポンプを駆動する非常用ディーゼル発電機（ＤＧ）を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including an NMOS transistor for ESD protection in the shallow trench isolation structure having sufficient ESD protecting function through suppression of an off-leak current to a small value without increase in the manufacturing steps and occupation area.例文帳に追加

工程の増加や占有面積の増加もなくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Namely, a capacitance component by a gate electrode is reduced by setting the gate width of a FET for a switch to ≤700 μm, and prescribed isolation is obtained between both signal paths.例文帳に追加

すなわち、化合物半導体スイッチ回路装置において、スイッチ用のＦＥＴのゲート幅を７００μｍ以下に設定して、ゲート電極による容量成分を減少させて両信号経路間に所定のアイソレーションを得ることに特徴を有する。 - 特許庁

A source region 8a and a drain region 8b of relatively high impurity concentration are formed in the semiconductor substrate 3 on an element isolation region 2 side of the silicide block film 9 and in the semiconductor substrate 3 on the LDD region 7a side, respectively.例文帳に追加

そして、そのシリサイドブロック膜９の素子分離領域２側の半導体基板３内、およびＬＤＤ領域７ａ側の半導体基板３内に、比較的高不純物濃度のソース領域８ａおよびドレイン領域８ｂをそれぞれ形成する。 - 特許庁

To provide a method capable of producing a tertranilic acid which neither needs a time-consuming process of distilling off acetic acid and an excessive quantity of acetic anhydride from the effluent mixture nor isolation of chemically unstable diacetyl tartrate anhydride produced.例文帳に追加

酢酸及び過剰の無水酢酸を反応混合物から留去するという煩雑な操作を必要とせず、生成した化学的に不安定なジアセチル酒石酸無水物を単離することなく、タートラニル酸類を製造しうる方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor amplifier in which the area of an entire semiconductor can be reduced by providing a common main power supply terminal or a grounding terminal, and each of amplifiers can be stably operated by improving isolation between the amplifiers.例文帳に追加

共通化した主電源端子または接地用端子を設けることにより、半導体全体の面積を小形化するとともに、各増幅器の間のアイソレーションを高めて各増幅器を安定に動作させることのできる半導体増幅器を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method or the like for a semiconductor device capable of making the time required for a plasma etching process forming a trench for an element isolation shorter than conventional devices, and capable of improving a productivity by enhancing a throughput.例文帳に追加

素子分離のためのトレンチを形成するプラズマエッチング工程に要する時間を従来に比べて短縮することができ、スループットの向上による生産性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a downsized high frequency module that can process a transmission signal and a reception signal and realize improvement in the isolation between a transmission system circuit for processing the transmission signal and a reception system circuit for processing the reception signal.例文帳に追加

送信信号および受信信号を処理できると共に、送信信号を処理する送信系回路と受信信号を処理する受信系回路との間のアイソレーションを向上させることができ、且つ小型化できる高周波モジュールを実現する。 - 特許庁

In a process before isolation of the gate electrodes 10n, 10p by patterning gate electrode material, thermal treatment of high temperature of at least 700°C is made not to perform, so that the interdiffusion of dopant in a process before gate electrode formation is prevented.例文帳に追加

また、ゲート電極材料をパターニングしてゲート電極１０ｎ、１０ｐを分離する以前の工程では、７００℃以上の高温の熱処理を行わないようにすることで、ゲート電極形成前の工程における不純物の相互拡散を防止する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 15 and a silicon nitride film 16 are laminated on a predetermined region of a semiconductor substrate 11 in which an element isolation insulating film 12 is selectively removed, and a lower electrode 17 is formed in a stripe shape on this silicon nitride film 16.例文帳に追加

素子分離絶縁膜１２を選択的に除去した半導体基板１１の所定領域上に層間絶縁膜１５及びシリコン窒化膜１６が積層され、このシリコン窒化膜１６上に下部電極１７がストライプ状に形成されている。 - 特許庁

The toner for developing the electrostatic latent images comprises toner base particles comprising at least a binder resin and a colorant and having an average circularity of 0.97 or less to which the external additive is externally added, and shows an isolation rate of the external additive of 0 to 1%.例文帳に追加

少なくとも結着樹脂、着色剤から成るトナー母粒子の平均円形度が０．９７以下のトナー母粒子に対して、外添剤を外添処理した静電潜像現像用トナーであって、外添剤の遊離率が０〜１％である。 - 特許庁

Reducing a coupling amount between the filters due to the parasitic capacitance formed between the input pad part 5 of the transmission side filter region 12 and the output pad part 8 of the reception filter region 13 can considerably improve the isolation characteristics.例文帳に追加

送信側フィルタ領域12の入力パッド部５および受信側フィルタ領域13の出力パッド部８間に形成されていた寄生容量による各フィルタ間の結合量を小さくすることにより、アイソレーション特性を大幅に改善することができる。 - 特許庁

To provide fertilizer suitably used for a crop cultivation situation where sulfur deficiency is recognized or the occurrence of the sulfur deficiency is anticipated, for example, isolation floor cultivation, continuous nontilled cultivation or greenhouse cultivation.例文帳に追加

本発明は、硫黄欠乏症状が認められるか又は硫黄欠乏症状の発生が予想される作物栽培場面、例えば隔離床栽培、連続不耕起栽培、ハウス栽培等に好適に使用できる肥料を提供することを課題とする。 - 特許庁

The image sensor is offered that is provided with trenches for STI, channel stop films each formed on a substrate inside the trench, a device isolation film that fills each trench, and a photodiode formed in the substrate adjacent to the sidewalls of the trenches.例文帳に追加

ＳＴＩのためのトレンチと、該トレンチ内の基板上に形成されたチャンネルストップ薄膜と、前記トレンチを埋め込む素子分離膜と、前記トレンチの側壁に隣接して基板内に形成されたフォトダイオードとを備えるイメージセンサが提供される。 - 特許庁

The fault detection method includes the steps of operating the high side isolation switches to enable one of the piezoelectric injectors and disable the other piezoelectric injectors, and performing diagnostics to detect the presence or absence of faults on the enabled piezoelectric injector.例文帳に追加

故障検出法は、高側分離スイッチを圧電式噴射器の１つをイネーブルし、他の圧電式噴射器をディスエーブルするように動作させるステップと、イネーブルされた圧電式噴射器の故障の有無を検出する診断を実行するステップとを含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 1 including a plurality of device regions and a device isolation region 13 defining the device regions, and a MOS transistor formed on a semiconductor substrate major surface and having a source/drain region 11 and a gate 12.例文帳に追加

複数の素子領域及びこれらを区画する素子分離領域１３を有するシリコンなどの半導体基板１と、半導体基板主面に形成されたソース／ドレイン領域１１及びゲート１２を有するＭＯＳトランジスタとを具備している。 - 特許庁

If the Bluetooth(R) module 120 is powered on, a baseband processing unit 201 of the wireless LAN module 123 carries out processing of stopping using the wireless LAN antennas 1, 2, 3 sequentially in the order from a lowest level of isolation with the BT antenna 5.例文帳に追加

無線ＬＡＮモジュール１２３のベースバンド処理部２０１は、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈモジュール１２０が電源オンされた場合、無線ＬＡＮアンテナ１，２，３をＢＴアンテナ５とのアイソレーションレベルが低い順に順次使用停止する処理を実行する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor having an air isolation structure exhibiting temperature characteristics adaptable to production of semiconductor and employing a sacrifice polymer film capable of forming a thick film of 1 μm or above easily while reducing metal impurities.例文帳に追加

半導体製造に適合する温度特性を有し、金属不純物の低減が容易で、しかも１μｍ以上の厚膜が容易に形成できる犠牲ポリマー膜を用いたエアアイソレーション構造を有する半導体の製造法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device employing a trench isolation structure in which reliability is enhanced by forming a cavity selectively, thereby suppressing troubles due to crystal defect effectively; and to provide its fabrication process.例文帳に追加

トレンチ分離構造を採用する半導体装置において、選択的に空洞部を形成することにより、結晶欠陥による弊害を効果的に抑制して、信用性の向上が図られた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Actually, we are in the midst of an unprecedented and multi-faceted transaction-from military government to democracy, from armed conflicts to peace, from a state-centered economy to a free market economy and from isolation to being an active and productive member of the international community.例文帳に追加

実際、我々は軍事政権から民主主義へ、武装闘争から和平へ、国家中心の経済から自由経済へ、孤立から国際社会の積極的かつ生産的なメンバーへ、前例のない多面的な転換の、真っ只中にあります。 - 財務省

The vibration isolation insertion members 6 are inserted in the gaps between each panel 2 and the gaps between the main body part of the artificial satellite and the panels 2 adjacent to the main body part in such a manner that the same get into contact on one surfaces and are bonded on another surfaces.例文帳に追加

また、振動防止挿入部材６は、片面が接触し、もう一方の面が接着するように、各パネル２同士の間隙および人工衛星の本体部分とこの本体部分に隣接するパネルとの間隙に挿入されている。 - 特許庁

To provide a fixing device of a vibration isolation structure capable of preventing an upper structure from an unpleasant rolling by wind, at the same time, increasing flexibility of a setting position and being set in even a narrow space between the upper structure and the ground.例文帳に追加

風による上部構造物の不快な横揺れを防止できると共に、設置位置の自由度を増大し得て、例えば上部構造物と地盤との間の狭い空間にも問題なく設置できる免震構造物の固定装置を提供すること。 - 特許庁

A first and a second transmitter is coupled to the first and second acoustic isolation transformers to receive a first and a second data input signal and generate the first and second modulated input signals in response to the first and second data input signals.例文帳に追加

第1及び第2の送信機が第1及び第2の音響絶縁変成器に結合されて、第1及び第2のデータ入力信号を受け取り、第1及び第2のデータ入力信号に応じて第1及び第2の変調入力信号を生成する。 - 特許庁

An elastic spiral body, which secures a space for housing a new cable inside the subterranean buried cable where a cable is housed and also performs its isolation from the existing cable, is laid, and then the new cable is laid in the elastic spiral body.例文帳に追加

ケーブルが収容されている地中埋設管の内部に、新設ケーブルを収容する空間を確保すると共に既設ケーブルとの隔離を行う弾性らせん状体を布設した後に、該弾性らせん状体内に新設ケーブルを布設する。 - 特許庁

To improve the vibration isolation property of the air mount, a pressure controller is provided that can reduce pressure gas pressure variation within a gas chamber, resulting in decrease in air mount (positive) rigidity.例文帳に追加

エアマウントの振動絶縁特性を改善するために、エアマウントのガス・チャンバの体積変化によるガス・チャンバ内のガスの圧力変化を小さくするようになされた圧力コントローラを提供することによってエアマウントの（正の）剛性が小さくなっている。 - 特許庁

The sliding bearing type base isolation device has a combination of a complete circular shape with an annular shape, or two annular shapes as the sliding contact surfaces 3 and 3a, and thereby reduces a change in contact area between the sliding contact surfaces 3 and 3a when the sliding bearing materials slide.例文帳に追加

即ち、摺接面３、3aの組合せは、全面円形状と円環形状、又は両方とも円環形状とし、滑り支承材のスライド時、摺接面３、3aの接触面積の変化が小さい滑り支承式免震装置とする。 - 特許庁

An impurity diffusing layer which may be used for isolation of elements is formed of a back gate, and a diffusing layer adjacent to the diffusing layer to form the back gate is formed of a drain, a source and a gate of the wiring layer bridging over the drain, source and back gate.例文帳に追加

素子分離として用いることのできる不純物拡散層をバックゲート、バックゲートを形成する拡散層に隣接した拡散層をドレイン及びソース、ドレイン、ソース及びバックゲート上を跨ぐ配線層のゲートからなる構成を有している。 - 特許庁

Reflecting electric power arising from providing the line 21b different in line width in a subsidiary line 2b is improved by connecting the subsidiary line 2b, a coupling port 20a, and the isolation port 20c, respectively via impedance matching devices 20ab, 20bc.例文帳に追加

副線路２ｂに線路幅の異なる線路２１ｂを設けることによる反射電力は、副線路２ｂと結合ポート２０ａ、アイソレーションポート２０ｃとをそれぞれインピーダンス整合器２０ａｂ、２０ｂｃを介して接続することにより改善する。 - 特許庁

An isolation region defining an active region of the bulk body element region of the substrate and defining first sacrificial patterns and first active patterns, which are sequentially stacked on a first element region of the floating body element regions of the substrate is formed.例文帳に追加

バルクボディ素子領域の基板の活性領域を画定するとともに、フローティングボディ素子領域のうち第１素子領域の基板上に順に積層された第１犠牲パターン及び第１活性パターンを画定する素子分離膜を形成する。 - 特許庁

To make base isolation of an addition building without influencing on the lower existing building during work, reduce the earthquake force transmitted to an existing building and lessen the reinforcement of the existing building when a building is added on the upper part of the existing building.例文帳に追加

既存建物の上部に建物を増築する際、下部の既存建物に工事中影響を与えることなく増築建屋を免震化して、該既存建物に伝わる地震力を低減させると共に該既存建物への補強を少なくする。 - 特許庁

On the surface of the epitaxial layer 2, a high-concentration diffusion layer 13 made of an N-type impurity and an electrode extraction layer 14 are so formed between a low-concentration drain layer 9 and the insulating isolation layer 12 as to be adjacent to the layers 9 and 12.例文帳に追加

そして、エピタキシャル層２の表面であって、低濃度のドレイン層９と絶縁分離層１２との間に、それらの層に隣接してＮ型不純物から成る高濃度拡散層１３及び電極取り出し層１４が形成されている。 - 特許庁

Also, an input level obtained when an amplification operation is stopped becomes a very small value in comparison with a level obtained when the amplification operation is performed because the level of an inputted high frequency signal is subjected to attenuation control, and the off isolation of the circuit can be sufficiently taken.例文帳に追加

また、入力される高周波信号のレベルが減衰制御されるため、増幅動作停止時の入力レベルは動作時のレベルに比べ非常に小さな値となっており、高周波増幅回路１のオフ・アイソレーションも十分取れることになる。 - 特許庁

Then, a silicon oxide film is formed that is at least thicker than the film thickness of the gate electrode and thinner than the film thickness totalling the film thickness of the gate electrode and the thickness of the etched isolation insulating film, and an etching stopper film is formed on top of the silicon oxide film.例文帳に追加

その後、少なくともゲート電極の膜厚よりも厚く、かつ、ゲート電極の膜厚と分離絶縁膜のエッチング膜厚とを合計した膜厚よりも薄いシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜上に、エッチングストッパ膜を形成する。 - 特許庁

To provide a center pillar base isolation device for an underground structure with high reliability, which can reduce the shearing force and bending moment applied to the floor surface, the ceiling surface of an underground structure and the upper and lower ends of a center pillar while the rotational rigidity is adjusted.例文帳に追加

地下構造物の床面及び天井面と、中柱の上下端部に作用する剪断力及び曲げモーメントを回転剛性を調整しつつ低減できると共に、信頼性の高い地下構造物の中柱用免震装置を提供する。 - 特許庁

An input terminal 1a, a passage terminal 1b, a joint terminal 1c, and an isolation terminal 1d are grounded by four pieces of second capacitors 3b of the same capacitance, and they are connected by two pieces of first inductors 2a and two pieces of second inductors 2b, respectively.例文帳に追加

入力端子１ａ、通過端子１ｂ、結合端子１ｃ、アイソレーション端子１ｄは、値の等しい４個の第２のキャパシタ３bで接地されており、かつ、それぞれ２個の第１のインダクタ２ａおよび２個の第２のインダクタ２ｂで接続されている。 - 特許庁

To provide a damping device demonstrating damping effect against deformation of a minute amplitude caused in a structure by wind or the like and capable of being used again after a big vibration is applied on the device, and a seismic isolation structure and a vibration control structure using the same.例文帳に追加

風等により構造物に生じる微小振幅の変形に減衰効果を発揮し、大きな揺れが生じた後も再使用が可能な減衰装置並びにこの減衰装置を用いた免震構造物及び制振構造物を提供する。 - 特許庁

Then, dry hot air 23 is blown to and at the same time the surface is smeared with the compound by a coating apparatus 24 of such as sponge or a non-woven fabric to cause isolation reaction between the active hydrogen in the surface of the substrate and the hydrolyzable group of the compound and form covalent bonds.例文帳に追加

次にドライ温風23を吹き付けるとともにスポンジ又は不織布等の塗布装置24で擦りつけ、前記基材表面の活性水素と前記化合物の加水分解性基との間で脱離反応を起こさせ共有結合させる。 - 特許庁

When, for example, capacitances exist at both ends of the element SW1 at the time the element SW1 is turned off, signals leak and pass through the element SW1, but because of the inductor L1, the resistance values at both ends ideally become infinite and the isolation between terminals P1 and P2 is improved.例文帳に追加

例えばスイッチ素子ＳＷ１がオフ時にその両端に容量が存在すると信号が漏れて通過するが、インダクタＬ１を設けたことでその両端の抵抗値が理想上無限大となり、端子Ｐ１とＰ２とのアイソレーションが向上する。 - 特許庁

To manufacture a surface acoustic wave branching filter, where two surface acoustic wave filters are contained in one package, which prevents deterioration in the attenuation and the isolation due to mutual inductance, intrusion of generated noise to the circuit and can be downsized.例文帳に追加

二つの弾性表面波フィルタを一つのパッケ−ジにした弾性表面波分波器の製造において、相互誘導による減衰量やアイソレ−ションの悪化、発生したノイズの回路への流入を防ぐこと並びに、装置の小型化を目的としている。 - 特許庁

In the isolation wall 14, a p-type semiconductor wall 141 and an insulator wall 142 are arranged in this order in a direction from a first light receiving region of the first light receiving element 12 to a second light receiving region of the second light receiving element 13.例文帳に追加

この分離壁１４は、第１の受光素子部１２の第１の受光領域から第２の受光素子部１３の第２の受光領域に至る方向にＰ型半導体壁１４１と絶縁体壁１４２とをこの順に配設している。 - 特許庁

To provide a ΣΔ A/D converter provided with an isolation means that is surely operated, even at application of power with saved power consumption and capable of high speed sampling and to provide a flow rate and speed measurement device using the ΣΔ A/D converter.例文帳に追加

電源投入時にも確実に作動する省電力化が可能であると同時に高速サンプリングが可能な絶縁手段を備えたΣΔＡＤ変換器及びこれを用いた流量流速測定装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a container for a fixed amount of liquid which is capable of selectively performing metering and preparative isolation of a plurality of kinds, and selecting the amount of the liquid according to the applications of the stored liquid and the kinds of objects to be used, and by which the metering and spouting operations can be extremely simply performed.例文帳に追加

複数種類の計量・分取を選択的に行えて、収納液の用途や使用対象物の種類等に応じて液量を選択でき、その計量・注出操作も極めて簡単である定量液体注出容器を提案する。 - 特許庁

Since magnetic flux can cross a secondary coil at a part where magnetic flux density is high with a long center iron core having a length projecting out of the isolation case, a change quantity of the magnetic flux when a current flowing in the primary coil is shut off can be increased.例文帳に追加

前記絶縁ケースよりはみ出した長さの長いセンタ鉄心は、磁束密度の高い部分で二次コイルに磁束を鎖交させることができるため、一次コイルに流す電流を遮断した場合の磁束の変化量も大きくすることができる。 - 特許庁

In a base isolation device, a roll element raceway surface 2a on an upper surface of the base plate 2 is formed in a hollow shape having an ascent gradient from a center part toward an outer circumference part, and an opening part 2b is provided on a center part of the rolling element raceway surface 2a.例文帳に追加

免震装置１において、ベースプレート２の上面における転動体転走面２ａを、中央部から外周部に向かって上り勾配となる凹形状とし、転動体転走面２ａの中央部に開口部２ｂを設ける。 - 特許庁

After a thermal oxide film 4 is formed on the inner wall surface of an isolation groove 3, a silicon semiconductor substrate 1 is heated by a lamp annealing apparatus, at higher temperature than during the formation of the thermal oxide film 4, for example, at 950°C for a short time (30 seconds in this case).例文帳に追加

分離溝３の内壁面に熱酸化膜４を形成した後、ランプアニール装置を用い、熱酸化膜４の形成時よりも高温、例えば９５０℃で所定の短時間（ここでは例えば３０秒間）、シリコン半導体基板１を加熱処理する。 - 特許庁