Memory Deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24675件
CPU 201 detects whether a USB memory 217 is inserted into a body or pulled out from it with the image formation device powered on, and CPU 201 performs the controlling of changing the image processing specification from the 1st image processing specification to form default to the 2nd one currently customized, or from the 2nd image processing specification to the 1st one.例文帳に追加
画像形成装置の電源供給された状態で、USBメモリ217スの本体への抜き挿し状態をCPU201が検出して、CPU201が画像処理仕様をデフォルトとなる第1の画像処理仕様からカスタマイズされている第2の画像処理仕様、または第2の画像処理仕様から第1の画像処理仕様に切り替え制御する構成を特徴とする。 - 特許庁
A semiconductor memory device includes: bit lines BL and /BL provided in a layer of the same level above a semiconductor substrate 30; a first variable-resistance element 10 and a first MOSFET 20 which are provided below the bit line BL and are connected in series; and a second variable-resistance element 10 and a second MOSFET 20 which are provided below the bit line /BL and are connected in series.例文帳に追加
半導体記憶装置は、半導体基板30の上方の同一レベル層に設けられたビット線BL,/BLと、ビット線BLの下方に設けられかつ直列に接続された第1の抵抗変化素子10及び第1のMOSFET20と、ビット線/BLの下方に設けられかつ直列に接続された第2の抵抗変化素子10及び第2のMOSFET20とを含む。 - 特許庁
A membership certificate DB server 300 receives a device ID and service information from a terminal unit, receives a service information request message to be used from the terminal unit, obtains the requested service information from a memory unit, generates an index including position information to identify the stored position of the obtained service information, and transmits the service information and the index to the terminal unit.例文帳に追加
会員証DBサーバ300は、デバイスIDとサービス情報とを端末装置から受信し、利用するサービス情報の要求メッセージを端末装置から受信し、要求されたサービス情報を記憶部から取得し、取得されたサービス情報の記憶位置を特定する位置情報を含むインデックスを生成し、サービス情報とインデックスとを端末装置に送信する。 - 特許庁
The processing unit 2 is capable of operating selectively either in a programming mode where a data file and fingerprint reference data received from the data terminal are stored into the memory device 3 by actuating the input/output interface circuit 5 or in a data retrieval mode where the data file is transferred to the data terminal by actuating the input/output interface circuit 5 when it is judged by matching that a user has the authority of access.例文帳に追加
処理ユニット2は、入/出力インターフェース回路5を起動してデータターミナルから受け取ったデータファイルと指紋参照データをメモリデバイス3に記憶するプログラミングモードと、ユーザがアクセスする権限があることを照合すると入/出力インターフェース回路5を起動してデータファイルをデータターミナルに転送するデータ検索モードとで選択的に動作可能である。 - 特許庁
A communication device of battery pack includes condensing elements 3 provided at a battery pack 1, memory elements 6 for storing information of the condensing elements 3, a monitoring circuit 5 for detecting voltage, current or temperature of the condensing elements 3, a microcomputer 4 for calculating remainder of condensing elements 3 from detected value of the monitoring circuit 5, and a decoder 7 for converting command code to data.例文帳に追加
バッテリパックの通信装置は、バッテリパック1が備える蓄電素子3と、当該蓄電素子3の情報を記憶するメモリ素子6と、当該蓄電素子3の電圧や電流や温度を検出する監視回路5と、当該監視回路5の検出値より前記蓄電素子3の残量を演算するマイクロプロセッサ4と、命令コードをデータ変換するデコーダ7とを有している。 - 特許庁
The driving circuit includes a logic section (8) which reads a plurality of gradation data out of a display memory circuit (13) in order through data buses (21, 22) and outputs the plurality of read gradation data together as display pixel data and a driving section (9) which drives the display device with an analog gradation signal generated based upon the display pixel data from the logic section (8).例文帳に追加
本発明の駆動回路は、複数の階調データを表示メモリ回路(13)からデータバス(21,22)を介して順番に読み出し、複数の前記読み出された階調データを表示画素データとして一括して出力するロジック部(8)と、前記ロジック部(8)からの前記表示画素データに基づいて生成されたアナログ諧調信号で表示装置を駆動する駆動部(9)とを具備している。 - 特許庁
A device key management part 300 of the digital television (TV) broadcast receiving apparatus 100 records contents key management data 2101, which is used for encrypting and decoding of a cryptographic key for encryption of broadcast program data (contents 2102 to be encrypted) accumulated in personal computers (PCs) 200, to a nonvolatile memory 301 for key data management, respectively, according to the plurality of PCs 200.例文帳に追加
デジタルTV放送受信処理装置100のデバイス鍵管理部300は、PC200において蓄積される放送番組データ(暗号化コンテンツ2102)を暗号化するための暗号鍵に対する暗号化及び復号化に使用するコンテンツ鍵管理データ2101を、複数のPC200のそれぞれに応じて鍵データ管理用不揮発性メモリ301に記録しておく。 - 特許庁
The data retrieval device is provided with a CAM 1A consisting of a plurality of data each consisting of a combination of field data in a lump of consecutive data and a field identifier to identify the field data and with a memory retrieval means 1 that uses data given externally to retrieve the CAM 1A to acquire at least a corresponding entry number as a retrieval result when there are corresponding data in the CAM 1A.例文帳に追加
各々が、連続する一塊のデータ内のフィールドデータと、該フィールドデータを識別するためのフィールド識別子との組み合わせからなる複数のデータで構成されるCAM1Aと、外部から与えられたデータを用いてCAM1Aを検索して、一致するデータがある場合には少なくとも該当するエントリ番号を検索結果として取得するメモリ検索手段1とを具備する。 - 特許庁
In the communication terminal device having a telephone function, an information communication mode function and an origination history displaying function, when the origination is made from the telephone number listed in the electronic information content (such as electronic mail or home page), the electronic information content is stored in a memory, and the electronic information content is also displayed together with the origination information when the origination history is displayed by a user operation.例文帳に追加
電話機能と、情報通信モード機能と、発信履歴表示機能を有する通信端末装置において、電子情報コンテンツ(電子メールやホームページなど)に記載されている電話番号を発信した際に、電子情報コンテンツをメモリに保存しておき、ユーザ操作により発信履歴を表示する際に発信情報と共に電子情報コンテンツも表示する。 - 特許庁
This analytical device 30 includes a multithreading library ML for multithreading a predetermined process described in the test program TP prepared by a user, and when the data stored in a data memory 21 are processed, the threads are generated in accordance with the number of CPUs 23a, 23b using the multithreading library ML, and the processing of these threads is performed in parallel by the CPUs 23a, 23b, respectively.例文帳に追加
この解析装置30は、ユーザによって作成されたテストプログラムTPに記述された所定の処理をマルチスレッド化するマルチスレッド化ライブラリMLを備えており、データメモリ21に記憶されたデータを処理する場合に、マルチスレッド化ライブラリMLを用いてCPU23a,23bの数に応じたスレッドを生成し、これらのスレッドの処理をCPU23a,23bでそれぞれ並行して実行する。 - 特許庁
This semiconductor integrated circuit device has a memory section including a block replacement information registration area capable of registering the block replacement information containing the address information of defective blocks, a bad block information registration area capable of registering the bad block information containing the bad block address information; a block replacement information register group to set the block replacement information; and a bad block flag register group to set the bad block information.例文帳に追加
ディフェクティブブロックのアドレス情報を含むブロック置換情報の登録が可能なブロック置換情報登録領域、及びバッドブロックのアドレス情報を含むバッドブロック情報の登録が可能なバッドブロック情報登録領域を含む記憶部と、ブロック置換情報がセットされるブロック置換情報レジスタ群と、バッドブロック情報がセットされるバッドブロックフラグレジスタ群とを備える。 - 特許庁
In the earthquake damage forecasting part 32, forecasting operation is performed using the report passing status from automatic reporting device 12-1-12-n obtained by the report passing status obtaining part and the elevator earthquake damage database stored in the memory 35, a stopping ratio of the previously selected sample elevator is determined, and a damage ratio of the whole of an objection area to be forecasted and each optional system is forecasted.例文帳に追加
地震被害予測部32において、通報経過状況取得部にて取得した自動通報装置12−1〜12−nからの通報経過状況と記憶部35に保存されたエレベータ地震被害データベースを用いて予測演算を行い、あらかじめ選定したサンプルエレベータの停止率を求め、予測対象地区全体および任意の体制別の被害率を予測する。 - 特許庁
The power supply failure detection method comprises a non-volatile memory which records the operation time information of a device, confirms a normal operation state at each prescribed time, updates an operation confirmation time, and records the final operation confirmation time in a power-failure operation recording region when an operating identifier is detected as an operation history flag at the start of an operation.例文帳に追加
装置の運転時刻情報、運転履歴フラグを記録する不揮発性メモリを備え、所定時間ごとに正常運転状態を確認し運転確認時刻を更新すると共に、運転開始時に運転履歴フラッグとして運転中の識別子を検知した場合、停電運転記録領域に最終の運転確認時刻を記録することを特徴とする電源異常検知方法。 - 特許庁
To provide means for reducing current density required for spin injection magnetization reversal, to provide means for performing magnetic writing operation directly conducting a current to a memory cell without utilizing an external magnetic field, and further to provide a high density magnetic recording apparatus for enabling record reading operation in an equivalent device structure.例文帳に追加
スピン注入磁化反転に要する電流密度を低減化する手段を提供するとともに、高密度磁気記録装置の磁気的メモリーセルに対して、外部磁場を利用することなく、メモリーセルに直接電流を流すことにより磁気的書き込み操作を行う手段を提供し、かつ、同等の素子構造において記録読み取り操作を可能とする高密度磁気記録装置を提供すること。 - 特許庁
The control circuit of the semiconductor device sets the constant current so as to change stepwise by changing second data in a state where the second data is output as trimming data to a multiplexer, extracts the second data corresponding the time when the logic of the comparative result signal is reversed and stores the extracted second data in a memory circuit as first data.例文帳に追加
半導体装置の制御回路は、マルチプレクサに第2のデータをトリミングデータとして出力させる状態で、第2のデータを変化させることにより定電流を段階的に変化するように設定し、比較結果信号の論理が反転した時に対応する第2のデータを抽出し、この抽出した第2のデータを記憶回路に第1のデータとして記憶させる。 - 特許庁
A cache memory device for storing cache data by a set-associative method comprises a profiler for analyzing instructions executed by a CPU to generate profile information (live/dead) representing the possibility that data stored in each cache line will be referred to again, and a cache line selection part for, upon a cache miss, determining a cache line to be replaced according to the profile information.例文帳に追加
セット・アソシアティブ方式でキャッシュデータを格納するキャッシュメモリ装置であって、CPUにて実行される命令を分析して、各キャッシュラインに格納されたデータが再参照される可能性を示すプロファイル情報(ライブ/デッド)を生成するプロファイラと、キャッシュミスが発生した際に、前記プロファイル情報に基づいて、入れ替え(リプレース)対象のキャッシュラインを決定するキャッシュライン選択部と、を備える。 - 特許庁
To provide a printing device calculating a distance between a paper terminal end detection sensor and a printing mechanism part in a dot unit, capable of automatically performing that the distance is memorized in a non-volatile memory element and simplifying a series of operation until the distance calculated from adjustment of a paper terminal end detection sensor position is reflected to a printable paper residual amount calculation means.例文帳に追加
用紙終端検出センサと印刷機構部間の距離をドット単位で算出し、当該距離を不揮発性記憶素子に記憶させることが自動的に実行できて、また、用紙終端検出センサ位置の調整から算出した距離を印刷可能用紙残量算出手段に反映するまでの一連の操作を簡素化することができる印刷装置を提供する。 - 特許庁
This nonvolatile memory device is configured to comprise a substrate, a tunneling layer arranged on the substrate, a charge trap layer that consists of a stoichiometric silicon nitride film and a silicon rich silicon nitride film that are arranged one by one on the tunneling layer, a shielding layer that is arranged on the charge trap layer and intercepts charge transfer and a control gate electrode arranged on the shielding layer.例文帳に追加
基板と、前記基板上に配置されるトンネリング層と、前記トンネリング層上に順次配置される化学量論的シリコン窒化膜及びシリコンリッチシリコン窒化膜からなる電荷トラップ層と、前記電荷トラップ層上に配置されて電荷の移動を遮断する遮蔽層と、前記遮蔽層上に配置されるコントロールゲート電極とを備えて不揮発性メモリ素子を構成する。 - 特許庁
A semiconductor memory device 1 includes first and second memories 2, 20, a data path between the first and second memories 2, 20, a register 51 for storing first data transferred in a first direction on the data path, and a comparison circuit 50 for comparing second data transferred in a second direction on the data path with the first data stored in the register 51 to detect a failure spot.例文帳に追加
半導体記憶装置1は、第1及び第2のメモリ2,20と、第1及び第2のメモリ2,20間のデータパスと、データパスを第1の方向に転送される第1のデータを格納するレジスタ51と、データパスを第2の方向に転送される第2のデータと、レジスタ51に格納された第1のデータとを比較することで、故障箇所を検知する比較回路50とを含む。 - 特許庁
A nonvolatile memory device comprises: bit lines connected to cell strings; page buffers which are connected to the bit lines, and which establish approximate target bit line forcing voltage levels for the bit lines; and bit line forcing voltage clamp circuits which are connected between the bit lines and the page buffers, and which make a precise adjustment to the established approximate target bit line forcing voltage levels.例文帳に追加
セルストリングに連結されたビットライン、ビットラインに連結され、プログラム動作時に、ビットラインにターゲット・ビットライン・フォーシング電圧レベルを大体のところで形成するページバッファ、及び前記ビットラインと前記ページバッファとの間に連結され、大体のところ形成されたターゲット・ビットライン・フォーシング電圧レベルを精密に調整するビットライン・フォーシング電圧クランプ回路を具備する不揮発性メモリ装置である。 - 特許庁
The correcting method of the light emitting device having at least one light emitting diode unit includes a step in which a luminance control signal is inputted into the light emitting diode unit, a step in which an emission luminance of the light emitting diode unit is measured, and a step in which an initial relative relation between the luminance control signal and the emission luminance is written in a memory unit.例文帳に追加
本発明は、少なくとも一つの発光ダイオードユニットを有する発光装置の校正方法であって、輝度コントロール信号を前記発光ダイオードユニットに入力するステップと、前記発光ダイオードユニットの発光輝度を測定するステップと、前記輝度コントロール信号と前記発光輝度との初期相対関係をメモリユニットに書き込むステップとを備えることを特徴とする。 - 特許庁
A power generation device aims to supply electric power for the houses on a full scale by using permanent magnets and shape memory alloys, and to stably supply electric power required for the general houses.例文帳に追加
一般的に家庭における電力は、電力会社の電力以外に一部では太陽電池などの電力などを利用しているが、これらは未だほんの一部であり、本発明は永久磁石と形状記憶合金バネを使って本格的な家庭用の電力供給を目指したものであり、一般家庭の必要電力を安定的に供給する事を目的とした発電装置である。 - 特許庁
A memory control unit receives a write command and write object data from a host device, and when a virtual region of a write destination specified from the write command is a non-allocated virtual region, one pool is selected from the at least two pools on the basis of the priority orders of the at least two pools associated with the virtual volume of the write destination specified from the write command.例文帳に追加
記憶制御装置は、ライトコマンド及びライト対象データをホスト装置から受信し、そのライトコマンドから特定されるライト先の仮想領域が未割当ての仮想領域であれば、そのライトコマンドから特定されるライト先の仮想ボリュームに関連付けられている2以上のプールの優先順位を基に、それら2以上のプールから1つのプールを選択する。 - 特許庁
To solve such a problem that memory overflow occurs to stop drawing processing in case that the number of times of the superposition of canvases, which is accompanied transparency processing, is large in data in an image-processing device which converts a page description language to an image, the language including a drawing object having a transparency attribute and a canvas having a transparency attribute which becomes a base for drawing the drawing object.例文帳に追加
透明度属性を有する描画オブジェクトと、前記描画オブジェクトを描画する土台となる透明度属性を有するキャンバスとを含むページ記述言語を画像に変換処理する画像処理装置において、透明度処理をともなうキャンバスの重ね合わせの回数が多いデータの場合にメモリオーバーフローが発生して描画処理が停止してしまうことを解決すること。 - 特許庁
The memory device 100 includes: a substrate; a set of electrodes disposed on the substrate 110; a dielectric layer 102 formed between the set of electrodes; and a transition metal oxide layer 104 formed between the set of electrodes, the transition metal oxide layer 104 being configured to undergo the metal-insulator transition (MIT) to perform a reading or writing operation.例文帳に追加
メモリ素子100は、基板と、基板110上に配置された一組の電極と、一組の電極の間に形成された誘電体層102と、一組の電極の間に形成された遷移金属酸化物層104とを含み、遷移金属酸化物層104は、金属−絶縁体転移(MIT)を生じて、読み出し又は書き込み動作を行うように構成される。 - 特許庁
In the semiconductor memory device, at least one non-activated wordline neighboring the activated wordline and remaining non-activated wordlines are driven with different wordline driving voltage levels during a period of time that the activated wordline is driven at a high voltage level by applying and selecting an active command.例文帳に追加
本発明の半導体メモリ装置は、アクティブコマンドが印加されて選択されたいずれか1本のワードラインが活性化されることにより、活性化されたワードラインが高電位電圧で駆動される期間において、活性化されたワードラインに隣接する少なくとも1本の非活性化ワードラインと残りの非活性化ワードラインとに対するワードライン駆動電圧を互いに異なる大きさで印加する。 - 特許庁
To provide a spin injection magnetization reversal element which has high perpendicular magnetic anisotropy and moreover does not deteriorate the perpendicular magnetic anisotropy by heat treatment, a magnetic random access memory and an optical modulator constituted by using this spin injection magnetization reversal element, a display device, a holography apparatus, and a hologram recording apparatus constituted by using this optical modulator, and a method of manufacturing the optical modulator.例文帳に追加
高い垂直磁気異方性を有し、また、熱処理によっても垂直磁気異方性が劣化することのないスピン注入磁化反転素子、このスピン注入磁化反転素子を用いて構成される磁気ランダムアクセスメモリおよび光変調器、この光変調器を用いて構成される表示装置、ホログラフィ装置およびホログラム記録装置、この光変調器の製造方法を提供する。 - 特許庁
The storage device receives request information for requesting some file represented by the file list, transmits the file requested by the request information to the file processor, receives processing result information representing a processing result corresponding to the transmitted file, and stores the received processing result information in the processing object memory in which the file corresponding to the received processing result information is stored.例文帳に追加
格納装置は、ファイルリストが表す何れかのファイルを要求するための要求情報を受信し、要求情報によって要求されたファイルをファイル処理装置に送信し、送信されたファイルに対応する処理結果を表す処理結果情報を受信し、受信された処理結果情報を、それに対応するファイルが格納された処理対象記憶部に格納する。 - 特許庁
The identification device 1 includes: an input unit 2 of an input signal; a memory 8 for storing a model signal including an identification object; a test signal generator 6 for generating a test signal from the input signal and the model signal; a switcher 3 for switching over an identification mode and a test mode; and an identifying unit 4 for determining whether the identification object is to be identified from an identification object signal in both modes.例文帳に追加
識別装置1は、入力信号の入力部2と、識別対象を含むモデル信号を記憶する記憶部8と、入力信号とモデル信号からテスト信号を生成するテスト信号生成部6と、識別モードとテストモードを切り替える切替部3と、両モードにおいて識別対象信号から識別対象を識別できるか否かを判定する識別部4を有する。 - 特許庁
When an ultrasonic image preservation request is received via an input device 3 from an operator who refers to the ultrasonic image displayed on a monitor 2, a display control unit 16a stores the ultrasonic image being displayed on the monitor 2 in an image memory 15 together with view information which indicates information of the scan area of ultrasonic waves in generating the ultrasonic image.例文帳に追加
表示制御部16aは、モニタ2にて表示された超音波画像を参照した操作者から入力装置3を介して超音波画像の保存要求を受け付けると、モニタ2に表示されている超音波画像を、当該超音波画像の生成時における超音波の走査領域の情報を示すビュー情報とともに画像メモリ15に格納する。 - 特許庁
The control part 110 outputs a control signal RSP for establishing a pull-up voltage level of the data terminal SDA at a low voltage level in the m-th clock cycle (m is an integer of 1≤m≤n), among the first to n-th clock cycles (n is an integer of ≥2) input to the clock terminal SCK, corresponding to ID information of the memory device 100.例文帳に追加
制御部110は、クロック端子SCKに入力されるクロックの第1〜第n(nは2以上の整数)のクロックサイクルのうちの当該記憶装置100のID情報に対応する第m(mは1≦m≦nである整数)のクロックサイクルにおいて、プルアップされたデータ端子SDAの電圧レベルを低電位レベルに設定するための制御信号RSPを出力する。 - 特許庁
When a personal computer and a compact electronic apparatus encounter loss/theft, positional information terminal connected to the personal computer and the compact electronic apparatus acquires positional information and a date by a plurality of satellites such as GPSs, connects the positional information and the date recorded in a memory to the Internet by a radio communication means such as WiMAX, and transmits the positional information and the date to a log server device.例文帳に追加
パソコン及び小型電子機器が紛失・盗難に遭った場合、パソコン及び小型電子機器に結合された位置情報端末は、複数のGPS等衛星により位置情報及び日時を取得し、メモリへ記録した位置情報及び日時を、WiMAX等無線通信手段によりインターネットへ接続し、ログサーバ装置へ位置情報及び日時を送信する。 - 特許庁
The semiconductor device includes: a sense amplifier SA amplifying potential difference of global bit lines GBL1, GBL2; a plurality of hierarchical switches SW connected to the global bit lines GBL1, GBL2; memory mats MAT1, MAT2 including a plurality of local bit lines connected respectively to the global bit lines GBL1, GBL2 through the hierarchical switch SW; and a control circuit activating the hierarchical switch SW.例文帳に追加
グローバルビット線GBL1,BGL2の電位差を増幅するセンスアンプSAと、グローバルビット線GBL1,BGL2に接続された複数の階層スイッチSWと、階層スイッチSWを介してグローバルビット線GBL1,GBL2にそれぞれ接続される複数のローカルビット線を含むメモリマットMAT1,MAT2と、階層スイッチSWを活性化させる制御回路と、を備える。 - 特許庁
To provide a control device for a power distribution switchgear preventing a supply defect caused by incorrectly opening a main circuit of the power distribution switchgear and preventing a failure such as an occurrence of an unnecessary system loop due to an incorrect power supply, by preparing a self-repair function in advance in consideration of a case in which a memory loses stored information of an excitation output to the main circuit.例文帳に追加
記憶部が主回路への励磁出力の保存情報を喪失した場合を考慮して、あらかじめ自己修復機能を設けることにより、配電用開閉器の主回路を誤開放する供給支障の防止、誤投入による不必要な系統ループ発生等の障害を防止することができる配電用開閉器制御装置を提供する。 - 特許庁
In a device for predicting and coding a moving image sequence using a plurality of memories, parameters such as a code amount usable at each time of the moving image sequence, a scene change amount at the time (scene change detection, etc.), and a characteristic amount and significance of an image region to be predicted are detected so as to use these values as determination measure for selecting a reference memory region.例文帳に追加
複数のメモリを用いて動画像シーケンスを予測、符号化する装置において、動画像シーケンスの各時刻において使用可能な符号量、あるいは当該時刻でのシーンの変化量(シーンチェンジ検出など)、被予測画像領域の特徴量や重要度などのパラメータを検出しておき、これらの値を、参照メモリ領域の選択の際の判定尺度として利用する。 - 特許庁
An image reproducing device includes a memory card 44 for storing image data, a display section 12 for displaying an image based on the image data, a photographic condition determining section 30 for determining photographic conditions of user's preference based on information associated with the image data of the image displayed on the display section, and a supply section 46 for supplying the photographic conditions of user's preference.例文帳に追加
画像データを記憶するメモリカード44と、前記画像データに基づいて画像の表示を行う表示部12と、前記表示部に表示された前記画像の前記画像データに対応づけられている情報に基づいて使用者の好みの撮影条件を決定する撮影条件決定部30と、前記使用者の好みの撮影条件を送出する送出部46とを備える。 - 特許庁
The programming operation method for a flash memory device includes: a plurality of multi-level cells connected to a plurality of bit line pairs and a plurality of word lines respectively; and a page buffer circuit including a high-order bit register for storing input data and outputting the input data or inverted input data, and a low-order bit register for receiving the transmission of the input data through the high-order bit register.例文帳に追加
複数のビットライン対と複数のワードラインにそれぞれ連結される複数のマルチレベルセルと、入力データを格納し、前記入力データあるいは反転された入力データを出力する上位ビットレジスタと、前記上位ビットレジスタを介して入力データの伝達を受ける下位ビットレジスタを含むページバッファ回路とを含むフラッシュメモリ装置のプログラム動作方法。 - 特許庁
The semiconductor memory device includes word lines 1, bit lines 2 arranged so as to intersect with the word lines 1, an insulating film 3 arranged at each of intersections of the word lines 1 and the bit lines 2, an interlayer dielectric filling between the word lines 1 and between the bit lines 2, and a resistance varying material 4 connected to the bit lines 1 and shifted between a low resistance state and a high resistance state.例文帳に追加
半導体記憶装置は、ワード線1と、ワード線1と交差するように配置されたビット線2と、ワード線1とビット線2との各交差部に配置された絶縁膜3と、ワード線1の間及びビット線2の間を埋め込む層間絶縁膜と、ビット線1に接続され、低抵抗状態と高抵抗状態との間で遷移する抵抗変化材4とを備える。 - 特許庁
The algorithm includes: a step of obtaining a reference scan in a probe installation; a step of storing measurement data from this reference scan in a memory device located in the probe; a step of subtracting this reference curve from a curve obtained by all subsequent measurement scans and producing an adjusted curve, and a step of processing the adjusted curve through a high-pass filter.例文帳に追加
このアルゴリズムは、プローブ設置時に基準走査を得る段階と、この基準走査からの測定データをプローブ内に配置したメモリ装置に記憶する段階と、この基準曲線を全ての後続の測定走査によって得た曲線から減算して、調整済み曲線を生成する段階と、該調整済み曲線を高域通過フィルタにより処理する段階と、を含む。 - 特許庁
The testing device that tests devices to be tested comprises a plurality of testing units that test the devices to be tested; a controller that sends commands to the plurality of testing units, respectively and controls the operations of the plurality of testing units, respectively; and a trace memory that receives in sequence the commands sent from the controller to the plurality of testing units, respectively to store the commands.例文帳に追加
被試験デバイスを試験する試験装置であって、被試験デバイスを試験する複数の試験ユニットと、複数の試験ユニットのそれぞれに対してコマンドを送信して、複数の試験ユニットのそれぞれの動作を制御する制御装置と、制御装置から複数の試験ユニットのそれぞれに対して送信されたコマンドを順次受信して記憶するトレースメモリとを備える試験装置を提供する。 - 特許庁
The method for programming the NAND-type flash memory device comprises a first process for applying first voltage to one or more unselected wordlines, a second process for applying a predetermined bitline voltage to an unselected bitline, and a third process for applying a second voltage to the un-selected wordlines and applying a third voltage to a selected wordline out of the wordlines.例文帳に追加
ナンド型フラッシュメモリ装置で、プログラミング法は、ワードラインのうち一つ以上の非選択のワードラインに第1電圧を印加する第1過程と、ビットラインのうち非選択のビットラインに所定のビットライン電圧を印加する第2過程と、前記非選択のワードラインには第2電圧、前記ワードラインのうち選択されたワードラインには第3電圧を印加する第3過程とを備える。 - 特許庁
The photographic image data read by s scanner 12 or inputted by an input device 13 from a digital recording medium is previously recorded in an image and speech memory 15 of a photograph laboratory 1 and the user checks the photographic image data through a data transmission path 3 by a user terminal 21 and inputs the speech by a microphone 22 to allocate the speech data to the photographic image data.例文帳に追加
写真ラボラトリ1の画像および音声メモリ15に、スキャナ12で読み取った又はデジタル記録媒体からの入力装置13で入力した写真画像データを記録しておき、ユーザが、ユーザ端末21によりその写真画像データをデータ伝送路3を通して確認して、マイクロフォン22により音声を入力し、音声データをその写真画像データに割付ける。 - 特許庁
To provide a memory rewriting control system and the control method capable of notifying the outside about the completion of rewriting even not provided with an exclusive region for holding and saving a communication program in a device wherein a communication program used in a communication with a data transmitting party is installed in a ROM to be rewritten and only a rewriting program is installed in other ROM.例文帳に追加
データ転送元との通信プログラムを、書換対象ROMに搭載し、書換用プログラムのみを、他のROMに搭載している機器において、通信プログラムを保持したり退避したりする専用の領域を持たなくても、書き換え終了を外部に通知できるメモリ書換制御システムおよびその制御方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁
The charger 3 charges the cellular phone 1 capable of transmitting positional information expressing a current position of a self-device and transmitting an incoming call notification signal when there is an incoming call, and the charger 3 is provided with: an LED 36 and a vibrator 38 for notifying the incoming call; and a memory 39 in which pieces of notification operation pattern information are stored for each position.例文帳に追加
本発明に係る充電器3は、自装置の現在位置を表わす位置情報を送信すると共に着信があったときに着信通知信号を送信することが可能な携帯電話機1を充電するものであって、着信を報知するためのLED36及びバイブレータ38と、位置毎に報知動作パターン情報が格納されているメモリ39とを具えている。 - 特許庁
The USB driver 101 constitutes a data structure for communication control in an area secured on a system memory 13, when required to be communicated with a USB device 2, stops once the USB controller 14, sets an address for referring to the constituted data structure, in a register 14A of the USB controller 14, and restarts up thereafter the USB controller 14.例文帳に追加
USBドライバ101は、USBデバイス2との通信が必要となると、システムメモリ13上に確保した領域に通信制御用のデータ構造体を構成し、USBコントローラ14を一旦停止させ、USBコントローラ14のレジスタ14Aに、上記構成したデータ構造体を参照するためのアドレスを設定した上で、USBコントローラ14を再起動させる。 - 特許庁
The semiconductor storage device includes: a reference voltage creating circuit 10 for generating a plate voltage to be supplied to a memory cell array; a plate voltage supplying terminal 20 for supplying the plate voltage from the outside; and a switching circuit 30 for switching the supply of the plate voltage from the plate voltage creating circuit and the supply of the plate voltage from the outside through the above plate voltage supplying terminal.例文帳に追加
メモリセルアレイに供給するプレート電圧を発生する基準電圧生成回路10と、外部からプレート電圧を供給するためのプレート電圧供給端子20と、前記プレート電圧発生回路からのプレート電圧供給と前記プレート電圧供給端子を通しての外部からのプレート電圧供給を切替える切替回路30を有する。 - 特許庁
The natural language parsing device creates a syntactic forest including a plurality of construction trees, by subjecting an inputted line of morphemes to syntactic parsing and comprises a first memory for storing grammar rules and a detection means for detecting on the basis of the grammar rules and from the inputted line of morphemes any head-words and a head-word-dominant area corresponding to partial structures dominated by the head-words.例文帳に追加
入力形態素列を構文解析することにより、複数の構文木を内包する統語森を生成する自然言語解析装置であって、文法規則を記憶する第1のメモリを具備し、前記文法規則に基づいて、前記入力形態素列から主辞及び前記主辞が支配する部分構造に相当する主辞支配域を検出する検出手段を具備する。 - 特許庁
The method of erasing data of the SONOS memory device is characterised in that the data are erased by injecting hot holes that are generated by high electric field between at least one of the first electrode and the second electrode both connected with at least one bit line and a gate electrode connected with a wordline, into a nitride film through a tunnel oxide film energy barrier.例文帳に追加
少なくとも一つのビットラインに接続された第1及び第2電極のうち少なくとも一つの電極とワードラインに接続されたゲート電極間の高電界によって発生するホットホールがトンネル酸化膜エネルギー障壁を越えて窒化膜に注入されることによってデータが消去されることを特徴とするSONOSメモリ素子のデータ消去方法である。 - 特許庁
The ferroelectric memory device includes a first word line WL extending in a first direction, a plurality of element regions 112 placed in the first direction on both sides of the first word line WL, and a plurality of first ferroelectric capacitors 170 respectively connected with the plurality of element regions 112 and driven by the first word line WL.例文帳に追加
強誘電体メモリ装置を、第1の方向に延在する第1のワード線WLと、第1のワード線WLの両側に、第1の方向に配列された複数の素子領域112と、複数の素子領域112にそれぞれ接続され、第1のワード線WLにより駆動される複数の第1の強誘電体キャパシタ170と、を有する構成とする。 - 特許庁
The adaptive ISPP method of the flash memory device of this invention includes a first programming stage of executing programming/verifying loops by a first program voltage and first verifying time until at least one passed cell is generated and a second programming stage of executing the programming/verifying loops by a second program voltage and second verifying time after at least one passed cell is generated.例文帳に追加
本発明のフラッシュメモリ装置の適応的ISPP方法は少なくとも一つのパスセルが発生するまで、第1プログラム電圧と第1検証時間でプログラム及び検証のループを実行する第1プログラム段階と、少なくとも一つのパスセルが発生した後、第2プログラム電圧と第2検証時間でプログラム及び検証のループを実行する第2プログラム段階を含む。 - 特許庁
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