「Isotropic」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The polarization splitting element 1 comprises a transparent substrate 4; an organic birefringence film 3 formed on the transparent substrate 4; an irregular lattice 5 formed periodically on one surface of the organic birefringence film 3; and an isotropic overcoat agent 6 filled into the irregular lattice 5.例文帳に追加

偏光分離素子１は、透明基板４と、この透明基板４上に形成された有機複屈折膜３と、この有機複屈折膜３の一方の面に周期的に形成されている凹凸格子５と、この凹凸格子５に充填されている等方性のオーバーコート剤６とを備えている。 - 特許庁

To find a novel possibility for in-situ cleaning of the optical surfaces of reflection optics which are contaminated by debris in plasma-based radiation sources so as to allow an integrated generation of known gas radicals and the isotropic distribution thereof on the contaminated optical surfaces.例文帳に追加

公知のガスラジカルの集積発生と、汚染された光学表面上でのその等方的な分散とを可能にするように、プラズマベースの放射線源においてデブリによって汚染された反射光学素子の光学表面の、その場での清浄化のための新規な可能性を見出す。 - 特許庁

(2) The resist is patternwise exposed with an allowance for the resolution limit of the resolving power of wavelength of exposing light and this resist or a mask material formed from the resist is treated by isotropic etching to carry out patterning finer than the resolution limit.例文帳に追加

レジストについて露光波長の解像力の解像限界より余裕をもったパターン露光を行い、その後該レジスト又はレジストにより形成されたマスク材料を等方性エッチングを用いて処理することにより、前記露光波長の解像力の解像限界よりも微細なパターニングを行う。 - 特許庁

The spontaneous polarization of the barium titanate particulates 11 occurrs in the dielectric substance layer 1 and the liquid crystal molecule 9a is aligned in an electric field direction by applying a voltage between electrodes 4a-4b in a state in which the liquid crystal material exhibits an isotropic phase.例文帳に追加

そして、上記の液晶材料がアイソトロピック相を呈する状態で電極４ａ−４ｂ間に電圧を印加することにより、誘電性物質層１内のチタン酸バリウム微粒子１１の自発分極および液晶分子９ａを電界方向に配向させる。 - 特許庁

The metal based carbon fiber-reinforced composite material has a sandwich structure in which an isotropic carbon material having a carbon material produced by molding carbon granulates such as a CIP material, an extruded material, a molded material or a short fiber molded body is used as a core material 2, and skin materials 1 composed of carbon fiber are arranged outside the core material.例文帳に追加

金属基炭素繊維強化複合材料を、CIP材、押出材、型込材、短繊維成型体などの炭素粉粒体を成型して製作した炭素材を有した等方性炭素材をコア材２とし、外側に炭素繊維からなるスキン材１を配するサンドイッチ構造にする。 - 特許庁

Such a ring-like magnet 11 can be integrally molded by pressurization resin-molding using an isotropic bond magnet material, after arranging a plurality of the anisotropic sintered magnet pieces 21a at prescribed positions inside a die cavity and accordingly, such a ring-like magnet can be manufactured at low cost and in a simple manner.例文帳に追加

かかるリング状磁石１１は、金型のキャビティ内に複数の異方性焼結磁石片２１ａを所定位置に配置することにより、等方性ボンド磁石材料を用いた加圧樹脂成形により一体成形可能なものであり、低コストで且つ簡便に製造される。 - 特許庁

In the fine channel structure 1, the fine channel 14 having a small lateral width and a large vertical width can be easily formed utilizing isotropic etching by interposing the intermediate substrate 12 with the through hole 121 between the first substrate 11 and the second substrate 13.例文帳に追加

微細流路構造体１では、貫通孔１２１が形成された中間基板１２を、第１基板１１および第２基板１３で挟んで積層することにより、横幅が小さく縦幅が大きい微細流路１４を等方性エッチングを利用して容易に形成することができる。 - 特許庁

The resistance applied when separated is reduced, the generation of the defective transfer and the burr is reduced, and the transfer foil and the transferred object thereof of stable workability are attained, by forming a contour part (breaking portion) of a liquid crystal layer generating anisotropy in breakage resistance into polydomain structure or an isotropic phase.例文帳に追加

破断抵抗に異方性を生じる液晶層の輪郭部（破断させる部分）をポリドメイン構造若しくはアイソトロピック相とすることにより、剥離時にかかる抵抗を低減し、転写欠けやバリを軽減し、作業性が安定した転写箔およびその転写物が提供可能となる。 - 特許庁

The specimen is held by a non-fibrous isotropic porous material 26, the specimen held by the porous material 26 is irradiated with the electromagnetic wave 27 to detect a change in a propagation state of the electromagnetic wave 27 due to transmission or reflection through/by the porous material 26, and the information on the specimen is acquired based on a detection result therein.例文帳に追加

非繊維状の等方性多孔質材26に検体を保持させ、多孔質材26に保持された検体に電磁波27を照射し、多孔質材26を透過若しくは反射することによる電磁波27の伝搬状態の変化を検出し、検出結果に基づいて検体の情報を取得する。 - 特許庁

The obtained anti-glare film has rugged structure on the surface of an anti-glare layer and is constituted so that incident light is transmitted and scattered in an isotropic state, a scatter angle indicating the maximum value of scattered light intensity is 0.1-10° and total light transmissivity is 70-100%.例文帳に追加

得られた防眩性フィルムは、前記防眩層の表面に凹凸構造を有しており、入射光を等方的に透過して散乱し、かつ散乱光強度の極大値を示す散乱角が０．１〜１０°であるとともに、全光線透過率が７０〜１００％である。 - 特許庁

A trench channel 5 is formed whose cross-sectional shape is tapered, in the normal order of a bottom getting narrower against an upper part, by combination of a wet-etching with an insulating film 3 and a dry-etching using an isotropic gas with an i-layer 2 and an n-type high concentration substrate 1.例文帳に追加

ウエットエッチング法による絶縁膜３のエッチングと、等方性ガスを用いたドライエッチング法によるｉ層２およびｎ型高濃度基板１のエッチングとを組み合わせることにより、その断面形状が、底部が上部に比べて細い順テーパー形状となるトレンチ溝５を形成する。 - 特許庁

This device for preventing and improving laxation of body is composed of an elastic fiber non-woven fabric having permeability and isotropic elasticity, is worn on a prescribed part of the head part 2 in a tensed state, press-fitted with a projecting part curved into a convex form outward the head part 2 and applies the tensile force to the projecting part in the planar direction.例文帳に追加

通気性を有しかつ等方的に伸縮性を有する弾性繊維不織布から成り、頭部２の所定部位に伸張状態で装着され、頭部２の外方に凸に湾曲した凸状部分に圧接して、その凸状部分に面方向に引張力を作用させる。 - 特許庁

This sintered material is obtained by incorporating a high melting point metal or alloy with at least one kind among hydrogen, helium, carbon, nitrogen, oxygen, fluorine, neon, chlorine and argon by ≤500 ppm, has a theoretical density ratio of ≥98.5%, has the average grain size of 10 to 600 μm and has been subjected to isotropic press sintering treatment.例文帳に追加

焼結材料は、高融点金属又は合金に、水素、ヘリウム、炭素、窒素、酸素、沸素、ネオン、塩素、及びアルゴンのうちの少くとも一種を５００ｐｐｍ以下含有し、理論密度比が９８．５％以上で、平均粒径が１０〜６００μｍであり、等方加圧焼結処理されている。 - 特許庁

To provide an optical film having low optical anisotropy (Re, Rth) and being substantially optically isotropic and having a narrow wavelength dispersion in the optical anisotropy (Re, Rth) and showing low optical anisotropy (Re, Rth) even when stretched or shrunk.例文帳に追加

光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さく実質的に光学的等方性であり、さらには光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）の波長分散が小さくかつ延伸又は収縮した場合にも光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さい光学フィルムを提供すること。 - 特許庁

The spacer layer has a relatively low refractive index, images the convex-shaped surface by treating a selective and isotropic etching through an opening in an etch mask, and forms an interface together with the convex-shaped lower side surface of the micro lens after the micro lens substance is adhesively formed conformably.例文帳に追加

スペーサー層は比較的低い屈折率を有しており、エッチマスクにおける開口を介して選択的な等方的エッチング処理して凸状表面を画定し、それは、その後のマイクロレンズ物質のコンフォーマルな付着形成の後に、マイクロレンズの凸状下側表面と共に界面を形成する。 - 特許庁

The heating element includes at least one carbon nanotube film, the carbon nanotube film includes a plurality of carbon nanotubes, and the plurality of carbon nanotubes is arrayed in an isotropic manner, arrayed along a predetermined direction or arrayed along a different plurality of directions.例文帳に追加

前記加熱素子が少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを含み、該カーボンナノチューブフィルムが複数のカーボンナノチューブを含み、該複数のカーボンナノチューブが等方的に配列されているか、所定の方向に沿って配列されているか、または、異なる複数の方向に沿って配列されている。 - 特許庁

The heating element contains at least one carbon nanotube film, and the single carbon nanotube film contains a plurality of carbon nanotubes, and the plurality of the carbon nanotubes are aligned isotropic or aligned in a specific direction or aligned in a plurality of different directions.例文帳に追加

前記加熱素子が少なくとも一本のカーボンナノチューブフィルムを含み、該単一のカーボンナノチューブフィルムが複数のカーボンナノチューブを含み、該複数のカーボンナノチューブが等方的に配列されているか、所定の方向に沿って配列されているか、または、異なる複数の方向に沿って配列されている。 - 特許庁

The polymer/liquid crystal composite material comprises (A) a polymer obtained by ion polymerization and (B) a liquid crystal showing a chiral nematic or a blue phase, is optically isotropic without an electric field and shows birefringence in an electric field.例文帳に追加

本発明に係る重合体／液晶複合体は、（Ａ）イオン重合によって得られた重合体と、（Ｂ）カイラルネマチック相またはブルー相を示す液晶とを含有し、電界をかけない時には光学的に等方性であり、電界をかけた時には複屈折を生じることを特徴とする。 - 特許庁

Isotropic etching of polycrystalline silicon using an aqueous acidic composition which includes alkaline compounds, fluoride ions and oxidizing agents realizes texturing with reflectance of incident light 20% or less at incident light wavelengths of 400 nm to 1100 nm without exposed grain boundaries.例文帳に追加

アルカリ化合物、フッ化物イオンおよび酸化剤を含む酸性水性組成物を用い、多結晶シリコンの等方性エッチングを行なうことにより、露出した粒界を含まず、４００ｎｍ〜１１００ｎｍの入射光波長での入射光反射率が２０％以下となるテクスチャが得られる。 - 特許庁

An aqueous solution of a gallium salt is made to react in the presence of sulfate ions and ammonium ions to produce NH4Ga3(SO4)2(OH)6.H2O having an isotropic polyhedral particle form, and then the obtained particles are calcined to produce gallium oxide (Ga2O3) powder which maintains the original particle form.例文帳に追加

ガリウム塩の水溶液に硫酸イオンとアンモニウムイオンとの共存下反応させ、等方的な多面体の粒子形状を持つＮＨ_4Ｇａ_3（ＳＯ_4）_2（ＯＨ）_6・Ｈ_2Ｏを生成し、これを焼成することでその粒子形状を保持した状態の酸化ガリウム（Ｇａ_2Ｏ_3）粉末を製造し、用いる。 - 特許庁

After bringing into reaction an optical isotropic pitch, which is obtained by polymerizing a condensed polycyclic compound or a material containing the same under the presence of hydrogen fluoride/boron trifluoride, and at least one kind of crosslinking agent selected from p-benzoquinone, anthraquinone, and sulfur, a thermal treatment is performed at a temperature of 800°C or higher.例文帳に追加

縮合多環式化合物またはこれを含有する物質を弗化水素・三弗化硼素の存在下で重合させて得られた光学的等方性ピッチと、ｐ-ベンゾキノン、アントラキノン、硫黄から選ばれる少なくとも１種の架橋剤とを反応させた後、８００℃以上の温度で熱処理する。 - 特許庁

The metal thin film 14 is subjected to reactive ion etching treatment, pattern formation being faithful to the mask 17 is carried out by the ion etching, isotropic etching of a radical is utilized for advancing the etching from the gap between the mask 17 and the metal thin film 14, and the sectional shape of a gate electrode 18 is tapered.例文帳に追加

金属薄膜14をリアクティブ・イオン・エッチング処理し、イオンエッチングによってマスク17に忠実にパターン形成し、ラジカルの等方性エッチングを利用してマスク17と金属薄膜14の隙間からエッチングを進行させ、ゲート電極18の断面形状を肩の落ちたテーパ形状にする。 - 特許庁

At that time, SF_6 gas is added for etching in addition to Cl_2 and O_2 used for etching gas to make isotropic etching possible, and thereby an amount of etching residues 9 left on the side surface of an FLR 5 can be reduced.例文帳に追加

半導体基板３上のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をドライエッチングにより加工し、ゲート電極８Ｇを形成する際、エッチングガスに使用するＣｌ_２及びＯ_２ガスに加え、ＳＦ_６ガスを添加してエッチングすることにより、等方性エッチングを可能にし、ＦＬＲ５の側面のエッチング残り９の量を低減させる。 - 特許庁

The thermal expansion coefficient of the buffer layer 12 and the thermal expansion coefficient of the upper clad 14 are set to be almost equal, and thus, the stresses applied to the cores 13a, 13b become isotropic substantially, therefore, the occurrence of birefringence can be suppressed effectively.例文帳に追加

本発明では、バッファ層１２の熱膨張率と上部クラッド１４の熱膨張率とがほぼ等しく設定されており、これによりコア１３ａ，１３ｂにかかる応力が実質的に等方性となることから、複屈折の発生を効果的に抑制することが可能となる。 - 特許庁

The position of the through hole and the etching time in isotropic etching are set so that a movable part can move, the sacrifice layer connecting a fixed part to the base layer remains, the sacrifice layer connecting a support part to the base layer remains, and the upper sacrifice layer connecting the support part to the circuit layer remains.例文帳に追加

貫通孔の位置と等方性エッチングでのエッチング時間を、可動部が可動となり、固定部とベース層を接続する犠牲層が残存し、支持部とベース層を接続する犠牲層が残存し、支持部と回路層を接続する上部犠牲層が残存するように設定しておく。 - 特許庁

The process where the gate electrode 201 is left unremoved comprises a step, where a disused part is removed from the gate electrode 201 through an isotropic reactive ion etching method, where an etching gas that contains HBr gas and Cl2 gas is used so as to enable the electrode 201 to be provided with an undercut on its each lower sectional side.例文帳に追加

ゲート電極２０１を残す前記工程は、ＨＢｒガスおよびＣｌ_2ガスを含むエッチングガスを用いた等方性反応性イオンエッチング法によりゲート電極２０１が断面両側下方にアンダーカット部を備えるように不要な部分を除去するステップを含んでいる。 - 特許庁

To provide a coating liquid composition permitting a functional material to form in a thin film a highly dispersed isotropic state closer to a solution state without detriment to its functions in a method for forming a functional thin film, and to provide a thin film-forming method using the same, thin film and a fine structure.例文帳に追加

機能性薄膜の形成方法において、機能材料が該材料の機能を損なうことなく、より溶液状態に近い高分散な等方的状態を薄膜の中で形成し得るための、塗布液組成物、それを用いた薄膜形成方法ならびに薄膜、微細構造体を提供する。 - 特許庁

Alternatively, a decorating film is laminated on a surface of an optical isotropic transparent protective plate being interposed by a polarizing plate 8, and the decorating film 7 forms at least a window forming layer 6 having a transparent window portion 3 on the surface of the hard coating film 5 at the transparent protective plate side.例文帳に追加

あるいは、光学等方性の透明保護板の表面に偏光板８を介して加飾フィルムが積層され、当該加飾フィルム７がハードコートフィルム５の透明保護板側の面に透明窓部３を有する窓形成層６を少なくとも形成してなるものである。 - 特許庁

In the phase difference layer 61, an area planarly overlapping with the transmitting display area T is composed of an optically transparent (or non-birefringent) isotropic layer 63, and an area planarly overlapping with the reflecting display area R is composed of an anisotropic layer 64 which adjusts the phase difference.例文帳に追加

位相差層６１は、透過表示領域Ｔと平面的に重なる領域が、光学的に透明な（すなわち、複屈折を持たない）等方層６３になっており、反射表示領域Ｒと平面的に重なる領域が、位相差を調整する異方層６４となっている。 - 特許庁

Conditions (n_t1-n_l)×(n_l-n_t2)≤0 and n_t1<n_l are satisfied, where n_t1 and n_t2 denote refractive indexes of a second layer 012 and a third layer 013 optically adjacent to the first layer in both sides of the first layer and made of isotropic media at the central wavelength.例文帳に追加

第１の層の両側において該第１の層に光学的に隣接し、等方性媒質により形成された第２の層０１２及び第３の層０１３の上記中心波長での屈折率をそれぞれｎ_t1，ｎ_t2とするとき、（ｎ_t1−ｎ_ｌ）・（ｎ_ｌ−ｎ_t2）≦０，ｎ_t1＜−ｎ_ｌを満足する。 - 特許庁

Portions of a vibrator 11 formed out of a monocrystal silicon substrate 1, other than surfaces where a lower electrode 4a, a piezoelectric thin film 5a, and upper electrodes 6a, 6b, and 6c, are ground by means of reactive ion etching, dry isotropic ion etching, or crystal anisotropic etching, thereby obtaining a desired detuning degree.例文帳に追加

反応性イオンエッチング、乾式等方性イオンエッチング又は結晶異方性エッチングにより、単結晶シリコン基板１から形成された振動子１１の下部電極４ａ、圧電薄膜５ａ、上部電極６ａ，６ｂ，６ｃが形成された面以外を研削することで、所望の離調度とする。 - 特許庁

The phase plate is formed by stacking respectively resin birefringent layers 201 and 202 having respectively a high-molecular liquid crystal layer between contiguous glass substrates of glass substrates 101, 102 and 103 which are optically isotropic substrates and this phase plate is installed in an optical path existing among the light sources and the objective lens of the optical head device.例文帳に追加

光学的等方性基板であるガラス基板１０１、１０２および１０３の、それぞれ隣接するガラス基板間に高分子液晶層からなる樹脂製複屈折層２０１および２０２を積層して位相板を形成し、この位相板を光ヘッド装置の光源と対物レンズとの間の光路中に設置する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises: a step of forming at least one ink injection element 18 or 36 on a surface 14 of a substrate 10; a step of forming a slot 12 in the substrate so as to enable fluid communication between an ink supply source and the ink injection element; and a step of applying isotropic etching to the substrate with the slot.例文帳に追加

基板１０の表面１４上に少なくとも１つのインク射出素子１８、３６を形成するステップと、インク供給源とインク射出素子の間で流体連通を可能にするように基板内にスロット１２を形成するステップと、スロット付き基板に等方性エッチングを施すステップとを含む製造方法。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device has a process of forming an insulating film 2 on a semiconductor wafer 1; a process of forming a conductive film 4 on the insulating film 2; and a process of forming an electrode or wiring 4a and performing isotropic etching on the conductive film 4.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ１上に絶縁膜２を形成する工程と、前記絶縁膜２上に導電膜４を形成する工程と、前記導電膜４を等方性エッチングして電極もしくは配線４ａを形成する工程とを有することを特徴とするものである。 - 特許庁

The first two-dimensional coefficient and a second two-dimensional coefficient calculated by using an interpolation function representing isotropic distribution are synthesized by weighting according to certainty (a reliability z in the interpolation direction) indicating that the peripheral region includes the edge or fine line in the interpolation direction, so that a third two-dimensional coefficient is calculated.例文帳に追加

第１の２次元係数と等方的な分布を示す補間関数を用いて算出される第２の２次元係数とを、周辺領域が補間方向のエッジまたは細線を含むことの確からしさ（補間方向の信頼度ｚ）に応じた重みで合成し、第３の２次元係数を算出する。 - 特許庁

When a photoresist is patterned and a material 2 to be worked is worked using the photoresist to produce a semiconductor device, (1) the resist is patterned, and this resist or a mask material formed from the resist is treated by isotropic etching 6 to carry out finer patterning than the former patterning.例文帳に追加

フォトレジストをパターニングし、これを用いて被加工材２を加工する工程を有する半導体装置の製造方法において、 レジストについてこれをパターニングしたのち、該レジスト又はレジストにより形成されたマスク材料を等方性エッチング６を用いて処理することにより、先のパターニングよりも微細なパターニングを行う工程を具備する。 - 特許庁

The liquid crystal lens has transparent substrates facing each other, one of which has a Fresnel lens plane made of a transparent isotropic material on its surface facing the other substrate, and a liquid crystal layer disposed between those transparent substrates and consisting of positive dielectric anisotropic cholesteric liquid crystals or nematic liquid crystals added with a chiral agent.例文帳に追加

本発明の液晶レンズは、少なくとも一方の対向面上に透明な等方性材料からなるフレネルレンズ面が設けられ、対向配置された透明基板と、この透明基板に挟持された、誘電異方性が正の、コレステリック液晶またはカイラル剤が添加されたネマチック液晶からなる液晶層とを備えている。 - 特許庁

The invention relates to an anisotropically formed powder composed of a polycrystal having a main phase of an isotropic perovskite-type compound to use as a template for preparing a crystal oriented ceramic in which pseudo-cubic {100} planes composing the polycrystal are oriented, and to a method of manufacturing the crystal oriented ceramic using the same.例文帳に追加

等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する擬立方｛１００｝面が配向する結晶配向セラミックスを製造するためのテンプレートとして用いられる異方形状粉末及びこれを用いた結晶配向セラミックスの製造方法である。 - 特許庁

A method of forming the plastic magnet precursor comprises a first step of coating Nd-Fe-B isotropic magnet powder 1 and ferrite anisotropic magnet powder with a titanate coupling agent 4, and a second step of attaching thermoplastic resin powder 2 to the circumference of the magnet powder 1 for the formation of the powdery plastic magnet precursor.例文帳に追加

この発明のプラスチック磁石前駆体は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系等方性磁石粉末１およびフェライト異方性磁石粉末をチタネート系カップリング剤４を用いて被覆処理を施し、この磁石粉末１の周囲に熱可塑性樹脂粉末１を付着して粉末状に構成されている。 - 特許庁

Moreover, a reaction product formed in a pattern sidewall part in self-alignment in dry etching of a metal film or a sidewall insulation film formed in self-alignment in an isotropic etching of a thick insulation film is used as a doping mask in the formation of an offset region or an LDD region.例文帳に追加

また、オフセット領域或いはＬＤＤ領域を形成する際のドーピングマスクとして、金属膜のドライエッチング時にパターン側壁部に自己整合的に形成される反応生成物、或いは厚い絶縁膜の異方性エッチングを行った時に自己整合的に形成される側壁絶縁膜を用いる。 - 特許庁

After a polishing process ends, a top surface of the glass substrate is observed using an optical microscope after a pit defect which has an easy-to-observe size is obtained through 5 μm etching using an acid etching solution including hydrogen fluoride, nitric acid, etc., and then isotropic etching of a processing deformed layer (a flaw etc.) remaining at a chamfer part.例文帳に追加

研磨工程終了後、ガラス基板の表面を、フッ酸や硝酸等を含む酸性のエッチング溶液を用いて５μｍエッチングし、面取り部に残留する加工変質層（キズなど）を等方的にエッチングして観察しやすい大きさのピット欠陥にした後、光学顕微鏡を用いて観察する。 - 特許庁

The light controlling material 1 comprises a transparent surface layer 10, an intermediate layer 20 and a transparent back layer 30 layered in this order; wherein the intermediate layer 20 is an inverse opal structure 24 comprising adjoining spheric spaces 22, and the spheric spaces 22 are filled with a liquid crystal having an isotropic phase.例文帳に追加

透明な表面層１０と、中間層２０と、透明な裏面層３０とが、この順序で積層している調光材料１であって、中間層２０は、球状空間２２が隣接して形成されてなる逆オパール構造体２４であり、球状空間２２には等方相を形成する液晶が充填される。 - 特許庁

In a process to select a kind of layer structures of a chiral smectic C phase by cooling down the element from a cholesteric phase or from an isotropic liquid phase under the application of an electric field in the MDL treatment, the electric field to be applied is given by an electric signal the time interval and the amplitude of which are asymmetrically modulated in positive and negative directions.例文帳に追加

ＭＤＬ処理時にコレステリック相もしくは等方性液体相から電場を印加しながなら冷却してカイラルスメクティックＣ相の層構造を１種類に選択する過程において、印加する電場を時間幅と振幅が正負非対称に変調された電気信号により与えるようにした。 - 特許庁

Preferably the transition temperature of the thermotropic liquid crystal from the solid state to the liquid-crystalline state is 50-150°C and preferably the transition temperature of the thermotropic liquid crystal from the solid state to the liquid- crystalline state is ≥50°C and the transition temperature from the liquid- crystalline state to an isotropic liquid is ≤150°C.例文帳に追加

該サーモトロピック液晶の固体状態から液晶状態への転移温度が５０〜１５０℃であること、サーモトロピック液晶の固体状態から液晶状態への転移温度が５０℃以上であり、かつ液晶状態から等方性液体への転移温度が１５０℃以下であることは好ましい態様である。 - 特許庁

After forming the trenches or the like in a surface layer of the semiconductor layer by anisotropic etching, isotropic dry etching is carried out, with the semiconductor layer being kept at 50-150°C, using a mixed gas containing CF_4 gas and O_2 gas, to deposit a protection film on an exposed surface by reaction between the mixed gas and the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の表面層に、異方性エッチングによりトレンチ等を形成した後、半導体層を５０〜１５０℃の温度に保持した状態で、半導体層と反応して露出面に保護膜を堆積するための、ＣＦ_４ガスおよびＯ_２ガスを含む混合ガスを用いて、等方性ドライエッチングをおこなう。 - 特許庁